JP2023073323A - 半導体装置及びトランジスタ - Google Patents
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Abstract
Description
間して形成されている。また、高濃度拡散層12dと高濃度拡散層12sとの間には、低濃度拡散層13d及び13sが、互いに離間して形成されている。
10、40 トランジスタ
11 ゲート電極
12d,12s 高濃度拡散層
13d,13s 低濃度拡散層
14 素子分離絶縁層
15 半導体基板
20 チャネルストッパ層
30 レジストマスク
Claims (4)
- ソース領域及びドレイン領域の間に形成されたチャネル領域を含む第1導電型の半導体基板からなる半導体装置であって、
前記半導体基板には、前記チャネル領域を囲み前記半導体基板の1の面から第1方向に形成された絶縁体からなる絶縁層と、前記絶縁層の端部に沿って設けられ、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向であって前記第1方向に垂直な第2方向で互いに分離した複数の領域を含む第1導電型のチャネルストッパ層と、が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の前記チャネル領域上に設けられたゲート電極を備え、
前記チャネルストッパ層は、前記第1方向で前記ゲート電極と重なる第1領域を挟んで前記第2方向で対向する第1のチャネルストッパ領域及び第2のチャネルストッパ領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記絶縁層は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域をさらに囲んでおり、
前記チャネルストッパ層は、前記絶縁層の前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接する端部のうち前記第1領域を除く部分に沿って形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 複数のMOSトランジスタが前記第2方向に並置されることを特徴とする請求項1~3のいずれか1に記載の半導体装置。
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