JP2755940B2 - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JP2755940B2 JP2755940B2 JP9193697A JP9193697A JP2755940B2 JP 2755940 B2 JP2755940 B2 JP 2755940B2 JP 9193697 A JP9193697 A JP 9193697A JP 9193697 A JP9193697 A JP 9193697A JP 2755940 B2 JP2755940 B2 JP 2755940B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に使用
される発光素子に関し、更に詳述すればｐ型ＺnＴe及び
ｎ型ＺnＳeを利用する発光素子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】発光ダイオード等の発光素子を発光させ
るためには、少数のキャリアを注入する必要があり、少
数のキャリアを効率良く注入できるｐ−ｎ接合を同一結
晶内に形成した発光ダイオードが知られている。ところ
が、ＺnＳe、ＺｎＴｅ等の場合、ｎ型ＺｎＳｅ、ｐ型Ｚ
ｎＴｅは容易に形成されるがｐ型ＺｎＳｅ、ｎ型ＺｎＴ
ｅの製造は困難であるという難点があった。 【０００３】このため、ｐ−ｎ接合に代わって特開昭５
９−１６３９３号公報に開示されている如くＭＩＳ構造
を有するダイオードが作られているが、このＭＩＳ構造
の発光ダイオードでは少数のキャリアの注入効率が悪
く、実用化できる程度の十分な発光強度を得ることがで
きなかった。 【０００４】そこで、ヘテロ接合によるｐ−ｎ接合が考
えられ、ＺｎＳｅと結晶構造が類似し、しかもバンドギ
ャップが大きいＺｎＴｅをＺｎＳｅの接合の相手とする
発光ダイオードが提案された。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ｐ型ＺｎＴｅ２１とｎ
型ＺｎＳｅ２２とのヘテロ接合２３のエネルギーバンド
の構造は図７（ａ）に示す如く、コンダクションバンド
２４側で約０．５ｅＶのエネルギーギャップが生じ、バ
レンスバンド側で約０．８ｅＶのエネルギーギャップが
生じる。 【０００６】このため斯かる接合に順方向バイアスを印
加したとしても、図７（ｂ）に示す如くバンドの不連続
のためｐ型ＺｎＴｅ２１の正孔はｎ型ＺｎＳｅ２２には
注入されず、かつｎ型ＺｎＳｅ２２の電子もｐ型ＺｎＴ
ｅ２１に注入されず、接合２３上で再結合することとな
るので約１．８ｅＶのエネルギーを有する赤色発光しか
得られない。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、互いにバンド
キャップが異なる第１、第２の半導体と、これら第１、
第２の半導体の間に位置し、電圧未印加時に階段状また
はスロープ状の量子準位を有する、上記第１、第２の半
導体と夫々略同じ組成の層の交互層からなる超格子とか
らなり、前記超格子は、前記交互層のうち少なくとも一
方の層の層厚の変化により、順方向電圧印加時に前記超
格子中のバレンスバンド側の量子準位又はコンダクショ
ンバンド側の量子準位が略一直線上になるように構成さ
れたことを特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】図１は本発明に係る発光素子（以
下本発明装置という）の一実施例を示す模式図である。 【０００９】発光素子、例えば発光ダイオード１は、ｐ
型ＺｎＴｅ層２上にＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３を形成
し、更にこのＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ３上にｎ型ＺｎＳｅ層
４を形成した構造である。ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３
は、ＺｎＳｅ層５ａ、５ｂ、…５ｉとＺｎＴｅ層６ａ、
６ｂ、…６ｉとを交互に９層ずつ積層した構造をなし、
ＺｎＳｅ層５ａ、５ｂ、…５ｉの膜厚は何れの層も５
０Åであり、 ＺｎＴｅ層６ａ、６ｂ、…６ｉの層厚は
ｎ型ＺｎＳｅ層４に近い部分の層から順に夫々３Å、６
Å、９Å、１２Å、１５Å、１８Å、２４Å、３０Å、
５０Åである。 【００１０】図２はこの発光ダイオード１のエネルギー
バンドの構造を示したものであり、ｐ型ＺｎＴｅ層２は
ｎ型ＺｎＳｅ層４に比べてそのバンドギャップがコンダ
クションバンド７側で約０．５ｅＶ小さく、バレンスバ
ンド８側で約０．８ｅＶ小さく、またＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子３のバレンスバンド８側の各障壁間（量子井
戸）にはエネルギー差の小さい階段状の量子準位（図示
