WO2012105600A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Download PDF

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WO2012105600A1
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thin film
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organic thin
atmosphere
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秀信 柿本
晴香 楠亀
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住友化学株式会社
パナソニック株式会社
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    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Definitions

  • the present invention relates to a method of manufacturing an organic electroluminescent device.
  • An organic EL display (hereinafter, referred to as an "organic EL display") using an organic electroluminescent element (hereinafter, referred to as an “organic EL element”) has attracted attention.
  • An organic EL element used for an organic EL display includes an anode, a cathode, and a light emitting layer disposed between the anode and the cathode, and holes and electrons respectively injected from the anode and the cathode are It emits light by binding in the light emitting layer.
  • the organic EL element has an advantage that an organic layer such as a light emitting layer can be formed by a coating method in which the manufacturing process is simple and the enlargement of the element is easy. Specifically, the organic layer can be formed using a solution containing the organic compound and the organic solvent contained in the organic layer.
  • the method of forming the organic layer of the organic EL element the method of manufacturing the organic EL element having a water concentration of 1,000 ppm or less in the atmosphere for forming the light emitting layer (Patent Document 1)
  • Patent Document 2 A method of manufacturing an organic EL element (Patent Document 2) has been proposed in which the organic layer is manufactured by a wet method in an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 10 ppm or less.
  • JP 2002-352954 A Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-185864
  • the length of the light emission life of the organic EL device manufactured by the above method is not always sufficient, and a method capable of manufacturing an organic EL device having a longer light emission life has been desired.
  • An object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing an organic EL device having a long light emission lifetime, an organic EL device manufactured by the method, a planar light source provided with the organic EL device, a lighting device and a display device. .
  • the present invention comprises a first electrode, a second electrode, and an organic layer provided between the first electrode and the second electrode, wherein the organic layer contains an organic compound.
  • a method, wherein the organic layer is An organic thin film forming step of forming an organic thin film containing an organic compound by a coating method on a surface of a layer on which the organic layer is formed under a low humidity atmosphere having a water concentration of 10 ppm or less on a volume basis; An organic thin film storage step of storing the organic thin film obtained by the organic thin film formation step under a high humidity atmosphere having an absolute humidity of 2.0 ⁇ 10 -3 kg / kg (dry air) or more based on weight; Provided is a method of manufacturing an organic EL device, which is formed by the method including.
  • the high humidity atmosphere has an absolute humidity on a weight basis of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (dry air) or more and 2.0 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (dry air) or less .
  • the high humidity atmosphere has an absolute humidity on a weight basis of 5.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (dry air) or more and 1.5 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (dry air) or less .
  • the low humidity atmosphere contains an inert gas.
  • the low humidity atmosphere has an oxygen concentration of 10 ppm or less on a volume basis.
  • the organic thin film forming step and the organic thin film storing step are performed by sequentially passing the substrate through the space of the atmosphere in which the organic thin film forming step is performed, the buffer space, and the atmosphere of the organic thin film storing step.
  • the pressure in the buffer space is negative compared to the space for performing the organic thin film formation process and the space for performing the organic thin film storage process.
  • the organic thin film formation step and the organic thin film storage step are performed by sequentially passing the substrate through the space of the atmosphere in which the organic thin film formation step is performed and the space of the atmosphere in which the organic thin film storage step is performed.
  • the pressure in the space where the thin film formation process is performed is positive as compared to the space where the organic thin film storage process is performed.
  • the step of storing the organic thin film is followed by the step of baking the organic thin film.
  • the step of firing the organic thin film is performed under an atmosphere containing an inert gas.
  • the step of firing the organic thin film is performed under an atmosphere having an oxygen concentration and a water concentration of 10 ppm or less on a volume basis.
  • the step of firing the organic thin film is performed under a reduced pressure atmosphere having a pressure of 10 Pa or less.
  • the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the organic layer comprises a polymeric organic compound.
  • the organic layer is a light emitting layer.
  • the organic layer comprises a phosphorescent compound.
  • the method further includes the step of forming a functional layer in contact with the light emitting layer.
  • the functional layer is formed between the light emitting layer and the first electrode.
  • the functional layer comprises a polymeric organic compound.
  • this invention provides the organic EL element manufactured by the manufacturing method of the organic EL element in any one of the said.
  • the present invention provides a planar light source comprising the organic EL element.
  • the present invention provides a display device comprising the organic EL element.
  • an organic EL element having a long light emission life can be manufactured. Further, such an organic EL element is suitably used as a flat or curved surface light source used for illumination and the like; a display device such as a segment display device and a dot matrix display device; a backlight such as a liquid crystal display device and the like.
  • FIG. 1 is a view schematically showing one form of the organic EL device manufactured by the method of the present invention.
  • the organic EL element 1 is provided on a substrate 2 and has a first electrode 3, a second electrode 7, and an organic layer 6 provided between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer 6 contains an organic compound.
  • a typical function of each of the layers constituting the organic EL element 1 is that the first electrode 3 is an anode, the second electrode 7 is a cathode, and the organic layer 6 is a light emitting layer.
  • the organic layer 6 includes an organic thin film forming step of forming an organic thin film which is a thin film containing an organic compound on the first electrode 3, and an organic thin film storage step of storing the obtained organic thin film under high humidity atmosphere Are formed by a method including: Details of other components of the organic EL element 1 will be described later.
  • the thin film containing the organic compound may be formed in the same manner as in the prior art, preferably by a coating method in which the manufacturing process is simple and the element can be easily enlarged.
  • the coating method is preferably performed under a low humidity atmosphere having a water concentration of 10 ppm or less, preferably 5 ppm or less, more preferably 1 ppm or less on a volume basis. By doing so, the element characteristics of the organic EL element are improved.
  • the organic thin film is preferably formed under atmospheric pressure or in an atmosphere containing an inert gas.
  • the inert gas may, for example, be helium gas, argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof. Among them, nitrogen gas is preferable from the viewpoint of the easiness of device fabrication.
  • the organic thin film may be formed in the atmosphere, or may be formed in an atmosphere in which the concentration of the inert gas in the atmosphere is equal to or higher than the concentration of the inert gas contained in the atmosphere.
  • the organic thin film is preferably formed in an atmosphere having an oxygen concentration of 1,000 ppm or less on a volume basis, and more preferably formed in an atmosphere having an oxygen concentration of 100 ppm or less on a volume basis, from the viewpoint of device lifetime characteristics. More preferably, the oxygen concentration is 10 ppm or less by volume.
  • the solvent used to form the organic thin film by the coating method is not particularly limited as long as it is a liquid at 1 atm and 25 ° C.
  • it is selected from the group consisting of carbon atom, hydrogen atom, oxygen atom, nitrogen atom and sulfur atom
  • It is a compound consisting of two or more atoms selected, more preferably a compound consisting of two or more atoms selected from the group consisting of carbon atoms, hydrogen atoms, oxygen atoms and nitrogen atoms, still more preferably carbon
  • It is a compound which consists of 2 or more types of atoms chosen from the group which consists of an atom, a hydrogen atom, and an oxygen atom.
  • organic solvents examples include halogenated solvents, hydrocarbon solvents, aromatic hydrocarbon solvents, ether solvents, alcohol solvents, ketone solvents, nitrile solvents, sulfoxide solvents, amide solvents, water. Further, two or more types of organic solvents may be used in combination.
  • halogenated solvents include carbon tetrachloride, methylene chloride, chloroform, dichloroethane, tetrachloroethylene, chlorobenzene, bis (2-chloroethyl) ether, chloromethylethylether, chloromethylmethylether, 2-chloroethylethylether, -Chloroethyl methyl ether is mentioned.
  • hydrocarbon solvents include pentane, hexane, cyclohexane, heptane, octane, decahydronaphthalene, petroleum ether, ligroin.
  • aromatic hydrocarbon solvent examples include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, cumene, pseudocumene, trimethylbenzene, butylbenzene, tetramethylbenzene, tert-butylbenzene, hexylbenzene, heptylbenzene, octylbenzene, nonylbenzene, Examples include decatylbenzene, tetralin, cyclohexylbenzene, decalin and methyl naphthalene.
  • ether solvent diethylether, ethylpropylether, dipropylether, diisopropylether, dibutylether, methyl tert-butylether, anisole, methylanisole, diphenylether, phenoxytoluene, phenoxyxylene, phenoxyxylene, ditolylether, tetrahydrofuran, dihydrofuran, dioxane, Tetrahydropyran, 4-methyl-1,3-dioxane, 4-phenyl-1,3-dioxane can be mentioned.
  • the alcohol solvent include methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 2-methyl-1-propanol, 2-methyl-2-propanol, 1-pentanol, 2 -Pentanol, 3-pentanol, 2,2-dimethyl-1-propanol, 1-hexanol, cyclopentanol, 3-methyl-1-butanol, 3-methyl-2-butanol, 2-methyl-1-butanol , 2,2-dimethyl-1-propanol, 3-hexanol, 2-hexanol, 4-methyl-2-pentanol, 2-methyl-1-pentanol, 2-ethylbutanol, 2,4-dimethyl-3- Pentanol, 3-Heptanol, 4-Heptanol, 2-Heptanol, 1-Heptanol, 2-Ethanol -1-hexanol, 2,6-dimethyl-4-h
  • ketone solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl iso-butyl ketone, cyclohexanone, isopropyl methyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 3-hexanone, diisopropyl ketone, 2-hexanone, cyclopentanone, 4-heptanone and iso.
  • nitrile solvents include acetonitrile, acrylonitrile, trichloroacetonitrile, propionitrile, pivalonitrile, isobutyro nitrile, n-butyro nitrile, methoxyacetonitrile, 2-methylbutyro nitrile, isovaleronitrile, N- valeronitrile, n -Capronitrile, 3-methoxypropionitrile, 3-ethoxypropionitrile, 3,3'-oxydipropionitrile, n-heptanenitrile, glycolonitrile, benzonitrile, ethylene cyanohydrin, succinonitrile, acetone Examples include cyanohydrin and 3-n-butoxypropionitrile.
  • sulfoxide solvent examples include dimethyl sulfoxide, di-n-butyl sulfoxide, tetramethylene sulfoxide and methylphenyl sulfoxide.
  • amide solvent examples include dimethylformamide, dimethylacetamide, acylamide, 2-acetamidoethanol, N, N-dimethyl-m-toluamide, trifluoroacetamide, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethyldodecane amide, Epsilon-caprolactam, N, N-diethylacetamide, N-tert-butylformamide, formamide, pivalamide, N-butylamide, N, N-dimethylacetoacetamide, N-methylformamide, N, N-diethylformamide, N-formylethylamine Acetamide, N, N-diisopropyl formamide, 1-formylpiperidine, N-methylformanilide, N-methylpyrrolidone.
  • one type of solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or more
  • the other type of solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less
  • one solvent is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more
  • the other solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less.
  • At least one of the three types of solvents is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and at least one type of solvent has a boiling point of 180 from the viewpoint of film formability.
  • at least one of the three solvents is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less, and at least one of the solvents is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less It is more preferable that
  • Coating methods include spin coating, casting, microgravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, slit coating, capillary coating, spray coating and A coating method such as a nozzle coating method, and a printing method such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reverse printing method, and an ink jet printing method can be mentioned.
  • Coating methods such as a gravure printing method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a reverse printing method, and an ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor separation are easy.
  • the organic thin film storage step of storing the formed organic thin film is usually performed following the organic thin film formation step.
  • the organic thin film formed in the organic thin film formation step is stored in the organic thin film storage step.
  • the organic thin film storage step the organic thin film is stored under an atmosphere in which the absolute humidity on a weight basis is kept at 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (dry air) or more. By doing so, the light emission lifetime of the organic EL element is extended.
  • the "absolute humidity on a weight basis” is expressed with a unit “kg / kg (dry air)” and is defined by "the weight of water vapor accompanying 1 kg of dry air". In the following, "kg / kg (dry air)” may be described as “kg / kg (DA)”.
  • the formed organic thin film stores water on the surface by being stored in an environment higher in humidity than dry air.
  • the moisture accumulated on the surface of the organic thin film affects the interface characteristics with the film formed on the surface.
  • the resistance applied between the films slightly changes, and the influence such as a change in current amount is considered.
  • the electrode when the electrode is formed on the surface of the organic thin film, the water present on the surface of the organic thin film causes the electrode to be slightly degraded.
  • slightly degrading the electrode in advance before driving the organic EL element even if the electrode is degraded after driving the organic EL element, a sharp drop in the amount of current is prevented, and as a result, the light emission of the organic EL element Life is extended.
  • the organic thin film has an absolute humidity of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more and 2.0 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA) in terms of the life characteristics of the organic EL element. It is preferable to store under an atmosphere maintained below, and the absolute humidity on a weight basis is 5.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more, 2.0 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA) It is more preferable that it is the following.
  • the absolute humidity on a weight basis is 5.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more, 1.5 ⁇ 10 ⁇ 2 kg It is further preferred that the organic thin film be stored under an atmosphere maintained at or below / kg (DA).
  • the organic thin film is usually stored at a temperature in the range of 0 ° C. to 50 ° C., and preferably in the range of 15 ° C. to 30 ° C. from the viewpoint of the life characteristics of the organic EL element.
  • the storage time is appropriately selected according to the type of the organic compound contained in the organic thin film, and is usually about 1 minute to 2 hours.
  • a storage time of 10 minutes to 1 hour, preferably 20 minutes to 40 minutes is appropriate for accumulating moisture appropriately on the surface of the organic thin film.
