JP5980513B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5980513B2 JP5980513B2 JP2012019798A JP2012019798A JP5980513B2 JP 5980513 B2 JP5980513 B2 JP 5980513B2 JP 2012019798 A JP2012019798 A JP 2012019798A JP 2012019798 A JP2012019798 A JP 2012019798A JP 5980513 B2 JP5980513 B2 JP 5980513B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- thin film
- layer
- atmosphere
- organic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
Description
体積基準で10ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において、該有機層が上に形成される層の表面上に、塗布法により有機化合物を含む有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、
2.0×10−3kg/kg(乾燥空気)以上の重量基準の絶対湿度を有する高湿度雰囲気下において、該有機薄膜形成工程によって得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを、
包含する方法によって形成される、有機EL素子の製造方法を提供する。
以下、図1に示す有機EL素子1を例として、有機層6を形成する方法について説明する。有機層6は、第1の電極3上に、有機化合物を含む薄膜である有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、高湿度雰囲気下において、得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを含む方法によって形成される。有機EL素子1のその他の構成要素の詳細については、後述する。
パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法が好ましい。
次に、前記有機層6に含まれる有機化合物について説明する。該有機化合物は、1気圧、25℃において固体である。有機層6が発光層である場合、該有機化合物は、主として蛍光及び/又は燐光を発光する発光性有機化合物、発光性有機化合物を補助するドーパントであることが好ましく、燐光発光性化合物であることが、より好ましい。ドーパントは、例えば、発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお、有機化合物は、塗布により成膜可能であれば、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、ポリスチレン換算の数平均分子量が、103〜108である高分子化合物であることが好ましい。発光性有機化合物として、燐光を発光する発光性高分子化合物(燐光発光性高分子化合物)を用いて発光層を形成すれば、又は、発光性有機化合物として、燐光を発光する発光性有機化合物(燐光発光性有機化合物)を用い、高分子化合物と燐光を発光する発光性有機化合物との組成物(燐光発光性組成物)を用いて発光層を形成すれば、有機EL素子の発光寿命の延長効果が特に向上する。
色素系ドーパント材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンを挙げることができる。
不活性気体としては、ヘリウムガス、アルゴンガス、窒素ガス、及びこれらの混合ガスなどを挙げることができ、これらのなかでも素子作製の容易さの観点からは、窒素ガスが好ましい。
a)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
i)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
k)陽極/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。
以下同じ。)
n)陽極/(繰り返し単位A)/電荷発生層/(繰り返し単位A)/陰極
また「(繰り返し単位A)/電荷発生層」を「繰り返し単位B」とすると、3層以上の発光層を有する有機EL素子としては、具体的には、以下のo)に示す素子構成を挙げることができる。
o)陽極/(繰り返し単位B)x/(繰り返し単位A)/陰極
ここで、記号「x」は2以上の整数を表し、「(繰り返し単位B)x」は、(繰り返し単位B)を「x」段積層した構成を表す。電荷発生層とは電界を印加することにより、正孔と電子とが発生する層である。電荷発生層としては、例えば、酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxide:略称ITO)、酸化モリブデンなどから成る薄膜を挙げることができる。
基板は、有機EL素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、及びシリコン基板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。前記基板としては、市販のものが使用可能であり、また公知の方法により製造することができる。
陽極は、陽極を通して発光層からの光を取出す構成の有機EL素子の場合、透明又は半透明の電極が用いられる。透明電極又は半透明電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属などの薄膜を用いることができ、光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、及び銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、又は酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及びポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物などを挙げることができる。
正孔輸送層が機能層でない場合、正孔輸送層の形成方法としては、正孔輸送材料を含む薄膜を成膜し、その後焼成又は乾燥する方法があげられる。
正孔輸送材料を含む薄膜の成膜方法としては、特に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーと正孔輸送材料とを含む混合液からの成膜を挙げることができ、高分子の正孔輸送材料では、正孔輸送材料を含む溶液からの成膜を挙げることができる。
発光層に含まれる有機化合物としては、前述の発光性有機化合物、発光性有機化合物を補助するドーパントなどが挙げられる。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子輸送層が機能層でない場合、電子輸送層の形成方法としては、電子輸送材料を含む薄膜を成膜し、その後焼成又は乾燥する方法があげられる。
電子輸送材料を含む薄膜の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜を挙げることができ、高分子の電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜を挙げることができる。なお溶液又は溶融状態からの成膜する場合には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液から電子輸送層を成膜する方法としては、前述の溶液から正孔輸送層を成膜する方法と同様の成膜法を挙げることができ、前述した機能層形成工程と同様の雰囲気中において成膜することが好ましい。
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの1種類以上含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物、又はこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸化物の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、例えばLiF/Caなどを挙げることができる。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法などにより形成される。
陰極の材料としては、仕事関数の小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す有機EL素子では、発光層からの光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。