せず）が生じている。 【００１１】そして、発光ダイオード１の順方向に電圧
を印加すると、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３中のバレン
スバンド８側の各障壁間に生じる量子準位が略一直線上
に並ぶため、図３に示す如くトンネル効果により上記各
障壁を通過したｐ型ＺｎＴｅ層２内の正孔９は上記準位
を通ってｎ型ＺｎＳｅ層４に効率良く注入される。この
結果、ｎ型ＺｎＳｅ層４内の電子１０と結合し、ｎ型Ｚ
ｎＳｅ層４において約２．６ｅＶのエネルギーを有する
十分な光量の青色光が発生する。尚、ＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子３中のコンダクションバンド７側の各障壁間に
も量子準位は発生するが、上記順方向電圧印加時に斯か
る準位は直線的に並ばないため、ｎ型ＺｎＳｅ層４内の
電子１０はｐ型ＺｎＴｅ層２には注入され難い。 【００１２】図４は本発明に係る発光素子の他の実施例
を示す模式図である。 【００１３】発光素子、例えば発光ダイオード１１はｎ
型ＺｎＳｅ層１２上にＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３を
形成し、更にこのＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３上にｐ
型ＺｎＴｅ層１４を形成した構造である。ＺｎＴｅ―Ｚ
ｎＳｅ超格子１３はＺｎＴｅ層１５ａ、１５ｂ、…１５
ｉとＺｎＳｅ層１６ａ、１６ｂ、…１６ｉとを交互に９
層ずつ積層した構造をなし、 ＺｎＴｅ層１５ａ、１５
ｂ、…１５ｉの膜厚は何れの層も５０Åであり、 Ｚｎ
Ｓｅ層１６ａ、１６ｂ、…１６ｉの膜厚はｐ型ＺｎＴｅ
層１４に近い部分の層から順に、つまりＺｎＳｅ層１６
ａ、１６ｂ、…１６ｉの順に夫々３Å、６Å、９Å、１
２Å、１５Å、１８Å、２４Å、３０Å、５０Åであ
る。 【００１４】図５はこの発光素子１１のエネルギーバン
ド構造を示したものであり、第１の実施例と同様にｐ型
ＺｎＴｅ層１４はｎ型ＺｎＳｅ層１２に比べてそのバン
ドギャップがコンダクションバンド７側で約０．５ｅＶ
小さく、バレンスバンド８側で約０．８ｅＶ小さく、ま
たＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３のコンダクションバン
ド７側の各障壁間（量子井戸）にはエネルギー差の小さ
い階段状の量子準位が生じている。 【００１５】そして、発光素子１１の順方向に電圧を印
可すると、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３中のコンダク
ションバンド７側の各障壁間に生じる量子準位が略一直
線上に並ぶため、図６に示す如くトンネル効果により上
記各障壁を通過したｎ型ＺｎＳｅ層１２内の電子１０は
上記準位を通ってｐ型ＺｎＴｅ層１４に効率良く注入さ
れる。この結果、ｐ型ＺｎＴｅ層１４内の正孔９と結合
し、ｐ型ＺｎＴｅ層１４内において約２．３ｅＶのエネ
ルギーを有する十分な光量の緑色光が発生する。尚、上
記順方向電圧の印加時には、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子
１３中のバレンスバンド８側の各障壁間にも量子準位は
発生するが、斯かる準位は直線的に並ばないため、ｐ型
ＺｎＴｅ層１４内の正孔はｎ型ＺｎＳｅ層１２には注入
され難い。 【００１６】上記２つの実施例では順方向電圧印加時に
超格子中のバレンスバンドもしくはコンダクションバン
ド側の量子準位のいずれか一方を直線的に並ぶように構
成し、正孔もしくは電子の注入効率を上げ、青色もしく
は緑色光を得るようにしたが、順方向電圧印加時に超格
子中のバレンスバンド及びコンダクションバンドの両側
の量子準位がいずれも直線的に並ぶように超格子中のＺ
ｎＴｅとＺｎＳｅとの膜厚を適宜選択することもでき
る。斯かる構成によればｐ型ＺｎＴｅ層の正孔はｎ型Ｚ
ｎＳｅ層に注入され、ｎ型ＺｎＳｅ層の電子はｐ型Ｚｎ
Ｔｅ層に注入されるため、ｐ型ＺｎＴｅ層及びｎ型Ｚｎ
Ｓｅ層において同時に再結合発光が生じ、青色と緑色と
の混合色が得られる。 【００１７】 【発明の効果】本発明の発光素子は、互いにバンドギャ
ップが異なる第１、第２の半導体と、これら第１、第２
の半導体間に位置し、電圧未印加時に階段状またはスロ
ープ状の量子準位を有する、上記第１、第２の半導体と
夫々略同じ組成の層の交互層からなる超格子からなり、
前記超格子は、順方向電圧印加時に前記超格子中のバレ
ンスバンド側の量子準位又はコンダクションバンド側の
量子準位が略一直線上になるように構成されるので、第
１の半導体から第２の半導体への正孔又は電子の注入効
率が大きくなる。尚、第１、第２の半導体が共にｐ型又
はｎ型であり、バンドギャップが異なるために生じるバ
ンド不連続が原因で正孔又は電子の注入効率が小さい場
