JP2006210948A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008153365A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5161469B2 (ja) * 2007-03-16 2013-03-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4646941B2 (ja) * 2007-03-30 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその処理室内の状態安定化方法
JP2010098053A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd クリーニング方法及び記録媒体
JP5712741B2 (ja) * 2011-03-31 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
JP6805358B2 (ja) 2017-09-13 2020-12-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP7106358B2 (ja) * 2018-06-08 2022-07-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び温度制御方法
CN111312411B (zh) * 2018-12-11 2022-10-21 核工业西南物理研究院 液化惰性气体射流注入防护等离子体破裂的方法
JP7013618B2 (ja) 2020-02-03 2022-01-31 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0888095A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びその制御方法
US5925212A (en) * 1995-09-05 1999-07-20 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for attaining repeatable temperature versus time profiles for plasma heated interactive parts used in mass production plasma processing
JPH10130872A (ja) * 1996-10-29 1998-05-19 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理方法
JP2003520431A (ja) * 2000-01-13 2003-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体ウェーハにプラズマウォームアップを行う方法
JP3660582B2 (ja) * 2000-12-04 2005-06-15 株式会社日立製作所 プラズマエッチング処理装置

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