JP5127218B2

JP5127218B2 - 太陽電池の基体の製造方法

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Publication number: JP5127218B2
Application number: JP2006342315A
Authority: JP
Inventors: 久志大垣
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2006-12-20
Filing date: 2006-12-20
Publication date: 2013-01-23
Anticipated expiration: 2026-12-20
Also published as: JP2008153570A

Description

この発明は、太陽電池の基体の製造方法に関する。

太陽電池の一種である薄膜系太陽電池では、例えばシリコンなどの光電変換層を形成する基材として、図８に示す太陽電池用基体１４０が用いられる。この太陽電池用基体１４０は、ガラス等の透明基体１４１上に透明電極層１４２を設けることで構成される。この透明電極層１４２としては、例えば、ＩＴＯ(酸化インジウムすず)、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の透明導電膜が用いられており、この透明電極層１４２の表面には微細な凹凸を有するテクスチャ構造１４５が形成されている。

この凹凸を有するテクスチャ構造１４５を形成する透明電極層１４２としては、ＩＴＯ等の透明導電膜と比べて容易に形成できるＳｎＯ_２透明導電膜が多く用いられる。このＳｎＯ_２透明導電膜は、熱ＣＶＤ(化学気相成長)法により、数１０〜数１００ｎｍ径の結晶粒を成長させることにより形成される。また、このような凹凸テクスチャ構造は、例えば、特許文献１(特開平７−１２２７６４号公報)、特許文献２(特開平１０−７０２９４号公報)、特許文献３(特開２００２−２６０４４８号公報)、特許文献４(特開２００５−３４７４９０号公報)で示されるようにＣＶＤ法、スパッタ法などによって形成される。

透明電極層１４２に凹凸テクスチャ構造１４５が設けられる理由は、以下の通りである。薄膜系太陽電池では、半導体光電吸収層を含む半導体光電変換層１４３が薄いため、光吸収係数の小さい長波長領域の光が十分に吸収されないという問題がある。

そこで、入射した光を有効に利用するため、半導体光電変換層１４３を含む光電変換ユニットにおいて、光入射側の透明電極層１４２に凹凸テクスチャ構造１４５を形成し、入射光を半導体光電変換層１４３内で散乱させて、半導体光電変換層１４３内での光路長を長くしている。これによって、半導体光電変換層１４３において、光電変換のために吸収される光量を増大させて太陽電池の出力電流を増大させることができる。

透明電極層１４２の凹凸テクスチャ構造１４５上には、半導体光電変換層１４３が形成されており、さらに、この半導体光電変換層１４３上には、銀、アルミニウム等からなる裏面電極層１４４が形成されている。

なお、本願の各断面図において、図面の明瞭化のために凹凸テクスチャ構造の凹凸は誇張されて示されており、各層の厚さ等は実際の寸法関係を反映していない。

上記太陽電池用基体１４０を有する太陽電池モジュールでは、透明基体１４１側から入射した入射光は、透明基体１４１を通り、さらに透明電極４２、半導体光電変換層１４３へ入射する。この入射した光の一部は、透明基体１４１と透明電極層１４２との間の界面１４０Ａ、および、透明電極１４２と半導体光電変換層１４３との間の界面１４０Ｂで反射する。この反射は、界面１４０Ａを挟む２つの物質間の屈折率の差異,界面１４０Ｂを挟む２つの物質間の屈折率の差異が大きいほど大きくなる。一般に、光は、ある物質から他の物質に入射した場合、これら２つの物質間に屈折率の差異があると、フレネル反射によって、入射した光の一部は、これら２つの物質の界面で反射する。この反射は２つの物質間の屈折率の差異が大きいほど大きくなる。