陰極には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及びIII−B族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また、陰極としては導電性金属酸化物及び導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、及びIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお、陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。
絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料などを挙げることができる。膜厚2nm以下の絶縁層を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものを挙げることができる。
以下の方法で、有機EL素子を作製した。
スパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製「Baytron P」)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
有機層の形成において、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、7.7×10−3kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中で薄膜を保管した以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
以下の方法で有機EL素子を作製した。
スパッタ法により厚みが150nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製「Baytron P」)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
有機層の形成において、酸素濃度が体積基準で10ppm以下、重量基準の絶対湿度が、7.5×10−3kg/kg(DA)に制御された湿潤窒素中で薄膜を保管した以外は、実施例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。
有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例3と同様の方法で有機EL素子を作製した。
高分子化合物4の合成
不活性雰囲気下、2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジオクチルフルオレン(5.20g)、ビス(4−ブロモフェニル)−(4−セカンダリブチルフェニル)−アミン(4.50g)、酢酸パラジウム(2.2mg)、トリ(2−メチルフェニル)ホスフィン(15.1mg)、Aliquat336(0.91g,アルドリッチ製)、トルエン(70ml)を混合し、105℃に加熱した。この反応溶液に2重量モル炭酸ナトリウム水溶液(19ml)を滴下し、4時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸(121mg)を加え、さらに3時間還流させた。次いでジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え80℃で4時間撹拌した。冷却後、水(60ml)で3回、3重量%酢酸水溶液(60ml)で3回、水(60ml)で3回洗浄し、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られたトルエン溶液をメタノール(3L)に滴下し、3時間撹拌した後、得られた固体をろ取し乾燥させた。得られた高分子化合物4の収量は5.25gであった。
高分子化合物5の合成
ジムロートを接続した200mLセパラブルフラスコに、9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジホウ酸エチレングリコールエステル 3.18g(6.0mmol)、9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン 3.06g(5.4mmol)、N,N’−ビス(4−ブロモフェニル)−N,N’−ビス(2,6−ジメチル−4−tert−ブチルフェニル)−1,4−フェニレンジアミン 0.44g(0.6mmol)、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:Aliquat336(登録商標)、アルドリッチ社製) 0.82g、及びトルエン60mLを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 4.2mgを加え、85℃に加熱した。得られた溶液に、17.5重量%炭酸ナトリウム水溶液 16.3mLを滴下しながら105℃に加熱した後、1.5時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸 0.74g、及びビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド 4.2mgとトルエン30mLを加え、105℃で17時間攪拌した。得られた溶液から、水層を除いた後、N,N−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物 3.65g及びイオン交換水 36mLを加え、85℃で2時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水 80mL(2回)、3重量%酢酸水溶液 80mL(2回)、イオン交換水 80mL(2回)の順番で洗浄した。洗浄した有機層をメタノール 930mLに滴下したところ、沈殿物が生じたので、該沈殿物をろ過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエン 190mLに溶解させて溶液を調製し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル/アルミナカラムに該溶液を通液し、得られた溶液をメタノール930mLに滴下したところ、沈殿物が生じたので、沈殿物をろ過後乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を、仕込み原料から求めた理論値で、以下のモル比で有する高分子化合物5(4.17g)を得た。高分子化合物5のポリスチレン換算の数平均分子量Mnは2.7×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは7.1×105であった。
化合物M−1の合成
LC−MS(ESI、positive):m/z+=573 [M+K]+
高分子化合物6の合成
窒素雰囲気下、化合物M−1 3.13g、2,7−ジブロモ−9,9−ジオクチルフルオレン3.58g、酢酸パラジウム(II)2.2mg、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン13.4mg、及びトルエン80mLを混合し、100℃に加熱した。反応溶液に20重量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mlを滴下し、4.5時間還流させた。反応後、そこに、フェニルホウ酸78mg、酢酸パラジウム(II)2.2mg、トリス(2−メトキシフェニル)ホスフィン13.4mg、トルエン20mL、及び20重量%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液21.5mlを加え、更に15時間還流させた。次いで、そこに、0.2Mのジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液70mlを加え、85℃で2時間撹拌した。反応溶液を室温まで冷却し、水82mlで3回、3重量%の酢酸水溶液82mlで3回、水82mlで3回洗浄した。有機層をメタノール1200mlに滴下したところ沈殿が生じ、この沈殿を濾過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムを通すことにより精製した。得られた溶出液をメタノール1500mlに滴下したところ、高分子化合物6を3.52g得た。高分子化合物6のポリスチレン換算の数平均分子量は3.0×105であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は8.4×105であった。
