JP2006350325A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006350325A5
JP2006350325A5 JP2006142882A JP2006142882A JP2006350325A5 JP 2006350325 A5 JP2006350325 A5 JP 2006350325A5 JP 2006142882 A JP2006142882 A JP 2006142882A JP 2006142882 A JP2006142882 A JP 2006142882A JP 2006350325 A5 JP2006350325 A5 JP 2006350325A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
film
photoresist pattern
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006142882A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4880361B2 (ja
JP2006350325A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050051421A external-priority patent/KR100705416B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2006350325A publication Critical patent/JP2006350325A/ja
Publication of JP2006350325A5 publication Critical patent/JP2006350325A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4880361B2 publication Critical patent/JP4880361B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006142882A 2005-06-15 2006-05-23 フォトレジスト除去用組成物、フォトレジスト除去用組成物の製造方法、フォトレジスト除去用組成物を用いたフォトレジストの除去方法、及び半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4880361B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050051421A KR100705416B1 (ko) 2005-06-15 2005-06-15 포토레지스트 제거용 조성물, 이의 제조방법, 이를 이용한포토레지스트의 제거 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR10-2005-0051421 2005-06-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006350325A JP2006350325A (ja) 2006-12-28
JP2006350325A5 true JP2006350325A5 (enExample) 2009-07-02
JP4880361B2 JP4880361B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=37574163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006142882A Expired - Fee Related JP4880361B2 (ja) 2005-06-15 2006-05-23 フォトレジスト除去用組成物、フォトレジスト除去用組成物の製造方法、フォトレジスト除去用組成物を用いたフォトレジストの除去方法、及び半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7608540B2 (enExample)
JP (1) JP4880361B2 (enExample)
KR (1) KR100705416B1 (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100183853A1 (en) * 2007-06-12 2010-07-22 Takashi Ihara Stripping agent for resist film on/above conductive polymer, method for stripping resist film, and substrate having patterned conductive polymer
CN201219685Y (zh) * 2008-04-16 2009-04-15 韩广民 组装结构产品及庭院椅
KR101486116B1 (ko) 2008-10-09 2015-01-28 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물
KR101487853B1 (ko) * 2009-02-03 2015-01-29 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 레지스트 박리제 조성물 및 그것을 이용한 레지스트 박리 방법
JP6283477B2 (ja) 2012-06-25 2018-02-21 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ アミド成分を含むフォトレジスト
JP6231423B2 (ja) * 2014-04-09 2017-11-15 東京応化工業株式会社 フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法
US10168805B2 (en) 2014-08-18 2019-01-01 3M Innovative Properties Company Conductive layered structure and methods of making same
US9580672B2 (en) * 2014-09-26 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning composition and method for semiconductor device fabrication
JP6555273B2 (ja) * 2014-11-13 2019-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 タングステンを含む材料のダメージを抑制した半導体素子の洗浄液、およびこれを用いた半導体素子の洗浄方法
KR102427699B1 (ko) * 2015-04-27 2022-08-01 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
IL277275B2 (en) * 2018-03-28 2023-11-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc cleaning products
CN113039486B (zh) 2018-11-14 2024-11-12 朗姆研究公司 可用于下一代光刻法中的硬掩模制作方法
CN113227909B (zh) 2018-12-20 2025-07-04 朗姆研究公司 抗蚀剂的干式显影
TW202514246A (zh) 2019-03-18 2025-04-01 美商蘭姆研究公司 基板處理方法與設備