  • the organic thin film may be stored under an atmosphere containing an inert gas.
  • the inert gas may, for example, be helium gas, argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof.
  • the inert gas is preferably nitrogen gas from the viewpoint of the easiness of device fabrication.
  • the organic thin film may be stored in the atmosphere if it is an atmosphere in which the absolute humidity on a weight basis is maintained at 2.0 ⁇ 10 -3 kg / kg (DA) or more, You may store under the atmosphere whose density
  • the organic thin film is preferably stored in an atmosphere having an oxygen concentration of 1,000 ppm or less on a volume basis, and stored in an atmosphere having an oxygen concentration of 100 ppm or less on a volume basis, from the viewpoint of the life characteristics of the organic EL element More preferably, the oxygen concentration is stored in an atmosphere of 10 ppm or less on a volume basis.
  • the method of forming the organic layer preferably includes the step of baking the organic thin film, which is performed subsequent to the organic thin film storage step.
  • the baking of the organic thin film is performed to evaporate part or all of the organic solvent used in forming the organic thin film.
  • the firing of the organic thin film is preferably performed at a temperature within the range of 50 ° C. to 250 ° C., and preferably performed at a temperature within the range of 50 ° C. to 200 ° C., from the viewpoint of light emission characteristics and lifetime characteristics of the organic EL element. More preferable.
  • the baking time is appropriately selected according to the type of the organic compound contained in the organic thin film, and is usually about 5 minutes to 2 hours. In order to appropriately accumulate moisture on the surface of the organic thin film, the baking temperature is 150 ° C. or less, preferably 80 to 140 ° C., and the baking time is 3 to 20 minutes, preferably 5 to 15 minutes.
  • the firing of the organic thin film is preferably performed in an atmosphere containing an inert gas from the viewpoint of prolonging the life of the organic EL element.
  • the inert gas may, for example, be helium gas, argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof. Among these, nitrogen gas is preferable in terms of the ease of element fabrication.
  • These inert gases are introduced into a storage device that stores the organic EL element precursor.
  • the concentration of the inert gas in the atmosphere is usually 99% or more, preferably 99.5% or more, on a volume basis.
  • the baking of the organic thin film is preferably performed in a state where the oxygen concentration and the water concentration in the atmosphere are each kept at 1000 ppm or less on a volume basis. By this baking, the solvent contained in the organic thin film is removed.
  • the firing of the organic thin film is preferably performed in an atmosphere in which the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere are each kept at 600 ppm or less on a volume basis, from the viewpoint of light emission characteristics and life characteristics of the organic EL element, more preferably
  • the oxygen concentration and the water concentration are each 300 ppm or less on a volume basis, more preferably the oxygen concentration and the water concentration are each 100 ppm or less on a volume basis, and particularly preferably the oxygen concentration and the water concentration are each 10 ppm on a volume basis It is below.
  • the firing of the organic thin film is preferably performed in a reduced pressure atmosphere of 10 Pa or less from the viewpoint of prolonging the life of the organic EL element.
  • the baking of the organic thin film is preferably carried out in a container which is depressurized while an inert gas is introduced. When the baking is performed in a reduced pressure atmosphere, the solvent contained in the organic thin film can be more effectively removed as compared with the baking at the atmospheric pressure.
  • the organic thin film formation step and the organic thin film storage step are carried out by sequentially passing the substrate through the space of the atmosphere suitable for carrying out the respective steps.
  • the space in which each process is performed may be divided as, for example, a room, and the atmosphere of each space may be appropriately adjusted.
  • the atmosphere for performing the organic thin film forming process is preferably 10 ppm or less on a volume basis, more preferably 5 ppm from the viewpoint of improving device characteristics.
  • the following is a low humidity atmosphere having a water concentration of preferably 1 ppm or less.
  • the organic thin film storage step it is necessary to keep the water concentration in the atmosphere high.
  • the atmosphere of the organic thin film storage step is, from the viewpoint of the life of the organic EL element, an absolute humidity on a weight basis of 2.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more, 2.0 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA) B) preferably has an atmosphere maintained below, and has an absolute humidity of 5.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more and 2.0 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA) or less on a weight basis Is more preferred.
  • the absolute humidity on a weight basis is 5.0 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA) or more, 1.5 ⁇ 10 ⁇ 2 kg /
  • An atmosphere maintained at or below kg (DA) is more preferred. Therefore, when the substrate passes through the boundary of the partitioned space, the moisture atmosphere in the room where the organic thin film storage process is performed flows into the room where the organic thin film formation process is performed, so that the formation of the organic thin film is not adversely affected. It is necessary to partition the space and adjust the atmosphere.
  • FIG. 3 is a schematic diagram which shows the example of division of the space which performs an organic thin film formation process, and the space which performs an organic thin film storage process.
  • the buffer space 13 is provided between the space 11 for performing the organic thin film formation process and the space 12 for performing the organic thin film storage process.
  • the substrate 14 passes through the space 11 in which the organic thin film formation process is performed, the buffer space 13, and the space 12 in which the organic thin film storage process is performed.
  • the pressure of the space 11 for performing the organic thin film forming process is the pressure A
  • the pressure of the space 12 for performing the organic thin film storage process is the pressure B
  • the pressure of the buffer space 13 located therebetween be the pressure C A> Air pressure C
  • the atmosphere in the buffer space may be the same as the space in which the organic thin film formation step is performed except that the negative pressure is applied.
  • the space 11 for performing the organic thin film forming process and the space 12 for performing the organic thin film storage process are adjacent to each other.
  • the substrate 14 passes through the space 11 for performing the organic thin film forming process and the space 12 for performing the organic thin film storage process in this order.
  • the pressure in the space where the organic thin film formation process is performed is atmospheric pressure A and the pressure in the space where the organic thin film storage process is performed is atmospheric pressure B, then the pressure A> pressure B, ie, the pressure in the space of the organic thin film formation process is organic Positive pressure compared to thin film storage process.
  • the atmosphere in the organic thin film storage step is prevented from flowing into the atmosphere in the organic thin film formation step, and the preferable atmosphere of the present invention is realized.
  • the organic compound contained in the organic layer 6 is solid at 1 atmosphere and 25 ° C.
  • the organic compound is preferably a light emitting organic compound that mainly emits fluorescence and / or phosphorescence, or a dopant for assisting the light emitting organic compound, and is a phosphorescent compound. Is more preferred.
  • the dopant is added, for example, to improve the light emission efficiency or to change the light emission wavelength.
  • the organic compound may be a low molecular weight compound or a high molecular weight compound as long as the organic compound can be formed into a film by coating, but is preferably a high molecular weight compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 .
  • a light emitting organic compound (Phosphorescent light emitting compound (Phosphorescent light emitting polymer compound) or a light emitting organic compound (Phosphorescent light emitting polymer compound) is used as the light emitting organic compound;
  • the light emitting layer is formed using a phosphorescent compound (phosphorescent organic compound) and a composition of a polymer compound and a light emitting organic compound that emits phosphorescence (phosphorescent composition)
  • the emission life of the organic EL device can be extended. The effect is particularly improved.
  • the method of the present invention When the method of the present invention is used, a sudden change in resistance during driving is suppressed by slightly changing the resistance between the surface of the organic thin film and the film formed on the surface before driving. As a result, the effect of extending the light emission life of the organic EL element is improved.
  • the fluorescent light emitting material has a large current density of the driving current, even when the resistance applied between the surface of the organic thin film and the film formed on the surface slightly changes before driving, The influence on the suppression of the rapid change of resistance is small.
  • the phosphorescent light emitting material since the phosphorescent light emitting material has a low current density of the driving current, the resistance at the time of driving is changed by the change of the resistance applied between the surface of the organic thin film and the film formed on the surface before driving. Has a large impact on the suppression of sudden changes in That is, the phosphorescent material is relatively susceptible to the performance of the device.
  • Preferred low molecular weight compounds as light emitting organic compounds include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, carbazole derivatives such as 4,4'-bis (carbazolyl-9-yl) biphenyl (CBP), and the like.
  • Preferred polymer compounds as light-emitting organic compounds include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, dye-based dopants as exemplified below Examples thereof include compounds obtained by polymerizing materials and metal complex dopant materials.
  • a metal complex having light emission from a triplet excited state such as an iridium complex or a platinum complex can be mentioned.
  • examples of compounds emitting blue light include distyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives, polymers thereof, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives and the like. . Among them, polyvinylcarbazole derivatives, polyparaphenylene derivatives and polyfluorene derivatives which are polymer compounds are preferable.
  • a quinacridone derivative, a coumarin derivative, those polymers, a polyparaphenylene vinylene derivative, a polyfluorene derivative etc. can be mentioned.
  • polyparaphenylene vinylene derivatives and polyfluorene derivatives which are high molecular compounds are preferable.
  • a compound which light-emits red a coumarin derivative, a thiophene ring compound
  • those polymers a polyparaphenylene vinylene derivative, a polythiophene derivative, a polyfluorene derivative etc.
  • polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives and polyfluorene derivatives which are polymer compounds are preferable.
  • Dopant material As the pigment based dopant material, for example, cyclopentamine derivative, tetraphenylbutadiene derivative compound, triphenylamine derivative, oxadiazole derivative, pyrazoloquinoline derivative, distyrylbenzene derivative, distyrylarylene derivative, pyrrole derivative, thiophene ring Compound, Pyridine ring compound, Perinone derivative, Perylene derivative, Oligothiophene derivative, Trifmanylamine derivative, Oxadiazole dimer, Pyrazoline dimer, Quinacridone derivative, Coumarin derivative, Rubrene derivative, Squarium derivative, Porphyrin derivative, Tetracene derivative, Pyrazolone derivative , Decacyclene and phenoxazone can be mentioned.
  • the metal complex dopant material includes, for example, a central metal such as Al, Zn, Be, etc., or a rare earth metal such as Tb, Eu, Dy, etc., and a ligand such as oxadiazole, thiadiazole structure, phenylpyridine structure, Mention may be made of metal complexes having a phenylbenzimidazole structure, a quinoline structure and the like.
  • the metal complex include aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol beryllium complex, benzoxazolyl zinc complex, benzothiazole zinc complex, azomethyl zinc complex, porphyrin zinc complex and europium complex.
  • the organic EL element 1 is manufactured.
  • FIG. 2 is a view schematically showing another form of the organic EL device manufactured by the method of the present invention.
  • the organic EL element 1 ′ includes a first electrode 3, a second electrode 7, and a first organic layer 4 provided between the first electrode and the second electrode on the substrate 2.
  • Typical functions of the above-mentioned layers constituting the organic EL element 1 ′ are as follows: the first electrode 3 is an anode, the second electrode 7 is a cathode, the first organic layer 4 is a hole injection layer, and the second organic layer 5 is a hole transport layer, and the third organic layer 6 'is a light emitting layer.
  • the organic layer 6 ′ is a light emitting layer
  • the organic layer 6 ′ is formed by the same method as the organic layer 6 in the organic EL element 1 described above.
  • the organic layers 4 and 5 are adjacent to the light emitting layer, and do not directly participate in light emission of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron injection layer, the electron transport layer, etc. It corresponds to a layer having a transport function.
  • examples of functional layers corresponding to the organic layers 4 and 5 include a hole injection layer or a hole transport layer.
  • the organic EL element 1 ′ may have a functional layer such as an electron injection layer or an electron transport layer between the third organic layer 6 ′ as the light emitting layer and the second electrode 7 Good.
  • the formation of the functional layer containing an organic compound may be carried out in the same manner as in the prior art, and preferably, it is carried out using a coating method in which the manufacturing process is simple and the element area can be easily enlarged.
  • the functional layer is formed by applying an organic compound-containing solution on the layer on which the functional layer is formed, and then drying the solvent contained in the organic thin film to form the functional layer. Be done.
  • the organic compound is preferably a polymer compound from the viewpoint of coatability.
  • the solvent and coating method for forming the organic thin film by solution coating method are the same as the solvents and coating methods used for forming the organic thin film containing the organic compound in the formation of the organic layer 6 described above, and The application method is mentioned.
  • the thin film containing the organic compound is preferably formed under atmospheric pressure and in an atmosphere containing an inert gas, from the viewpoint that the organic EL device can be easily manufactured.
  • the inert gas may, for example, be helium gas, argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof. Among them, nitrogen gas is preferable from the viewpoint of the easiness of device fabrication.
  • the thin film may be formed under an air atmosphere, or may be formed under an atmosphere in which the concentration of inert gas in the atmosphere is 99% or more by volume. From the viewpoint of prolonging the lifetime of the organic EL device, it is preferable that the concentration of the inert gas is 99.5% or more.
  • the thin film is preferably formed in an atmosphere having an oxygen concentration of 1,000 ppm or less on a volume basis and / or a water concentration of 1,000 ppm or less on a volume basis, from the viewpoint of easiness of device fabrication. More preferably, it is formed under an atmosphere of 10 ppm or less and / or a water concentration of 10 ppm or less by volume.
  • the thin film is preferable to bake the thin film while maintaining the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere at 1000 ppm or less on a volume basis, respectively. By this baking, the solvent contained in the thin film is removed.
  • the firing is preferably performed at a temperature within the range of 50 ° C. to 250 ° C., and more preferably at a temperature within the range of 50 ° C. to 200 ° C., from the viewpoint of the light emission characteristics and the lifetime characteristics of the organic EL element.
  • the baking time is appropriately selected depending on the organic compound contained in the thin film, and is usually about 5 minutes to 2 hours.
