JP2011515866A - 太陽光発電用基板 - Google Patents
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Abstract
太陽電池用の光散乱基板、スーパーストレート、および/または層について本明細書に記載する。これらの構造は、薄膜太陽電池における体積散乱に使用することができる。
Description
本願は、2008年3月25日出願の米国仮特許出願第61/039,398号の優先権の利益を主張する。
実施の形態は一般に太陽電池に関し、さらに詳細には、太陽電池用の光散乱基板およびスーパーストレートに関する。
薄膜シリコン太陽光電池では、光は、シリコン層に効果的に結合し、その後、層に捕捉されて、光吸収のための十分な路程を提供することが有利である。シリコンの厚さよりも光路長が大きいことが特に有利である。
非晶質および微晶質のシリコンを取り込んだ典型的なタンデム電池は、典型的には、基板上に蒸着された透明の電極、非晶質シリコンのトップセル、微晶質シリコンのボトムセル、および、裏面コンタクト電極または対電極を備えた基板を有する。光は、典型的には、基板がセルの構造におけるスーパーストレートとなるように、蒸着基板の側から入射する。
非晶質シリコンは、主に700ナノメートル(nm)未満のスペクトルの可視部で吸収するのに対し、微晶質シリコンは、約1200nmにまで及ぶ、吸収の段階的な減少を伴うバルク結晶型シリコンと同様に吸収する。両方の材料が、散乱の強化および/または透過率の改善を有する表面の利益を受けうる。
透明の電極(透明の導電性酸化物、TCOとしても知られる)は、典型的には、光を非晶質のSiと微晶質のSiに散乱するようにテクスチャー化した、約1μmの厚さを有する、フッ素ドープSnO2(FTO)、あるいは、アルミニウムドープZnOまたはホウ素ドープZnO(それぞれAZOまたはBZO)の膜である。散乱の主な目安は「ヘイズ」と呼ばれ、セルに進入する光線の外側2.5度よりも大きく散乱した光と、セルを透過する全前方光の比として定義される。散乱表面の波長依存性に起因して、ヘイズは、典型的には、300nm〜1200nmの幅広い太陽スペクトル全体にわたり、一定の値にはならない。また、上述のように、光トラッピングは、シリコンの薄層さえも通過する単一光路で吸収される短波長よりも、長波長について、より重要である。
従来の幾つかの太陽光発電用途では、ヘイズは、550nmの波長で測定して約10パーセント〜15パーセントである。しかしながら、散乱分布関数は、単一のパラメータでは捕らえられず、大角散乱は、狭角散乱と比較して、シリコンの路程の強化にとって有益である。異なるタイプの散乱関数についての文献は、大角散乱の改善がセルの性能に重大な影響を有すること示唆している。
TCO表面は、さまざまな技術によってテクスチャー化することができる。FTOでは、例えば、テクスチャーは、膜の沈着に用いられる化学蒸着(CVD)法のパラメータによって調節することができる。AZOまたはBZOでは、典型的には蒸着後に所望の形態を生成するために、プラズマ処理またはウェットエッチングが用いられる。
過去には、ヘイズ値は、典型的には1つの数字として報告されていた。長波長応答は、微晶質シリコンにとって特に重要である。最近になって、波長依存性のヘイズ値が報告されている。散乱は、波長および散乱体の大きさと直接関連することから、波長応答は、テクスチャー化表面上の特徴の大きさを変えることによって改質することができる。単一のテクスチャー内に大小の特徴の大きさを組み合わせて、長波長および短波長の両方に散乱を提供することができる。これらの構造は、改善された透過率を有する光トラッピングの機能をも兼ね備える。他方、非晶質のSiでは、より短い波長が有利である。
テクスチャー化されたTCO技術に伴う不利な点は、次のうち1つ以上を含みうる:1)テクスチャーの粗さは、沈着したシリコンの質を低下させ、電気的短絡を生じ、太陽電池の全体的性能が低下する;2)テクスチャーの最適化は、蒸着またはエッチング法から利用可能なテクスチャーおよび、より厚いTCO層に関連する透過率の低下の両方によって制限される;3)テクスチャーを生み出すためのプラズマ処理またはウェットエッチングは、ZnOの場合には追加費用がかかる。
薄膜シリコン太陽電池についての光トラッピングの必要性に対する別の手法は、シリコン窒化物の蒸着前に、沈着した膜のテクスチャー化ではなく、シリコンの真下の基板のテクスチャー化をすることである。従来の一部の薄膜シリコン太陽電池では、TCOの代わりにビアを用いて、基板と接触するSiの底面で接触させる。一部の従来の薄膜シリコン太陽電池におけるテクスチャリングは、平らなガラス基板上に沈着した結合剤マトリクス上のSiO2粒子からなる。このタイプのテクスチャリングは、典型的には、ゾル−ゲルタイプの工程を使用して行われ、ここで粒子は液体に懸濁され、基板は液体を通ってドローされ、その後に焼結される。ビードは球形の形状を保ち、焼結ゲルによって所定の位置に保持される。
ガラス基板のテクスチャー化の手法に伴う不利点には、次のうち1つ以上が含まれうる:1)ガラスのミクロスフェアの基板への結合をもたらすために、ゾル−ゲル化学および関連する処理を必要とする;2)その処理はガラス基板の両面にテクスチャー化表面を作り出す;3)シリカ・ミクロスフェアおよびゾル−ゲル材料に関する追加の費用がかかる;4)シリコン膜における膜付着および/または亀裂の発生の問題。
TCO蒸着前にテクスチャー化表面を作り出すために、多くの追加の方法が研究されている。これらの方法としては、サンドブラスティング、ポリスチレンミクロスフェア蒸着およびエッチング、および化学エッチングが挙げられる。テクスチャー化表面に関するこれらの方法は、作り出される表面テクスチャーのタイプに関連して制限されうる。
光トラッピングは、約100μm未満のSi厚さを有するバルク結晶Si太陽電池にとって有益である。この厚さでは、単一または二重のパス(反射接触を伴う)において、すべての太陽放射を効率的に吸収するためには不十分である。したがって、光トラッピングを増強するために、大規模な幾何学的構造を有するカバーガラスが開発されている。例えば、EVA(エチレン酢酸ビニル)カプセル材料がカバーガラスとシリコンの間に配置される。このようなカバーガラスの例として、サンゴバン社製のガラスに由来する、Albarino(商標登録)タイプの製品がある。典型的には、この大規模構造を形成するのに圧延工程が用いられる。
特に長い波長において光トラッピングするのに十分な光散乱特性を有する基板を有することが有利であろう。さらには、平面的であることは、例えば、有害な電子的効果なしにその後の膜蒸着を可能にするなど、基板にとって有利であろう。
本明細書に記載の基板は、太陽光発電用途に有用な従来の基板の上述の不利点の1つ以上に取り組むものである。
1つの実施の形態は、
無機マトリクスおよび前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域を含む基板と、
前記基板に隣接する導電体と、
前記導電体に隣接する光起電性の活性媒体と、
を備えた光起電装置である。
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を備えた光起電装置である。
別の実施の形態は、
基板と、
無機マトリクスおよび前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域を含む層と、
導電体と、
前記導電体に隣接する光起電性の活性媒体と、
を備え、
前記層が前記基板と物理的に接触し、前記基板と前記導電体との間に位置する、
光起電装置である。
基板と、
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前記層が前記基板と物理的に接触し、前記基板と前記導電体との間に位置する、
光起電装置である。
本発明のさらなる特性および利点は、以下の詳細な説明に記載され、ある程度はその記載から当業者に容易に明らかとなるか、または明細書および特許請求の範囲、ならびに添付の図面に記載される本発明を実施することによって認識されよう。
前述の概要および後述する詳細な説明は、単に本発明の典型例であって、特許請求の範囲に記載される本発明の本質および特徴を理解するための概観または枠組みを提供することを意図していることが理解されるべきである。
添付の図面は、本発明のさらなる理解をもたらすために含まれ、本明細書に取り込まれ、本明細書の一部を構成する。図面は、本発明の原理および動作を説明する役割をする記述と併せて、本発明の1つ以上の実施の形態を例証している。
本発明は、次の詳細な説明のみ、または添付の図面と共に理解されよう。
これより本発明のさまざまな実施の形態について詳細に述べるが、その例が添付の図面に示されている。図面全体を通して、可能な限り、同一または同様の部分についての言及には、同一の参照番号を使用する。
本明細書では「体積散乱」という用語は、光が通過する材料の屈折率の不均等性によって生じる光の進路における影響として定義することができる。
本明細書では「表面散乱」という用語は、太陽電池における層間の接触面の粗さによって生じる光の進路における影響として定義することができる。
本明細書では「基板」という用語は、太陽電池の構成に応じて、基板またはスーパーストレートのいずれかを説明するために用いられうる。例えば、基板はスーパーストレートであり、太陽電池を組み立てる場合には、太陽電池の光の入射する側に存在する。スーパーストレートは、太陽スペクトルの適切な波長の透過を可能にすると同時に、衝撃および環境の悪化から光起電性の材料を保護するために提供されうる。さらには、複数の太陽電池を光起電性のモジュール内に配置することができる。
本明細書では「隣接」という用語は、近接近しているものとして定義することができる。隣接構造は、互いに物理的接触をしていてもよく、していなくてもよい。隣接構造は、他の層および/またはそれらの間に配置される構造を有しうる。
本明細書では「平面的な」という用語は、実質的に地形的に平らな表面を有するものとして定義することができる。
1つの実施の形態は、図1に示すように、
無機マトリクス18および前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域20を備えた基板10、
前記基板に隣接した導電体12、および
前記導電体に隣接した光起電性の活性媒体14
を備えた、光起電装置100である。
無機マトリクス18および前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域20を備えた基板10、
前記基板に隣接した導電体12、および
前記導電体に隣接した光起電性の活性媒体14
を備えた、光起電装置100である。
1つの実施の形態では、図1に示すように、光起電装置100は、さらに、光起電性の活性媒体14と物理的に接触し、導電体12として光起電性の活性媒体14の反対面22に配置された対電極16を備える。
1つの実施の形態によれば、光起電性の活性媒体は、導電体と物理的に接触する。1つの実施の形態によれば、導電体は、透明導電膜、例えば、透明の導電性酸化物である。透明導電膜はテクスチャー化表面を含みうる。
1つの実施の形態によれば、領域は、1つ以上の粒子、塊(bodies)、球体、沈殿物、結晶、樹枝状結晶、分相成分、分相化合物、気泡、エアライン、空隙、またはそれらの組合せを含む。あるいは、例えば、領域は、多数の粒子、多数の塊、多数の球体、多数の沈殿物、多数の結晶、多数の樹枝状結晶、多数の分相成分、多数の分相化合物、多数の気泡、多数のエアライン、多数の空隙、またはそれらの組合せを含みうる。
1つの実施の形態では、マトリクスは、ガラス、ガラスセラミック、およびそれらの組合せから選択される材料を含む。1つの実施の形態では、領域は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属酸化物、複数の金属の酸化物、およびそれらの組合せから選択される材料を含む。
図2に示すように1つの実施の形態では、光起電装置200は、無機マトリクス28および前記無機マトリクスに配置された光散乱特性を有する領域26を含む、層24をさらに備え、ここで、前記層は前記基板10と物理的に接触し、前記基板10と前記導電体12の間に配置される。
一部の実施の形態によれば、層は、1mm以下の厚さ、例えば800μm未満、例えば500μm未満、例えば250μm未満、例えば100μm未満、例えば50μm未満、例えば25μm未満、例えば15μm未満、例えば10μm未満である。別の実施の形態によれば、層は1μm以上の厚さ、例えば1μm〜10μmである。
一部の実施の形態では、光起電性の活性媒体は多数の層を含む。例えば、多数の層は、例えばSiセルに1つ以上のpn接合を含みうる。1つの実施の形態では、光起電性の活性媒体は、タンデム接合、CdTe、または銅のインジウムガリウム(di)セレン化物(CIGS)を含む。
図3に示す別の実施の形態は、
基板30、
無機マトリクス28および前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域26を含む層32、
導電体12、および
前記導電体に隣接した光起電性の活性媒体14
を備え、
前記層が前記基板30と物理的に接触し、前記基板と前記導電体の間に配置される、
光起電装置300である。
基板30、
無機マトリクス28および前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域26を含む層32、
導電体12、および
前記導電体に隣接した光起電性の活性媒体14
を備え、
前記層が前記基板30と物理的に接触し、前記基板と前記導電体の間に配置される、
光起電装置300である。
一部の実施の形態によれば、層の厚さは1mm以下であり、例えば800μm未満、例えば500μm未満、例えば250μm未満、例えば100μm未満、例えば50μm未満、例えば25μm未満、例えば15μm未満、例えば10μm未満である。別の実施の形態によれば、層の厚さは1μm以上であり、例えば1μm〜10μmである。
1つの実施の形態では、図3に示すように、光起電装置300は、光起電性の活性媒体14と物理的に接触し、導電体12として光起電性の活性媒体14の反対面に位置する対電極16をさらに備える。
図3に示す実施の形態では、基板は、体積散乱特性を含んでも含まなくてもよい。1つの実施の形態によれば、基板は平らである。1つの実施の形態によれば、基板は、ガラス、ガラスセラミック、およびそれらの組合せから選択される材料を含む。
上述のように、従来のシリコン太陽電池は、シリコン層内に光の向きを変え、光子の路程を増強する手段として、構造化表面を利用する。別の方法は、平らな基板内の体積散乱の利用である。これらの材料は、光拡散用途に使用されている。一般的な例として、乳白色の(オパール)ガラスおよびガラスセラミックが挙げられる。
1つの実施の形態では、基板は、無機マトリクスの体積全体に分散した複数の領域を含む。別の実施の形態では、基板は、無機マトリクスの体積の一部に分散した複数の領域を含む。例えばTCOなど、その後の蒸着のために平面を維持しつつ、基板内における散乱領域のパターン化する利点が存在しうる。
一部の実施の形態では、基板は、厚さ全体にわたり最上部から最下部まで、厚さ全体にわたり左から右まで、厚さの一部にわたり最上部から最下部まで、厚さの一部にわたりわたり左から右まで、またはそれらの組合せの勾配で配置される領域を含む。1つまたは複数のパターンで配置された領域は、その1つまたは複数のパターン内に前述の勾配を含みうる。領域を有する基板10の典型的な実施の形態を、図4a、図4b、図4c、および図4dに示す。マトリクス材料、領域構造、領域材料、および領域の配置は、一部の実施の形態によれば、前述のものと同一でありうる。
パターン化領域を有する基板または層は、基板の非散乱部分に光トラッピングを提供すると同時に、Si内にも光トラッピングを提供しうる。さまざまな実施の形態では、散乱層は、薄層化、薄層溶融、薄膜蒸着、または光誘発型の結晶化(例えば「Fota−Lite」)によって形成されうる。1つの実施の形態では、散乱層または膜は、平面化した薄層に高インデックス(または低インデックス)の微粒子またはミクロスフェアを埋め込むことによって形成されうる。1つの実施の形態では、バルクまたは薄層体積散乱材料は、分相したガラスまたはガラスセラミックである。
体積散乱基板および/または層としての使用には、さまざまな材料が適している。適切な材料としては、限定はしないが、例えば、ムライト、β−水晶、ウイレマイト、カナサイト、およびDicor(商標)などのガラスセラミック;限定はしないが、例えば、バリウムオパール、バリウムケイ酸塩オパール、フッ化物オパール、およびケイ酸鉛オパールなどの分相したガラス(例えばオパール);限定はしないが、例えば、Fotalite(商標)およびFotaForm(商標)(Corning Incorporated社から市販されている)などの感光性のガラス;光屈折性の材料(ガラス、ガラスセラミック、および結晶を含む)が挙げられる。
これらの材料のそれぞれにおいて、散乱粒子は、均質の材料からインサイチュ(in situ)で形成されるか、または複合体混合物を生成するように加える。材料は、熱加工技術(例えば加熱)、化学処理技術(例えばイオン交換)および/または感光性の技術(例えばUV、紫外線、および/またはレーザ露光)を含めた適切な加工技術によって溶融されうる。一部の実施の形態では、体積散乱構造は、例えば、フォトリソグラフィー技術によって材料を物理的に配向させることによって(伸張などの機械的手段、または基板に温度勾配を適用するなどの熱的手段により)、または表面層のイオン交換によって、形成される。1つの実施の形態では、加工技術は、基板材料の相分離を引き起こす。1つの実施の形態では、加工技術は、基板に沈殿物を生じる。1つの実施の形態では、加工技術は結果的に2相媒質を生じる。
例えば「FotaLite」などの感光性のガラスでは、体積散乱領域または領域の深さおよびパターンは、曝露する時間、面積、および強度を調節することによって調節することができる。
基板の所望の特性(例えば、散乱角度、透過速度、および波長依存)に応じて、幅広い材料が使用されうる。PV用途では、望ましい特性としては、典型的には、幅広い角度散乱、高い透過速度、および波長の非依存性が挙げられる。それらの特性のそれぞれは、散乱粒径、形状、および分布の影響を受ける。図5、図6、および図7に、それぞれ、macor、ムライト、および「Fota−Lite」の材料の典型的な粒子の形状および大きさを示す。これらの材料は基板として、または層として使用することができ、あるいは、基板および層に、または基板および層のために使用することができる。
1つの実施の形態では、PV電池の性能を低下させるほど粗い表面を生じることなく、全般的な最適性能について、基板内における体積散乱を、粗表面(粗面化TCOに由来するなど)から得られた散乱と組み合わせる。1つの実施の形態では、異なる屈折率(TCO〜2.0、Si〜4)を有する平面材料から予想されるフレネル反射を低減するために、粗いTCOが提供される。
TCOをEVAに代えた、薄い(<〜100μm)バルクSiの事例では、Siははるかに厚くなる。薄膜Siの場合のように、透過率と光トラッピングに必要な散乱との間には、トレードオフが存在する。これらの厚さにおける光トラッピングの要件はSiが吸収する最長波長についてのみであることから、可視波長における高い透過率は、この事例ではさらに重要な傾向にある。