例えば、透明基体１４１がガラス、透明電極層１４２がＳｎＯ_２、半導体光電変換層１４３がシリコンで作製されているとすると、透明基体１４１、透明電極層１４２、半導体光電変換層１４３の屈折率はそれぞれ、１.５、１.８、３.８である。このとき、界面１４０Ａ、１４０Ｂでの反射率は、それぞれ、０.８％、１２.８％となり、界面１４０Ａでの反射に比べて界面１４０Ｂでの反射の方が大きく、反射による太陽光エネルギーの損失は、界面１４０Ａに比べて界面１４０Ｂの方が大きい。

このような界面での反射の抑制は、太陽電池関連だけでなく、光通信、光メモリ、ディスプレイなどの幅広い分野においても切望されている。

ところで、このようなフレネル反射を抑制するための物質の表面加工手法として、入射光の波長よりも短い周期構造をもった構造体を材料表面に形成する手法が知られている。

この周期構造は、特許文献６(特開２００６−３８９２８号公報)で開示されているようにモスアイ構造(蛾の目構造)とも呼ばれ、１９６７年にＣ.Ｇ.Ｂernhardによって発見された。このモスアイ構造は、図９の側面図、図１０の斜視図に例示するように、物質体１５１の表面に形成された矩形の２次元周期構造体１５２からなる。この２次元周期構造体１５２は、空気側から物質体１５１中に入射する光に対して、空気とこの物質体１５１との中間の屈折率を持つ物質が空気と物質体１５１との間に存在するのと同様の効果を及ぼして、反射率が低下する。さらに、この矩形の構造体１５２を、錐形にすることによって空気と物質体１５１との間との屈折率が緩やかに変化するようになって、反射率がさらに低下することが知られている。

しかしながら、上述したＣＶＤ法、スパッタ法によって形成されたＳｎＯ_２透明電極層１４２は、表面テクスチャ構造を形成するための反応温度として５００℃程度の高温が必要である。このため、表面テクスチャ構造を形成するプロセス自体にコストが掛かり、しかも高温に耐えられない有機高分子フィルムのような基材をもつ太陽電池モジュールには適用できないという難点がある。

さらに、従来の手法で形成した表面テクスチャ構造は反射率の低減に貢献するが、やはり１０％程度の反射は残り、反射率の低減が不十分で入射光の利用効率への寄与は小さい。

さらに、基板の表面に研磨剤や化学的エッチングで凹凸をつける方法を採用した場合でも、凹凸の大きさ、高さなどの形状を制御することは非常に困難である。特に、錐形の表面テクスチャ構造を形成する場合、この錐形の表面テクスチャ構造の先端の尖った部分で膜のクラックやピンホールなどの欠陥が生じる可能性がある。また、表面テクスチャ構造の凹凸を形成した後で、洗浄が必要になるので、コストがかかるという問題も生じる。
特開平７−１２２７６４号公報特開平１０−７０２９４号公報特開２００２−２６０４４８号公報特開２００５−３４７４９０号公報特開平４−３６５８６号公報特開２００６−３８９２８号公報

そこで、この発明の課題は、低コストで入射光の利用効率を向上できる太陽電池の基体の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、一参考例の太陽電池の基体は、透光性基板と、
上記透光性基板に積層される透明導電膜とを備え、
上記透明導電膜は、
入射光の波長よりも短いピッチの凹凸を有する凹凸部が表面に形成されていることを特徴としている。

この参考例の太陽電池の基体によれば、透光性基板に積層される透明導電膜は、入射光の波長よりも短いピッチの凹凸を有する凹凸部が表面に形成されているので、透明導電膜の表面での反射率を低減できて、入射光の利用効率を向上できる。

また、一参考例の太陽電池の基体では、上記凹凸部の凹凸のピッチが、３００ｎｍ以下である。

この参考例によれば、透明導電膜の表面の凹凸部によって、入射光となる太陽光に、この太陽光の波長領域で、太陽電池の基体の透明導電膜と太陽電池の半導体光電変換層との界面で、上記透明導電膜と上記半導体光電変換層との中間の屈折率を持つ物質が存在するような作用を与えて、上記界面での反射率を低下させることができる。よって、入射光の利用効率をさらに高めることができる。

また、一参考例の太陽電池の基体では、上記凹凸部は、錐形の凸部を有する。

この参考例によれば、透明導電膜の表面の凹凸部が錐形の凸部によって、太陽電池の基体の透明導電膜と太陽電池の半導体光電変換層との界面で、屈折率の変化を緩やかにすることができるので、入射光となる太陽光の波長領域で反射率を低下させることができる。これによって、入射光の利用効率をさらに高めることができる。

また、一参考例の太陽電池の基体では、上記凹凸部は、底が湾曲した凹部または先端が湾曲した凸部を有する。

この参考例によれば、上記凹凸部の凹部の底または凸部の先端が湾曲しているので、透明導電膜の凹凸部に接する膜にクラックやピンホールなどの欠陥が発生することを抑えることができる。よって、入射光の利用効率をさらに高めることができる。

また、本発明の太陽電池の基体の製造方法では、透光性基板と、上記透光性基板に積層される透明導電膜とを備え、上記透明導電膜は、入射光の波長よりも短いピッチの凹凸を有する凹凸部が表面に形成されている太陽電池の基体を製造する方法であって、
上記透光性基板は、ガラス基板であり、
上記透明導電膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを上記ガラス基板の表面に塗布して乾燥させて形成したゲル膜であり、
上記透明導電膜の表面に、凹凸が形成されたスタンパの表面を押圧すると共に上記透明導電膜とスタンパを、加熱して、上記透明導電膜の表面に凹凸部を形成する。

この発明の製造方法によれば、上記透明導電膜の表面に凹凸部を低コストで安定して形成でき、入射光の利用効率を向上できる太陽電池の基体を低コストで作製できる。

また、一参考例の太陽電池の基体の製造方法では、透光性基板と、上記透光性基板に積層される透明導電膜とを備え、上記透明導電膜は、入射光の波長よりも短いピッチの凹凸を有する凹凸部が表面に形成されている太陽電池の基体を製造する方法であって、
上記透光性基板の表面に、凹凸が形成されたスタンパの表面を押圧すると共に上記透光性基板とスタンパを加熱して、上記透光性基板の表面に凹凸部を形成し、上記透光性基板の上記凹凸部が形成された表面に透明導電膜を形成する。

この参考例の製造方法によれば、透明導電膜の表面にスタンパを押圧して凹凸部を形成することが困難な場合に有効であり、スタンパの押圧によって凹凸部が形成された透光性基板の表面に透明導電膜を形成することで、透明導電膜の表面に低コストで安定に凹凸部を形成できる。

また、一参考例の太陽電池モジュールでは、上記太陽電池の基体を太陽電池上に設けたので、透明導電膜の表面の凹凸部によって、入射光の利用効率を高めて、高性能で安価な薄膜太陽電池モジュールを実現できる。

この発明の太陽電池の基体の製造方法によれば、透明導電膜の表面に凹凸部を低コストで安定して形成でき、入射光の利用効率を向上できる太陽電池の基体を低コストで作製できる。

以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。

(実施の形態)
この発明の実施形態としての太陽電池の基体の製造方法を説明する。まず、図１に示すように、塗布型の透明導電材料としてＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを使用し、ゾル−ゲル法にて透光性基板１の表面に透明導電膜２を形成する。この透明導電膜２は、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系薄膜であり、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを透光性基板１に塗布して、この透光性基板１の表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対し紫外光を照射してゲル膜を結晶化させることにより得られる。

なお、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルは、ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシドを出発原料とし、それらのアルコキシドを含む溶液を加水分解および重合させて調製される。ＩｎアルコキシドおよびＳｎアルコキシドとしては、例えば、Ｉｎアルコキシドとしては、Ｉｎメトキシド、Ｉｎエトキシド、Ｉｎプロポキシド、ＩｎブトキシドおよびＩｎペントキシドが使用される。