  • the baking of the thin film is preferably performed in an atmosphere containing an inert gas or in an atmosphere of 10 Pa or less from the viewpoint of prolonging the life of the organic EL element.
  • the inert gas may, for example, be helium gas, argon gas, nitrogen gas, or a mixed gas thereof. Among them, nitrogen gas is preferable from the viewpoint of the easiness of device fabrication.
  • the formation of the thin film and the firing of the thin film are preferably performed in a state where the oxygen concentration and the moisture concentration in the atmosphere are each kept at 600 ppm or less on a volume basis, from the viewpoint of light emission characteristics and lifetime characteristics of the device.
  • the oxygen concentration and the water concentration are each 300 ppm or less on a volume basis, more preferably the oxygen concentration and the water concentration are each 100 ppm or less on a volume basis, and particularly preferably the oxygen concentration and the water concentration are on a volume basis Each is 10 ppm or less.
  • a first organic layer 4 and a second organic layer 5 are formed on the first electrode 3, and a thin film containing the organic compound contained in the organic layer 6 on the second organic layer 5.
  • the light emitting layer which is the organic layer 6 ′ is formed by performing the forming step, the thin film storage step, and the baking step, and the second electrode 7 is formed thereon, whereby the organic EL element 1 ′ is manufactured. Ru.
  • the organic EL element of the present invention has, as an essential component, a first electrode, a second electrode, and an organic layer disposed between the first electrode and the second electrode.
  • the organic layer is a light emitting layer
  • the light emitting layer may be provided between the first electrode (for example, the anode) and the second electrode (for example, the cathode), for example, to improve the device characteristics.
  • further layers may be provided.
  • the layer includes a functional layer provided adjacent to the light emitting layer.
  • an electron injection layer As a layer provided between a cathode and a light emitting layer, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole block layer etc. can be mentioned.
  • the layer in contact with the cathode is referred to as the electron injection layer
  • the layers other than the electron injection layer are referred to as the electron transport layer.
  • the electron injection layer is a layer having a function of improving the electron injection efficiency from the cathode.
  • the electron transport layer is a layer having a function of improving electron injection from the cathode, the electron injection layer, or the electron transport layer closer to the cathode.
  • the hole blocking layer is a layer having a function of blocking the transport of holes. When the electron injection layer and / or the electron transport layer have a function of blocking the transport of holes, these layers may also function as a hole blocking layer.
  • the hole blocking layer has a function of blocking the transport of holes can be confirmed, for example, by fabricating a device which allows only a hole current to flow. For example, a device that does not have a hole blocking layer and allows only a hole current to flow, and a device having a configuration in which a hole blocking layer is inserted into the device are manufactured, and the current value of the device having a hole blocking layer decreases. It can be confirmed that the hole blocking layer exhibits the function of blocking the transport of holes.
  • a hole injection layer As a layer provided between an anode and a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer etc. can be mentioned.
  • the layer in contact with the anode is referred to as a hole injection layer, and the layers excluding the hole injection layer are positive. It may be called a hole transport layer.
  • the hole injection layer is a layer having a function of improving the hole injection efficiency from the anode.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving hole injection from the anode, the hole injection layer, or the hole transport layer closer to the anode.
  • the electron blocking layer is a layer having a function of blocking the transport of electrons. When the hole injection layer and / or the hole transport layer have a function of blocking the transport of electrons, these layers may also function as an electron block layer.
  • the electron blocking layer has a function of blocking the transport of electrons can be confirmed, for example, by fabricating a device which allows only an electron current to flow. For example, an element that does not have an electron block layer and allows only an electron current to flow and an element having a configuration in which the electron block layer is inserted into the element are manufactured, and the current value of the element provided with the electron block layer decreases. It can be confirmed to show the function of blocking the transport of electrons.
  • the organic layer in the present invention may contain an organic compound, and may be any of a light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, an electron injection layer, an electron transport layer, and a hole block layer. It is also good. Among them, a light emitting layer is preferable.
  • anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode e) anode / Hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode d) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode e) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode f) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode g) anode
  • the organic EL device may have two or more light emitting layers.
  • an organic EL device having two light emitting layers is shown in the following n)
  • An element configuration can be mentioned.
  • the charge generation layer is a layer in which holes and electrons are generated by applying an electric field.
  • a thin film made of vanadium oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), molybdenum oxide and the like can be mentioned.
  • the organic EL element may be further covered with a sealing member such as a sealing film or a sealing plate for sealing.
  • a sealing member such as a sealing film or a sealing plate for sealing.
  • all layers disposed on the side from which light is extracted with reference to the light emitting layer are transparent.
  • the degree of transparency is preferably such that the visible light transmittance between the outermost surface of the organic EL element from which light is extracted and the light emitting layer is 40% or more.
  • one exhibiting a light transmittance of 40% or more in the region is preferable.
  • an insulating layer with a film thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode for the purpose of improving adhesion with the electrode and charge injection from the electrode.
  • a thin buffer layer may be inserted between the above-described layers in order to improve adhesion at the interface and prevent mixing.
  • the order of layers to be stacked, the number of layers, and the thickness of each layer can be appropriately set in consideration of the light emission efficiency and the device life.
  • the substrate one that does not change chemically in the process of manufacturing the organic EL element is suitably used, and for example, glass, plastic, polymer film, silicon substrate, and a laminate of these, etc. are used.
  • a commercially available thing can be used as said board
  • a transparent or translucent electrode As the anode, in the case of an organic EL element configured to extract light from the light emitting layer through the anode, a transparent or translucent electrode is used.
  • the transparent electrode or the semitransparent electrode thin films of metal oxides, metal sulfides and metals having high electric conductivity can be used, and those having high light transmittance are suitably used.
  • thin films of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, indium zinc oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and among these, ITO, A thin film made of IZO or tin oxide is preferably used.
  • Examples of the method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
  • an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used.
  • a material that reflects light may be used, and as the material, metals, metal oxides, and metal sulfides having a work function of 3.0 eV or more are preferable.
  • the film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity, and is, for example, 10 nm to 10 ⁇ m, preferably 20 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 40 nm to 500 nm. .
  • Hole injection materials for forming the hole injection layer include oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and aluminum oxide, phenylamines, starburst amines, phthalocyanines, amorphous carbon, polyaniline, and the like. And polythiophene derivatives.
  • the hole injection layer there is a method of forming a thin film containing a hole injection material and thereafter baking or drying.
  • a film forming method of a thin film containing a hole injection material for example, film formation from a solution containing a hole injection material can be mentioned, and from the viewpoint of prolonging the life, the same atmosphere as the organic layer forming step described above It is preferable to form a film in the inside.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole injection material, and is a chlorinated solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane, an ether solvent such as tetrahydrofuran, toluene or xylene Aromatic hydrocarbon solvents such as anisole, tetralin and phenylcyclohexane, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellsolve acetate, alcohol solvents such as isopropyl alcohol, Water can be mentioned, and what mixed these may be used.
  • a chlorinated solvent such as chloroform, methylene chloride or dichloroethane
  • an ether solvent such as tetrahydrofuran, toluene or xylene
  • Aromatic hydrocarbon solvents such as anisole, t
  • the film thickness of the hole injection layer has an optimum value depending on the material used, is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency become appropriate values, and at least a thickness that does not generate pinholes is required.
  • a thick film is not preferable because the drive voltage of the device becomes high. Accordingly, the thickness of the hole injection layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • ⁇ Hole transport layer> As a hole transport material constituting the hole transport layer, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine residue in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene Derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or derivative thereof, polythiophene or derivative thereof, polyarylamine or derivative thereof, polypyrrole or derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivative thereof, or poly (2,5-thienylenevinylene) And derivatives thereof, polyfluorene derivatives, polymer compounds having an aromatic amine residue, and the like.
  • polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine residue in a side chain or a main chain, polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, poly Arylamine or a derivative thereof, poly (p-phenylenevinylene) or a derivative thereof, or poly (2,5-thienylenevinylene) or a derivative thereof, a polyfluorene derivative, a polymer compound having an aromatic amine residue is preferable, and further, Preferred are polyvinyl carbazole or derivatives thereof, polyfluorene derivatives, and polymer compounds having an aromatic amine residue. In the case of a low molecular weight hole transport material, it is preferable to use it dispersed in a polymer binder.
  • the method of forming the hole transport layer may be the same method as the method of forming the organic layer 6 included in the organic EL element 1.
  • a method of forming the hole transport layer may be a method of forming a thin film containing a hole transport material and then baking or drying it.
  • a film-forming method of the thin film containing a hole transport material In a low molecular weight hole transport material, film-forming from the liquid mixture containing a polymer binder and a hole transport material is mentioned. In the case of a polymeric hole transport material, film formation from a solution containing the hole transport material can be mentioned.
  • Examples of the solvent used for film formation from a solution include the same solvents as the solvents used in forming the thin film containing the organic compound in the formation of the organic layer 6 described above.
  • the same coating method as the coating method in the formation of the organic layer 6 described above can be mentioned, and from the viewpoint of prolonging the life, the same atmosphere as the functional layer forming step described above It is preferable to form a film in the inside.
  • polystyrene examples include vinyl chloride and polysiloxane.
  • the film thickness of the hole transport layer is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency become appropriate values, and at least a thickness that does not generate pinholes is required. If it is too thick, the drive voltage of the device is undesirably increased. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • Light emitting layer As an organic compound contained in a light emitting layer, the above-mentioned light emitting organic compound, the dopant which assists a light emitting organic compound, etc. are mentioned.
  • Electrode transporting material constituting the electron transporting layer known materials can be used, and an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or a derivative thereof, benzoquinone or a derivative thereof, naphthoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, tetracyano anthracene Quinodimethane or a derivative thereof, fluorenone derivative, diphenyldicyanoethylene or a derivative thereof, diphenoquinone derivative, or a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, polyquinoline or a derivative thereof, polyquinoxaline or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof It can be mentioned.
  • oxadiazole derivatives as an electron transport material, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinolines or derivatives thereof, polyquinoxalines or derivatives thereof, polyfluorene Or derivatives thereof are preferable, and 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, polyquinoline and the like are further preferable. preferable.
  • the method of forming the electron transport layer may be the same method as the method of forming the hole transport layer 5 included in the organic EL element 1 ′.
  • the method of forming the electron transport layer may be a method of forming a thin film containing an electron transport material and then baking or drying it.
  • a vacuum evaporation method from powder, or a film forming from a solution or a molten state can be mentioned.
  • film formation from a solution or a molten state can be mentioned.
  • a method of forming an electron transport layer from a solution the same film forming method as the method of forming a hole transport layer from the above-mentioned solution can be mentioned, and in the same atmosphere as the functional layer forming step described above It is preferable to form a film.
  • the film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, is appropriately set so that the driving voltage and the light emission efficiency become appropriate values, and at least a thickness that does not cause pinholes is required, which is too thick This is not preferable because the drive voltage of the device is increased. Accordingly, the film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • an optimum material is appropriately selected according to the type of the light emitting layer, and an alkali metal, an alkaline earth metal, an alloy containing one or more of an alkali metal and an alkaline earth metal, an alkali Mention may be made of metal or alkaline earth metal oxides, halides, carbonates or mixtures of these substances.
  • alkali metals, oxides of alkali metals, halides and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride And rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate and the like.
  • alkaline earth metals and oxides, halides and carbonates of alkaline earth metals magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, Barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like can be mentioned.
  • the electron injection layer may be composed of a laminate in which two or more layers are stacked, and examples thereof include LiF / Ca.
  • the electron injection layer is formed by a vapor deposition method, a sputtering method, a printing method, or the like.
  • the thickness of the electron injection layer is preferably about 1 nm to 1 ⁇ m.
  • a material of the cathode As a material of the cathode, a material having a small work function, easy electron injection to the light emitting layer, and high electrical conductivity is preferable. In the organic EL element which extracts light from the anode side, a material having high visible light reflectance is preferable as a material of the cathode in order to reflect light from the light emitting layer toward the anode side by the cathode.
  • alkali metals, alkaline earth metals, transition metals, and Group III-B metals can be used.
  • Examples of materials for the cathode include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium and the like.
  • a metal, an alloy of two or more of the metals, one or more of the metals, and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, or tin Alloys or graphite or graphite intercalation compounds are used.
  • alloys include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminium alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminium alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminium alloy, etc. it can.
  • a transparent conductive electrode made of a conductive metal oxide, a conductive organic substance or the like can be used as the cathode.
  • indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO, and IZO can be mentioned as the conductive metal oxide
  • polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof can be mentioned as the conductive organic substance.
  • the cathode may be comprised by the laminated body which laminated
  • the film thickness of the cathode is appropriately set in consideration of electric conductivity and durability, and is, for example, 10 nm to 10 ⁇ m, preferably 20 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 50 nm to 500 nm.
  • Examples of the method of producing the cathode include a vacuum evaporation method, a sputtering method, and a laminating method of thermocompression bonding of a metal thin film.
  • the material of the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, organic insulating materials, and the like.
  • an organic EL element provided with an insulating layer having a film thickness of 2 nm or less, one having an insulating layer having a film thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode and one having an insulating layer having a film thickness of 2 nm or less adjacent to the anode It can be mentioned.
  • the organic EL element described above can be suitably used for a curved or flat illumination device, for example, a planar light source used as a light source of a scanner, and a display device.
  • Examples of the display device provided with the organic EL element include an active matrix display device, a passive matrix display device, a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device, and the like.
  • the organic EL element is used as a light emitting element constituting each pixel in an active matrix display device or a passive matrix display device, and is used as a light emitting element constituting each segment in a segment display device, a dot matrix display device, In a liquid crystal display device, it is used as a backlight.
