JP2006332249A - 電子素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板11上に形成された一対の電極13及び14と、電極13及び14間に電極と接するように形成された一つの好ましい方向に配向制御された、実質的に均一な径のチューブ状メソ細孔16が形成されたメソポーラス材料薄膜15と、チューブ状細孔16内に保持された共役高分子化合物と、共役高分子化合物と電気的に絶縁され且つメソポーラス材料薄膜15に接するように形成された第三の電極と、を構成要素として含む電子素子であって、チューブ状細孔16の配向方向が一対の電極13及び14間に電位を印加した場合の電場の方向と実質的に平行である。
【選択図】 図1
Description
[実施例1]
本実施例は、ラビング処理を施したポリイミドをコートした高ドープシリコン基板上に、配向性のチューブ状細孔を有するメソポーラスシリカ薄膜を形成し、焼成によって中空とした細孔内にポリヘキシルチオフェンを導入して、図1の模式図で示される電子素子を作製した例である。
本実施例は、実施例1と同じ、ラビング処理を施したポリイミド膜をコートした基板を用い、ゾル−ゲル法に基づく、ディップコーティングによって、基板上で一方向に細孔方向が配向制御されているメソポーラスシリカ薄膜を作製し、細孔内にポリヘキシルチオフェンを導入した後に、フォーカスド・イオン・ビーム(FIB)によってソース、ドレイン、ゲートの各電極を形成し、電界効果型トランジスタを作製した例である。
本実施例は、重合部位を有する界面活性剤を用いて、実施例1で使用した、ラビング処理を施したポリイミド膜を形成した低抵抗シリコン基板上に、一軸配向性のチューブ状細孔を有するメソポーラスシリカ薄膜を作製し、細孔内で界面活性剤を重合して細孔内に配向性共役高分子化合物を作製した後、この膜をパターニングし、電極を形成して図2の構成の電子素子を作製した例である。
12 絶縁膜
13 電極(ソース)
14 電極(ドレイン)
15 メソポーラスシリカ薄膜
16 共役高分子化合物を保持したチューブ状細孔
21 ゲート電極
31 (テフロン(登録商標)製)反応容器
32 蓋
33 基板ホルダー
34 Oリング
35 基板
41 容器
42 基板
43 前駆体溶液
44 基板ホルダー
45 ロッド
46 zステージ
47 熱電対
48 ヒーター
51 シリコン基板
52 ポリイミドA
53 界面活性剤を保持した配向性メソポーラスシリカ薄膜
54 フォトレジスト
55 電極材料
56 ソース(ドレイン)電極
57 ドレイン(ソース)電極
58 SiO2
61 ポリヘキシルチオフェンを保持したメソポーラスシリカ薄膜
62 FIB加工溝
63 ソース(ドレイン)電極
64 ドレイン(ソース)電極
65 ゲート電極
81 基板
82 重合性部位を有する界面活性剤を用いて作製したメソポーラスシリカ薄膜
83 配向性細孔
84 共役高分子
Claims (10)
- 基板上に形成された一対の電極と、
該一対の電極間に一対の電極と接するように形成された、一つの方向に配向制御された実質的に均一な径のチューブ状メソ細孔を有するメソポーラス材料薄膜と、
該チューブ状細孔内に保持された共役高分子化合物と、
該共役高分子化合物と電気的に絶縁され且つ該メソポーラス材料薄膜に接するように形成された第三の電極と、を含む電子素子であって、
前記チューブ状細孔の配向方向が前記一対の電極間に電位を印加した場合の電場の方向と平行であることを特徴とする電子素子。 - 前記一対の電極間に流れる電流量を、前記第三の電極に印加する電位によって制御する電界効果型トランジスタであることを特徴とする請求項1記載の電子素子。
- 前記メソポーラス材料がシリコン酸化物を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の電子素子。
- 前記メソポーラス材料がシリカであることを特徴とする請求項3記載の電子素子。
- 前記メソポーラス材料がシリカと有機物のハイブリッド材料であることを特徴とする請求項3記載の電子素子。
- 基板の少なくとも一部が導電性を有する基板であり、該基板が第三の電極を兼ねることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項記載の電子素子。
- 一つの方向に配向制御された、実質的に均一な径のチューブ状メソ細孔を有するメソポーラス材料薄膜を基板上に形成する工程と、
該配向制御されたチューブ状細孔内に共役高分子化合物を形成する工程と、
細孔の方向に平行な電場を形成するための一対の電極を、共役高分子化合物を形成したチューブ状細孔を有するメソポーラス材料薄膜に接するように形成する工程と、
該共役高分子化合物と電気的に絶縁され且つ該メソポーラス材料薄膜と接するように第三の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電子素子の製造方法。 - 少なくとも表面の一部に導電性部位を有する基板を準備する工程と、
該基板の導電性部位の上に、一つの方向に配向制御された、実質的に均一な径のチューブ状メソ細孔を有するメソポーラス材料薄膜を形成する工程と、
該配向制御されたチューブ状細孔内に共役高分子化合物を形成する工程と、
細孔の方向に平行な電場を形成するための一対の電極を、共役高分子化合物を形成したチューブ状細孔を有するメソポーラス材料薄膜に接するように形成する工程と、を含むことを特徴とする電子素子の製造方法。 - 請求項4又は5記載の電子素子の製造方法において、
配向制御されたチューブ状細孔内に共役高分子化合物を形成する工程が、
一つの方向に配列した、均一な径のチューブ状の界面活性剤分子集合体を含み構成されるメソポーラス材料薄膜を形成する工程と、
該メソポーラス材料薄膜の細孔中から前記界面活性剤を除去する工程と、
前記界面活性剤を除去した後のメソポーラス材料薄膜の細孔表面が疎水性になるような処理を施す工程と、
該疎水化処理に続いて共役高分子化合物を細孔内に導入する工程と、を含むことを特徴とする電子素子の製造方法。 - 請求項4又は5記載の電子素子の製造方法において、
配向制御されたチューブ状細孔内に共役高分子化合物を形成する工程が、
重合して共役高分子化合物を形成し得る官能基を有する界面活性剤を用いて、一つの方向に配列した、均一な径のチューブ状の界面活性剤分子集合体を含み構成されるメソポーラス材料薄膜を形成する工程と、
メソポーラス材料薄膜内の界面活性剤を重合させて共役高分子化合物を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子素子の製造方法。
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