また、Ｓｎアルコキシドとしては、Ｓｎメトキシド、Ｓｎエトキシド、Ｓｎプロポキシド、ＳｎブトキシドおよびＳｎペントキシドが使用される。これらはそれぞれ、１種類を使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。アルコキシドのうちのＩｎアルコキシドとＳｎアルコキシドとの含有割合は、得ようとするＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２のうちの酸化インジウム(Ｉｎ_２Ｏ_３)と酸化錫(ＳｎＯ_２)との割合に合わせ、Ｉｎアルコキシド／Ｓｎアルコキシドの混合モル比を、例えば９７／３〜８０／２０の範囲とする。

アルコキシドを溶解させる溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノールなどのアルコキシアルコール、酢酸エチルなどの有機酸エステル、アセトニトリル、アセトンやメチルエチルケトンなどのケトン類、テトラヒドラフラン(ＴＨＦ)やジオキサンなどのシクロエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド(ＤＭＦ)などの酸アミド、炭化水素、芳香族などが使用され、特に限定されないが、ＤＭＦが好適に使用される。

また、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルの調製方法も特に限定されないが、アルコキシドを含む溶液の加水分解には、例えばアルコキシドの０.５モル倍〜１.５モル倍の水が用いられる。この加水分解には、塩酸などの鉱酸や酢酸などの有機酸が用いられる。

ここでは、トリ−ｔ−ブトキシインジウムとテトラ−ｓ−ブトキシ錫とを、その混合モル比が９０：１０となるようにＤＭＦに溶解させた後、その溶液に添加したときにＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の固形分濃度が５重量％となるように１Ｎ塩酸−ＤＭＦ混合液((Ｉｎ＋Ｓｎ)／Ｈ_２Ｏのモル比は１)を調製し、その塩酸−ＤＭＦ混合液をアルコキシドの溶液に添加することにより、均質なＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２ゾルを得た。

上記Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを透光性基板１の表面に塗布し、それを乾燥させて透光性基板１の表面にゲル膜を形成する。なお、透光性基板１としては、ガラス基板、さらにＰＥＴ(ポリエチレンテレフタレート)、ポリイミド、ＰＣ(ポリカーボネート)、アクリル等の樹脂フィルムが使用される。透光性基板１の表面にＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを塗布する方法は、特に限定されず、通常行われるディップコート法、スピンコート法、フローコート法、スプレイコート法などが用いられる。ここでは、図１のように、透光性基板１であるガラス基板１上にスピンコートにてＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを塗布した。

次に、この実施形態の製造方法では、透光性基板１上にＩｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを塗布して形成した透明導電膜２に、図３に示すように、ナノインプリント形成装置３３を用いて、凹凸部３を形成する。すなわち、この凹凸部３を形成する工程では、図２Ａ,図２Ｂに示されるピラミッド型のＮｉ電鋳金型２１を使用する。このスタンパとしてのＮｉ電鋳金型２１は、四角錐形状の複数の凸部２２を有し、この複数の凸部２２のピッチａと高さｂは共に１００ｎｍとした。このスタンパとしてのＮｉ電鋳金型２１は、上記ナノインプリント形成装置３３に装着される。

そして、図３に示すように、上記ナノインプリント形成装置３３に装着されたＮｉ電鋳金型２１の複数の凸部２２を透明導電膜２の表面に押し付けて、
Ｎｉ電鋳金型２１と透明導電膜２を加熱し、１２０℃に熱しながら、１０分間圧着し、透明導電膜２に凹凸部３を形成する。

その後、透明導電膜２を低抵抗化するために、透明導電膜２の表面のゲル膜に対して紫外光を照射する。紫外光の光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、シンクロトロン放射光などが使用される。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み合わせて使用することも可能である。この実施形態では、ＡｒＦエキシマレーザ(１９３ｎｍ)を２０ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー密度で、８ショット照射した。

こうして形成した透明導電膜２付きガラス基板１の上にアモルファスシリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法でｐ層(２５ｎｍ)、ｉ層(３５０ｎｍ)、ｎ層(２０ｎｍ)の順に積層し、さらに反射層としてＡｇの蒸着層を３００ｎｍの厚さで形成して太陽電池モジュールを作製した。