  • the polystyrene equivalent number average molecular weight (Mn) and the polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) were determined by GPC (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10 Avp).
  • the polymer compound to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 30 ⁇ L was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used for the mobile phase of GPC, and it flowed at the flow rate of 0.6 mL / min.
  • TSKgel SuperHM-H manufactured by Tosoh
  • TSKgel SuperH 2000 manufactured by Tosoh
  • RID-10A differential refractive index detector
  • Example 1 The organic EL element was produced by the following method.
  • a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid ("Baytron P" manufactured by Stark) is spin-coated on a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm is formed by sputtering.
  • ITO film anode
  • the thin film was fired by heating on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes to obtain a hole injection layer.
  • the thin film formation step and the baking step were performed in the air.
  • the polymer compound 1 as a hole transport material was dissolved in xylene to prepare a xylene solution 1.
  • the concentration of the polymer compound 1 in the xylene solution 1 was 0.8% by weight.
  • xylene solution 1 is applied on the hole injection layer by spin coating, and the film thickness is 20 nm A thin film was formed, and the thin film was fired by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere controlled to 10 ppm or less in terms of volume and oxygen concentration and moisture concentration to obtain a hole transport layer.
  • a 1.3 wt% xylene solution A of a phosphorescent composition was prepared by adding the phosphorescent organic compound 1 to the polymer compound 2 at a ratio of 7.5 wt%.
  • xylene solution A is applied on the hole transport layer by spin coating, A thin film was formed.
  • the thin film is stored for 30 minutes in wet nitrogen in which the oxygen concentration is controlled to 10 ppm or less by volume and the absolute humidity by weight is controlled to 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA), and the organic layer is It formed. Storage of the organic thin film was performed at room temperature (25 ° C.).
  • the organic layer was baked at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were controlled to 10 ppm or less on a volume basis.
  • the firing of the organic layer was performed in an atmosphere at atmospheric pressure.
  • the organic layer functions as a light emitting layer.
  • the pressure in the thin film forming step and the baking step was atmospheric pressure.
  • barium was deposited to a thickness of about 5 nm as a cathode, and then aluminum was deposited to a thickness of about 80 nm.
  • sealing was performed using a glass substrate to fabricate an organic EL element.
  • the manufactured organic EL element emits red light (CIE 1931: (0.62, 0.38)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 12,000 cd / m 2 , the luminance reaches 75% of the initial luminance. (Brightness 75% life) was 67.1 hours.
  • Example 2 In the formation of the organic layer, except that the thin film was stored in wet nitrogen in which the oxygen concentration was 10 ppm or less by volume and the absolute humidity by weight was controlled to 7.7 ⁇ 10 -3 kg / kg (DA), An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1.
  • the manufactured organic EL element emits red light (CIE 1931: (0.62, 0.38)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 12,000 cd / m 2 , the luminance reaches 75% of the initial luminance. Time (brightness 75% life) was 62.0 hours.
  • Comparative Example 1 In the formation of the organic layer, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the thin film was not stored in wet nitrogen.
  • the manufactured organic EL element emits red light (CIE 1931: (0.62, 0.38)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 12,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 47.9 hours.
  • Example 3 The organic EL element was produced by the following method.
  • a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid ("Baytron P" manufactured by Stark) is spin-coated on a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 150 nm is formed by sputtering.
  • ITO film anode
  • the thin film was fired by heating on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes to obtain a hole injection layer.
  • the thin film formation step and the baking step were performed in the air.
  • the polymer compound 1 as a hole transport material was dissolved in xylene to prepare a xylene solution 1.
  • the concentration of the polymer compound 1 in the xylene solution 1 was 0.8% by weight.
  • xylene solution 1 is applied on the hole injection layer by spin coating, and the film thickness is 20 nm A thin film was formed, and the thin film was fired by heating at 180 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere controlled to 10 ppm or less in terms of volume and oxygen concentration and moisture concentration to obtain a hole transport layer.
  • a 1.4% by weight xylene solution B of a phosphorescent composition was prepared by adding the phosphorescent organic compound 2 to the polymer compound 3 in a proportion of 30% by weight.
  • xylene solution B is applied on the hole transport layer by spin coating, A thin film was formed.
  • the thin film is stored for 30 minutes in wet nitrogen in which the oxygen concentration is controlled to 10 ppm or less by volume and the absolute humidity by weight is controlled to 1.3 ⁇ 10 ⁇ 2 kg / kg (DA), and the organic layer is It formed. Storage of the organic thin film was performed at room temperature (25 ° C.).
  • the film was baked at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration and the water concentration were controlled to 10 ppm or less by volume.
  • the firing of the organic layer was performed in an atmosphere at atmospheric pressure.
  • the organic layer functions as a light emitting layer.
  • the pressure in the thin film forming step and the baking step was atmospheric pressure.
  • barium was deposited to a thickness of about 5 nm as a cathode, and then aluminum was deposited to a thickness of about 80 nm.
  • sealing was performed using a glass substrate to fabricate an organic EL element.
  • the manufactured organic EL element emits green light (CIE 1931: (0.32, 0.63)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 8,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 17.4 hours.
  • Example 4 In the formation of the organic layer, except that the thin film was stored in wet nitrogen in which the oxygen concentration was 10 ppm or less by volume and the absolute humidity by weight was controlled to 7.5 ⁇ 10 ⁇ 3 kg / kg (DA), An organic EL device was produced in the same manner as in Example 3.
  • the manufactured organic EL element emits green light (CIE 1931: (0.32, 0.63)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 8,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 14.3 hours.
  • Comparative example 2 In the formation of the organic layer, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 3, except that the thin film was not stored in wet nitrogen.
  • the manufactured organic EL element emits green light (CIE 1931: (0.32, 0.63)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 8,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 9.8 hours.
  • Synthesis example 1 Synthesis of Polymer Compound 4 Under an inert atmosphere, 2,7-bis (1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-dioctylfluorene (5.20 g), bis (4-bromophenyl)- (4-Secondary butylphenyl) -amine (4.50 g), palladium acetate (2.2 mg), tri (2-methylphenyl) phosphine (15.1 mg), Aliquat 336 (0.91 g, from Aldrich), toluene (70 ml) ) Were mixed and heated to 105.degree.
  • the polystyrene reduced number average molecular weight of the polymer compound 4 was 1.2 ⁇ 10 5 , and the polystyrene reduced weight average molecular weight was 2.6 ⁇ 10 5 .
  • polymer compound 4 is a compound of formula
  • the polymer is a polymer having a repeating unit represented by 1 in a 1: 1 (molar ratio).
  • Synthesis example 2 Synthesis of Polymer Compound 5 In a 200 mL separable flask connected to a Dimroth, 3.18 g (6.0 mmol) of 9,9-dioctylfluorene-2,7-diboric acid ethylene glycol ester, 9,9-dioctyl-2,7 -Dibromofluorene 3.06 g (5.4 mmol), N, N'-bis (4-bromophenyl) -N, N'-bis (2,6-dimethyl-4-tert-butylphenyl) -1,4- 0.44 g (0.6 mmol) of phenylenediamine, 0.82 g of methyltrioctyl ammonium chloride (trade name: Aliquat 336 (registered trademark), manufactured by Aldrich), and 60 mL of toluene were added.
  • the precipitate was filtered and then dried to obtain a solid.
  • This solid was dissolved in 190 mL of toluene to prepare a solution, and this solution was passed through a silica gel / alumina column which had previously been flushed with toluene, and the obtained solution was dropped into 930 mL of methanol, whereby a precipitate was formed.
  • the precipitate was filtered and then dried, to obtain a polymer compound 5 (4.17 g) having the repeating unit represented by the following formula in the following molar ratio according to the theoretical value determined from the charged raw materials.
  • the polystyrene equivalent number average molecular weight Mn of the polymer compound 5 was 2.7 ⁇ 10 5
  • the polystyrene equivalent weight average molecular weight Mw was 7.1 ⁇ 10 5 .
  • Synthesis example 4 Synthesis of polymer compound 6 3.13 g of compound M-1, 3.58 g of 2,7-dibromo-9,9-dioctylfluorene under nitrogen atmosphere, 2.2 mg of palladium (II) acetate, tris (2-methoxyphenyl) 13.4 mg of phosphine and 80 mL of toluene were mixed and heated to 100.degree. To the reaction solution was added dropwise 21.5 ml of a 20% by weight aqueous solution of tetraethylammonium hydroxide, and the mixture was refluxed for 4.5 hours.
  • the reaction solution was cooled to room temperature, and washed three times with 82 ml of water, three times with 82 ml of 3% by weight aqueous acetic acid solution, and three times with 82 ml of water.
  • the organic layer was dropped into 1200 ml of methanol to form a precipitate, which was filtered and dried to obtain a solid.
  • the solid was dissolved in toluene and purified by passing through an alumina column and a silica gel column.
  • the obtained eluate was added dropwise to 1500 ml of methanol to obtain 3.52 g of polymer compound 6.
  • the polystyrene equivalent number average molecular weight of the polymer compound 6 was 3.0 ⁇ 10 5
  • the polystyrene equivalent weight average molecular weight was 8.4 ⁇ 10 5 .
  • the polymer compound 6 has the following formula:
  • Example 5 and Comparative Example 3 The following formula was synthesized according to the method described in WO 2002/44189, using the polymer compound 4 synthesized in Synthesis Example 1 instead of the polymer compound 1, and instead of the phosphorescent organic compound 1.
  • the phosphorescent organic compound 3 is used in place of the polymer compound 2 and the polymer compound 5 synthesized in Synthesis Example 2 is used in place of the polymer compound 5 in the polymer compound 5.
  • An organic EL device is manufactured in the same manner as in Example 1 except that the xylene solution C of the phosphorescent composition is added in a proportion by weight (Example 5).
  • the polymer compound 4 synthesized in Synthesis Example 1 is used, and instead of the phosphorescent organic compound 1, the phosphorescence organic compound 3 is used, and instead of the polymer compound 2, a synthesis example 2 except using the polymer compound 5 synthesized in 2 and adding the phosphorescent organic compound 3 to the polymer compound 5 in a ratio of 5.0% by weight, except using the xylene solution C of the phosphorescent composition
  • An organic EL device is manufactured in the same manner as Comparative Example 1 (Comparative Example 3).
  • the manufactured devices both emit red light. Then, when the characteristics of those organic EL elements are measured in the same manner as in Example 1, the time until the luminance reaches 75% of the initial luminance when driven at a constant current at least at an initial luminance of 12,000 cd / m 2 ( A remarkable improvement is observed in the organic EL element of Example 5 in comparison with the organic EL element of Comparative Example 3 with respect to the luminance 75% life).
  • Example 6 and Comparative Example 4 instead of the polymer compound 1, the polymer compound 4 synthesized in Synthesis Example 1 is used, and instead of the phosphorescent organic compound 2, the following formula:
  • the phosphorescent organic compound 4 was used as the polymer compound 6 in place of the compound 2 and the polymer compound 6 synthesized in Synthesis Example 4 was used in place of the polymer compound 3. .0.
  • Xylene solution of a phosphorescent composition which is added in a proportion of 0% by weight But using D to produce the organic EL device in the same manner as in Comparative Example 2 (Comparative Example 4).
  • the manufactured devices both emit green light. Then, when the characteristics of those organic EL elements are measured in the same manner as in Example 3, the time until the luminance reaches 75% of the initial luminance when driven at a constant current at least with an initial luminance of 8,000 cd / m 2 ( A remarkable improvement is observed in the organic EL element of Example 6 in comparison with the organic EL element of Comparative Example 4 with respect to the luminance 75% life).
  • Synthesis example 7 Synthesis of Polymer Compound 7 Under an inert gas atmosphere, 2,7-dibromo-9,9-di (octyl) fluorene (9.0 g, 16.4 mmol), N, N'-bis (4-bromophenyl)- N, N'-bis (4-t-butyl-2,6-dimethylphenyl) 1,4-phenylenediamine (1.3 g, 1.8 mmol), 2,7-bis (4,4,5,5- Tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl) -9,9-di (4-hexylphenyl) fluorene (13.4 g, 18.0 mmol), tetraethylammonium hydroxide (43.0 g, 58.3 mmol) ), Palladium acetate (8 mg, 0.04 mmol), tri (2-methoxyphenyl) phosphine (0.05 g, 0.1 mmol), toluen
  • polystyrene-equivalent weight average molecular weight of the obtained polymer compound 7 is 3.1 ⁇ 10 5
  • molecular weight distribution index (Mw / Mn) is 2.9.
  • the polymer compound 7 has the following formula:
  • Synthesis example 6 Synthesis of Phosphorescent Organic Compound 5 A phosphorescent organic compound 5 represented by the following formula was synthesized according to the method described in JP-A-2006-188673.
  • Example 7 The organic EL element was produced by the following method. A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (manufactured by Stark; Baytron P) is spin-coated on a glass substrate on which an ITO film (anode) having a thickness of 45 nm is formed by sputtering. The thin film was applied to form a thin film having a thickness of 65 nm, and the thin film was fired by heating on a hot plate at 200 ° C. for 10 minutes to obtain a hole injection layer. In the formation of the hole injection layer, the thin film formation step and the baking step were performed in the air.
  • a suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid manufactured by Stark; Baytron P
  • ITO film anode
  • the thin film was applied to form a thin film having a thickness of 65 nm, and the thin film was fired by heating on a
  • the polymer compound 4 which is a hole transport material was dissolved in xylene to prepare a xylene solution 2.