高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物1の代わりに国際公開第2002/44189号パンフレットに記載の方法に従って合成した下記式:
高分子化合物1の代わりに合成例1で合成した高分子化合物4を用い、燐光発光性有機化合物2の代わりに下記式:
高分子化合物7の合成
不活性ガス雰囲気下、2,7−ジブロモ−9,9−ジ(オクチル)フルオレン(9.0g、16.4mmol)、N,N’-ビス(4−ブロモフェニル)−N,N’−ビス(4−t−ブチル-2,6−ジメチルフェニル)1,4−フェニレンジアミン(1.3g、1.8mmol)、2,7−ビス(4,4,5,5−テトラメチル-1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジ(4−ヘキシルフェニル)フルオレン(13.4g、18.0mmol)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(43.0g、58.3mmol)、酢酸パラジウム(8mg、0.04mmol)、トリ(2−メトキシフェニル)ホスフィン(0.05g、0.1mmol)、トルエン(200mL)を混合し、混合物を、90℃で8時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸(0.22g、1.8mmol)を添加し、得られた混合物を14時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、有機層を水、3%酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた後、濾取したポリマーを再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナのカラムに通液した。ポリマーを含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いでポリマーを沈殿させた。沈殿したポリマーを50℃で真空乾燥し、高分子化合物7(12.5g)を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによれば、得られた高分子化合物7のポリスチレン換算の重量平均分子量は3.1×105であり、分子量分布指数(Mw/Mn)は2.9であった。
燐光発光性有機化合物5の合成
下記式で示される燐光発光性有機化合物5は、特開2006−188673号公報に記載の方法に従って合成した。
以下の方法で有機EL素子を作製した。
スパッタ法により厚みが45nmのITO膜(陽極)が形成されたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(スタルク製;Baytron P)の懸濁液をスピンコート法により塗布し、厚みが65nmの薄膜を形成し、さらにホットプレート上で200℃、10分間加熱することによって薄膜を焼成し、正孔注入層を得た。なお正孔注入層の形成において、薄膜の形成工程及び焼成工程は大気雰囲気中においておこなった。
有機層の形成において、湿潤窒素中での薄膜の保管を行わない以外は、実施例7と同様の方法で有機EL素子を作製した。
2…基板、
3…第1の電極、
4…第1の有機層、
5…第2の有機層、
6…有機層、
6’…第3の有機層、
7…第2の電極、
11…有機薄膜形成工程を行う空間、
12…有機薄膜保管工程を行う空間、
13…緩衝空間、
14…基板。
Claims (20)
- 第1の電極と、第2の電極と、該第1の電極及び第2の電極間に設けられる有機層とを有し、該有機層が有機化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該有機層は、
体積基準で10ppm以下の水分濃度を有する低湿度雰囲気下において、該有機層が上に形成される層の表面上に、塗布法により有機化合物を含む有機薄膜を形成する有機薄膜形成工程と、
2.0×10−3kg/kg(乾燥空気)以上の重量基準の絶対湿度を有する高湿度雰囲気下において、該有機薄膜形成工程によって得られた有機薄膜を保管する有機薄膜保管工程とを、
包含する方法によって形成され、
第1の電極が陽極であり、第2の電極が陰極であり、
陰極は該有機層の表面上に形成され、
陰極は単層体又は2層以上の積層体であり、
陰極はバリウム層を含み、
バリウム層が該有機層の表面に接触するものである、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記高湿度雰囲気が2.0×10−3kg/kg(乾燥空気)以上、2.0×10−2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記高湿度雰囲気が5.0×10−3kg/kg(乾燥空気)以上、1.5×10−2kg/kg(乾燥空気)以下の重量基準の絶対湿度を有する請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記低湿度雰囲気が不活性ガスを含有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記低湿度雰囲気が体積基準で10ppm以下の酸素濃度を有する請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、緩衝空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、該緩衝空間の気圧は、有機薄膜形成工程を行う空間及び有機薄膜保管工程を行う空間のそれぞれと比較して陰圧にされている請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜形成工程及び有機薄膜保管工程は、有機薄膜形成工程を行う雰囲気の空間、及び有機薄膜保管工程を行う雰囲気の空間を、順に基板を通過させて行われ、有機薄膜形成工程を行う空間の気圧は、有機薄膜保管工程を行う空間と比較して陽圧にされている請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜保管工程に次いで行われる有機薄膜を焼成する工程を包含する請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜を焼成する工程が不活性ガスを含有する雰囲気下で行われる請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜を焼成する工程が体積基準でそれぞれ10ppm以下の酸素濃度および水分濃度を有する雰囲気下で行われる請求項8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機薄膜を焼成する工程が10Pa以下の圧力を有する減圧雰囲気下で行われる請求項8または9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機層が高分子有機化合物を含む請求項1〜11のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機層が発光層である請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記有機層が燐光発光性化合物を含む請求項1〜13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記発光層に接して機能層を形成する工程を更に包含する請求項13または14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記機能層が発光層と第1の電極との間に形成される請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 前記機能層が高分子有機化合物を含む請求項15または16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
- 請求項1〜17のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える面状光源。
- 請求項18に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012019798A JP5980513B2 (ja) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011020872 | 2011-02-02 | ||
JP2011020872 | 2011-02-02 | ||
JP2012019798A JP5980513B2 (ja) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012178343A JP2012178343A (ja) | 2012-09-13 |
JP5980513B2 true JP5980513B2 (ja) | 2016-08-31 |
Family
ID=46602807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012019798A Active JP5980513B2 (ja) | 2011-02-02 | 2012-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9093667B2 (ja) |
JP (1) | JP5980513B2 (ja) |
KR (1) | KR101918313B1 (ja) |
TW (1) | TW201246652A (ja) |
WO (1) | WO2012105600A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102035251B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2019-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US20160126505A1 (en) * | 2014-10-30 | 2016-05-05 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Solution Process Electron Transporting Layer for Polymer Light Emitting Diode |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4826027B2 (ja) | 2001-05-23 | 2011-11-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
JP4066661B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置 |
JP3951765B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | チャンバ装置の運転方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機el装置 |
JP2006185864A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP4708861B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP2007122914A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法及びそれに用いる製造装置 |
JP4730132B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
JP2008235196A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Toyota Industries Corp | 有機el装置の製造方法 |
CN101682954B (zh) * | 2007-05-16 | 2014-10-29 | 株式会社爱发科 | 有机el装置的制造装置 |
JP2009252407A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法 |
JP2009266814A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-11-12 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機elディスプレイ及び有機el照明 |
JP5501656B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法 |
JP5155085B2 (ja) | 2008-10-01 | 2013-02-27 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法 |
JP2010177568A (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | 半導体装置およびそれを用いた電子機器、ならびに半導体装置の製造方法 |
JP5585209B2 (ja) | 2009-05-28 | 2014-09-10 | 株式会社リコー | 電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
JP5581029B2 (ja) | 2009-09-18 | 2014-08-27 | パナソニック株式会社 | 照明モジュール |
JP5423706B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2014-02-19 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法、有機電界発光素子、有機el照明、及び有機el表示装置 |
-
2012
- 2012-02-01 WO PCT/JP2012/052247 patent/WO2012105600A1/ja active Application Filing
- 2012-02-01 KR KR1020137019950A patent/KR101918313B1/ko active IP Right Grant
- 2012-02-01 US US13/981,966 patent/US9093667B2/en active Active
- 2012-02-01 JP JP2012019798A patent/JP5980513B2/ja active Active
- 2012-02-02 TW TW101103354A patent/TW201246652A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201246652A (en) | 2012-11-16 |
KR20140006848A (ko) | 2014-01-16 |
WO2012105600A1 (ja) | 2012-08-09 |
JP2012178343A (ja) | 2012-09-13 |
KR101918313B1 (ko) | 2018-11-13 |
US20130306953A1 (en) | 2013-11-21 |
US9093667B2 (en) | 2015-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6833927B2 (ja) | 有機半導体素子用液状組成物の製造方法 | |
JP6993448B2 (ja) | 有機半導体素子用の液状組成物の保管方法 | |
WO2012029936A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
US9136491B2 (en) | Organic electroluminescent element and method for producing the same | |
KR20170109595A (ko) | 유기 el 소자 | |
JP5980513B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2011246395A (ja) | 新規化合物及びそれを用いた発光素子 | |
WO2011125517A1 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP4832605B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP5893131B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP5446472B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2010027539A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2017004952A (ja) | 有機el素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141209 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20150408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5980513 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |