JP2006196900A - 相転移ram動作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スイッチング素子42を備え、相変化層40cを有するストレージノード40を備えるPRAMの動作方法において、相変化層40cを下から上に通過する、1.6mAより小さいリセット電流を前記ストレージノード40に印加して相変化層40cの一部を非晶質状態に変えるステップと、リセット電流と反対方向のセット電流をストレージノード40に印加する第2ステップと、を含む動作方法である。これにより、PRAMの集積度を高めることが可能である。
【選択図】図4
Description
図1に示すように、従来のPRAMは、トランジスタTrとストレージノード10とで構成される。ストレージノード10は、トランジスタTrのドレインに連結されている。ストレージノード10は、下部電極10a、相変化層10c、上部電極10d及び下部電極10aと相変化層10cとを連結する導電性プラグ10bを含む。ストレージノード10のうち、下部電極10aがトランジスタTrのドレインに連結される。
図2に示すように、相変化層10cの相が結晶状態であるとき(このときをビットデータ0が記録されたと見なす)、上部電極10dから導電性プラグ10bを経て下部電極10aに第1相転移電流Irsを印加する。第1相転移電流Irsは、リセット電流と称する。第1相転移電流Irsは、パルス電流であり、持続時間は30ns程度であり、電流量は1.6mA程度である。相変化層10cに比べて導電性プラグ10bの幅はきわめて狭いために、第1相転移電流Irsは、相変化層10cの導電性プラグ10bと接触する領域A1に集中する。これにより、相変化層10cのうち、第1相転移電流Irsが集中した領域A1の温度は瞬間的に相転移温度以上に高まる。その結果、相変化層10cの領域A1の相は結晶から非晶質に変わる。このように、相変化層10Cの領域A1が非晶質状態であるとき、PRAMにビットデータ1が記録されたと見なされる。
前記リセット電流は、1mA以下であることが好ましい。
前記ストレージノードは、前記相変化層上に形成された上部電極と、前記相変化層下に形成された下部電極と、前記相変化層と前記下部電極とを連結する連結手段と、を含むことが好ましい。
前記連結手段は、導電性プラグまたはナノチューブであることが好ましい。
図4は、PRAMにビットデータ1を記録する過程を示す図面である。
具体的に、スイッチング素子42をオン状態に置き、相変化層40c全体が結晶状態であるストレージノード40に下部電極40aから連結手段40b及び相変化層40cを経て上部電極40dに流れる第1相転移電流I1を印加する。第1相転移電流I1は、リセット電流であって、1.6mAより小さいことが望ましい。例えば、第1相転移電流I1は、1mA以下である。このような第1相転移電流I1は、直流でも、パルスであってもよい。このような第1相転移電流I1により相変化層40cのうち、連結手段40bと接触した部分とその周りの所定領域の温度は瞬間的に相転移温度以上となり、その結果、相変化層40cの連結手段40bと接触した部分及びその周りの所定領域は非晶質状態となる。図4の右側図面の符号50は、相変化層40cのうち、第1相転移電流I1により相が非晶質状態に変わった領域を示す。このように相変化層40cに非晶質領域50が存在するとき、相変化層40cの電気的抵抗は高くなるが、このような状態をストレージノード40にビットデータ1が記録されたと見なす。
図5は、PRAMにビットデータ0を記録する過程を示す図面である。
相変化層40cにビットデータ0を記録するということは、ビットデータ1が記録された相変化層40cの非晶質領域50を結晶状態に変えるということを意味するところ、すなわち、相変化層40c全部を結晶状態にすることを意味する。
読出しは、相変化層40cの相が変わらない程度の電流をストレージノード40に印加したとき、測定された抵抗の大小を判断してストレージノード40に記録されたビットデータが1か、0かを判読する。したがって、読出し過程で、ストレージノード40に印加される電流は、第1相転移電流I1及び第2相転移電流I2より低い電流、例えば、0.1mAを印加する。または、低い電圧、例えば、0.2Vを印加することもできる。
本発明者は、前記エンデュランステストのために、1mAのセット電流を印加した後、0.01mAの読出し電流を印加して相変化層40cの抵抗を測定し、1mAのリセット電流を印加した後、0.01mAの読出し電流を印加して相変化層40cの抵抗を測定する過程を10000回繰り返した。図9は、その結果を示す図面である。図9において、第1グラフG1は、セット電流を印加した後、測定された相変化層40cの抵抗を表し、第2グラフG2は、リセット電流が印加した後、測定された相変化層40cの抵抗を示す。
40a 下部電極
40b 連結手段
40c 相変化層
40d 上部電極
42 スイッチング素子
50 非晶質状態に変わった領域
I1 第1相転移電流
I2 第2相転移電流
Claims (6)
- スイッチング素子を備え、相変化層を有するストレージノードを備えるPRAMの動作方法において、
前記相変化層を下から上に通過し、1.6mAより小さなリセット電流を前記ストレージノードに印加して前記相変化層の一部を非晶質状態に変える第1ステップを含むことを特徴とするPRAMの動作方法。 - 前記第1ステップの後、前記リセット電流と反対方向のセット電流を前記ストレージノードに印加する第2ステップをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のPRAMの動作方法。
- 前記リセット電流は、1mA以下であることを特徴とする請求項1に記載のPRAMの動作方法。
- 前記リセット電流及び前記セット電流は、直流またはパルス電流であることを特徴とする請求項1に記載のPRAMの動作方法。
- 前記ストレージノードは、
前記相変化層上に形成された上部電極と、
前記相変化層下に形成された下部電極と、
前記相変化層と前記下部電極とを連結する連結手段と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のPRAMの動作方法。 - 前記連結手段は、導電性プラグまたはナノチューブであることを特徴とする請求項5に記載のPRAMの動作方法。
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