  • the concentration of the polymer compound 4 in the xylene solution 2 was 0.8% by weight.
  • the xylene solution 2 is applied on the hole injection layer by spin coating, and the film thickness is 20 nm A thin film was formed, and the thin film was fired by heating at 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere controlled to have a volume ratio of oxygen concentration and water concentration of 10 ppm or less to obtain a hole transport layer.
  • a 1.3 wt% xylene solution E of a mixture obtained by adding the phosphorescent organic compound 5 to the polymer compound 7 in a proportion of 5 wt% was prepared.
  • the xylene solution E is applied on the hole transport layer by spin coating, and the film thickness is 65 nm.
  • a thin film was formed.
  • the oxygen concentration is 10ppm or less by volume
  • the absolute humidity of the weight is at 9.9 ⁇ 10 -3 (kg / kg (DA)) wet nitrogen which is controlled, said at room temperature (25 ° C.)
  • the thin film was stored for 30 minutes to form an organic layer.
  • the oxygen concentration and the water concentration were baked at 130 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to 10 ppm or less in volume ratio.
  • the organic layer functions as a light emitting layer.
  • the pressure in the thin film forming step and the baking step was atmospheric pressure.
  • the manufactured organic EL element emits red light (CIE 1931: (0.65, 0.32)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 12,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 16.9 hours.
  • Comparative example 5 In the formation of the organic layer, an organic EL device was produced in the same manner as in Example 7 except that the thin film was not stored in wet nitrogen.
  • the manufactured organic EL element emits red light (CIE 1931: (0.65, 0.32)), and when driven at a constant current with an initial luminance of 12,000 cd / m 2 , the luminance is 75% of the initial luminance.
  • the time to reach (brightness 75% life) was 15.3 hours.

Abstract

発明の課題は、発光寿命の長い有機EL素子を製造しうる有機EL素子の製造方法、該製造方法で製造された有機EL素子、該有機EL素子を備える面状光源、照明装置及び表示装置を提供することである。課題の解決手段は、第1の電極と、第2の電極と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる有機層とを有し、該有機層が有機化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該有機層は、体積基準で10ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において、該有機層が上に形成される層の表面上に、塗布法により有機化合物を含む有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上の重量基準の絶対湿度を有する高湿度雰囲気下において、該有機薄膜形成工程によって得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを、包含する方法によって形成される、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
 本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
 近年、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」と記す。)を用いた有機ELディスプレイ(以下、「有機ELディスプレイ」と記す。)が注目されている。有機ELディスプレイに用いられる有機EL素子は、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極間に配置される発光層とを含み、該陽極及び該陰極からそれぞれ注入される正孔及び電子が、該発光層において結合することによって発光する。
 有機EL素子には、製造工程が簡易で、素子の大面積化が容易な塗布法によって発光層等の有機層を形成することができるという利点がある。具体的には、有機層に含まれる有機化合物と有機溶媒とを含む溶液を用いて有機層を形成することができる。有機EL素子の有機層を形成する方法に関しては、発光層を形成する雰囲気中の水分濃度が1,000ppm以下である有機EL素子の製造方法(特許文献1)や、水分含有率が10ppm以下であり、かつ酸素濃度が10ppm以下の不活性ガス雰囲気で有機層を湿式法で製造する有機EL素子の製造方法(特許文献2)が提案されている。
特開2002-352954号公報 特開2006-185864号公報
 しかしながら、上記方法で製造した有機EL素子は、その発光寿命の長さが必ずしも十分ではなく、発光寿命がより長い有機EL素子を製造しうる方法が望まれていた。
 本発明の目的は、発光寿命の長い有機EL素子を製造しうる方法、該方法で製造された有機EL素子、該有機EL素子を備える面状光源、照明装置及び表示装置を提供することである。
 本発明は、第1の電極と、第2の電極と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる有機層とを有し、該有機層が有機化合物を含む有機EL素子の製造方法であって、該有機層は、
 体積基準で10ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において、該有機層が上に形成される層の表面上に、塗布法により有機化合物を含む有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、
 2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上の重量基準の絶対湿度を有する高湿度雰囲気下において、該有機薄膜形成工程によって得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを、
包含する方法によって形成される、有機EL素子の製造方法を提供する。
 ある一形態においては、前記高湿度雰囲気が2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上、2.0×10-2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する。
 ある一形態においては、前記高湿度雰囲気が5.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上、1.5×10-2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する。
 ある一形態においては、前記低湿度雰囲気が不活性ガスを含有する。
 ある一形態においては、前記低湿度雰囲気が体積基準で10ppm以下の酸素濃度を有する。
 ある一形態においては、前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、緩衝空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、該緩衝空間の気圧は、有機薄膜形成工程を行う空間及び有機薄膜保管工程を行う空間のそれぞれと比較して陰圧にされている。
 ある一形態においては、前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、有機薄膜形成工程を行う空間の気圧は、有機薄膜保管工程を行う空間と比較して陽圧にされている。
 ある一形態においては、前記有機薄膜保管工程に次いで、有機薄膜を焼成する工程を包含する。
 ある一形態においては、前記有機薄膜を焼成する工程が不活性ガスを含有する雰囲気下で行われる。
 ある一形態においては、前記有機薄膜を焼成する工程が体積基準でそれぞれ10ppm以下の酸素濃度および水分濃度を有する雰囲気下で行われる。
 ある一形態においては、前記有機薄膜を焼成する工程が10Pa以下の圧力を有する減圧雰囲気下で行われる。
 ある一形態においては、前記第1の電極が陽極であり、前記第2の電極が陰極である。
 ある一形態においては、前記有機層が高分子有機化合物を含む。
 ある一形態においては、前記有機層が発光層である。
 ある一形態においては、前記有機層が燐光発光性化合物を含む。
 ある一形態においては、前記発光層に接して機能層を形成する工程を更に包含する。
 ある一形態においては、前記機能層が発光層と第1の電極との間に形成される。
 ある一形態においては、前記機能層が高分子有機化合物を含む。
 また、本発明は、前記いずれかに記載の有機EL素子の製造方法によって製造された有機EL素子を提供する。
 また、本発明は、前記有機EL素子を備える面状光源を提供する。
 また、本発明は、前記有機EL素子を備える表示装置を提供する。
 本発明の有機EL素子の製造方法によれば、発光寿命の長い有機EL素子を製造することができる。またこのような有機EL素子は、照明等に用いられる平面又は曲面の面状光源;セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置等の表示装置;液晶表示装置等のバックライト等に好適に用いられる。
有機EL素子の一態様の構造を示す図である。 有機EL素子の他の態様の構造を示す図である。 有機薄膜形成工程を行う空間及び有機薄膜保管工程を行う空間の区画例を示す模式図である。
 図1は、本発明の方法で製造される有機EL素子の一形態を模式的に示す図である。有機EL素子1は基板2上に設けられ、第1の電極3と、第2の電極7と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる有機層6とを、有する。有機層6は有機化合物を含む。有機EL素子1を構成する上記各層の典型的な機能は、第1の電極3が陽極、第2の電極7が陰極、及び有機層6が発光層である。
(有機層を形成する方法)
 以下、図1に示す有機EL素子1を例として、有機層6を形成する方法について説明する。有機層6は、第1の電極3上に、有機化合物を含む薄膜である有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、高湿度雰囲気下において、得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを含む方法によって形成される。有機EL素子1のその他の構成要素の詳細については、後述する。
 まず、上記有機薄膜形成工程について説明する。
 有機化合物を含む薄膜の形成は従来と同様にして行えばよく、好ましくは、製造工程が簡易で、素子の大面積化が容易な塗布法を用いて行われる。塗布法は、好ましくは、体積基準で10ppm以下、好ましくは5ppm以下、より好ましくは1ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において行われる。そうすることで有機EL素子の素子特性が向上する。
 つまり、有機薄膜の形成を水分が少ない環境下で行うことで、有機薄膜内部への水分の取り込みが減少し、有機化合物の機能低下が防止される。
 また、有機EL素子の素子特性の観点からは、有機薄膜は大気圧下又は不活性気体を含有する雰囲気中において形成することが好ましい。不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さの観点からは、窒素ガスが好ましい。
 有機薄膜は、大気雰囲気下で形成されてもよいし、雰囲気中の不活性気体の濃度が、大気雰囲気中に含まれる不活性気体の濃度以上である雰囲気下で形成されてもよい。
 有機薄膜は、素子の寿命特性の観点からは、酸素濃度が体積基準で1000ppm以下の雰囲気下で形成されることが好ましく、酸素濃度が体積基準で100ppm以下の雰囲気で形成されることがより好ましく、酸素濃度が体積基準で10ppm以下の雰囲気で形成されることがさらに好ましい。
 塗布法による有機薄膜の形成に用いる溶媒としては、1気圧、25℃において液体であれば、特に制限はないが、好ましくは炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる2種以上の原子からなる化合物であり、より好ましくは、炭素原子、水素原子、酸素原子及び窒素原子からなる群から選ばれる2種以上の原子からなる化合物であり、さらに好ましくは、炭素原子、水素原子及び酸素原子からなる群から選ばれる2種以上の原子からなる化合物である。
 有機溶媒の例としては、ハロゲン化溶媒、炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、アルコール溶媒、ケトン溶媒、ニトリル溶媒、スルホキシド溶媒、アミド溶媒、水が挙げられる。また、2種類以上の有機溶媒を組み合わせて用いてもよい。
 ハロゲン化溶媒の具体例としては、四塩化炭素、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ビス(2-クロロエチル)エーテル、クロロメチルエチルエーテル、クロロメチルメチルエーテル、2-クロロエチルエチルエーテル、2-クロロエチルメチルエーテルが挙げられる。
 炭化水素溶媒の具体例としては、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカヒドロナフタレン、石油エーテル、リグロインが挙げられる。
 芳香族炭化水素溶媒の具体例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、プソイドクメン、トリメチルベンゼン、ブチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デカチルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、メチルナフタレンが挙げられる。
 エーテル溶媒としては、ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルtert-ブチルエーテル、アニソール、メチルアニソール、ジフェニルエーテル、フェノキシトルエン、フェノキシキシレン、ジトリルエーテル、テトラヒドロフラン、ジヒドロフラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、4-メチル-1,3-ジオキサン、4-フェニル-1,3-ジオキサンが挙げられる。
 アルコール溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、2-メチル-1-プロパノール、2-メチル-2-プロパノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、2,2-ジメチル-1-プロパノール、1-ヘキサノール、シクロペンタノール、3-メチル-1-ブタノール、3-メチル-2-ブタノール、2-メチル-1-ブタノール、2,2-ジメチル-1-プロパノール、3-ヘキサノール、2-ヘキサノール、4-メチル-2-ペンタノール、2-メチル-1-ペンタノール、2-エチルブタノール、2,4-ジメチル-3-ペンタノール、3-ヘプタノール、4-ヘプタノール、2-ヘプタノール、1-ヘプタノール、2-エチル-1-ヘキサノール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、2-メチルシクロヘキサノール、3-メチルシクロヘキサノール、4-メチルシクロヘキサノールが挙げられる。
 ケトン溶媒の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ-ブチルケトン、シクロヘキサノン、イソプロピルメチルケトン、2-ペンタノン、3-ペンタノン、3-ヘキサノン、ジイソプロピルケトン、2-ヘキサノン、シクロペンタノン、4-ヘプタノン、イソ-アミルメチルケトン、3-ヘプタノン、2-ヘプタノン、4-メトキシ-4-メチル-2-ペンタノン、5-メチル-3-ヘプタノン、2-メチルシクロヘキサノン、ジイソブチルケトン、5-メチル-2-オクタノン、3-メチルシクロヘキサノン、2-シクロヘキセン-1-オン、4-メチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、4-tert-ブチルシクロヘキサノン、ベンジルアセトンが挙げられる。
 ニトリル溶媒の具体例としては、アセトニトリル、アクリロニトリル、トリクロロアセトニトリル、プロピオニトリル、ピバロニトリル、イソブチロニトリル、n-ブチロニトリル、メトキシアセトニトリル、2-メチルブチロニトリル、イソバレロニトリル、N-バレロニトリル、n-カプロニトリル、3-メトキシプロピオニトリル、3-エトキシプロピオニトリル、3,3’-オキシジプロピオニトリル、n-ヘプタンニトリル、グリコロニトリル(glycolonitrile)、ベンゾニトリル、エチレンシアノヒドリン、スクシノニトリル、アセトンシアノヒドリン、3-n-ブトキシプロピオニトリルが挙げられる。
 スルホキシド溶媒の具体例としては、ジメチルスルホキシド、ジ-n-ブチルスルホキシド、テトラメチレンスルホキシド、メチルフェニルスルホキシドが挙げられる。
 アミド溶媒の具体例としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、アシルアミド、2-アセトアミドエタノール、N,N-ジメチル-m-トルアミド、トリフルオロアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジエチルドデカンアミド、エプシロン-カプロラクタム、N,N-ジエチルアセトアミド、N-tert-ブチルホルムアミド、ホルムアミド、ピバルアミド、N-ブチルアミド、N,N-ジメチルアセトアセトアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、N-ホルミルエチルアミン、アセトアミド、N,N-ジイソプロピルホルムアミド、1-ホルミルピペリジン、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドンが挙げられる。
 2種類の有機溶媒が含まれる場合、成膜性の観点からは、1種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、1種類の溶媒は沸点が200℃以上の溶媒であり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。
 3種類の有機溶媒が含まれる場合、成膜性の観点からは、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。
 塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法及びノズルコート法などのコート法、並びにグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの印刷法を挙げることができる。
パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法が好ましい。
 次に、上記有機薄膜保管工程について説明する。
 形成された有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程は、通常、該有機薄膜形成工程に続いて行う。有機薄膜形成工程で形成された有機薄膜は、有機薄膜保管工程において保管される。有機薄膜保管工程では、有機薄膜は重量基準の絶対湿度が、2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上に保持された雰囲気下で保管される。そうすることで有機EL素子の発光寿命が延長される。なお、「重量基準の絶対湿度」は、単位「kg/kg(乾燥空気)」を付して表され、「1kgの乾燥空気に伴われる水蒸気の重量」で定義される。尚、以下において、「kg/kg(乾燥空気)」は「kg/kg(DA)」と記すことがある。
