JP2021034446A - 半導体装置及びトランジスタ - Google Patents
半導体装置及びトランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021034446A JP2021034446A JP2019150487A JP2019150487A JP2021034446A JP 2021034446 A JP2021034446 A JP 2021034446A JP 2019150487 A JP2019150487 A JP 2019150487A JP 2019150487 A JP2019150487 A JP 2019150487A JP 2021034446 A JP2021034446 A JP 2021034446A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- transistor
- channel
- gate electrode
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 113
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 76
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 34
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 boron Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
10、40 トランジスタ
11 ゲート電極
12d,12s 高濃度拡散層
13d,13s 低濃度拡散層
14 素子分離絶縁層
15 半導体基板
20 チャネルストッパ層
30 レジストマスク
Claims (5)
- チャネル領域と、前記チャネル領域を挟んで対向するソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域上に設けられたゲート電極と、を各々が有する複数のMOSトランジスタが並置された1の面を有する第1導電型の半導体基板からなる半導体装置であって、
前記半導体基板には、前記複数のMOSトランジスタの各々の間の領域に亘って前記半導体基板の前記1の面に埋設された絶縁体からなる絶縁層と、前記複数のMOSトランジスタのうちの少なくとも1のMOSトランジスタの周縁における前記絶縁層の端部に沿って設けられ、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向で互いに分離した複数の領域を含む第1導電型のチャネルストッパ層と、が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記少なくとも1のMOSトランジスタの前記ゲート電極は、前記チャネル領域の幅方向において前記絶縁層上まで延在しており、
前記チャネルストッパ層は、前記ゲート電極の下の領域において不連続になっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記絶縁層は、前記複数のMOSトランジスタの各々の前記チャネル領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を囲むように形成されており、
前記チャネルストッパ層は、前記絶縁層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接する端部のうち前記ゲート電極の下を除く部分に沿って形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記チャネルストッパ層は、互いに分離した第1の領域及び第2の領域を含み、
前記第1の領域及び前記第2の領域は、前記チャネル領域の長さ方向において前記ゲート電極の下の領域を挟んで対向する位置に形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の半導体装置。 - 1の面を有し、チャネル領域と、前記チャネル領域を挟んで対向するソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう第1方向で互いに分離した複数の領域を含むチャネルストッパ層とを有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記1の面において前記チャネル領域上に設けられたゲート電極と、
前記チャネル領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域を囲むように前記半導体基板の前記1の面に埋設された絶縁体からなり、端部が前記第1方向において前記チャネルストッパ層に沿って形成されている絶縁層と、
を備えたことを特徴とするトランジスタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019150487A JP7252094B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 半導体装置及びトランジスタ |
JP2023046211A JP7443594B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-03-23 | 半導体装置及びトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019150487A JP7252094B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 半導体装置及びトランジスタ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023046211A Division JP7443594B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-03-23 | 半導体装置及びトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034446A true JP2021034446A (ja) | 2021-03-01 |
JP7252094B2 JP7252094B2 (ja) | 2023-04-04 |
Family
ID=74676023
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019150487A Active JP7252094B2 (ja) | 2019-08-20 | 2019-08-20 | 半導体装置及びトランジスタ |
JP2023046211A Active JP7443594B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-03-23 | 半導体装置及びトランジスタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023046211A Active JP7443594B2 (ja) | 2019-08-20 | 2023-03-23 | 半導体装置及びトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7252094B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62108538A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体集積回路構造体 |
JPH027554A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の入力回路 |
JP2006295008A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20070018258A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Anchor Chen | High-Voltage Device Structure |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1671642A1 (en) | 2004-12-15 | 2006-06-21 | Universite D'angers | Compositions comprising (ant)agonists of oncostatin M (OSM), IL-31 and IFN-gamma for modulating keratinocyte migration and functions via a receptor containing OSMRbeta as a subunit, and applications thereof. |
JP5248905B2 (ja) | 2008-04-22 | 2013-07-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP5343703B2 (ja) | 2009-05-22 | 2013-11-13 | ソニー株式会社 | 復号処理装置、復号処理方法、およびプログラム |
-
2019
- 2019-08-20 JP JP2019150487A patent/JP7252094B2/ja active Active
-
2023
- 2023-03-23 JP JP2023046211A patent/JP7443594B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62108538A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-19 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体集積回路構造体 |
JPH027554A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の入力回路 |
JP2006295008A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20070018258A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Anchor Chen | High-Voltage Device Structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7252094B2 (ja) | 2023-04-04 |
JP7443594B2 (ja) | 2024-03-05 |
JP2023073323A (ja) | 2023-05-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7161213B2 (en) | Low threshold voltage PMOS apparatus and method of fabricating the same | |
US20190348533A1 (en) | Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR102449211B1 (ko) | 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자 | |
TWI635617B (zh) | 高壓金屬氧化物半導體元件及其製造方法 | |
JP2006253397A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US11063148B2 (en) | High voltage depletion mode MOS device with adjustable threshold voltage and manufacturing method thereof | |
US7531880B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
TWI644441B (zh) | 高壓元件及其製造方法 | |
US7948031B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device | |
US20070212842A1 (en) | Manufacturing method of high-voltage MOS transistor | |
TWI786976B (zh) | 高壓元件、高壓控制元件及其製造方法 | |
US20170263770A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP7443594B2 (ja) | 半導体装置及びトランジスタ | |
US10998404B2 (en) | High voltage device and manufacturing method thereof | |
CN110838513B (zh) | 高压元件及其制造方法 | |
TWI677094B (zh) | 高壓元件及其製造方法 | |
US5550064A (en) | Method for fabricating high-voltage complementary metal-oxide-semiconductor transistors | |
TWI619200B (zh) | 具有雙井區之金屬氧化物半導體元件及其製造方法 | |
US11476343B2 (en) | High voltage transistor device and method for fabricating the same | |
JP2012033841A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH02196434A (ja) | Mosトランジスタの製造方法 | |
KR20200131426A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
TW202324746A (zh) | Nmos半橋功率元件及其製造方法 | |
TW202333379A (zh) | 高壓元件及其製造方法 | |
CN114759091A (zh) | 高压元件、高压控制元件及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7252094 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |