JP2006273659A - 合成石英ガラスの製造方法及び光学部材用合成石英ガラス - Google Patents

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Abstract

【課題】複屈折の低減を図った合成石英ガラスの製造方法及び光学部材用合成石英ガラスを提供する。
【解決手段】合成石英ガラスの製造方法は、下記工程(a)〜(d)を備える。 (a)ガラス原料を火炎加水分解して合成された石英ガラス微粒子を基材上に堆積させて多孔質石英ガラス母材を形成する工程。 (b)前記多孔質石英ガラス母材を仮焼する工程。 (c)仮焼された前記多孔質石英ガラス母材をガラス化温度以上に加熱して透明な合成石英ガラス体を得る工程。 (d)前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程。
【選択図】図1

Description

本発明は、合成石英ガラスの製造方法及び光学部材用合成石英ガラスに関し、より詳細には、露光波長が200nm以下の露光装置のレンズやフォトマスク基板などの光学部材に好適に用いられる合成石英ガラスの製造方法及び光学部材用合成石英ガラスに関する。
半導体集積回路の製造において、フォトマスクに描かれた微細な回路パターンをウェハ上に縮小投影して転写する露光装置が広く利用されている。回路の高集積化および高機能化に伴い、回路の微細化が進み、高解像度の回路パターンを深い焦点深度でウェハ面上に結像させることが露光装置に求められ、露光光源の短波長化が進められている。露光光源は、従来のg線(波長436nm)やi線(波長365nm)から進んで、KrFエキシマレーザ(波長248nm)やArFエキシマレーザ(波長193nm)が用いられていおり、さらにはFレーザ(波長157nm)の実用化が進められている。
露光波長が200nm以下となる露光装置のレンズやフォトマスク基板などの光学部材としては、近赤外域から紫外域までの広範囲にわたって光透過性に優れること、熱膨張係数が極めて小さく加工が比較的容易であること、等の理由から合成石英ガラス製のものが主に用いられてきている。例えば、フォトマスク基板の仕様としては、例えばArFエキシマレーザ用のもので、ArFエキシマレーザ耐性を有することの他に、おおよそ、表面の平坦度が0.5μm、平行度が5μm程度、とされている。
この合成石英ガラスの製造方法としては、四塩化珪素等の珪素化合物を酸水素炎中に導入して火炎加水分解により石英ガラス微粒子を合成し、石英ガラス微粒子を回転する基材上に堆積させる所謂VAD(Vapor phase Axial Deposition)法により略円柱状の多孔質石英ガラス母材を形成し、この母材をガラス化温度以上に加熱して透明ガラス化し、合成石英ガラス体を得る方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開昭62−72536号公報
近年、露光装置の更なる高解像度化を達成すべく、露光装置の投影レンズとウェハとの間に液体を満たして露光する液浸露光や、光の偏光成分のうち解像度に悪影響を及ぼす偏光成分を抑えることで結像コントラスを高めて解像度を向上させる偏光照明が行われている。このような液浸露光技術や偏光照明技術に用いられる光学部材には、通過する露光光に偏光性の乱れを発生させないために低複屈折であることが要求されるが、透明ガラス化して得られる合成石英ガラス体には複屈折の要因となる歪が残留している場合がある。
ガラスに残留する歪を除去するために不活性ガス雰囲気下あるいは大気雰囲気下でガラスを徐冷する方法が一般に採られているが、合成石英ガラスは従来用いられている光学ガラスに比較して溶融温度が高く、従来用いられている光学ガラスを徐冷する際の条件で合成石英ガラスを徐冷しても合成石英ガラスから歪を十分に除去することは困難であった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、複屈折の低減を図った合成石英ガラスの製造方法及び光学部材用合成石英ガラスを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る合成石英ガラスの製造方法は、下記工程(a)〜(d)を備えたことを特徴としている。
(a)ガラス原料を火炎加水分解して合成された石英ガラス微粒子を基材上に堆積させて多孔質石英ガラス母材を形成する工程。
(b)前記多孔質石英ガラス母材を仮焼する工程。
(c)仮焼された前記多孔質石英ガラス母材をガラス化温度以上に加熱して透明な合成石英ガラス体を得る工程。
(d)前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程。
上記した合成石英ガラスの製造方法によれば、透明ガラス化して得られた合成石英ガラス体を真空下で徐冷するようにしている。これにより、合成石英ガラス体に含まれる歪を十分に除去することができ、よって、合成石英ガラス体の複屈折を低減することができる。
合成石英ガラス体を真空下で徐冷することにより合成石英ガラス体に含まれる歪が十分に除去される理由は必ずしも明確ではないが、以下の要因が考えられる。即ち、合成石英ガラス体の徐冷を真空下で行うことにより、合成石英ガラス体からの放熱において対流による放熱を遮断して輻射による放熱を主とすることができる。そして、輻射放熱によれば対流放熱に比較して合成石英ガラス体を全体にわたって均一に冷却することができる。これにより、合成石英ガラス体に含まれる歪を十分に除去して合成石英ガラス体の複屈折を低減することができるものと考えられる。
