JP2006303147A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4920506B2 (ja) * 2007-06-25 2012-04-18 日本電信電話株式会社 電界吸収型光変調器
KR100961109B1 (ko) * 2008-02-11 2010-06-07 삼성엘이디 주식회사 ＧａＮ계 반도체 발광소자
WO2010073391A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 富士通株式会社 熱電変換素子及びその製造方法並びに電子機器
JP5313730B2 (ja) 2009-03-16 2013-10-09 日本オクラロ株式会社 光送信機及び光送信モジュール
GB0911134D0 (en) * 2009-06-26 2009-08-12 Univ Surrey Optoelectronic devices
US8290011B2 (en) * 2010-11-22 2012-10-16 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Interband cascade lasers
JP2012118168A (ja) 2010-11-30 2012-06-21 Mitsubishi Electric Corp 電界吸収型変調器及び光半導体装置
FR2973945B1 (fr) * 2011-04-11 2013-05-10 Centre Nat Rech Scient Heterostructure semi-conductrice et cellule photovoltaïque comprenant une telle heterostructure
US10879420B2 (en) 2018-07-09 2020-12-29 University Of Iowa Research Foundation Cascaded superlattice LED system
WO2025173508A1 (ja) * 2024-02-13 2025-08-21 古河電気工業株式会社 半導体発光素子

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2755940B2 (ja) 1987-01-20 1998-05-25 三洋電機株式会社 発光素子
JP2950853B2 (ja) * 1989-07-10 1999-09-20 株式会社日立製作所 半導体光素子
JPH0555703A (ja) * 1991-05-15 1993-03-05 Fujitsu Ltd 面発光レーザ装置
JPH0773140B2 (ja) * 1993-02-09 1995-08-02 日本電気株式会社 半導体レーザ
JP3302790B2 (ja) * 1993-06-30 2002-07-15 株式会社東芝 半導体発光装置
JPH0870161A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体発光素子
JPH08262381A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH1079554A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
JP3223969B2 (ja) * 1998-11-27 2001-10-29 日本電気株式会社 半導体レーザ
JP2002134842A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置
JP2003142783A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Hitachi Ltd 半導体レーザおよびそれを用いた光モジュール
JP2004179274A (ja) 2002-11-26 2004-06-24 Hitachi Ltd 光半導体装置
JP4580623B2 (ja) 2003-04-16 2010-11-17 株式会社日立製作所 化合物半導体素子及びそれを用いた半導体モジュール

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