合においても、本発明により注入効率が大きくなる。従
って、例えば、ｐ型半導体からｎ型半導体への正孔の注
入又はｎ型半導体からｐ型半導体への電子の注入が効率
良く行われるので、ｎ型半導体又はｐ型半導体におい
て、各バンドギャップに相当する波長の光が十分に発生
する。
される発光素子に関し、更に詳述すればｐ型ＺnＴe及び
ｎ型ＺnＳeを利用する発光素子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】発光ダイオード等の発光素子を発光させ
るためには、少数のキャリアを注入する必要があり、少
数のキャリアを効率良く注入できるｐ−ｎ接合を同一結
晶内に形成した発光ダイオードが知られている。ところ
が、ＺnＳe、ＺｎＴｅ等の場合、ｎ型ＺｎＳｅ、ｐ型Ｚ
ｎＴｅは容易に形成されるがｐ型ＺｎＳｅ、ｎ型ＺｎＴ
ｅの製造は困難であるという難点があった。 【０００３】このため、ｐ−ｎ接合に代わって特開昭５
９−１６３９３号公報に開示されている如くＭＩＳ構造
を有するダイオードが作られているが、このＭＩＳ構造
の発光ダイオードでは少数のキャリアの注入効率が悪
く、実用化できる程度の十分な発光強度を得ることがで
きなかった。 【０００４】そこで、ヘテロ接合によるｐ−ｎ接合が考
えられ、ＺｎＳｅと結晶構造が類似し、しかもバンドギ
ャップが大きいＺｎＴｅをＺｎＳｅの接合の相手とする
発光ダイオードが提案された。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ｐ型ＺｎＴｅ２１とｎ
型ＺｎＳｅ２２とのヘテロ接合２３のエネルギーバンド
の構造は図７（ａ）に示す如く、コンダクションバンド
２４側で約０．５ｅＶのエネルギーギャップが生じ、バ
レンスバンド側で約０．８ｅＶのエネルギーギャップが
生じる。 【０００６】このため斯かる接合に順方向バイアスを印
加したとしても、図７（ｂ）に示す如くバンドの不連続
のためｐ型ＺｎＴｅ２１の正孔はｎ型ＺｎＳｅ２２には
注入されず、かつｎ型ＺｎＳｅ２２の電子もｐ型ＺｎＴ
ｅ２１に注入されず、接合２３上で再結合することとな
るので約１．８ｅＶのエネルギーを有する赤色発光しか
得られない。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、互いにバンド
キャップが異なる第１、第２の半導体と、これら第１、
第２の半導体の間に位置し、電圧未印加時に階段状また
はスロープ状の量子準位を有する、上記第１、第２の半
導体と夫々略同じ組成の層の交互層からなる超格子とか
らなり、前記超格子は、前記交互層のうち少なくとも一
方の層の層厚の変化により、順方向電圧印加時に前記超
格子中のバレンスバンド側の量子準位又はコンダクショ
ンバンド側の量子準位が略一直線上になるように構成さ
れたことを特徴とする。 【０００８】 【発明の実施の形態】図１は本発明に係る発光素子（以
下本発明装置という）の一実施例を示す模式図である。 【０００９】発光素子、例えば発光ダイオード１は、ｐ
型ＺｎＴｅ層２上にＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３を形成
し、更にこのＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ３上にｎ型ＺｎＳｅ層
４を形成した構造である。ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３
は、ＺｎＳｅ層５ａ、５ｂ、…５ｉとＺｎＴｅ層６ａ、
６ｂ、…６ｉとを交互に９層ずつ積層した構造をなし、
ＺｎＳｅ層５ａ、５ｂ、…５ｉの膜厚は何れの層も５
０Åであり、 ＺｎＴｅ層６ａ、６ｂ、…６ｉの層厚は
ｎ型ＺｎＳｅ層４に近い部分の層から順に夫々３Å、６
Å、９Å、１２Å、１５Å、１８Å、２４Å、３０Å、
５０Åである。 【００１０】図２はこの発光ダイオード１のエネルギー
バンドの構造を示したものであり、ｐ型ＺｎＴｅ層２は
ｎ型ＺｎＳｅ層４に比べてそのバンドギャップがコンダ
クションバンド７側で約０．５ｅＶ小さく、バレンスバ
ンド８側で約０．８ｅＶ小さく、またＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子３のバレンスバンド８側の各障壁間（量子井
戸）にはエネルギー差の小さい階段状の量子準位（図示
せず）が生じている。 【００１１】そして、発光ダイオード１の順方向に電圧
を印加すると、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子３中のバレン
スバンド８側の各障壁間に生じる量子準位が略一直線上
に並ぶため、図３に示す如くトンネル効果により上記各
障壁を通過したｐ型ＺｎＴｅ層２内の正孔９は上記準位
を通ってｎ型ＺｎＳｅ層４に効率良く注入される。この
結果、ｎ型ＺｎＳｅ層４内の電子１０と結合し、ｎ型Ｚ
ｎＳｅ層４において約２．６ｅＶのエネルギーを有する
十分な光量の青色光が発生する。尚、ＺｎＴｅ−ＺｎＳ
ｅ超格子３中のコンダクションバンド７側の各障壁間に
も量子準位は発生するが、上記順方向電圧印加時に斯か
る準位は直線的に並ばないため、ｎ型ＺｎＳｅ層４内の
電子１０はｐ型ＺｎＴｅ層２には注入され難い。 【００１２】図４は本発明に係る発光素子の他の実施例
を示す模式図である。 【００１３】発光素子、例えば発光ダイオード１１はｎ
型ＺｎＳｅ層１２上にＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３を
形成し、更にこのＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３上にｐ
型ＺｎＴｅ層１４を形成した構造である。ＺｎＴｅ―Ｚ
ｎＳｅ超格子１３はＺｎＴｅ層１５ａ、１５ｂ、…１５
ｉとＺｎＳｅ層１６ａ、１６ｂ、…１６ｉとを交互に９
層ずつ積層した構造をなし、 ＺｎＴｅ層１５ａ、１５
ｂ、…１５ｉの膜厚は何れの層も５０Åであり、 Ｚｎ
Ｓｅ層１６ａ、１６ｂ、…１６ｉの膜厚はｐ型ＺｎＴｅ
層１４に近い部分の層から順に、つまりＺｎＳｅ層１６
ａ、１６ｂ、…１６ｉの順に夫々３Å、６Å、９Å、１
２Å、１５Å、１８Å、２４Å、３０Å、５０Åであ
る。 【００１４】図５はこの発光素子１１のエネルギーバン
ド構造を示したものであり、第１の実施例と同様にｐ型
ＺｎＴｅ層１４はｎ型ＺｎＳｅ層１２に比べてそのバン
ドギャップがコンダクションバンド７側で約０．５ｅＶ
小さく、バレンスバンド８側で約０．８ｅＶ小さく、ま
たＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３のコンダクションバン
ド７側の各障壁間（量子井戸）にはエネルギー差の小さ
い階段状の量子準位が生じている。 【００１５】そして、発光素子１１の順方向に電圧を印
可すると、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子１３中のコンダク
ションバンド７側の各障壁間に生じる量子準位が略一直
線上に並ぶため、図６に示す如くトンネル効果により上
記各障壁を通過したｎ型ＺｎＳｅ層１２内の電子１０は
上記準位を通ってｐ型ＺｎＴｅ層１４に効率良く注入さ
れる。この結果、ｐ型ＺｎＴｅ層１４内の正孔９と結合
し、ｐ型ＺｎＴｅ層１４内において約２．３ｅＶのエネ
ルギーを有する十分な光量の緑色光が発生する。尚、上
記順方向電圧の印加時には、ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子
１３中のバレンスバンド８側の各障壁間にも量子準位は
発生するが、斯かる準位は直線的に並ばないため、ｐ型
ＺｎＴｅ層１４内の正孔はｎ型ＺｎＳｅ層１２には注入
され難い。 【００１６】上記２つの実施例では順方向電圧印加時に
超格子中のバレンスバンドもしくはコンダクションバン
ド側の量子準位のいずれか一方を直線的に並ぶように構
成し、正孔もしくは電子の注入効率を上げ、青色もしく
は緑色光を得るようにしたが、順方向電圧印加時に超格
子中のバレンスバンド及びコンダクションバンドの両側
の量子準位がいずれも直線的に並ぶように超格子中のＺ
ｎＴｅとＺｎＳｅとの膜厚を適宜選択することもでき
る。斯かる構成によればｐ型ＺｎＴｅ層の正孔はｎ型Ｚ
ｎＳｅ層に注入され、ｎ型ＺｎＳｅ層の電子はｐ型Ｚｎ
Ｔｅ層に注入されるため、ｐ型ＺｎＴｅ層及びｎ型Ｚｎ
Ｓｅ層において同時に再結合発光が生じ、青色と緑色と
の混合色が得られる。 【００１７】 【発明の効果】本発明の発光素子は、互いにバンドギャ
ップが異なる第１、第２の半導体と、これら第１、第２
の半導体間に位置し、電圧未印加時に階段状またはスロ
ープ状の量子準位を有する、上記第１、第２の半導体と
夫々略同じ組成の層の交互層からなる超格子からなり、
前記超格子は、順方向電圧印加時に前記超格子中のバレ
ンスバンド側の量子準位又はコンダクションバンド側の
量子準位が略一直線上になるように構成されるので、第
１の半導体から第２の半導体への正孔又は電子の注入効
率が大きくなる。尚、第１、第２の半導体が共にｐ型又
はｎ型であり、バンドギャップが異なるために生じるバ
ンド不連続が原因で正孔又は電子の注入効率が小さい場
合においても、本発明により注入効率が大きくなる。従
って、例えば、ｐ型半導体からｎ型半導体への正孔の注
入又はｎ型半導体からｐ型半導体への電子の注入が効率
良く行われるので、ｎ型半導体又はｐ型半導体におい
て、各バンドギャップに相当する波長の光が十分に発生
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す断面図である。
【図２】第１の実施例におけるバンド構造の一例を示す
模式図である。 【図３】第１の実施例におけるバンド構造の他の例を示
す模式図である。 【図４】本発明の第２実施例を示す断面図である。 【図５】第２の実施例におけるバンド構造の一例を示す
模式図である。 【図６】第２の実施例におけるバンド構造の他の例を示
す模式図である。 【図７】従来例を説明するための模式図である。 【符号の説明】 １、１１ 発光素子 ２、１４ ｐ型ＺｎＳｅ層 ３、１３ ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子 ４、１２ ｎ型ＺｎＳｅ層
模式図である。 【図３】第１の実施例におけるバンド構造の他の例を示
す模式図である。 【図４】本発明の第２実施例を示す断面図である。 【図５】第２の実施例におけるバンド構造の一例を示す
模式図である。 【図６】第２の実施例におけるバンド構造の他の例を示
す模式図である。 【図７】従来例を説明するための模式図である。 【符号の説明】 １、１１ 発光素子 ２、１４ ｐ型ＺｎＳｅ層 ３、１３ ＺｎＴｅ−ＺｎＳｅ超格子 ４、１２ ｎ型ＺｎＳｅ層
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．互いにバンドキャップが異なる第１、第２の半導体
と、これら第１、第２の半導体の間に位置し、電圧未印
加時に階段状またはスロープ状の量子準位を有する、上
記第１、第２の半導体と夫々略同じ組成の層の交互層か
らなる超格子とからなり、前記超格子は、前記交互層の
うち少なくとも一方の層の層厚の変化により、順方向電
圧印加時に前記超格子中のバレンスバンド側の量子準位
又はコンダクションバンド側の量子準位が略一直線上に
なるように構成されたことを特徴とする発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9193697A JP2755940B2 (ja) | 1987-01-20 | 1997-04-10 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP716187 | 1987-01-20 | ||
| JP62-7161 | 1987-01-20 | ||
| JP9193697A JP2755940B2 (ja) | 1987-01-20 | 1997-04-10 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1027925A JPH1027925A (ja) | 1998-01-27 |
| JP2755940B2 true JP2755940B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=26341424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9193697A Expired - Fee Related JP2755940B2 (ja) | 1987-01-20 | 1997-04-10 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755940B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4119158B2 (ja) | 2002-04-23 | 2008-07-16 | 三菱電機株式会社 | 傾斜状多重量子バリアを用いた半導体発光素子 |
| JP4664725B2 (ja) | 2005-04-20 | 2011-04-06 | 日本オプネクスト株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| KR101252556B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2013-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물계 발광 소자 |
| CN103219438A (zh) * | 2013-04-08 | 2013-07-24 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 改善应力释放和载流子存储的发光二极管浅阱生长方法 |
| DE102013104351B4 (de) * | 2013-04-29 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zum Betreiben eines optoelektronischen Halbleiterchips |
-
1997
- 1997-04-10 JP JP9193697A patent/JP2755940B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1027925A (ja) | 1998-01-27 |
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