好ましくは、前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、真空度は10Pa以下の気圧である。
また、好ましくは、前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、1150℃以上の温度を最高温度として当該最高温度に前記合成石英ガラス体を5時間以上保持する。最高温度は1300℃以下が好ましく、1250℃以下がより好ましい。
また、好ましくは、前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、最高温度〜500℃の温度域では10℃/時間以下の冷却速度で前記合成石英ガラス体を冷却する。
さらに好ましくは、前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、少なくとも1150℃〜1000℃の温度域では2℃/時間以下の冷却速度で前記合成石英ガラス体を冷却する。
本発明の合成石英ガラスの製造方法によれば、得られる合成石英ガラス体の複屈折を低減することができ、露光波長が200nm以下の露光装置の光学部材に好適に用いられる光学特性に優れた光学部材用合成石英ガラスを製造することができる。
以下、本発明に係る合成石英ガラスの製造方法の一実施形態を詳細に説明する。
本実施形態においては、まずガラス原料を火炎加水分解して石英ガラス微粒子を合成し、この石英ガラス微粒子を基材上に堆積させて多孔質石英ガラス母材を形成する。
ガラス原料としては、ガス化可能な原料であれば特に制限されるものではないが、SiCl,SiHCl,SiHCl,Si(CH)Cl等の塩化物、SiF,SiHF,SiH等のフッ化物、SiBr,SiHBr等の臭化物、SiIの沃化物などのハロゲン化珪素化合物が作業性やコストの面から好ましい。
多孔質石英ガラス母材は、これらのガラス原料を酸水素炎中に導入して加水分解し、合成された石英ガラス微粒子を基材上に堆積させることにより形成される。この石英ガラス微粒子を堆積される基材は、得られる多孔質石英ガラスのかさ密度の分布形状を整える観点から回転させることが好ましい。基材の回転速度は石英ガラス微粒子の堆積速度にもよるが、典型的には0.1〜10rpmの範囲である。
得られた多孔質石英ガラス母材は比較的脆いので、当該多孔質石英ガラス母材を仮焼する。この仮焼は、大気雰囲気下、1300〜1360℃で3〜7時間焼成することにより行われる。雰囲気は窒素やアルゴン等の不活性雰囲気でもよい。
次いで、仮焼された多孔質石英ガラス母材をガラス化温度以上に加熱して透明ガラス化し、合成石英ガラス体を得る。この透明ガラス化は、典型的には多孔質石英ガラス母材を1400〜1550℃で1時間以上加熱して行われる。
次いで、透明ガラス化して得られた合成石英ガラス体を真空下で徐冷する。この徐冷工程における真空度は、気圧として好ましくは10Pa以下、特に好ましくは1Pa以下である。真空度を気圧として10Pa以下とすることにより、合成石英ガラス体に含まれる歪を十分に除去して合成石英ガラス体の複屈折を低減することができる。
上記の徐冷工程において、1150℃以上の温度を最高温度として当該最高温度に合成石英ガラス体を5時間以上保持することが好ましい。
また、最高温度〜500℃の温度域での合成石英ガラス体の冷却速度は、好ましくは10℃/時間以下、さらに好ましくは8℃/時間以下、特に好ましくは5℃/時間以下である。
さらに、合成石英ガラスの徐冷点は概ね1100℃であるので、少なくとも1150℃〜1000℃の温度域での合成石英ガラス体の冷却速度は、好ましくは2℃/時間以下、さらに好ましくは1℃/時間以下、特に好ましくは0.5℃/時間以下である。
また、上記の徐冷工程には、ヒータやシールドなどがアルミナ、シリカ等により構成された従来の真空炉を用いてもよいが、合成石英ガラス体に不純物(例えばアルミナ、シリカ等の粉末など)が混入することを防止するために、ヒータやシールドなどがカーボンにより構成された真空カーボン炉を用いることが好ましい。
以上の工程を経て得られる合成石英ガラス体によれば、波長633nmにおける複屈折を平均で0.3nm/cm以下とすることができ、特に、上記の徐冷工程において、例えば真空度が気圧として1Pa以下であるような高真空下で合成石英ガラス体の冷却速度を最適に制御することにより、波長633nmにおける複屈折を平均で0.1nm/cm以下とすることができる。
尚、上述した合成石英ガラスの製造方法においては、透明ガラス化して得られた合成石英ガラス体を真空下で徐冷する前に、当該合成石英ガラス体を軟化点以上の温度に加熱して所望の形状に成形加工する工程が設けられる場合もある。成形加工の温度域は、好ましくは1650℃〜1800℃の範囲である。1650℃より低い温度では合成石英ガラス体の粘度が高いため実質的に自重変形が行われず、またSiOの結晶相であるクリストバライトの成長がおこり、いわゆる失透が生じる虞がある。また、1800℃より高い温度ではSiOの昇華が無視できなくなる虞がある。また、合成石英ガラス体の自重変形を行わせる方向は、特に規定されないが多孔質石英ガラス母材の成長方向と同一であることが好ましい。
以下、本発明の詳細についてさらに実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
先ず、SiClを酸水素炎中に導入して加水分解し、合成された石英ガラス微粒子を基材上に堆積させることにより多孔質石英ガラス母材を形成する。石英ガラス微粒子を堆積される基材は、回転速度5rpmで回転させる。
得られた多孔質石英ガラス母材は比較的脆いので、当該多孔質石英ガラス母材を大気雰囲気下、1320℃の温度で5.5時間仮焼する。
次いで、仮焼された多孔質石英ガラス母材を1435℃で2時間加熱して透明ガラス化し、合成石英ガラス体を得る。
得られた合成石英ガラス体をカーボン型に入れて不活性ガス雰囲気下で1750℃以上の温度に加熱してφ400程度の円柱状に成形加工し、その後に徐冷する。徐冷工程における各温度域での加熱・冷却速度を以下に示す。
室温 →1250℃ 6.5時間
1250℃(保持) 24時間
1250℃→1150℃ 50時間(−2℃/時間)
1150℃→1080℃ 140時間(−0.5℃/時間)
1080℃→1040℃ 160時間(−0.25℃/時間)
1040℃→1000℃ 80時間(−0.5℃/時間)
1000℃→ 500℃ 145時間
500℃まで徐冷した後は、ヒータを停止して自然冷却とする。本発明に係る実施例として上記の徐冷工程を真空下で施したものを例1〜例4として用意し、また比較例として上記の徐冷工程を大気雰囲気下で施したものを例5〜例7として用意した。
徐冷前および徐冷後の例1〜例7の合成石英ガラス体について、He−Neレーザ(波長633nm)を光源とするHINDS社製EXICOR350ATを使用し、軸方向に垂直な断面の中央部φ340の領域において10mm間隔の格子状に選択した点の複屈折をそれぞれ測定した。測定結果を図1〜図7に示す。
図1(a)は例1の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフ、同図(b)は例1の合成石英ガラス体の徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。同様に、図2(a)および(b)はそれぞれ例2の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフ、図3(a)および(b)はそれぞれ例3の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフ、図4(a)および(b)はそれぞれ例4の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフ、図5(a)および(b)はそれぞれ例5の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフ、図6(a)および(b)はそれぞれ例6の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフ、図7(a)および(b)はそれぞれ例7の合成石英ガラス体の徐冷前および徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。
図1〜図7に示されるように、実施例である例1〜例4の合成石英ガラス体および比較例である例5〜例7の合成石英ガラス体のいずれも、徐冷前においては中心から外周に向かうに従って複屈折が高くなっている。そして、比較例である例5〜例7の合成石英ガラス体については、徐冷後においても比較的高い複屈折が随所に認められる。これに対し、実施例である例1〜例4の合成石英ガラス体については、徐冷後においては全体にわたって複屈折が低減されている。
徐冷後における例1〜例7の合成石英ガラス体の測定結果を表1に示す。
表1に示されるように、実施例である例1〜例4の合成石英ガラス体については平均で0.3nm/cm以下、最大でも0.54nm/cm(例4)の複屈折が達成されている。これに対し、比較例である例5〜例7の合成石英ガラス体につては平均で0.5nm/cm程度、最大で12.34nm/cm(例5)となっている。
以上のことから、透明ガラス化して得られた合成石英ガラス体を真空下で徐冷することにより、従来の大気雰囲気下で徐冷する場合に比較して合成石英ガラス体の複屈折を低減できることが実証された。
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
(a)は一実施例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一実施例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一実施例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一実施例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一比較例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一比較例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。 (a)は一比較例の合成石英ガラス体の徐冷前における複屈折の分布を示すグラフであり、(b)は徐冷後における複屈折の分布を示すグラフである。