US12062538B2 (en) 2019-04-30 2024-08-13 Lam Research Corporation Atomic layer etch and selective deposition process for extreme ultraviolet lithography resist improvement
TWI869221B (zh) 2019-06-26 2025-01-01 美商蘭姆研究公司 利用鹵化物化學品的光阻顯影
CN111073367A (zh) * 2019-11-12 2020-04-28 江苏鑫露化工新材料有限公司 一种混合己二酸醇酰胺固化剂的制备方法
KR20250007037A (ko) 2020-01-15 2025-01-13 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층
WO2021173557A1 (en) 2020-02-28 2021-09-02 Lam Research Corporation Multi-layer hardmask for defect reduction in euv patterning
CN116626993A (zh) 2020-07-07 2023-08-22 朗姆研究公司 用于图案化辐射光致抗蚀剂图案化的集成干燥工艺
JP7562696B2 (ja) 2020-11-13 2024-10-07 ラム リサーチ コーポレーション フォトレジストのドライ除去用プロセスツール
CN118020031A (zh) * 2021-07-29 2024-05-10 朗姆研究公司 含金属光致抗蚀剂的再加工
US12474640B2 (en) 2023-03-17 2025-11-18 Lam Research Corporation Integration of dry development and etch processes for EUV patterning in a single process chamber

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09133983A (ja) * 1995-06-12 1997-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JPH095920A (ja) * 1995-06-16 1997-01-10 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JPH0990546A (ja) * 1995-09-21 1997-04-04 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料及びそれに用いるヒドロキサム酸化合物
JP3737196B2 (ja) 1996-06-17 2006-01-18 積水ハウス株式会社 住宅の水平ブレース配置方法
DE19751945A1 (de) 1997-11-24 1999-05-27 Agfa Gevaert Ag Wässrige Zubereitung als Oxidationsschutz
JP3891735B2 (ja) * 1998-08-05 2007-03-14 三星電子株式会社 アルコキシｎ−ヒドロキシアルキルアルカンアミドからなるレジスト除去剤、レジスト除去用組成物、これらの製造方法及びこれらを用いたレジスト除去方法
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
JP4810764B2 (ja) * 2001-06-29 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤組成物
KR100434491B1 (ko) * 2001-08-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법
JP4661007B2 (ja) 2001-08-23 2011-03-30 昭和電工株式会社 サイドウォール除去液
JP2003122028A (ja) 2001-10-17 2003-04-25 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
JP2004029346A (ja) 2002-06-25 2004-01-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
CN1875326A (zh) * 2003-10-29 2006-12-06 长濑化成株式会社 光致抗蚀剂剥离用组合物及剥离光致抗蚀剂的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006350325A5 (enExample)
CN1875325B (zh) 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
JP2009075285A (ja) 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
KR100360397B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법
CN1656206A (zh) 具有改进的基板相容性的无氨碱性微电子清洗组合物
JP2008509554A5 (enExample)
CN1575331A (zh) 清洗组合物
JP2006505629A (ja) 水性ストリッピング及びクリーニング組成物
CN1447754A (zh) 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
WO2015056428A1 (ja) レジスト剥離液
WO2008071077A1 (fr) Composé nettoyant pour éliminer un photorésist
JP4902898B2 (ja) 超小型電子基板のための、安定化された非水性洗浄組成物
JP5519728B2 (ja) エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法
JP2014048667A (ja) 厚膜のネガ型フォトレジスト用剥離液組成物｛ｓｔｒｉｐｐｅｒｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒｔｈｉｃｋｎｅｇａｔｉｖｅｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ｝
JP2001083712A (ja) レジスト用剥離液組成物
CN1784487A (zh) 非水的、非腐蚀性的微电子清洁组合物
KR101459725B1 (ko) 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물
CN101794087B (zh) 用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用所述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂的方法
CN1526007A (zh) 具有改进的基板相容性的无氨碱性微电子清洗组合物
JP2012246474A (ja) 平板表示装置用洗浄剤組成物
JP3833176B2 (ja) フォトレジスト除去剤組成物
CN107406697A (zh) 在低pka驱动的聚合物剥离过程中促进电荷络合铜保护的组合物和方法
JP2007003617A (ja) 剥離液組成物
JP2008216843A (ja) フォトレジスト剥離液組成物
TWI359866B (en) Cleaning composition and method