JP2006295008A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、第1導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第2導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。そして、前記ソース領域とドレイン領域の少なくとも一方が、第1の低濃度領域と高濃度領域とを有し、前記素子分離絶縁膜の下側に形成されたチャネルストッパ領域と、前記ソース領域及びドレイン領域との間に第2導電型の第2の低濃度領域を有する。また、前記ゲート電極直下の半導体層は、ゲート電極に沿って、チャネルストッパ領域側に突出し、当該半導体層とチャネルストッパ領域とが接触している。
【選択図】 図1
Description
以下、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を、図面を参照しながら詳細に説明する。図1(a)は、本実施の形態の半導体装置の平面レイアウト図であり、図1(b)、(c)はそれぞれ、図1(a)に示すA−A線、B−B線における断面図である。また、図2及び図3は、図1に示す半導体装置の製造工程を示す工程断面図である。ここで、図2、図3に示す工程断面図は、図1(a)に示すA−A線における断面に相当する。さらに、図4は図2に対応する平面図であり、図5は図3に対応する平面図である。なお、図1〜図5では、図11で説明した従来の半導体装置とは異なり、pチャネル型のMOS型トランジスタを例示している。加えて、図1(a)では、フィールド酸化膜3は、外形のみを図示しており、フィールド酸化膜3の端部を破線で示している。同様に、図1(a)では、ゲート電極5は外形のみを太線で示している。
次に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を、図面を参照しながら詳細に説明する。図10(a)は本実施の形態の半導体装置の平面レイアウト図であり、図10(b)、(c)はそれぞれ、図10(a)のC−C線、B−B線における断面図である。なお、図10(a)のA−A線における断面は、図1(b)に示す断面図と同一である。また、図10は図1と同様に、pチャネル型のMOS型トランジスタを例示している。
2 n型ウェル領域
3 フィールド酸化膜
4 ゲート酸化膜
5 ゲート電極
6 p型低濃度領域(第1の低濃度不純物領域)
7 p型高濃度領域
8 n型チャネルストッパ領域
10 チャネル領域
11 素子領域
15 p型分離側低濃度領域(第2の低濃度不純物領域)
16 n型低濃度領域(第1の低濃度不純物領域)
17 n型高濃度領域
18 p型チャネルストッパ領域
25 スペーサ
31 n型シリコン基板
32 p型ウェル領域
35 n型分離側低濃度領域(第2の低濃度不純物領域)
101 n型シリコン基板
102 p型ウェル領域
103 フィールド酸化膜
104 ゲート酸化膜
105 ゲート電極
106 n型低濃度領域
107 n型高濃度領域
108 チャネルストッパ領域
109 オフセット領域
Claims (8)
- 第1導電型の半導体層と、前記半導体層上に形成された素子分離絶縁膜により区分された素子領域の表面部に、所定間隔離れて形成された第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記素子分離絶縁膜下に形成された第1導電型のチャネルストッパ領域と、を有する半導体装置において、
前記ソース領域とドレイン領域との少なくとも一方が、第2導電型の高濃度不純物領域と、当該高濃度不純物領域の周囲に設けられた第2導電型の第1の低濃度不純物領域とを備え、
前記チャネルストッパ領域と前記第1の低濃度不純物領域との間の前記素子分離絶縁膜下に、第2導電型の第2の低濃度不純物領域を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極直下の前記半導体層が、前記ゲート電極に沿って、前記チャネルストッパ領域側に突出し、当該半導体層と前記チャネルストッパ領域とが接触して形成された請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極直下のチャネルストッパ領域が、前記ゲート電極に沿って、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の半導体層側に突出し、当該チャネルストッパ領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間の半導体層とが接触して形成された請求項1に記載の半導体装置。
- 前記チャネルストッパ領域の表面濃度が、前記高濃度不純物領域の表面濃度よりも低濃度であり、
前記第2の低濃度不純物領域の表面濃度が、前記第1の低濃度不純物領域の表面濃度よりも低濃度である請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記チャネルストッパ領域の表面濃度が、前記第2の低濃度不純物領域の表面濃度よりも低濃度である請求項4に記載の半導体装置。
- 前記チャネルストッパ領域の表面濃度が、前記第2の低濃度不純物領域の表面濃度よりも高濃度である請求項4に記載の半導体装置。
- 請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記素子分離絶縁膜の形成前に、前記第2の低濃度不純物領域及び前記チャネルストッパ領域が形成される半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1の電界効果トランジスタと、ソース領域とドレイン領域との少なくとも一方の領域が高濃度不純物領域と当該高濃度不純物領域の周囲に設けられた第1の低濃度不純物領域とを有する、前記第1の電界効果トランジスタに比べて高耐圧の第2の電界効果トランジスタとを備えた半導体装置の製造方法であって、
前記第2の電界効果トランジスタの形成領域の外周に、第1導電型のチャネルストッパ領域を形成するステップと、
当該チャネルストッパ領域により区分された領域内に、第2導電型の第2の低濃度不純物領域を形成するステップと、
前記チャネルストッパ領域上及び前記第2の低濃度不純物領域上、並びに、前記第1の電界効果トランジスタの形成領域の外周表面に、素子分離絶縁膜を形成するステップと、
前記第1の電界効果トランジスタ形成領域と前記第2の電界効果トランジスタ形成領域とに、各トランジスタに対応するゲート絶縁膜を介して共通の導電膜を形成するステップと、
前記共通の導電膜を加工することにより、前記第1及び第2の電界効果トランジスタのゲート電極を形成するステップと、
前記第2の低濃度不純物領域により区分された領域内に、前記第2の電界効果トランジスタの第2導電型のソース領域と第2導電型のドレイン領域を形成するステップと、
前記第1の電界効果トランジスタ形成領域内に第1の電界効果トランジスタのソース領域とドレイン領域を形成するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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