Claims (6)

  1. 下記工程(a)〜(d)を備えたことを特徴とする合成石英ガラスの製造方法。
    (a)ガラス原料を火炎加水分解して合成された石英ガラス微粒子を基材上に堆積させて多孔質石英ガラス母材を形成する工程。
    (b)前記多孔質石英ガラス母材を仮焼する工程。
    (c)仮焼された前記多孔質石英ガラス母材をガラス化温度以上に加熱して透明な合成石英ガラス体を得る工程。
    (d)前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程。
  2. 前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、真空度は10Pa以下の気圧であることを特徴とする請求項1に記載の合成石英ガラスの製造方法。
  3. 前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、1150℃以上の温度を最高温度として当該最高温度に前記合成石英ガラス体を5時間以上保持することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の合成石英ガラスの製造方法。
  4. 前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、最高温度〜500℃の温度域では10℃/時間以下の冷却速度で前記合成石英ガラス体を冷却することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の合成石英ガラスの製造方法。
  5. 前記合成石英ガラス体を真空下で徐冷する工程において、少なくとも1150℃〜1000℃の温度域では2℃/時間以下の冷却速度で前記合成石英ガラス体を冷却することを特徴とする請求項4に記載の合成石英ガラスの製造方法。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の方法を用いて製造された光学部材用合成石英ガラス。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008285400A (ja) * 2007-04-20 2008-11-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 放射抵抗性が改善された合成石英ガラスの光学部材を製造する方法、及び当該光学部材を製造するためのブランク
JP2010070432A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 高均質性硝材の加工方法
WO2011093235A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 オリンパス株式会社 光学部品の製造方法
EP2955503A1 (en) 2014-06-13 2015-12-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparing synthetic quartz glass substrate
EP3104224A2 (en) 2015-06-10 2016-12-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparing synthetic quartz glass substrate

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150000611A (ko) * 2013-06-25 2015-01-05 삼성디스플레이 주식회사 입체 유리의 제조 장치 및 제조 방법
JP6830855B2 (ja) * 2017-04-24 2021-02-17 信越石英株式会社 合成石英ガラスの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0558657A (ja) * 1991-08-31 1993-03-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 光学用合成石英ガラス成形体の製造方法
JPH05186234A (ja) * 1991-06-29 1993-07-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd エキシマレーザー用石英ガラス部材の製造方法
JPH05186235A (ja) * 1991-12-26 1993-07-27 Nippon Steel Chem Co Ltd 石英ガラスの製造方法
JP2001342034A (ja) * 2000-05-29 2001-12-11 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd F2エキシマレーザー用合成石英ガラス光学材料及び光学部材
WO2004089836A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-21 Asahi Glass Company Limited Silica glass containing tio2 and process for its production

