JP4969337B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
前記透光性の表面保護体と前記表面充填層との間に、前記透明保護層の紫外線吸収帯域を含む紫外線吸収帯域を有する紫外線吸収層をさらに具備することが好ましい。
本発明における導電性基板1は、アルミニウム基板、アルミニウムの融点以上の融点を有する金属基板、表面に導電層が形成されたセラミック基板等から成ればよく、例えば、アルミニウム,アルミニウム合金,鉄,ステンレススチール,ニッケル合金,アルミナセラミックス等から成る基板が用いられる。導電性基板1の材料がアルミニウム以外のものを用いた場合、アルミニウム以外の材料からなる基板上にアルミニウムから成る導電層を形成してもよい。
本発明における結晶半導体粒子2の形状は球状である。結晶半導体粒子2が球状であることで、この結晶半導体粒子2が凸曲面を有することにより、入射光の光線角度の依存性を小さくできる。球状としては特に真球状が好ましく、その場合、入射光の光線角度の依存性をより小さくでき、また導電性基板1に対する結晶半導体粒子2の接合性を向上させるとともに各結晶半導体粒子2の接合力を均一化することができるという効果が得られる。
結晶半導体粒子2間の導電性基板1上に形成された絶縁層4は、正極と負極の分離を行うための絶縁材料から成る。即ち、絶縁層4は、その上面側に配設される透光性導電層5と下面側の導電性基板1とが接触しないように設けられるものである。絶縁層4を成す絶縁材料としては、SiO2,B2O3,Al2O3,CaO,MgO,P2O5,Li2O,SnO,ZnO,BaO,TiO2等を任意成分とする材料からなる低温焼成用ガラス(ガラスフリット)材料、上記材料の1種または複数種から成るフィラーを含有したガラス組成物、ポリイミド或いはシリコーン樹脂等の有機系の材料等が挙げられる。絶縁材料の分量にはとくに限定はなく、絶縁層4上に設けられる透光性導電層5が均一に設けられればよい。
透光性導電層5は、結晶半導体粒子2上および絶縁層4上に被覆されたものである。ここで、透光性導電層5は、導電性基板1を一方の電極とすると、他方の電極としての機能をはたすものである。
光反射部材7は、結晶半導体粒子2に集光させるための凹面状の光反射面8を有するものである。集光性を向上させる点で、光反射面8は球面や回転楕円体面等の曲面の部分曲面から成る凹面鏡構造であることが好ましい。なかでも好ましくは、光の入射角依存性を小さくするために凹型の曲面形状が楕円回転体の曲面形状であることが好ましい。コンピュータシミュレーションによると、太陽のように入射角度が経時的に変化していくときに、球の曲面形状よりも楕円回転体の曲面形状の方がより効率よく光を集光することができる。球の曲面と回転楕円体の曲面について光の利用効率を表1に示す。
本発明の光電変換装置は、光反射面8を被覆する透明保護層12を具備する。透明保護層12は、例えば、光反射面8として金属層を一方の主面に有する光反射部材7となる樹脂シートを成形する際に、成形型の表面粗度によって光反射面8の表面が損傷するなどの課題に対して、光電変換装置の作製工程において発生しやすい光反射面8の損傷を抑制させるものである。そして、透明保護層12を設け、光反射面8が直接成形型に接触しないように保護することで、作製工程における光反射面8の反射率の低下を防ぐことが可能となる。さらに、長期にわたり使用することで硫化ガスや酸素などにより金属からなる光反射面8が劣化を受けやすいという課題に対して、光反射面8の劣化を抑制させることも可能となる。
電極層13は、透光性導電層5と外部端子との間の直列抵抗値を低くするために、隣接する結晶半導体粒子2間の透光性導電層5の上に、導電性接着層16を介して、集電極として設けられ、結晶半導体粒子2で発電された光電流を抵抗損失させることなく、光電変換装置から取り出すための低抵抗導体として利用される。
本発明の光電変換装置は、透光性導電層5上に保護層(不図示)を形成してもよい。このような保護層としては、透明誘電体の特性を有するものがよく、CVD法やPVD法等によって、例えば、酸化珪素,酸化セシウム,酸化アルミニウム,窒化珪素,酸化チタン,酸化タンタル,酸化イットリウム等を単一組成または複数組成で単層または組み合わせて、透光性導電層5上に形成されたものが挙げられる。
次に、本発明の光電変換装置を用いて、光電変換モジュール(図3)を形成する。ここで、光電変換モジュールは、複数の光電変換素子が直列または並列に接続されて、発生する電気出力が向上され、実用的な電気出力を取り出せるものをいう。光電変換モジュールは、光電変換素子1つでは得られなかった十分な電気出力を得ることが可能となる。
PETフィルム(透明保護層)を形成していない以外は、実施例2と同様の構成として比較例の光電変換装置を作製した。
実施例1と実施例3と実施例4において作製された光電変換装置について、SUV試験装置にて紫外線を照射し、透明保護層を観察した。
2・・・結晶半導体粒子
3・・・半導体部
4・・・絶縁層
5・・・透光性導電層
6・・・合金層
7・・・光反射部材
8・・・光反射面
9・・・表面充填層
10・・表面保護体
11・・裏面充填層
12・・透明保護層
13・・電極層
14・・裏面保護層
15・・間隔保持部材
16・・導電性接着層
17・・紫外線吸収層
Claims (11)
- 導電性基板と、
表層に第2導電型の半導体部が形成され、前記導電性基板上に互いに間隔をあけて多数個接合された球状の第1導電型の結晶半導体粒子と、
前記導電性基板上であって、前記結晶半導体粒子間に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上および前記結晶半導体粒子上に形成された透光性導電層と、
前記絶縁層上の透光性導電層上に形成され、前記結晶半導体粒子に集光させる凹面状の光反射面と、該光反射面の下端部において前記結晶半導体粒子の上部を露出させる開口部と、を有する光反射部材と、
前記光反射部材の前記光反射面を被覆する透明保護層と、
を具備する光電変換装置。 - 前記光反射部材は樹脂からなり、前記光反射面が金属層であり、さらに、前記金属層上に前記透明保護層が形成されている請求項1記載の光電変換装置。
- 前記金属層がアルミニウムおよび/または銀からなる請求項2記載の光電変換装置。
- 前記金属層は前記透光性導電層と電気的に導通していない請求項2または3記載の光電変換装置。
- 前記光反射部材は、縦断面において頂上部が鋭角状の尖頭部となっている請求項1乃至4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記透明保護層は、縦断面において頂上部が凸曲面となっている請求項1乃至5のいずれかに記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の光電変換装置を具備する光電変換モジュールであって、
前記光電変換装置が有する複数の前記光電変換素子が、直列または並列に接続された光電変換モジュール。 - 前記複数の光電変換素子の前記透明保護層側に設けられた透光性の表面保護体と、
前記透明保護層と前記表面保護体との間に充填された透光性の表面充填層とをさらに具備する請求項7記載の光電変換モジュール。 - 前記透明保護層と前記表面充填層との間の屈折率差が0.2以下である請求項8記載の光電変換モジュール。
- 前記表面充填層は、前記透明保護層の紫外線吸収帯域を含む紫外線吸収帯域を有する請求項8または9記載の光電変換モジュール。
- 前記透光性の表面保護体と前記表面充填層との間に、
前記透明保護層の紫外線吸収帯域を含む紫外線吸収帯域を有する紫外線吸収層をさらに具備する請求項8乃至10のいずれかに記載の光電変換モジュール。
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