 つまり、形成された有機薄膜は、乾燥空気よりも湿度が高い環境に保管されることで、表面に水分を蓄える。有機薄膜の表面に蓄積された水分は、その表面上に形成される膜との間の界面特性に影響を与える。2種類の膜の界面に微量の水分が存在する場合、具体的には、膜間にかかる抵抗がわずかに変化し、電流量が変化する等の影響が考えられる。
 例えば、有機薄膜の表面上に電極が形成される場合、有機薄膜の表面に存在する水分によって電極がわずかに劣化する。有機EL素子の駆動前に電極を予めわずかに劣化させておくことで、有機EL素子の駆動後に電極が劣化した場合でも、電流量の急激な低下が防止され、その結果、有機EL素子の発光寿命が延長される。
 有機薄膜は、有機EL素子の寿命特性の観点からは、重量基準の絶対湿度が、2.0×10-3kg/kg(DA)以上、2.0×10-2kg/kg(DA)以下に保持された雰囲気下で保管されることが好ましく、重量基準の絶対湿度が、5.0×10-3kg/kg(DA)以上、2.0×10-2kg/kg(DA)以下であることが、より好ましい。有機EL素子のダークスポット等の非発光部分の発生を抑制する観点からは、重量基準の絶対湿度が、5.0×10-3kg/kg(DA)以上、1.5×10-2kg/kg(DA)以下に保持された雰囲気下で有機薄膜が保管されることが、さらに好ましい。
 有機薄膜は、通常、0℃から50℃の範囲の温度で保管され、有機EL素子の寿命特性の観点からは、好ましくは15℃から30℃の範囲の温度で保管されることが好ましい。
 また保管時間は、該有機薄膜に含まれる有機化合物の種類に応じて適宜選択され、通常、1分~2時間程度である。有機薄膜の表面に適度に水分を蓄積するためには、保管時間は10分~1時間、好ましくは20分~40分が適当である。
 有機薄膜は、不活性気体を含有した雰囲気下で保管していてもよい。不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができる。素子作製の容易さの観点からは、不活性気体が窒素ガスであることが好ましい。
 有機薄膜は、重量基準の絶対湿度が、2.0×10-3kg/kg(DA)以上に保持されている雰囲気であれば、大気雰囲気下で保管されてもよいし、雰囲気中の不活性気体の濃度が、大気雰囲気中に含まれる不活性気体の濃度以上である雰囲気下で保管されてもよい。
 有機薄膜は、有機EL素子の寿命特性の観点からは、酸素濃度が体積基準で1000ppm以下の雰囲気下で保管されることが好ましく、酸素濃度が体積基準で100ppm以下の雰囲気で保管されることがより好ましく、酸素濃度が体積基準で10ppm以下の雰囲気で保管されることがさらに好ましい。
 有機層を形成する方法は、有機薄膜保管工程に次いで行われる有機薄膜を焼成する工程を包含することが好ましい。有機薄膜の焼成は、有機薄膜の形成時に使用した有機溶媒の一部またはすべてを蒸発させるために行う。
 有機薄膜の焼成は、有機EL素子の発光特性及び寿命特性の観点からは、50℃~250℃の範囲内の温度で行うことが好ましく、50℃~200℃の範囲内の温度で行うことがより好ましい。焼成時間は、該有機薄膜に含まれる有機化合物の種類に応じて適宜選択され、通常5分~2時間程度である。有機薄膜の表面に適度に水分を蓄積するためには、焼成温度は150℃以下、好ましくは80~140℃であり、焼成時間は3~20分、好ましくは、5~15分である。
 有機薄膜の焼成は、有機EL素子の長寿命化の観点からは、不活性気体を含有する雰囲気下で行うことが好ましい。不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さから窒素ガスが好ましい。これらの不活性気体は、有機EL素子前駆体を収容する収容装置内に導入される。雰囲気中の不活性気体の濃度は、体積基準で通常99%以上であり、好ましくは、99.5%以上である。
 有機薄膜の焼成は、雰囲気中の酸素濃度及び水分濃度を、体積基準でそれぞれ1000ppm以下に保った状態で行うことが好ましい。この焼成によって、該有機薄膜中に含まれる溶媒が除去される。
 有機薄膜の焼成は、有機EL素子の発光特性及び寿命特性の観点からは、雰囲気中の酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ600ppm以下に保持された雰囲気下で行うことが好ましく、より好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ300ppm以下であり、さらに好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ100ppm以下であり、特に好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ10ppm以下である。
 また、有機薄膜の焼成は、有機EL素子の長寿命化の観点からは、10Pa以下の減圧雰囲気下において行うことが好ましい。有機薄膜の焼成は、不活性気体が導入されるとともに、減圧された収容装置内で行われることが好ましい。減圧された雰囲気中で焼成を行うと、大気圧での焼成に比べ、有機薄膜に含まれる溶媒をより有効に除去することができる。
 有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、それぞれの工程を行うのに適した雰囲気の空間内を、順に基板を通過させて実施する。具体的には、それぞれの工程を行う空間を、例えば、部屋として区画し、各空間の雰囲気を適当に調節すればよい。このとき、有機薄膜形成工程では、雰囲気中の水分濃度を低く抑える必要があり、有機薄膜形成工程を行う雰囲気は、素子特性を向上させる観点から、好ましくは体積基準で10ppm以下、より好ましくは5ppm以下、更に好ましくは1ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気である。有機薄膜保管工程では、雰囲気中の水分濃度を高く保つ必要がある。有機薄膜保管工程の雰囲気は、有機EL素子の寿命の観点から、重量基準の絶対湿度が2.0×10-3kg/kg(DA)以上、2.0×10-2kg/kg(DA)以下に保持された雰囲気であることが好ましく、重量基準の絶対湿度が5.0×10-3kg/kg(DA)以上、2.0×10-2kg/kg(DA)以下であることがより好ましい。有機EL素子のダークスポット等の非発光部分の発生を抑制する観点からは、重量基準の絶対湿度が5.0×10-3kg/kg(DA)以上、1.5×10-2kg/kg(DA)以下に保持された雰囲気が更に好ましい。そのため、基板が区画された空間の境界を通過する際に、有機薄膜保管工程を行う部屋の水分雰囲気が、有機薄膜形成工程を行う部屋に流入して、有機薄膜の形成に悪影響を与えないように、空間を区画し、雰囲気を調節する必要がある。
 図3は、有機薄膜形成工程を行う空間及び有機薄膜保管工程を行う空間の区画例を示す模式図である。図3(a)の例では、有機薄膜形成工程を行う空間11及び有機薄膜保管工程を行う空間12の間に緩衝空間13が設けられている。基板14は、有機薄膜形成工程を行う空間11、緩衝空間13及び有機薄膜保管工程を行う空間12の順に通過する。
 この場合、有機薄膜形成工程を行う空間11の気圧を気圧A、有機薄膜保管工程を行う空間12の気圧を気圧B、これらの間に位置する緩衝空間13の気圧を気圧Cとしたとき、気圧A>気圧C、かつ、気圧B>気圧C、すなわち、有機薄膜形成工程、有機薄膜保管工程のそれぞれを行う空間に比べて、緩衝空間の気圧を陰圧とする。
 このようにすると、有機薄膜保管工程の雰囲気が有機薄膜形成工程を実施する空間に流入することが抑制され、本発明の好ましい雰囲気が実現される。緩衝空間の雰囲気は、陰圧であること以外は有機薄膜形成工程を行う空間と同様としてよい。
 図3(b)の例では、有機薄膜形成工程を行う空間11及び有機薄膜保管工程を行う空間12が隣接している。基板14は、有機薄膜形成工程を行う空間11及び有機薄膜保管工程を行う空間12の順に通過する。
 この場合、有機薄膜形成工程を行う空間の気圧を気圧A、有機薄膜保管工程を行う空間の気圧を気圧Bとしたとき、気圧A>気圧B、すなわち、有機薄膜形成工程の空間の気圧を有機薄膜保管工程に比べて陽圧とする。これにより、有機薄膜保管工程の雰囲気が有機薄膜形成工程の雰囲気に流入することが抑制され本発明の好ましい雰囲気が実現される。
(有機化合物)
 次に、前記有機層6に含まれる有機化合物について説明する。該有機化合物は、1気圧、25℃において固体である。有機層6が発光層である場合、該有機化合物は、主として蛍光及び/又は燐光を発光する発光性有機化合物、発光性有機化合物を補助するドーパントであることが好ましく、燐光発光性化合物であることが、より好ましい。ドーパントは、例えば、発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお、有機化合物は、塗布により成膜可能であれば、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、ポリスチレン換算の数平均分子量が、10~10である高分子化合物であることが好ましい。発光性有機化合物として、燐光を発光する発光性高分子化合物(燐光発光性高分子化合物)を用いて発光層を形成すれば、又は、発光性有機化合物として、燐光を発光する発光性有機化合物(燐光発光性有機化合物)を用い、高分子化合物と燐光を発光する発光性有機化合物との組成物(燐光発光性組成物)を用いて発光層を形成すれば、有機EL素子の発光寿命の延長効果が特に向上する。
 本発明の方法を用いた場合、駆動前に有機薄膜の表面と、その表面上に形成される膜との間にかかる抵抗をわずかに変化させることにより、駆動時の抵抗の急激な変化を抑制することができるため、有機EL素子の発光寿命の延長効果が向上する。例えば、蛍光発光材料は駆動電流の電流密度が大きいため、駆動前に、有機薄膜の表面と、その表面上に形成される膜との間にかかる抵抗がわずかに変化したとしても、駆動時の抵抗の急激な変化の抑制に対する影響が小さい。これに対し、燐光発光性材料は駆動電流の電流密度が小さいため、駆動前に、有機薄膜の表面と、その表面上に形成される膜との間にかかる抵抗の変化によって、駆動時の抵抗の急激な変化の抑制に対する影響が大きい。つまり、燐光発光性材料は、素子の性能が比較的大きく影響を受け易い。
 発光性有機化合物として好ましい低分子化合物としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、4,4’-ビス(カルバゾリル-9-イル)ビフェニル(CBP)などのカルバゾール誘導体等が挙げられる。
 発光性有機化合物として好ましい高分子化合物としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、下記に例示するような、色素系ドーパント材料や金属錯体系ドーパント材料を高分子量化した化合物などを挙げることができる。
 燐光発光性有機化合物としては、イリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体が挙げられる。
 上記発光性有機化合物のうち、青色に発光する化合物としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、及びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。中でも高分子化合物であるポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体が好ましい。
 また、緑色に発光する化合物としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。中でも高分子化合物であるポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体が好ましい。
 また、赤色に発光する化合物としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、及びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。中でも高分子化合物であるポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体が好ましい。
(ドーパント材料)
 色素系ドーパント材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンを挙げることができる。
 金属錯体系ドーパント材料としては、例えば、中心金属として、Al、Zn、Beなど、又はTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子としてオキサジアゾール、チアジアゾール構造、フェニルピリジン構造、フェニルベンゾイミダゾール構造、キノリン構造などを有する金属錯体を挙げることができる。該金属錯体としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体を挙げることができる。
 有機層6を形成した後に、第2の電極7を有機層6上に形成することによって、有機EL素子1が製造される。
 図2は、本発明の方法で製造される有機EL素子の他の形態を模式的に示す図である。この有機EL素子1’は、基板2の上に、第1の電極3と、第2の電極7と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる第1の有機層4、第2の有機層5、第3の有機層6’とを、有する。有機層4、5及び6’は有機化合物を含む。
 有機EL素子1’を構成する上記各層の典型的な機能は、第1の電極3が陽極、第2の電極7が陰極、第1の有機層4が正孔注入層、第2の有機層5が正孔輸送層、及び第3の有機層6’が発光層である。
 以下、図2に示す有機EL素子を例として、前記有機層の形成工程について説明し、有機EL素子の他の構成要素の詳細については後述する。
 有機層6’が発光層である場合、有機層6’は、前述の有機EL素子1中の有機層6と同様の方法により形成される。
 この場合、有機層4及び5は、発光層に隣接しており、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの、発光には直接関与せず、電荷の注入あるいは輸送の機能を有する層に相当する。
 第1の電極3が陽極である場合、有機層4及び5に相当する機能層としては、正孔注入層あるいは正孔輸送層などが挙げられる。図示はしていないが、有機EL素子1’は発光層としての第3の有機層6’と第2の電極7との間に電子注入層、電子輸送層などの機能層を有してもよい。
 以下、発光には直接関与しない機能層の形成方法について説明する。
 有機化合物を含む機能層の形成は従来と同様にして行えばよく、好ましくは、製造工程が簡易で、素子の大面積化が容易な塗布法を用いて行われる。例えば、機能層は、当該機能層が上に形成される層の上に、有機化合物を含む溶液を塗布することにより有機薄膜を形成し、次いで、有機薄膜に含まれる溶媒を乾燥させて、形成される。
 機能層の形成に塗布法を用いる場合、塗布性の観点からは、該有機化合物が高分子化合物であることが好ましい。溶液塗布法で前記有機薄膜を形成する際の溶媒及び塗布方法については、前述の、有機層6の形成における、有機化合物を含む有機薄膜を形成する際に用いる溶媒及び塗布方法と同様の溶媒及び塗布方法があげられる。
 有機化合物を含む薄膜は、有機EL素子を容易に製造できる点から、大気圧下、不活性気体を含有する雰囲気中において形成することが好ましい。不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さの観点からは、窒素ガスが好ましい。
 前記薄膜は、大気雰囲気下で形成されてもよいし、雰囲気中の不活性気体の濃度が、体積基準で99%以上である雰囲気下で形成されてもよい。有機EL素子の素子寿命の長寿命化の観点からは、不活性気体の濃度が99.5%以上の雰囲気下で形成されることが好ましい。
 前記薄膜は、素子作製の容易さの観点からは、酸素濃度が体積基準で1000ppm以下及び/又は水分濃度が体積基準で1000ppm以下の雰囲気下で形成されることが好ましく、酸素濃度が体積基準で10ppm以下及び/又は水分濃度が体積基準で10ppm以下の雰囲気下で形成されることがより好ましい。
 次に、雰囲気中の酸素濃度及び水分濃度を、体積基準でそれぞれ1000ppm以下に保った状態で前記薄膜を焼成することが好ましい。この焼成によって、該薄膜中に含まれる溶媒が除去される。
 焼成は、有機EL素子の発光特性及び寿命特性の観点からは、50℃~250℃の範囲内の温度で行うことが好ましく、50℃~200℃の範囲内の温度で行うことがより好ましい。焼成時間は、前記薄膜に含まれる有機化合物によって適宜選択され、通常5分~2時間程度である。
 前記薄膜の焼成は、有機EL素子の長寿命化の観点からは、不活性気体を含有する雰囲気中において行うこと、あるいは10Pa以下の雰囲気中において行うことが好ましい。
不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さの観点からは、窒素ガスが好ましい。
 前記薄膜の形成及び該薄膜の焼成は、素子の発光特性及び寿命特性の観点からは、雰囲気中の酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ600ppm以下に保った状態で行われることが好ましく、より好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ300ppm以下であり、さらに好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ100ppm以下であり、特に好ましくは、酸素濃度及び水分濃度が体積基準でそれぞれ10ppm以下である。
 例えば、第1の電極3の上に、第1の有機層4及び第2の有機層5を形成し、第2の有機層5上に、前記有機層6に含まれる有機化合物を含む薄膜の形成工程、薄膜保管工程、焼成工程を行うことによって、有機層6’である発光層を形成し、さらにその上に、第2の電極7を形成することによって、有機EL素子1’が製造される。
 以下、有機EL素子の素子構成及び各構成要素についてさらに詳細に説明する。
 本発明の有機EL素子は、第1の電極と、第2の電極と、第1の電極及び第2の電極の間に配置される有機層を必須の構成要素として有している。なお、有機層が、発光層の場合、第1の電極(例えば、陽極)と第2の電極(例えば、陰極)との間には、例えば素子特性を向上させるために、前述の発光層に加えて、さらに、層が設けられる場合がある。
 該層には、発光層に隣接して設けられる機能層が含まれる。
 陰極と発光層との間に設けられる層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。また陰極と発光層との間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極に接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という場合がある。
 電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層又は陰極により近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお電子注入層、及び/又は電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。
 正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えばホール電流のみを流す素子を作製することによって確認することができる。例えば正孔ブロック層を備えず、ホール電流のみを流す素子と、該素子に正孔ブロック層を挿入した構成の素子とを作製し、正孔ブロック層を備える素子の電流値の減少で、正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を示すことを確認できる。
 陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。陽極と発光層との間に、正孔注入層と正孔輸送層との両方の層が設けられる場合、陽極に接する層を正孔注入層といい、この正孔注入層を除く層を正孔輸送層という場合がある。
 正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層又は陽極により近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。なお正孔注入層、及び/又は正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。
 電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば、例えば電子電流のみを流す素子を作製することによって確認することができる。例えば電子ブロック層を備えず、電子電流のみを流す素子と、該素子に電子ブロック層を挿入した構成の素子とを作製し、電子ブロック層を備える素子の電流値の減少で、電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を示すことを確認できる。
 本発明における有機層は、有機化合物を含んでいればよく、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層のいずれであってもよい。中でも、発光層であることが好ましい。
 本実施の形態の有機EL素子がとりうる素子構成の一例を以下に示す。
a)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
i)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
k)陽極/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。)
 有機EL素子は、2層以上の発光層を有していてもよい。a)~m)に示す各構成において、陽極と陰極との間に設けられる層をそれぞれ「繰り返し単位A」とすると、2層の発光層を有する有機EL素子としては、以下のn)に示す素子構成を挙げることができる。
n)陽極/(繰り返し単位A)/電荷発生層/(繰り返し単位A)/陰極
 また「(繰り返し単位A)/電荷発生層」を「繰り返し単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、以下のo)に示す素子構成を挙げることができる。
o)陽極/(繰り返し単位B)x/(繰り返し単位A)/陰極
 ここで、記号「x」は2以上の整数を表し、「(繰り返し単位B)x」は、(繰り返し単位B)を「x」段積層した構成を表す。電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子とが発生する層である。電荷発生層としては、例えば、酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
 有機EL素子は、さらに封止のための封止膜又は封止板などの封止部材で覆われていてもよい。有機EL素子を基板に設ける場合は、通常基板側に陽極が配置されるが、基板側に陰極を配置するようにしてもよい。
 本実施の形態の有機EL素子は、内部で発生した光を外に取出すために、通常、発光層を基準にして光が取出される側に配置される全ての層を透明なものとしている。透明の程度としては、光の取出される側の有機EL素子の最表面と、発光層との間の可視光透過率が40%以上であることが好ましい。紫外領域又は赤外領域の発光が求められる有機EL素子の場合には、当該領域において40%以上の光透過率を示すものが好ましい。
 本実施の形態の有機EL素子は、さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入性の改善のために、電極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよい。また界面での密着性向上や混合の防止などのために、前述した各層間に薄いバッファー層を挿入してもよい。
 積層する層の順序、層数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜設定することができる。
 次に、有機EL素子を構成する各層の材料及び形成方法について、より具体的に説明する。
<基板>
 基板は、有機EL素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、及びシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが使用可能であり、また公知の方法により製造することができる。
<陽極>
 陽極は、陽極を通して発光層からの光を取出す構成の有機EL素子の場合、透明又は半透明の電極が用いられる。透明電極又は半透明電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、及び銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
 陽極には、光を反射する材料を用いてもよく、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の金属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。
 陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができ、例えば10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは40nm~500nmである。
<正孔注入層>
 正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及びポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
 正孔注入層の形成方法は、正孔注入材料を含む薄膜を成膜し、その後焼成又は乾燥する方法があげられる。
 正孔注入材料を含む薄膜の成膜方法としては、例えば正孔注入材料を含む溶液からの成膜を挙げることができ、長寿命化の観点からは、前述した有機層形成工程と同様の雰囲気中において成膜することが好ましい。溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、正孔注入材料を溶解させるものであれば特に制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、アニソール、テトラリン、フェニルシクロヘキサンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、及び水を挙げることができ、これらを混合したものを用いてもよい。
 溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、ノズルコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。
 正孔注入層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなるので好ましくない。従って正孔注入層の膜厚は、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。
<正孔輸送層>
 正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5-チエニレンビニレン)若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物などを挙げることができる。
 これらの中で正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5-チエニレンビニレン)若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
 本発明における機能層が正孔輸送層である場合、正孔輸送層の形成方法は、有機EL素子1に含まれる有機層6の形成方法と同様の方法が挙げられる。
 正孔輸送層が機能層でない場合、正孔輸送層の形成方法としては、正孔輸送材料を含む薄膜を成膜し、その後焼成又は乾燥する方法があげられる。
 正孔輸送材料を含む薄膜の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。
 溶液からの成膜に用いられる溶媒としては、前述の、有機層6の形成における、有機化合物を含む薄膜を形成する際に用いる溶媒と同様の溶媒があげられる。
 溶液からの成膜方法としては、前述の、有機層6の形成における、塗布方法と同様の塗布方法を挙げることができ、長寿命化の観点からは、前述した機能層形成工程と同様の雰囲気中において成膜することが好ましい。
 混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収の弱いものが好適に用いられ、例えばポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンなどを挙げることができる。
 正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚は、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。
<発光層>
 発光層に含まれる有機化合物としては、前述の発光性有機化合物、発光性有機化合物を補助するドーパントなどが挙げられる。
<電子輸送層>
 電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
 これらのうち、電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、又は8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ましく、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-t-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8-キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
 本発明における機能層が電子輸送層である場合、電子輸送層の形成方法は、有機EL素子1’に含まれる正孔輸送層5の形成方法と同様の方法が挙げられる。
 電子輸送層が機能層でない場合、電子輸送層の形成方法としては、電子輸送材料を含む薄膜を成膜し、その後焼成又は乾燥する方法があげられる。
 電子輸送材料を含む薄膜の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液又は溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができ、前述した機能層形成工程と同様の雰囲気中において成膜することが好ましい。
 電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定され、少なくともピンホールが発しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って該電子輸送層の膜厚としては、例えば1nm~1μmであり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである。
<電子注入層>
 電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、又はこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。
 電子注入層の膜厚としては、1nm~1μm程度が好ましい。
<陰極>
 陰極の材料としては、仕事関数の小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す有機EL素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。
陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及びIII-B族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合金、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-インジウム合金、カルシウム-アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物及び導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、及びIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。
 陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して適宜設定され、例えば10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmであり、さらに好ましくは50nm~500nmである。
 陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法などを挙げることができる。
<絶縁層>
 絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料などを挙げることができる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものを挙げることができる。
 以上説明した有機EL素子は、曲面状や平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、及び表示装置に好適に用いることができる。
 有機EL素子を備える表示装置としては、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、及び液晶表示装置などを挙げることができる。なお有機EL素子は、アクティブマトリックス表示装置、パッシブマトリックス表示装置において、各画素を構成する発光素子として用いられ、セグメント表示装置において、各セグメントを構成する発光素子として用いられ、ドットマトリックス表示装置、及び液晶表示装置において、バックライトとして用いられる。
 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、以下の実施例に限定されるものではない。
 実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、GPC(島津製作所製、商品名:LC-10Avp)により求めた。測定する高分子化合物は、約0.5重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに30μL注入した。GPCの移動相にはテトラヒドロフランを用い、0.6mL/分の流速で流した。カラムは、「TSKgel SuperHM-H(東ソー製)」2本と「TSKgel SuperH2000(東ソー製)」1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製、商品名:RID-10A)を用いた。
 実施例1
 以下の方法で、有機EL素子を作製した。
 スパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製「Baytron P」)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
 次に、キシレンに正孔輸送材料である高分子化合物1を溶解させ、キシレン溶液1を作製した。このキシレン溶液1における高分子化合物1の濃度を0.8重量%とした。次に酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液1をスピンコート法により正孔注入層上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の薄膜を形成し、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔輸送層を得た。
 次に、燐光発光性有機化合物1を、高分子化合物2に、7.5重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物の1.3重量%キシレン溶液Aを作製した。次に、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液Aをスピンコート法により正孔輸送層上に塗布し、膜厚が80nmの発光層用の薄膜を成膜した。さらに、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、1.3×10-2kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中において、薄膜を30分間保管し、有機層を形成した。有機薄膜の保管は室温(25℃)にて行った。
 さらに、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、有機層を130℃で10分間焼成した。有機層の焼成は大気圧の雰囲気中で行った。該有機層は発光層として機能する。なお正孔輸送層及び発光層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程における圧力は大気圧とした。
 次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nmの厚さで蒸着し、次いでアルミニウムを約80nmの厚さで蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、赤色発光(CIE1931:(0.62, 0.38))し、初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、67.1時間であった。
 実施例2
 有機層の形成において、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、7.7×10-3kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中で薄膜を保管した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、赤色発光(CIE1931:(0.62, 0.38))し、初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、62.0時間であった。
 比較例1
 有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、赤色発光(CIE1931:(0.62, 0.38))し、また、初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、47.9時間であった。
 実施例3
 以下の方法で有機EL素子を作製した。
 スパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製「Baytron P」)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
 次に、キシレンに正孔輸送材料である高分子化合物1を溶解させ、キシレン溶液1を作製した。このキシレン溶液1における高分子化合物1の濃度を0.8重量%とした。次に酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液1をスピンコート法により正孔注入層上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の薄膜を形成し、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において180℃、1時間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔輸送層を得た。
 次に、燐光発光性有機化合物2を、高分子化合物3に、30重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物の1.4重量%キシレン溶液Bを作製した。次に、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液Bをスピンコート法により正孔輸送層上に塗布し、膜厚が100nmの発光層用の薄膜を成膜した。さらに、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、1.3×10-2kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中において、薄膜を30分間保管し、有機層を形成した。有機薄膜の保管は室温(25℃)にて行った。
 さらに、酸素濃度及び水分濃度が体積基準で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分間焼成した。有機層の焼成は大気圧の雰囲気中で行った。該有機層は、発光層として機能する。なお正孔輸送層及び発光層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程における圧力は大気圧とした。
 次に1.0×10-4Pa以下にまで減圧した後、陰極として、バリウムを約5nmの厚さで蒸着し、次いでアルミニウムを約80nmの厚さで蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止を行うことで、有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、緑色発光(CIE1931:(0.32, 0.63))し、また、初期輝度8,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、17.4時間であった。
 実施例4
 有機層の形成において、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、7.5×10-3kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中で薄膜を保管した以外は、実施例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、緑色発光(CIE1931:(0.32, 0.63))し、また、初期輝度8,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、14.3時間であった。
 比較例2
 有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、緑色発光(CIE1931:(0.32, 0.63))し、また、初期輝度8,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、9.8時間であった。
 合成例1
 高分子化合物4の合成
 不活性雰囲気下、2,7-ビス(1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9,9-ジオクチルフルオレン(5.20g)、ビス(4-ブロモフェニル)-(4-セカンダリブチルフェニル)-アミン(4.50g)、酢酸パラジウム(2.2mg)、トリ(2-メチルフェニル)ホスフィン(15.1mg)、Aliquat336(0.91g,アルドリッチ製)、トルエン(70ml)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2重量モル炭酸ナトリウム水溶液(19ml)を滴下し、4時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸(121mg)を加え、さらに3時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え80℃で4時間撹拌した。冷却後、水(60ml)で3回、3重量%酢酸水溶液(60ml)で3回、水(60ml)で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(3L)に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物4の収量は5.25gであった。
 高分子化合物4のポリスチレン換算数平均分子量は、1.2×105であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は2.6×105であった。
 なお、高分子化合物4は、仕込み原料から、式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
及び式
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
で表される繰り返し単位を、1:1(モル比)で有する重合体であると推測される。
 合成例2
 高分子化合物5の合成
 ジムロートを接続した200mLセパラブルフラスコに、9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジホウ酸エチレングリコールエステル 3.18g(6.0mmol)、9,9-ジオクチル-2,7-ジブロモフルオレン 3.06g(5.4mmol)、N,N’-ビス(4-ブロモフェニル)-N,N’-ビス(2,6-ジメチル-4-tert-ブチルフェニル)-1,4-フェニレンジアミン 0.44g(0.6mmol)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336(登録商標)、アルドリッチ社製) 0.82g、及びトルエン60mLを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 4.2mgを加え、85℃に加熱した。得られた溶液に、17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液 16.3mLを滴下しながら105℃に加熱した後、1.5時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸 0.74g、及びビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 4.2mgとトルエン30mLを加え、105℃で17時間攪拌した。得られた溶液から、水層を除いた後、N,N-ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物 3.65g及びイオン交換水 36mLを加え、85℃で2時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水 80mL(2回)、3重量%酢酸水溶液 80mL(2回)、イオン交換水 80mL(2回)の順番で洗浄した。洗浄した有機層をメタノール 930mLに滴下したところ、沈殿物が生じたので、該沈殿物をろ過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエン 190mLに溶解させて溶液を調製し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル/アルミナカラムに該溶液を通液し、得られた溶液をメタノール930mLに滴下したところ、沈殿物が生じたので、沈殿物をろ過後乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を、仕込み原料から求めた理論値で、以下のモル比で有する高分子化合物5(4.17g)を得た。高分子化合物5のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは2.7×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは7.1×105であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 合成例3
 化合物M-1の合成
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 300ml四つ口フラスコに、1,4-ジヘキシル-2,5-ジブロモベンゼン8.08g、ビス(ピナコレート)ジボロン12.19g、及び酢酸カリウム11.78gをとり、フラスコ内のアルゴン置換を行った。そこに、脱水1,4-ジオキサン100mlを仕込み、アルゴンで脱気した。〔1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン〕ジクロロパラジウム(II)(Pd(dppf)2Cl2)0.98gを仕込み、更にアルゴンで脱気し、6時間加熱し還流させた。そこに、トルエンを加え、イオン交換水で洗浄した。洗浄後の有機層に、無水硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、セライトをプレコートした漏斗で濾過した。得られた濾液を濃縮し、こげ茶色の結晶11.94gを得た。この結晶をn-ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させ、4.23gの化合物M-1の白色針状結晶を得た(収率42%)。
1H-NMR (300MHz、CDCl3):δ 0.88(t、6H)、1.23-1.40(m、36H)、1.47-1.56(m、4H)、2.81(t、4H)、7.52(s、2H)
LC-MS(ESI、positive):m/z+=573 [M+K]+
 合成例4
 高分子化合物6の合成
 窒素雰囲気下、化合物M-1 3.13g、2,7-ジブロモ-9,9-ジオクチルフルオレン3.58g、酢酸パラジウム(II)2.2mg、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン13.4mg、及びトルエン80mLを混合し、100℃に加熱した。反応溶液に20重量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mlを滴下し、4.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸78mg、酢酸パラジウム(II)2.2mg、トリス(2-メトキシフェニル)ホスフィン13.4mg、トルエン20mL、及び20重量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mlを加え、更に15時間還流させた。次いで、そこに、0.2Mのジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液70mlを加え、85℃で2時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、水82mlで3回、3重量%の酢酸水溶液82mlで3回、水82mlで3回洗浄した。有機層をメタノール1200mlに滴下したところ沈殿が生じ、この沈殿を濾過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶出液をメタノール1500mlに滴下したところ、高分子化合物6を3.52g得た。高分子化合物6のポリスチレン換算の数平均分子量は3.0×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は8.4×105であった。
 高分子化合物6は、下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
で表される繰り返し単位からなる共重合体である。
 実施例5及び比較例3
 高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物1の代わりに国際公開第2002/44189号パンフレットに記載の方法に従って合成した下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
で表される燐光発光性有機化合物3を用い、高分子化合物2の代わりに合成例2で合成した高分子化合物5を用い、燐光発光性有機化合物3を、高分子化合物5に、5.0重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物のキシレン溶液Cを用いる以外は実施例1と同様にして有機EL素子を製造する(実施例5)。また、高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物1の代わりに前記燐光発光性有機化合物3を用い、高分子化合物2の代わりに合成例2で合成した高分子化合物5を用い、燐光発光性有機化合物3を、高分子化合物5に、5.0重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物のキシレン溶液Cを用いる以外は比較例1と同様にして有機EL素子を製造する(比較例3)。
 作製される素子は、ともに赤色発光する。そして、それらの有機EL素子の特性を実施例1と同様にして測定すると、少なくとも初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)について、実施例5の有機EL素子には比較例3の有機EL素子と比較して顕著な向上が観察される。
 実施例6及び比較例4
 高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物2の代わりに下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
で表される((Iridium (III) tris(2-(4-tolyl)pyridinato-N,C2)、アメリカンダイソース社製、商品名:ADS066GE)燐光発光性有機化合物4を用い、高分子化合物3の代わりに合成例4で合成した高分子化合物6を用い、燐光発光性有機化合物4を、高分子化合物6に、5.0重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物のキシレン溶液Dを用いる以外は実施例3と同様にして有機EL素子を製造する(実施例6)。また、高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物2の代わりに前記燐光発光性有機化合物4を用い、高分子化合物3の代わりに合成例4で合成した高分子化合物6を用い、燐光発光性有機化合物4を、高分子化合物6に、5.0重量%の割合で添加してなる燐光発光性組成物のキシレン溶液Dを用いる以外は比較例2と同様にして有機EL素子を製造する(比較例4)。
 作製される素子は、ともに緑色発光する。そして、それらの有機EL素子の特性を実施例3と同様にして測定すると、少なくとも初期輝度8,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)について、実施例6の有機EL素子には比較例4の有機EL素子と比較して顕著な向上が観察される。
 合成例7
 高分子化合物7の合成
 不活性ガス雰囲気下、2,7-ジブロモ-9,9-ジ(オクチル)フルオレン(9.0g、16.4mmol)、N,N’-ビス(4-ブロモフェニル)-N,N’-ビス(4-t-ブチル-2,6-ジメチルフェニル)1,4-フェニレンジアミン(1.3g、1.8mmol)、2,7-ビス(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)-9,9-ジ(4-ヘキシルフェニル)フルオレン(13.4g、18.0mmol)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(43.0g、58.3mmol)、酢酸パラジウム(8mg、0.04mmol)、トリ(2-メトキシフェニル)ホスフィン(0.05g、0.1mmol)、トルエン(200mL)を混合し、混合物を、90℃で8時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸(0.22g、1.8mmol)を添加し、得られた混合物を14時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、有機層を水、3%酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた後、濾取したポリマーを再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。ポリマーを含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを50℃で真空乾燥し、高分子化合物7(12.5g)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによれば、得られた高分子化合物7のポリスチレン換算の重量平均分子量は3.1×10であり、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.9であった。
 高分子化合物7は仕込み原料から求めた理論値では、下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
で表される構成単位と、下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
で表される構成単位と、下記式:
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
で表される構成単位とが、50:45:5のモル比で含まれる共重合体である。
 合成例6
 燐光発光性有機化合物5の合成
 下記式で示される燐光発光性有機化合物5は、特開2006-188673号公報に記載の方法に従って合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 実施例7
 以下の方法で有機EL素子を作製した。
 スパッタ法により厚みが45nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
 次に、キシレンに正孔輸送材料である高分子化合物を溶解させ、キシレン溶液2を作製した。このキシレン溶液2における高分子化合物の濃度を0.8重量%とした。次に酸素濃度及び水分濃度が体積比で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液2をスピンコート法により正孔注入層上に塗布し、膜厚が20nmの正孔輸送層用の薄膜を形成し、酸素濃度及び水分濃度が体積比で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において200℃、1時間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔輸送層を得た。
 次に、燐光発光性有機化合物5を、前記高分子化合物7に、5重量%の割合で添加してなる混合物の1.3重量%キシレン溶液Eを作製した。次に、酸素濃度及び水分濃度が体積比で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において、キシレン溶液Eをスピンコート法により正孔輸送層上に塗布し、膜厚が65nmの発光層用の薄膜を成膜した。さらに、酸素濃度が体積比で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、9.9×10-3(kg/kg(DA))に制御された湿潤窒素中において、室温(25℃)にて薄膜を30分間保管し、有機層を形成した。さらに、酸素濃度及び水分濃度が体積比で、10ppm以下に制御された窒素雰囲気中において130℃、10分間焼成した。該有機層は、発光層として機能する。なお正孔輸送層及び発光層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程における圧力は大気圧とした。
 次に陰極としてバリウムを約5nm、次いでアルミニウムを約80nm蒸着して、有機EL素子を作製した。なお、真空度が、1×10-4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
 作製した有機EL素子は、赤色発光(CIE1931:(0.65, 0.32))し、また、初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、16.9時間であった。
 比較例5
 有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例7と同様の方法で有機EL素子を作製した。
 作製した有機EL素子は、赤色発光(CIE1931:(0.65, 0.32))し、また、初期輝度12,000cd/mで定電流駆動した際に、輝度が初期輝度の75%となるまでの時間(輝度75%寿命)は、15.3時間であった。
 1、1’…有機EL素子、
 2…基板、
 3…第1の電極、
 4…第1の有機層、
 5…第2の有機層、
 6…有機層、
 6’…第3の有機層、
 7…第2の電極、
 11…有機薄膜形成工程を行う空間、
 12…有機薄膜保管工程を行う空間、
 13…緩衝空間、
 14…基板。

Claims (21)

  1.  第1の電極と、第2の電極と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる有機層とを有し、該有機層が有機化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該有機層は、
     体積基準で10ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において、該有機層が上に形成される層の表面上に、塗布法により有機化合物を含む有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、
     2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上の重量基準の絶対湿度を有する高湿度雰囲気下において、該有機薄膜形成工程によって得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを、
    包含する方法によって形成される、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  2.  前記高湿度雰囲気が2.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上、2.0×10-2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  3.  前記高湿度雰囲気が5.0×10-3kg/kg(乾燥空気)以上、1.5×10-2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  4.  前記低湿度雰囲気が不活性ガスを含有する請求項1~3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  5.  前記低湿度雰囲気が体積基準で10ppm以下の酸素濃度を有する請求項1~4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  6.  前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、緩衝空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、該緩衝空間の気圧は、有機薄膜形成工程を行う空間及び有機薄膜保管工程を行う空間のそれぞれと比較して陰圧にされている請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  7.  前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、有機薄膜形成工程を行う空間の気圧は、有機薄膜保管工程を行う空間と比較して陽圧にされている請求項1~5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  8.  前記有機薄膜保管工程に次いで行われる有機薄膜を焼成する工程を包含する請求項1~7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  9.  前記有機薄膜を焼成する工程が不活性ガスを含有する雰囲気下で行われる請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  10.  前記有機薄膜を焼成する工程が体積基準でそれぞれ10ppm以下の酸素濃度および水分濃度を有する雰囲気下で行われる請求項8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  11.  前記有機薄膜を焼成する工程が10Pa以下の圧力を有する減圧雰囲気下で行われる請求項8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  12.  前記第1の電極が陽極であり、前記第2の電極が陰極である請求項1~11のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  13.  前記有機層が高分子有機化合物を含む請求項1~12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  14.  前記有機層が発光層である請求項1~13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  15.  前記有機層が燐光発光性化合物を含む請求項1~14のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  16.  前記発光層に接して機能層を形成する工程を更に包含する請求項14または15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  17.  前記機能層が発光層と第1の電極との間に形成される請求項16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  18.  前記機能層が高分子有機化合物を含む請求項16または17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  19.  請求項1~18のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20.  請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。
  21.  請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。
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