JP4780951B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
リコン球を挿入し、このシリコン球の裏側のn型外郭22を除去し、第1のアルミニウム箔23及びn型外郭22を除去したシリコン球表面に絶縁体層24を形成し、シリコン球の裏側頂上部の絶縁体層を除去した後に、シリコン球と第2のアルミニウム箔26とを接合したものであり、さらに、n型外郭22と第1のアルミニウム箔23との上に球状レンズ27が配設されている。このようにシリコン球のような粒状結晶半導体を用いた場合、粒状結晶半導体間に隙間が生じてしまい、結果として光電変換ロスとなる。そこで、粒状結晶半導体間の隙間に入射した光エネルギーを隙間に隣接する粒状結晶半導体に引き込むために、粒状結晶半導体上に球状レンズ27を形成する光電変換装置が開示されている(例えば、特許文献1を参照)。
他方の電極の露出を無くし、湿度等の直接的な攻撃を防止することができ、信頼性を保ちながら、粒状光電変換体間の隙間に入射した光エネルギーを隙間に隣接する粒状結晶半導体に効率よく引き込むことができ、これにより光電変換特性が高く信頼性の高い光電変換装置を提供することが可能となる。
部も含めた従来の結晶板型の光電変換装置のシリコン使用量と変わらなくなり、粒状結晶半導体を用いるメリットがなくなるからであり、また、0.2mmよりも小さいと基板1へ
のアッセンブルがしにくくなるという別の問題が発生するからである。したがって、粒状結晶半導体2の粒径は、シリコン使用量との関係から0.2〜0.6mmがより好適である。
板1と粒状結晶半導体2の合金層6を介して基板1と粒状結晶半導体2を接合させる。
が577℃を超えると、アルミニウムとシリコンとの合金層15が溶融し始めるために、基板
1と粒状結晶半導体2との接合が不安定となり、場合によっては粒状結晶半導体2が基板1から離脱して発電電流を取り出せなくなる。絶縁体層3を形成した後、粒状結晶半導体2の表面を洗浄するために、弗酸を含む洗浄液で洗浄する。
、透明導電層5の形状に沿うように透光性カバー体7を設けているので、透明導電層5の露出を無くし、湿度等の直接的な攻撃を防止する。透光性カバー体7で連続するレンズ形状を形成するには、光電変換装置の面積に対する全粒状結晶半導体2の投影面積比が80%以上が必要である。なぜなら、80%未満では、粒状結晶半導体2間の隙間が広くなることから、透光性カバー体7の基板と反対の面が基板に対して平行な部分が形成されてしまい、粒状結晶半導体2間の隙間に入射した光エネルギーを隙間に隣接する粒状結晶半導体2に引き込むことができなくなり、光電変換特性の向上が小さくなってしまうからである。
、20μm未満では薄すぎて効果が得られにくく層としても形成し辛くなり、100μmを超
えると透光性カバー体7がだれて透明導電層5の形状に沿った形状が得られず、また狭い粒状結晶半導体2間の隙間に入りにくくなり効果が得られにくくなる。
板8としては、光学的に透明で、透光性カバー体7よりも耐熱性があればよく、ガラス或いはポリカボネート、PET(ポリエチレンテレフタレート)等の透明樹脂等がある。このように、図2に示す光電変換装置は、一方の電極となる基板の一主面上に、光電変換を行なう粒状光電変換体の多数個を配設するとともに、これら多数個の粒状光電変換体の間の下部に絶縁体層を設け、多数個の粒状光電変換体の上部および絶縁体層の上に、粒状光電変換体および絶縁体層の外表面に沿って他方の電極を形成する工程と、他方の電極の上に透光性の樹脂フィルム、この樹脂フィルムより屈折率の低い透光性の充填材および透光性保護板を順次配設してラミネート加工を施す工程とを、順次行なうことによって簡便に作製することができる。
加熱してシリコン粒子をアルミニウム合金に接合した。その上に絶縁体層3を充填した。その後p型シリコン粒子の上部表面を洗浄し、シリコン粒子2と絶縁体層3の上にn型結晶質シリコンと非晶質シリコンとの混晶の半導体層4を300nmの厚みに形成し、さらに
透明導電層5としてITO膜を80nmの厚みに形成した。
せ、透明導電層5上に厚み50μmのEVAフィルムをのせて、ドライヤーで200℃の熱風