また、上記一例では、薄膜太陽電池としてアモルファスＳｉ系について述べたが、このような凹凸形状の透明導電膜２上に形成できる薄膜半導体であれば何れでも良い。例えば、上記薄膜半導体としては、多結晶Ｓｉや他のIＶ族元素、また、ＣｄＳなどのII‐ＶI族化合物などを挙げることができる。

こうして得られた薄膜太陽電池モジュールについて、２５℃においてＡＭ(Ａir Ｍass：エアマス)１.５の光を１００ｍＷの光量で照射した場合の短絡電流を測定し、光閉じこめ効果を確認した。この測定結果は、図７Ａの凹凸ピッチ１００ｎｍの欄に示す。この凹凸ピッチ１００ｎｍとは、透明導電膜２の凹凸部３の凸部３Ａのピッチが１００ｎｍであることを表している。また、図７Ａでは、従来例の欄に、従来例の透明導電膜を使用して作製された薄膜太陽電池の光電変換特性を示している。図７Ａから明らかなように、上記実施形態による太陽電池モジュールによれば、従来例に比べて短絡電流と変換効率が改善されていることがわかる。すなわち、この実施形態による薄膜太陽電池モジュールによれば、従来例に比べて吸収される光量が増加していることが分かる。また、図７Ａを参照すれば、凹凸ピッチが３００ｎｍを上回ると短絡電流と変換効率が急減していることが分る。

(参考例)
なお、上記実施形態の製造方法では、透明導電膜２に凹凸部３を形成したが、透明導電膜２の表面にスタンパを押圧して凹凸部を形成することが困難な場合には、次のようにしてもよい。

すなわち、図４に示す透光性基板８１(一例としてガラス基板)の表面に、図５に示すように、図２Ａ,図２Ｂに示すような複数の凸部２２が形成されたスタンパ(Ｎｉ電鋳金型２１)が装着された図３に示したナノインプリント形成装置３３によって、スタンパの複数の凸部２２を透光性基板８１の表面に押し付ける。この際、図９に示すように、ナノインプリント形成装置３３に装着されたＮｉ電鋳金型２１と透光性基板８１を加熱して、５００℃に熱しながら、５分間圧着し、透光性基板８１の表面に凹凸部８８を形成する。

次に、図６に示すように、透光性基板８１上に、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを塗布して透明導電膜８２を形成し、その後、透明導電膜８２を低抵抗化するために、透明導電膜８２の表面のゲル膜に対して紫外光を照射する。この紫外光の光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、シンクロトロン放射光などが使用される。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み合わせて使用することも可能である。ここでは、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ(１９３ｎｍ)を２０ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー密度で８ショット照射した。

この参考例によれば、この凹凸部８８が形成された透光性基板８１の表面に透明導電膜８２を形成することで、透明導電膜８２に凹凸部８９を形成した。このように、スタンパの押圧によって凹凸部８８が形成された透光性基板８１の表面に透明導電膜８２を形成することで、透明導電膜８２の表面に低コストで安定に凹凸部８９を形成できる。

こうして形成した透明導電膜８２付き透光性基板８１の上にアモルファスシリコン薄膜をプラズマＣＶＤ法でｐ層(２５ｎｍ)、ｉ層(３５０ｎｍ)、ｎ層(２０ｎｍ)の順に積層し、さらに反射層としてＡｇの蒸着層を３００ｎｍの厚さで形成して太陽電池モジュールを作製した。