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US312972A (en) * 1885-02-24 Pneumatic projectile
US313627A (en) * 1885-03-10 Feeder for cotton-presses
US312900A (en) * 1885-02-24 Tire-tightener
US1553283A (en) * 1924-05-22 1925-09-08 Bennett John Process of treating glass during annealing
DE697635C (de) * 1938-06-05 1940-10-18 Heraeus Gmbh W C Herstellung spannungsfreier Glaeser
FR1339666A (fr) * 1962-08-31 1963-10-11 Thermal Syndicate Ltd Procédé de traitement thermique de la silice vitreuse
DE69219445T2 (de) * 1991-06-29 1997-08-07 Shinetsu Quartz Prod Synthetisches optisches element aus quarzglas für excimer-laser und seine herstellung
US5547482A (en) * 1994-07-05 1996-08-20 Chalk; Julie B. Method of making fused silica articles
US5958809A (en) * 1996-08-21 1999-09-28 Nikon Corporation Fluorine-containing silica glass
JP4601022B2 (ja) * 1999-03-04 2010-12-22 信越石英株式会社 ArFエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材
JP2000264671A (ja) * 1999-03-12 2000-09-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス部材
WO2000064826A1 (fr) * 1999-04-21 2000-11-02 Nikon Corporation Element en verre de silice, procede de production et aligneur de projection l'utilisant
WO2001012566A1 (fr) * 1999-08-12 2001-02-22 Nikon Corporation Procede de preparation de silice vitreuse synthetique et appareil de traitement thermique
JP4158009B2 (ja) * 2001-12-11 2008-10-01 信越化学工業株式会社 合成石英ガラスインゴット及び合成石英ガラスの製造方法
DE10302914B4 (de) * 2003-01-24 2005-12-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas
JP2004269287A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 光学用合成石英ガラス部材及びその製造方法
JP4470479B2 (ja) * 2003-12-17 2010-06-02 旭硝子株式会社 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法
CN1964923B (zh) * 2004-07-02 2010-12-22 尼康股份有限公司 石英玻璃的成形方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05186234A (ja) * 1991-06-29 1993-07-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd エキシマレーザー用石英ガラス部材の製造方法
JPH0558657A (ja) * 1991-08-31 1993-03-09 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 光学用合成石英ガラス成形体の製造方法
JPH05186235A (ja) * 1991-12-26 1993-07-27 Nippon Steel Chem Co Ltd 石英ガラスの製造方法
JP2001342034A (ja) * 2000-05-29 2001-12-11 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd F2エキシマレーザー用合成石英ガラス光学材料及び光学部材
WO2004089836A1 (en) * 2003-04-03 2004-10-21 Asahi Glass Company Limited Silica glass containing tio2 and process for its production

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008285400A (ja) * 2007-04-20 2008-11-27 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd 放射抵抗性が改善された合成石英ガラスの光学部材を製造する方法、及び当該光学部材を製造するためのブランク
JP2010070432A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 高均質性硝材の加工方法
WO2011093235A1 (ja) * 2010-01-28 2011-08-04 オリンパス株式会社 光学部品の製造方法
CN102725239A (zh) * 2010-01-28 2012-10-10 奥林巴斯株式会社 光学部件的制造方法
JPWO2011093235A1 (ja) * 2010-01-28 2013-06-06 オリンパス株式会社 光学部品の製造方法
EP2955503A1 (en) 2014-06-13 2015-12-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparing synthetic quartz glass substrate
KR20150143330A (ko) 2014-06-13 2015-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 합성 석영 유리 기판의 제조 방법
US10611676B2 (en) 2014-06-13 2020-04-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparing synthetic quartz glass substrate
EP3104224A2 (en) 2015-06-10 2016-12-14 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparing synthetic quartz glass substrate
KR20160145494A (ko) 2015-06-10 2016-12-20 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 합성 석영 유리 기판의 제조 방법
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