を当てることで、透明導電層5の形状に沿って透明材料層を形成して光電変換効率を測定した。その時の光電変換効率を初期値を1とした場合の変化を表1に示す。
トをのせて光電変換効率を測定した(比較例2,3)。次に、透明材料層上に、上記の透光性保護板をのせて加圧しながら120℃まで加熱して透光性保護板の裏面とシリコン粒子
の頂上部の透明材料の一部を密着させて試料を作製し、光電変換効率を測定した(例4,5)。以上のようにして、測定した光電変換効率を初期値を1とした場合の変化を表2に示す。
ンシート及び透光性保護板として3mm厚のガラス板、或いは0.5mm厚のPETシート
を順次のせてラミネーターでラミネート加工を施して試料を作製し、光電変換効率を測定した(試料6,7)。その時の光電変換効率を初期値を1とした場合の変化を表3に示す。
を蒸発させることで、透明導電層5の形状に沿って透光性カバー体7を形成した。
厚のEVA、透光性樹脂フィルム12としての0.5mm厚のPETシート、透光性カバー体
7を有する光電変換装置(受光面はガラス板側)、0.4mm厚のEVA、PET/金属酸
化膜/PETを貼り合わせて成る耐候性材料15を順次載せて、ラミネーターでラミネート加工を施して試料8とした。
を蒸発させることで、透明導電層5の形状に沿って透光性カバー体7を形成した。
厚のEVA、透光性樹脂フィルム12としての、透光性カバー体7と接する側の面に第2緩衝層13である30μm厚のEVAが被覆されている0.5mm厚のPETシート、透光性カバ
ー体7を有する光電変換装置(受光面は、ガラス板側)、0.4mm厚のEVA、PET/
金属酸化膜/PETを貼り合わせて成る耐候性材料15を順次載せて、ラミネーターでラミネート加工を施して試料10とした。以上の試料の光電変換効率を測定し、そのときの光電変換効率を初期値の1とした場合の変化を表4に示す。
向上させることが可能となり、より高性能の光電変換装置を作製できることが確認できた。
2・・・第一導電型の粒状結晶半導体
3・・・絶縁体層
4・・・逆導電型の半導体層
5・・・透明導電層
6・・・基板のアルミニウムと粒状結晶半導体のシリコンとの合金層
7・・・透光性カバー体
8・・・透光性保護板
9・・・空気層
10・・・透明充填材
11・・・透光性緩衝層
12・・・透光性樹脂フィルム
13・・・第2緩衝層
14・・・充填剤
15・・・耐候性材料
21・・・中心が第一導電型の粒状結晶半導体
22・・・粒状結晶半導体の逆導電型の外郭
23・・・第1のアルミニウム箔
24・・・絶縁体層
25・・・金属接合部
26・・・第2のアルミニウム箔
27・・・球状レンズ
Claims (3)
- 一方の電極となる基板の一主面上に、光電変換を行なう粒状光電変換体の多数個を配設するとともに、これら多数個の粒状光電変換体間の下部に絶縁体層を設け、前記多数個の粒状光電変換体の上部および前記絶縁体層の上に、これら粒状光電変換体および前記絶縁体層の表面に沿って他方の電極を設け、該他方の電極の上にその表面に沿って透光性カバー体を設け、該透光性カバー体における隣接する前記粒状光電変換体の頂上部同士の間に対応する部位において空気層を介するとともに前記透光性カバー体における前記頂上部に対応する部位において接着された透光性保護板を設けてなることを特徴とする光電変換装置。
- 前記透光性保護板は前記透光性カバー体側の面に透光性緩衝層および透光性樹脂フィルムが順次積層されており、前記透光性カバー体および前記透光性緩衝層は熱可塑性材料から成り、前記透光性樹脂フィルムは前記透光性カバー体および前記透光性緩衝層よりも軟化温度が高いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記透光性樹脂フィルムは、前記透光性カバー体側の面が前記透光性カバー体と同じ熱可塑性材料で被覆されていることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
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