CN102257631A - 薄膜型太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种薄膜型太阳能电池及其制造方法。该薄膜型太阳能电池包括：基板；光散射膜，该光散射膜形成在该基板上，并且所述光散射膜包含珠粒和用于固定该珠粒的粘结剂；形成在该光散射膜上的前电极层；形成在该前电极上的半导体层；以及形成在该半导体层上的后电极层。由于本发明的薄膜型太阳能电池具有夹在基板和前电极层之间的光散射层，该薄膜型太阳能电池能够在所有方向上折射太阳光线，由此增加了半导体层中太阳光线的路径长度。因此，提高了太阳能电池的效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种薄膜型太阳能电池。
背景技术
具有半导体特性的太阳能电池将光能转换成电能。
根据相关技术的太阳能电池的结构和原理将简单地阐述如下。太阳能电池形成在PN结结构中，其中正(P)型半导体与负(N)型半导体接合。当太阳光线入射到具有PN结结构的太阳能电池上时，太阳光线的能量使得在半导体中产生空穴(+)和电子(-)。在PN结区域中产生的电场的作用下，空穴(+)向着P型半导体迁移，电子(-)向着N型半导体迁移，从而随着电动势的出现而产生了电能。
太阳能电池可以被大致分成晶片型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
晶片型太阳能电池采用由诸如硅的半导体材料制成的晶片。同时，薄膜型太阳能电池通过在玻璃基板上形成薄膜型半导体来制造。
就效率而言，晶片型太阳能电池比薄膜型太阳能电池好。然而，在晶片型太阳能电池的情况中，由于执行制造工艺的困难而难以实现小的厚度。此外，晶片型太阳能电池采用价高的半导体基板，由此其制造成本增加。
尽管薄膜型太阳能电池效率不及晶片型太阳能电池，薄膜型太阳能电池仍具有诸如外形薄和使用的材料价廉的优势。因此薄膜型太阳能电池适于大规模生产。
下面将参考附图描述相关技术的薄膜型太阳能电池。
图1是图示相关技术的薄膜型太阳能电池的截面图。
如图1所示，相关技术的的薄膜型太阳能电池包括：基板10、在基板10上的前电极层30、在前电极层30上的半导体层40、在半导体层40上的透明导电层50、以及在透明导电层50上的后电极层60。
然而，相关技术的薄膜型太阳能电池具有下面的缺点。
为了提高太阳能电池的效率，必须增加空穴和电子的产生速率以增加太阳光线穿过半导体层40的路径长度。然而，相关技术的薄膜型太阳能电池不可能获得半导体层40中太阳光线的增加的路径长度，从而难以获得期望的电池效率。
通常，基板10由含碱离子的玻璃形成。在高温沉积工艺中，玻璃基板10中含有的碱离子向前电极层30迁移，从而迁移的碱离子充当杂质的作用，因此降低了电池效率。
公开内容
因此，鉴于上述问题而设计了本发明，并且本发明的方面是提供能够防止相关技术中的一个或更多个问题的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
本发明的一个目的是提供能够通过增加半导体层中的太阳光线的路径长度而提高电池效率的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
本发明的另一个目的是提供能够通过防止基板中含有的碱离子向前电极层迁移的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
为了实现这些目的和其他优点，并根据本发明的目的，如这里具体和概括描述的，提供一种太阳能电池，包括：基板；包含珠粒和粘结剂的光散射膜，其中提供粘结剂来粘结珠粒；在光散射膜上的前电极层；在前电极层上的半导体层；和在半导体层上的后电极层。
在本发明的另一方面，提供一种薄膜型太阳能电池，包括：其中包含珠粒的基板；在基板上的前电极层；在前电极层上的半导体层；和在半导体层上的后电极层。
在本发明的另一方面，提供一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：在基板上形成光散射膜，其中光散射膜包含珠粒和粘结剂，粘结剂用来粘结珠粒；在光散射膜上形成前电极层；在前电极层上形成半导体层；和在半导体层上形成后电极层。
在本发明的另一方面，提供一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：制备其中包含珠粒的柔性基板；在柔性基板上形成前电极层；在前电极层上形成半导体层；和在半导体层上形成后电极层。
附图说明
图1是图示相关技术的薄膜型太阳能电池的截面图；
图2是图示根据本发明第一实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；
图3(A到C)是图示根据本发明实施例的各种类型珠粒的截面图；
图4是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；
图5是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图；
图6(A到E)是图示根据本发明一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图；
图7(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图；
图8(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图。
最佳实施方式
现在将详细参考本发明的优选实施例，实施例的例子在附图中示出。只要有可能，在所有附图中将用相同的参考数字指示相同或相似的部件。
下面将参考附图描述根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法。
薄膜型太阳能电池
图2是图示根据本发明一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图。
如图2所示，根据本发明一个实施例的薄膜型太阳能电池包括：基板100、光散射膜200、前电极层300、半导体层400、透明导电层500、和后电极层900。
基板100通常由玻璃制成。然而，基板100可以由透明的塑料制成。如果需要，基板100可以由采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、或聚酰胺(PA)的柔性基板制成。这种柔性基板使得能够获得柔性的薄膜型太阳能电池。采用柔性基板的这种柔性薄膜型太阳能电池可以通过卷对卷(roll-to-roll)方法来制造，这种方法能够降低制造成本。
光散射膜200形成在基板100上，其中光散射膜200包含珠粒220和粘结剂240。光散射膜200以不同的角度散射穿过基板100的太阳光线，并还防止基板100中含有的杂质向前电极层300迁移。
首先，太阳光线被光散射膜200以不同的角度散射，这将阐述如下。
光散射膜200包含珠粒220和粘结剂240。首要的是粘结剂240与基板100和前电极层300接触。在这种情况下，如果用于粘结剂240的材料与基板100和前电极层300的材料折射率不同，则穿过了基板100的太阳光线在穿过粘结剂240时被折射，然后在穿过前电极层300时又被折射。结果是入射到基板100上的太阳光线以不同的角度被折射，并入射到半导体层400上，从而增加了半导体层400中太阳光线的路径长度。
有时，珠粒220可以与基板100和前电极层300接触。在这种情况下，如果用于珠粒220的材料与基板100和前电极层300的材料折射率不同，则根据与前述相同的机制，入射到基板100上的太阳光线以不同的角度被折射，然后在以不同的角度被折射的同时入射到半导体层400上，从而增加了半导体层400中太阳光线的路径长度。
用于常用的基板100的玻璃的折射率是约1.52，用于柔性基板100的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的折射率是约1.57，以及前电极层300的折射率是约1.9到2.0。必须要考虑前述的基板100和前电极层300的折射率来选择用于珠粒200或粘结剂240的材料。举例来说，珠粒200可以由SiO2、TiO2、或CeO2制成，以及粘结剂240可以由硅酸盐制成，但不是必须的。
如果光散射膜200中含有的珠粒220和粘结剂240由具有不同折射率的不同材料制成，则太阳光线甚至在光散射膜200中也能以不同的角度被折射。也就是，如果用于珠粒220的材料与用于粘结剂240的材料折射率不同，则穿过了珠粒220的太阳光线在穿过粘结剂240的同时被折射，穿过了粘结剂240的太阳光线在穿过珠粒220的同时被折射，从而太阳光线以不同的角度被折射。
可以不用相同的材料形成珠粒220，多个珠粒220可用具有不同折射率的不同材料制成。在这种情况下，在太阳光线穿过由具有不同折射率的不同材料制成的多个珠粒220的同时，以不同的角度被折射。
而且，珠粒220包括芯部和表层。当太阳光线穿过每一个包括芯部和表层的珠粒220时，太阳光线以不同的角度被折射。
图3(A到C)是图示根据本发明的实施例的不同类型珠粒220的系列截面图。
如图3(A)所示，珠粒220包括芯部222和表层224，其中芯部220被表层224包围。而且，芯部222的材料与表层224的材料折射率不同。从而当太阳光线在穿过表层224之后穿过芯部222时被折射，然后在穿过芯部222之后穿过表层224时再一次被折射。
如图3(B)所示，芯部222由空气构成。也就是，中空形状的珠粒220仅由表层224构成。这种结构也能起到相同的功能效果。
如图3(C)所示，芯部222可以包括具有不同折射率的多个材料层222a和222b；并且表层224可以包括具有不同折射率的多个材料层224a和224b。
珠粒220的截面形状可以不同，例如圆形或椭圆形，从而可以不同地改变太阳光线的折射角。
如从图2的放大图中可知，光散射膜200可以具有不平整的表面，从而不同地改变太阳光线的折射角。
其次，光散射膜200可防止基板100中含有的杂质向前电极层300迁移，这将阐述如下。光散射膜200位于基板100和前电极层300之间。从而，光散射膜200，尤其是光散射膜200中含有的粘结剂240起到前电极层300的沉积工艺的屏障的作用，从而可以防止基板100中含有的杂质向前电极层300迁移。
前电极层300形成在光散射膜200上。由于前电极层300形成在太阳光线入射面上，所以前电极层300可以由诸如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO(氧化铟锡)这样的透明导电材料制成。
前电极层300具有能够以不同的角度散射入射太阳光线的不平整表面，由此提高半导体层400中的太阳光线吸收效率。
然而，如果前电极层300的不平整表面太过多的话，那么会对前电极层300上的半导体层400和透明导电层500造成损害，由此会降低电池效率。如果根据本发明的薄膜型太阳能电池中的光散射膜200能够实现足够的光散射效率，就不必提供前电极层300的过多不平整表面。优选的是，调整前电极层300的不平整表面，使得前电极层300的不平整表面足够小到对半导体层400和透明导电层500没有损害。
半导体层400形成在前电极层300上。如果前电极层300具有不平整表面，则半导体层400也可具有不平整表面。
半导体层400形成为PIN结结构，其中P(正)型半导体层、I(本征)型半导体层、N(负)型半导体层顺序沉积。在具有PIN结构的半导体层400中，由P型半导体层和N型半导体层在I型半导体层中产生耗尽，由此在其中产生电场。从而，在电场的作用下，太阳光线产生的电子和空穴发生迁移，由此空穴通过P型半导体层聚集在前电极300中，电子通过N型半导体层聚集在后电极层600中。同时，如果形成具有PIN结构的半导体层400，则优选首先在前电极300上形成P型半导体层，然后在其上形成I型和N型半导体层。这是因为空穴的迁移率比电子的迁移率小。为了使入射光线的会聚效率最大化，邻近光入射表面设置P型半导体层。
半导体层400可以由硅基化合物制成，或可以由CIGS(CuInGaSe2)化合物制成。
如从图2的放大图可知，半导体层400可以形成为串联结构，其中第一半导体层410、缓冲层420、和第二半导体层430顺序沉积。
第一半导体层410和第二半导体层430可以形成为PIN结构，其中P型半导体层、I型半导体层、和N型半导体层顺序沉积。
第一半导体层410可以形成为非晶半导体材料的PIN结构；第二半导体层430可以形成为微晶半导体材料的PIN结构。
非晶半导体材料的特征在于吸收短波光，而微晶半导体材料的特征在于吸收长波光。非晶半导体材料和微晶半导体材料的混合物能够提高光吸收效率，但是不限于这种类型的混合物。也就是，第一半导体层410可以由非晶半导体/锗材料或微晶半导体材料制成，第二半导体层430可以由非晶半导体材料或非晶半导体/锗材料制成。
缓冲层420夹在第一半导体层410和第二半导体层430之间，其中缓冲层420能够通过隧道结使电子和空穴平滑地迁移。缓冲层420可以由透明材料，例如ZnO制成。
半导体层400可以形成为三重结构，而不是串联结构。在三重结构的情况下，每一个缓冲层夹在半导体层400中包括的每个第一、第二、和第三半导体层之间。
透明导电层500形成在半导体层400上。透明导电层500可以由透明导电材料，例如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F、或ITO(氧化铟锡)制成。透明导电层500可以具有不平整的表面。透明导电层500可以省略。
后电极层600形成在透明导电层500上。后电极层600可以由金属材料，例如Ag、Al、Ag+Mo、Ag+Ni、或Ag+Cu制成。
图4是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图。
如图4所示，根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池包括：基板100、光散射膜200、前电极层300、半导体层400、透明导电层500、和后电极层600。除了前电极层300不设置有不平整的表面以外，根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池与参考图2阐述的薄膜型太阳能电池结构相同。因此将省略对相同部件的详细说明。
用于形成前电极层300的不平整表面的方法是当沉积前电极层300时调整前电极层300的沉积条件。也就是，前电极层300一旦沉积，前电极层300的表面就变得不平整。在这种情况中，不容易调整沉积条件，也就是不容易获得所需的不平整图案。不需要的不平整图案会对前电极层300上的半导体层400和透明导电层500造成损害。
另一个用于形成前电极层300的不平整表面的方法是沉积具有平整表面的前电极层300，然后对前电极层300的平整表面执行化学蚀刻工艺以形成前电极层300的不平整表面。该方法会由于另外执行的化学蚀刻工艺而复杂，化学蚀刻工艺中使用的化学物质会造成环境污染，并且由于处置这些化学物质还会造成成本增加。
图4中示出的本发明的另一个实施例公开了前电极层300不设置有不平整表面。在本发明的情况中，在太阳光线穿过光散射膜200的同时以不同的角度被折射。从而，即使前电极层300不设置有不平整表面，也没有什么差别。
如果前电极层300不设置有不平整表面，则形成在前电极层300上的半导体层400和透明导电层500也不设置有不平整表面。然而，透明导电层500可以设置有不平整表面。
图5是图示根据本发明另一个实施例的薄膜型太阳能电池的截面图。
在图5的薄膜型太阳能电池的情况中，在基板100和前电极层300之间不形成光散射膜200，而是在基板100中包含珠粒220。除此以外，图5的薄膜型太阳能电池与前述的图2的薄膜型太阳能电池结构相同。因此，在所有附图中将使用相同的参考数字指示相同或类似的部件，并将省略对相同部件的详细阐述。
图5的薄膜型太阳能电池可以用作使用具有包含在其中的珠粒220的柔性基板100的柔性薄膜型太阳能电池，其中柔性基板100中包含的珠粒220能够以不同的角度散射太阳光线。也就是，如果用于珠粒220的材料与用于柔性基板100和前电极层300的材料折射率不同，则在太阳光线穿过柔性基板100、珠粒220、和前电极层300的同时发生各种折射，由此增加了半导体层400中太阳光线的路径长度。
而且，如上所述，如果珠粒220是通过混合由具有不同折射率的不同材料制成的多个珠粒形成的，则在太阳光线穿过多个珠粒的同时被以不同的角度折射。而且，如图3(A到C)所示，每一个珠粒220包括芯部和表层，由此在太阳光线穿过每一个珠粒220的同时被以不同的角度折射。
用于制造薄膜型太阳能电池的方法
图6(A到E)是图示根据本发明一个实施例用于制造薄膜型太阳能电池的方法的系列截面图，其图示图2的薄膜型太阳能电池的制造方法。
首先，如图6(A)所示，在基板100上形成光散射膜200，其中光散射膜200包含珠粒220和用来粘结珠粒220的粘结剂240。
基板100由玻璃、透明塑料或柔性基板制成。
光散射膜200可以通过下面的步骤形成：通过将珠粒220均匀地分散在粘结剂240中来制备糊状物；以及，使用制备好的糊状物实施印刷方法、溶胶-凝胶方法、浸凃方法、或旋涂方法。
在通过上述方法形成光散射膜200之后，还可以对其进行红外线烧结工艺或低温/高温烧结工艺，由此致使基板100和光散射膜200之间改善的粘合。
光散射膜200可以具有不平整的表面。为了形成光散射膜200的不平整表面，向通过前述的印刷、溶胶-凝胶方法、浸涂方法、或旋涂方法形成的薄膜的表面上施加物理接触。
光散射膜200中含有的珠粒220和粘结剂240与前述的相同，由此将省略对珠粒220和粘结剂240的详细阐述。
如图6(B)所示，在光散射膜200上形成前电极层300。
前电极层300可以通过下面的步骤形成：沉积诸如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F、或ITO(氧化铟锡)这样的透明导电材料；然后在沉积的材料层上形成不平整表面。
当形成具有不平整表面的前电极层300时，可以通过调整MOCVD(金属有机化学气相沉积)沉积工艺中的沉积条件来直接形成不平整表面，或者也可以通过对利用溅射获得的前电极层300的平整表面执行蚀刻工艺来形成。这里，蚀刻工艺可以采用光刻法、使用化学溶液的各向异性蚀刻法、或机械划线法。
如上所述，优选调整前电极层300的不平整表面使得前电极层300的不平整表面足够小到对通过下面的工艺待形成的半导体层400和透明导电层500不造成损害。
如图6(C)所示，在前电极层300上形成半导体层400。
半导体层400可以通过等离子体化学气相沉积(CVD)方法由硅基非晶半导体材料形成，其中半导体层400可以形成为PIN结构，其中P型半导体层、I型半导体层、和N型半导体层顺序沉积。
半导体层400可以形成为串联结构，其中第一半导体层410、缓冲层420和第二半导体层430顺序沉积(见图2)。
如图6(D)所示，在半导体层400上形成透明导电层500。
透明导电层500可以通过利用溅射或MOCVD(金属有机化学气相沉积)来沉积诸如ZnO、ZnO:B、ZnO:Al、SnO2、SnO2:F、或ITO(氧化铟锡)这样的透明导电材料而形成。透明导电层500可以省略。
如图6(E)所示，在透明导电层500上形成后电极层600。
后电极层600可以通过利用溅射或印刷来沉积诸如Ag、Al、Ag+Mo、Ag+Ni、或Ag+Cu这样的金属材料而形成。
如果图6(A到E)的前述工艺应用于采用柔性基板的柔性薄膜型太阳能电池的制造方法，则图6(A到E)的工艺可以通过卷对卷的方法来进行。
图7(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图，其图示用于制造图4的薄膜型太阳能电池的方法。对于与前述实施例相同结构的详细阐述将被省略。
首先，如图7(A)所示，在基板100上形成光散射膜200，其中光散射膜200包含珠粒220、和用来粘结珠粒220的粘结剂240。
如图7(B)所示，在基板100上形成前电极层300。不需要在前电极层300中形成不平整表面。在这个方面，前电极层300可以通过常规的溅射方法来沉积。
如图7(C)所示，在前电极层300上形成半导体层400。
如图7(D)所示，在半导体层400上形成透明导电层500。用来形成透明导电层500的步骤可以省略。
如图7(E)所示，在透明导电层500上形成后电极层600。
图8(A到E)是图示根据本发明另一个实施例的用于制造薄膜型太阳能电池的方法的一系列截面图，其图示用于制造图5的薄膜型太阳能电池的方法。对于与前述实施例相同结构的详细阐述将被省略。
首先，如图8(A)所示，制备其中含有珠粒220的基板100。
其中含有珠粒220的基板100可以通过下面的步骤制备：通过将珠粒220包含在用于形成基板的熔融液体中来形成薄膜；以及对形成的薄膜进行处理。
珠粒200的详细结构如上阐述，其与前述结构相同。
如图8(B)所示，在基板100上形成前电极层300。
如图8(C)所示，在前电极层300上形成半导体层400。
如图8(D)所示，在半导体层400上形成透明导电层500。用于形成透明导电层500的步骤可以省略。
如图8(E)所示，在透明导电层500上形成后电极层600。
根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法不限于前述实施例。尤其是，如果本发明应用于大尺寸的基板，则大尺寸的基板可以被分成多个单元电池，并且多个单元电池串联连接。
工业适用性
因此，根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法具有下面的优点。
根据本发明的薄膜型太阳能电池在基板和前电极层之间设置有光散射膜，由此太阳光线能够以不同的角度发生各种折射，从而使得太阳光线的路径长度增加。结果是提高了电池效率。
可以通过适当地改变光散射膜中的珠粒和粘结剂的材料和图案，来很容易地调整用来折射太阳光线的图案，由此实现电池效率的提高最佳化。
而且，光散射膜形成在基板和前电极层之间，光散射膜起到前电极层的沉积工艺的屏障的作用，从而可以防止基板中含有的杂质向前电极层迁移，由此防止了电池效率降低。
Claims (25)
1.一种薄膜型太阳能电池，包括：
基板；
包含珠粒和粘结剂的光散射膜，其中提供所述粘结剂用来粘结所述珠粒；
在所述光散射膜上的前电极层；
在所述前电极层上的半导体层；和
在所述半导体层上的后电极层。
2.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中与所述基板接触的所述光散射膜的材料与所述基板或所述前电极层的材料折射率不同。
3.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述光散射膜中含有的所述珠粒的材料与所述光散射膜中含有的所述粘结剂的材料折射率不同。
4.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中通过混合折射率彼此不同的多个珠粒来形成所述珠粒。
5.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述珠粒包括芯部和表层，其中所述芯部被所述表层包围，并且芯部的材料与表层的材料折射率不同。
6.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述光散射膜设置有不平整表面。
7.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述前电极层不设置有不平整表面。
8.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其中所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，在该第一半导体层和该第二半导体层之间有缓冲层。
9.如权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，还包括在所述半导体层和所述后电极层之间的透明导电层。
10.一种薄膜型太阳能电池，包括：
其中包含珠粒的基板；
在所述基板上的前电极层；
在所述前电极层上的半导体层；以及
在所述半导体层上的后电极层。
11.如权利要求10所述的薄膜型太阳能电池，其中所述珠粒的材料与所述基板和所述前电极层的材料折射率不同。
12.一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
在基板上形成光散射膜，其中所述光散射膜包含珠粒和粘结剂，所述粘结剂用来粘结所述珠粒；
在所述光散射膜上形成前电极层；
在所述前电极层上形成半导体层；以及
在所述半导体层上形成后电极层。
13.如权利要求12所述的方法，其中形成光散射膜的步骤是通过印刷方法、溶胶-凝胶方法、浸涂方法、或旋涂方法来实施的。
14.如权利要求13所述的方法，其中形成光散射膜的步骤包括在该膜形成之后进行的附加的烧结工艺，以改善基板与光散射膜之间的粘合。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述光散射膜的材料与所述基板或前电极层的材料折射率不同。
16.如权利要求12所述的方法，其中所述珠粒的材料与所述粘结剂的材料折射率不同。
17.如权利要求12所述的方法，其中所述珠粒是通过混合彼此的折射率不同的多个珠粒而形成的。
18.如权利要求12所述的方法，其中所述珠粒包括芯部和表层，其中所述芯部被所述表层包围，并且所述芯部的材料与所述表层的材料折射率不同。
19.如权利要求12所述的方法，其中所述光散射膜设置有不平整表面。
20.如权利要求12所述的方法，其中形成前电极层的步骤是通过如下方式实施的：通过沉积工艺直接形成具有不平整表面的前电极层；或者通过沉积工艺形成具有平整表面的前电极层，然后通过蚀刻工艺在所述前电极层中形成不平整表面。
21.如权利要求12所述的方法，其中所述前电极层不设置有不平整表面。
22.如权利要求12所述的方法，还包括在所述半导体层和所述后电极层之间另外形成透明导电层。
23.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，在该第一半导体层和该第二半导体层之间有缓冲层。
24.一种用于制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
制备其中包含珠粒的柔性基板；
在所述柔性基板上形成前电极层；
在所述前电极层上形成半导体层；以及
在所述半导体层上形成后电极层。
25.如权利要求24所述的方法，其中所述珠粒的材料与所述基板和所述前电极层的材料折射率不同。
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