こうして得られた薄膜太陽電池モジュールについて、２５℃においてＡＭ(Ａir Ｍass：エアマス)１.５の光を１００ｍＷの光量で照射した場合の短絡電流を測定し、光閉じこめ効果を確認した。この測定結果は、図７Ｂの凹凸ピッチ１００ｎｍの欄に示す。この凹凸ピッチ１００ｎｍとは、透明導電膜８２の凹凸部８９の凸部８９Ａのピッチが１００ｎｍであることを表している。また、図７Ｂでは、従来例の欄に、従来例の透明導電膜を使用して作製された薄膜太陽電池の光電変換特性を示している。図７Ｂから明らかなように、上記実施形態による太陽電池モジュールによれば、従来例に比べて短絡電流と変換効率が改善されていることがわかる。すなわち、この実施形態による薄膜太陽電池モジュールによれば、従来例に比べて吸収される光量が増加していることが分かる。また、図７Ｂを参照すれば、凹凸ピッチが３００ｎｍを上回ると変換効率が従来例よりも低くなり、短絡電流が従来例とあまり変わらなくなった。

また、上記実施形態では、スタンパとしてＮｉ電鋳金型２１を使用したが、スタンパとしてはその他の材質(例えば、Ｓｉ,ＳｉＣ,ＳｉＮ,多結晶Ｓｉ,ガラス,Ｎｉ,Ｃｒ,Ｃｕ)およびこれらを１種類以上含むものを使用できる。また、上記実施形態では、透明導電膜２に形成する凹凸部３の凸部３Ａの形状を四角錐形状としたが凹凸部の凸部の形状は三角錐形状,五角錐形状,もしくはそれ以上の多角錐形状,円錐形状でもよい。さらには、上記凹凸部の凸部は先端が湾曲した凸部であってもよく、上記凹凸部の凹部は底が湾曲した形状であってもよい。この場合、透明導電膜の凹凸部に接する膜にクラックやピンホールなどの欠陥が発生することを抑えることができるので、入射光の利用効率をさらに高めることができる。また、上記実施形態では、透明導電膜２に形成する凹凸部３の凹凸のピッチを１００ｎｍとしたが、１００ｎｍよりも小さくしてもよい。また、上記実施形態では、透明導電膜２に形成する凹凸部３の凸部３Ａの高さを１００ｎｍとしたが、１００ｎｍ未満としてもよい。また、凸部３Ａの高さを１００ｎｍよりも高くしてもよい。

また、上述された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上述した説明だけではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図されることは言うまでもない。

この発明の実施形態としての太陽電池の基体の製造方法の一工程を示す断面図である。上記実施形態で使用するＮｉ電鋳金型を示す斜視図である。上記実施形態で使用するＮｉ電鋳金型を示す断面図である。上記実施形態の一工程を示す断面図である。この発明の参考例としての太陽電池の基体の製造方法の一工程を示す断面図である。上記参考例の製造方法の一工程を示す断面図である。上記参考例の製造方法の一工程を示す断面図である。上記実施形態で作製した太陽電池の基体を有する太陽電池モジュールおよび比較例,従来例の光電変換特性を示す図である。この発明の参考例で作製した太陽電池の基体を有する太陽電池モジュールおよび比較例,従来例の光電変換特性を示す図である。従来の太陽電池の構成を示す断面図である。モスアイ構造の一例を示す側面図である。モスアイ構造の一例を示す斜視図である。

１、８１透光性基板
２、８２透明導電膜
３、８８、８９凹凸部
３Ａ、８９Ａ凸部
２１Ｎｉ電鋳金型
２２凸部
３３ナノインプリント形成装置

Claims

透光性基板と、上記透光性基板に積層される透明導電膜とを備え、上記透明導電膜は、入射光の波長よりも短いピッチの凹凸を有する凹凸部が表面に形成されている太陽電池の基体を製造する方法であって、
上記透光性基板は、ガラス基板であり、
上記透明導電膜は、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系ゾルを上記ガラス基板の表面に塗布して乾燥させて形成したゲル膜であり、
上記透明導電膜の表面に、凹凸が形成されたスタンパの表面を押圧すると共に上記透明導電膜とスタンパを、加熱して、上記透明導電膜の表面に凹凸部を形成することを特徴とする太陽電池の基体の製造方法。