JP2006128478A - 光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明による光電変換装置は,ガラス基板1と,ガラス基板1の上面側に形成された下部電極層2と,下部電極層2の上に形成された半導層3,4とを具備する。下部電極層2は,導電体で形成された媒質6と,媒質6に埋め込まれた光散乱体7とを含む。媒質6と光散乱体7とから構成されている下部電極層2の構造は,入射光を有効に散乱させる。従って,当該光電変換装置は,入射光を散乱させて光吸収を促進させるために下部電極層2に凹凸を形成する必要がない。これは,半導体薄膜の欠陥の発生を抑制しながら変換効率を向上することを可能にする。
【選択図】 図1
Description
下部電極層2がゾル・ゲル法を用いて形成される場合に入射光を一層に効率よく散乱させるためには,一の材料で形成された光散乱体7と,当該一の材料と異なる比屈折率を有する材料で形成された光散乱体7とが下部電極層2に含まれることが好適である。例えば,図4に示されているように,光散乱体7が,酸化チタンで形成された光散乱体7aと,SiO2(ガラス)で形成された光散乱体7bとで構成されていることが好適である。異なる材料で形成された光散乱体7を使用することにより,同一の屈折率を有する光散乱体7が直接に接する確率が低くなり,入射光を一層に効率よく散乱させることができる。
入射光は,基板面に平行である平面波である;即ち,基板は,太陽に対して真っ直ぐに向けられると仮定される。吸収境界のアルゴリズムは,BerengerのPerfect Matching Layer法(J. P. Berenger, J. Computational Physics, 114, 185(1994)参照)が適用される。反射波の振幅と,各セル内の電磁波の振幅の時間変化を全計算時間で記録され,フーリエ変換により,300nm〜1200nm(空気中又は真空中の波長)の振幅は5nm間隔で刻まれる。シリコンの吸収率の計算の収束は,吸収率と反射率の和が100%になることにより確認された。この計算により,トップセル3,ボトムセル4の量子効率スペクトルを得る。さらに300nm〜1200nm(空気中の又は真空中の波長)の各波長において,基準太陽光(JIS C8911等に記載)の光子数密度と各セルの量子効率スペクトルの積を波長について積分し,吸収した総光子数密度をもって短絡電流密度とする。光電変換層内部の欠陥が少ない実用的な太陽電池であれば,この仮定は妥当である。
図9A,図9Bのグラフでは,下部電極層2の膜厚は1.2μmと仮定されている。ただし,図8A,図8B,図9A,図9Bのいずれのグラフについても,ピッチが”0nm”である短絡電流比の値は,下部電極層2のトップセル3の側に,連続的なTiO2層が設けられている構造の短絡電流比の値であることに留意されたい。
1:ガラス基板
1a:主面
2:下部電極層
2a:表面
3,3C:トップセル
3a:p型アモルファスシリコン層
3b:i型アモルファスシリコン層
3c:n型アモルファスシリコン層
4,4C:ボトムセル
4a:p型微結晶シリコン層
4b:i型微結晶シリコン層
4c:n型微結晶シリコン層
5:上部電極層
5a:ZnO層
5b:Ag層
6:媒質
6a:第1層
6b:第2層
7,7a,7b:光散乱体
8:中間層
8a:面
11:媒質
12:光散乱体
13:透明電極層
14:Ag層
15:媒質
16:光散乱体
17:金属電極層
18:透明電極層
19:媒質
20:光散乱体
Claims (28)
- 基板と,
前記基板を被覆するように形成された下部電極層と,
前記下部電極層の上に形成された第1半導体層
とを具備し,
前記下部電極層は,
導電体で形成された第1媒質と,
前記第1媒質に埋め込まれた光散乱体
とを含む
光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置であって,
前記下部電極層の,前記第1半導体層と接触する接触面は,実質的に平坦である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記媒質の比屈折率と前記光散乱体の比屈折率との差の絶対値は,2.0以内である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体は,絶縁体で形成されている
光電変換装置。 - 請求項3に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体は,酸化チタン,ダイヤモンド,酸化シリコン,フッ化マグネシウム,酸化マグネシウム,酸化亜鉛,及びタンタル酸リチウムのうちから選択された一の材料である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体は,
第1光散乱体と,
前記第1光散乱体を構成する材料と比屈折率が異なる材料で形成されている第2光散乱体
とを備える
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体を中心回転軸を有する回転楕円体で近似し,且つ,前記光散乱体の外径を,前記光散乱体の前記中心回転軸から表面までの平均距離の2倍として定義した場合に,前記光散乱体の前記外径の平均が,60nm以上,2000nm以下である
光電変換装置。 - 請求項7に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記外径の平均が,1200nm以下である - 請求項7に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記外径の平均が,300nm以上である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の直径を前記光散乱体の中心から表面までの平均距離として定義した場合に,前記光散乱体の前記直径の平均が,60nm以上,2000nm以下である
光電変換装置。 - 請求項10に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記直径の平均が,1200nm以下である
光電変換装置。 - 請求項10に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記直径の平均が,300nm以上である
光電変換装置。 - 請求項10に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記直径の最大値と最小値との差は,120nm以下である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体のピッチを,隣接する2つの前記光散乱体の中心の距離で定義した場合に,前記光散乱体の前記ピッチの平均が,4000nm以下である
光電変換装置。 - 請求項14に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記ピッチの平均が,2400nm以下である
光電変換装置。 - 前記光散乱体のピッチを隣接する2つの前記光散乱体の中心の距離で定義し,且つ,前記光散乱体の直径を前記前記光散乱体の中心から表面までの平均距離として定義した場合に,前記光散乱体の前記ピッチの平均である平均ピッチδAVEの前記光散乱体の前記直径の平均である平均直径dAVEに対する比δAVE/dAVEが,20以下である
光電変換装置。 - 前記比δAVE/dAVEが,4以下である
光電変換装置。 - 請求項14に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記ピッチの最大値と最小値との差は,120nm以下である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記接触面からの距離は,50nm以下である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体の前記接触面からの距離は,30nm以下である
光電変換装置。 - 請求項2に記載の光電変換装置であって,
前記光散乱体は,前記接触面に接している
光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置であって,
更に,
前記第1半導体層の上に形成されている中間層と,
前記中間層の上に形成されている第2半導体層
とを具備し,
前記中間層は,
導電体で形成された第2媒質と,
前記第2媒質に埋め込まれた光散乱体
とを含む
光電変換装置。 - 請求項14に記載の光電変換装置であって,
前記中間層の,前記第2半導体層と接触する接触面は,実質的に平坦である
光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置であって,
更に,
前記第1半導体層の上面側に形成されている上部電極層
を具備し,
前記上部電極層は,
導電体で形成された第3媒質と,
前記第3媒質に埋め込まれた光散乱体
とを含む
光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置であって,
前記第1半導体層は,シリコン,SiC,SiGeのうちから選択された少なくとも一の材料で形成された
光電変換装置。 - 基板と,
前記基板の上面側に形成された第1半導体層
前記第1半導体層の上面側に形成された中間層と,
前記中間層の上に形成された第2半導体層
とを具備し,
前記中間層は,
導電体で形成された媒質と,
前記媒質に埋め込まれた光散乱体
とを含む
光電変換装置。 - 基板と,
前記基板を被覆するように形成された下部電極層
とを具備し,
前記下部電極層は,
導電体で形成された媒質と,
前記媒質に埋め込まれた光散乱体
とを含む
光電変換装置用基板。 - 基板を被覆するように,導電体で形成された第1層を形成する工程と,
前記第1層の上に,導電体で形成された媒質の前駆体と光散乱体とを含む溶液を塗布する工程と,
前記溶液を焼結することによって前記媒質に前記光散乱体が埋め込まれた第2層を,前記第1層の上に形成する工程
とを具備する
光電変換装置用基板の製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270562A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 多接合型太陽電池 |
WO2010004811A1 (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2011108836A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2011142318A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子及び有機光電変換素子の製造方法 |
JP2011199028A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2011222589A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法 |
WO2012033205A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
JP4940309B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-05-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
WO2012073941A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
KR101170595B1 (ko) | 2009-03-04 | 2012-08-02 | 주성엔지니어링(주) | 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
JP2012256691A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Sharp Corp | 光電変換デバイス |
KR101732626B1 (ko) | 2010-06-29 | 2017-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 박막 태양 전지용 기판 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4634129B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-02-16 | 三菱重工業株式会社 | 光散乱膜,及びそれを用いる光デバイス |
KR100862505B1 (ko) * | 2006-02-01 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 |
TWI312190B (en) * | 2006-05-23 | 2009-07-11 | Art Talent Ind Limite | Novel nano-crystal device for image sensing |
US20080289685A1 (en) * | 2007-05-22 | 2008-11-27 | Chii-Chang Chen | Thin Film Solar Cell with Rough Surface Layer Formed by Nano/Micro Particle Conductor Balls |
US7863635B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-01-04 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials |
US20090039375A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same |
CN101836297A (zh) * | 2007-10-26 | 2010-09-15 | 科锐Led照明科技公司 | 具有一个或多个发光荧光体的照明装置及其制造方法 |
KR101000051B1 (ko) * | 2008-01-09 | 2010-12-10 | 엘지전자 주식회사 | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
JP2009231505A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
JP2011515866A (ja) * | 2008-03-25 | 2011-05-19 | コーニング インコーポレイテッド | 太陽光発電用基板 |
EP2296185A4 (en) * | 2008-05-23 | 2017-08-16 | Kaneka Corporation | Substrate for thin-film photoelectric conversion device, thin-film photoelectric conversion including the same, and method for producing substrate for thin-film photoelectric conversion device |
US8461608B2 (en) * | 2008-06-26 | 2013-06-11 | 3M Innovative Properties Company | Light converting construction |
CN102124583B (zh) * | 2008-06-26 | 2013-06-19 | 3M创新有限公司 | 半导体光转换构造 |
WO2010048537A2 (en) | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Alta Devices, Inc. | Photovoltaic device |
US20120104460A1 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-03 | Alta Devices, Inc. | Optoelectronic devices including heterojunction |
CN102257631A (zh) * | 2008-12-26 | 2011-11-23 | 周星工程股份有限公司 | 薄膜型太阳能电池及其制造方法 |
TWI382552B (zh) * | 2009-02-13 | 2013-01-11 | Nexpower Technology Corp | 具有不透明高反射粒子之薄膜太陽能電池與其製作方法 |
US8921876B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-12-30 | Cree, Inc. | Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements |
DE102009033652A1 (de) * | 2009-07-17 | 2011-01-27 | Universität Ulm | Halbleiterbauelement mit Diamant enthaltenden Elektroden sowie dessen Verwendung |
TWI395337B (zh) * | 2009-07-21 | 2013-05-01 | Nexpower Technology Corp | Solar cell structure |
KR101074290B1 (ko) * | 2009-09-04 | 2011-10-18 | 한국철강 주식회사 | 광기전력 장치 및 광기전력 장치의 제조 방법 |
US9691921B2 (en) | 2009-10-14 | 2017-06-27 | Alta Devices, Inc. | Textured metallic back reflector |
TWI440193B (zh) * | 2009-10-20 | 2014-06-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池裝置 |
US8563853B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-22 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device |
US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
US20150380576A1 (en) | 2010-10-13 | 2015-12-31 | Alta Devices, Inc. | Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture |
US9768329B1 (en) | 2009-10-23 | 2017-09-19 | Alta Devices, Inc. | Multi-junction optoelectronic device |
US9502594B2 (en) | 2012-01-19 | 2016-11-22 | Alta Devices, Inc. | Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from template layer and etching |
US20170141256A1 (en) | 2009-10-23 | 2017-05-18 | Alta Devices, Inc. | Multi-junction optoelectronic device with group iv semiconductor as a bottom junction |
US20160155881A1 (en) * | 2009-10-23 | 2016-06-02 | Alta Devices, Inc. | Thin film iii-v optoelectronic device optimized for non-solar illumination sources |
US11271128B2 (en) | 2009-10-23 | 2022-03-08 | Utica Leaseco, Llc | Multi-junction optoelectronic device |
US20110120555A1 (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | Nicholas Francis Borrelli | Photovoltaic devices and light scattering superstrates |
US9275979B2 (en) | 2010-03-03 | 2016-03-01 | Cree, Inc. | Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation |
TWI501412B (zh) * | 2010-06-22 | 2015-09-21 | Iner Aec Executive Yuan | 具有改良的光捕捉結構之太陽電池 |
FR2961952B1 (fr) * | 2010-06-23 | 2013-03-29 | Commissariat Energie Atomique | Substrat comprenant une couche d'oxyde transparent conducteur et son procede de fabrication |
CN103098223A (zh) * | 2010-08-31 | 2013-05-08 | 康宁股份有限公司 | 散射覆材的颗粒掺杂方法 |
FI20105982A0 (fi) * | 2010-09-23 | 2010-09-23 | Beneq Oy | Läpinäkyvällä johtavalla oksidikerroksella varustettu substraatti ja sen valmistusmenetelmä |
CN102468347B (zh) * | 2010-11-02 | 2014-03-26 | 财团法人工业技术研究院 | 太阳能电池装置 |
US11251164B2 (en) | 2011-02-16 | 2022-02-15 | Creeled, Inc. | Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting |
CN102255004A (zh) * | 2011-08-11 | 2011-11-23 | 北京泰富新能源科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池的制造方法 |
CN102983181A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 杜邦太阳能有限公司 | 光电转换模块 |
JP5927027B2 (ja) | 2011-10-05 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
CN103890976B (zh) * | 2011-10-17 | 2016-11-02 | 独立行政法人产业技术综合研究所 | 半导体元件的接合方法及接合结构 |
TWI443846B (zh) * | 2011-11-01 | 2014-07-01 | Ind Tech Res Inst | 透明導電層結構 |
CN102427099B (zh) * | 2011-12-14 | 2013-12-25 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法 |
FR2985374A1 (fr) * | 2011-12-26 | 2013-07-05 | Solsia | Panneau photovoltaique a diodes montees en parallele a structure centrale diffusante et structure arriere reflechissante |
US11038080B2 (en) | 2012-01-19 | 2021-06-15 | Utica Leaseco, Llc | Thin-film semiconductor optoelectronic device with textured front and/or back surface prepared from etching |
US9379261B2 (en) * | 2012-08-09 | 2016-06-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ultra thin film nanostructured solar cell |
CN104124373A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
EP3176831A4 (en) * | 2014-07-29 | 2018-03-07 | KYOCERA Corporation | Photoelectric conversion device, tandem photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device array |
US11171253B2 (en) * | 2016-09-21 | 2021-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell, multi-junction solar cell, solar cell module, and photovoltaic system |
CN108538951A (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-14 | 无锡马丁格林光伏科技有限公司 | 一种双面热光伏电池结构 |
JP6886933B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2021-06-16 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
US20230231066A1 (en) * | 2022-01-14 | 2023-07-20 | Nicholas P. Irvin | Photovoltaic cells with wavelength-selective light trapping |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106472A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
JPH0575154A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH05335610A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-12-17 | Canon Inc | 光起電力装置 |
JPH07202231A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
JPH0818084A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | 太陽電池の製造方法及び製造装置 |
JPH10326903A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Sharp Corp | 微粒子塗布膜およびそれを用いた光電変換素子と光拡散体 |
JPH11135817A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2000114562A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2000128581A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 防汚皮膜及びその形成方法 |
JP2000150928A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明電極基板及びその作製方法並びに光起電力素子 |
JP2000183376A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Nisshin Steel Co Ltd | 太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 |
JP2000357807A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
JP2003179241A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Kyocera Corp | 薄膜太陽電池 |
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2003298088A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4166916A (en) * | 1977-03-23 | 1979-09-04 | International Flavors & Fragrances Inc. | Substituted bicyclooctenemethanols |
US4166919A (en) * | 1978-09-25 | 1979-09-04 | Rca Corporation | Amorphous silicon solar cell allowing infrared transmission |
US4830038A (en) * | 1988-01-20 | 1989-05-16 | Atlantic Richfield Company | Photovoltaic module |
DE68911201T2 (de) * | 1988-05-24 | 1994-06-16 | Asahi Glass Co Ltd | Methode für die Herstellung eines Solarzellenglassubstrates. |
US5656098A (en) * | 1992-03-03 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic conversion device and method for producing same |
AU6627394A (en) * | 1993-04-28 | 1994-11-21 | Mark Mitchnick | Conductive polymers |
EP0757262A4 (en) * | 1995-02-17 | 1998-08-12 | Washi Kosan Kk | CONVEX SURFACE STRUCTURE MADE OF ULTRAFINE PARTICLES |
US5720827A (en) * | 1996-07-19 | 1998-02-24 | University Of Florida | Design for the fabrication of high efficiency solar cells |
AU764832B2 (en) * | 1999-05-31 | 2003-09-04 | Kaneka Corporation | Solar battery module |
US6750394B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and its manufacturing method |
WO2004089042A1 (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子 |
US7748543B2 (en) * | 2004-12-29 | 2010-07-06 | Simplehuman Llc | Tilting dish rack assembly |
-
2004
- 2004-10-29 JP JP2004316446A patent/JP4959127B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-07 EP EP05100851A patent/EP1653519A1/en not_active Withdrawn
- 2005-02-09 US US11/053,667 patent/US20060090790A1/en not_active Abandoned
- 2005-02-10 AU AU2005200581A patent/AU2005200581B2/en not_active Ceased
- 2005-02-16 CN CN200510009428.3A patent/CN1767216A/zh active Pending
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01106472A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池 |
JPH0575154A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPH05335610A (ja) * | 1992-03-03 | 1993-12-17 | Canon Inc | 光起電力装置 |
JPH07202231A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
JPH0818084A (ja) * | 1994-04-28 | 1996-01-19 | Canon Inc | 太陽電池の製造方法及び製造装置 |
JPH10326903A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Sharp Corp | 微粒子塗布膜およびそれを用いた光電変換素子と光拡散体 |
JPH11135817A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Sharp Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2000114562A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP2000128581A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 防汚皮膜及びその形成方法 |
JP2000150928A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 透明電極基板及びその作製方法並びに光起電力素子 |
JP2000183376A (ja) * | 1998-12-17 | 2000-06-30 | Nisshin Steel Co Ltd | 太陽電池用絶縁基板及びその製造方法 |
JP2000357807A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
JP2003179241A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Kyocera Corp | 薄膜太陽電池 |
JP2003243676A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
JP2003298088A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008270562A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 多接合型太陽電池 |
JP4940309B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-05-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
WO2010004811A1 (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP5127925B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
KR101170595B1 (ko) | 2009-03-04 | 2012-08-02 | 주성엔지니어링(주) | 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
JP2011108836A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2011142318A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子及び有機光電変換素子の製造方法 |
JP2011199028A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2011222589A (ja) * | 2010-04-05 | 2011-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法 |
KR101732626B1 (ko) | 2010-06-29 | 2017-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 박막 태양 전지용 기판 |
WO2012033205A1 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
JP5340487B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
WO2012073941A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
JP2012256691A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Sharp Corp | 光電変換デバイス |
US8816458B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-08-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060090790A1 (en) | 2006-05-04 |
EP1653519A1 (en) | 2006-05-03 |
AU2005200581A1 (en) | 2006-05-18 |
CN1767216A (zh) | 2006-05-03 |
AU2005200581B2 (en) | 2011-07-28 |
JP4959127B2 (ja) | 2012-06-20 |
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