1つの実施の形態によれば、基板は平面的である。1つの実施の形態では、層は平面的である。別の実施の形態によれば、基板と層の組合せは平面的である。体積散乱の利点の1つは、光散乱のための平らな基板が構造化基板の電気的欠陥および結晶成長欠陥を克服することである。シリコンの性質改善は、直接、太陽電池の性能改善につながる。透明の導電性電極を必要とする薄膜技術では、TCOは二相性の(bimodal)テクスチャーを示す必要はなく、したがって、オンラインおよび連続的なCVDシステムを使用して費用効率よく配置することができる。さらに、活性なSi薄膜の厚さは、潜在的に微調整され、モジュールの蒸着費用が最小限になるように低減されうる。
透明の導電性電極を必要としない薄膜技術では、光閉じ込めシステムは、ガラス基板内に直接統合され、それによってモジュール製造工程数を最小限にし、耐久性がよく費用効率が高い溶液をもたらす。薄いバルクSi太陽電池では、平らな散乱基板は、環境に曝露され、埃を蓄積する傾向のあるスーパーストレートの上に、テクスチャーなしに光トラッピングを提供するという利点をもたらす。散乱基板を製作するために選択する方法に応じて、実施の形態は、基板(1つの実施の形態では、例えば、溶融形成可能な乳白色のガラス基板)の形成後に、その後の加工段階を必要としないという利点ももたらす。下記の製作方法は、Corning Incorporated社によってディスプレイ用途として現在製造されているものなど、非常に大規模な溶融形成可能な基板に適合する。
体積散乱基板は、非常に拡散した光分布を生じさせることができる。薄膜太陽光発電(PV)用途では、体積散乱基板の実施の形態は、入射光の吸収を可能にする十分な透過を提供する。これは、光透過率および光トラッピングの競合要件にとって最適量の散乱が存在することを暗示している。
分散型の体積散乱、単純化したセルアーキテクチャを有する基板の性能を評価するため、基板および該基板上の1μmのSiで構成されるようにモデル化した。さらには、裏面コンタクトが実施されるであろう領域に、100%反射する裏面を有するように、Siの裏側をモデル化した。ガラス基板の厚さは0.7mmであった。このモデルでは、TCOの影響を無視した。散乱粒子は、50nm〜2000nmの範囲で変化し、屈折率1.51のガラスにおいて、2.1または1.8の屈折率を有する直径で定義される。各粒径について、達成可能な最大電流密度(MACD)が最大化するように密度を変化させた。MACDは次の式Iによって定義される:
ここで、qは素電荷であり、hはプランク定数であり、cは真空における光の速さであり、Aは波長の関数としてのSiにおける吸収率であり、IAM1.5Gは太陽スペクトルであり、λは波長である。300nm〜1200nmで積分を行う。MACDの使用により、Siが吸収したすべての光子が電子に転換される。これは、材料および装置の電気的特性を無視した、明らかに理想的な事例である。しかしながら、それは、装置構造の集光の有効性を特徴付ける。Optical Research Associates社によるLightToolsでモデルを構築し、その後Si吸収率を計算し、LightToolsの外側でMACDを行う。
n=1.8を有する粒子では、同様のパーセントの改善が見られた。
200nm、500nm、および2000nmの粒子間のMACDにおけるわずかな変化は、シミュレーションの誤差の範囲内でありうる。粒子の屈折率は、結果に重大な影響を与えないが、最適な粒子密度を変化させる。散乱を有さない基板についてのパーセント改善を表に示す。これらは予備段階における結果であり、平らな非散乱基板に対する大幅な改善が可能であることを示唆している。
図8は、n=1.51を有する材料における、n=2.1の粒子の500nmの粒径を使用した、最良のPV電池性能についての粒子密度の最適化の例を提示しており(MACDによって決定する)、ここでnは屈折率である。粒子密度を1e6〜1e7の粒子密度(1/mm3)で変化させた。結晶線シリコンの1μmの層についての最適な粒子密度は5e6の粒子密度(1/mm3)であることが判明した。MACDを計算するための被積分関数を、3つの異なる粒子密度についてプロットした。プロットは、低い粒子密度では、特により長い波長で低い値を示しており、最適な粒子密度ではすべての波長で高い値を示し、高い粒子密度では短波長で低い値、長波長で高い値を示している。線34は1e6の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する透過率を示す。線36は5e6の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する透過率を示す。線38は粒子密度(1/mm3)of1e7の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する透過率を示す。
透過率、反射率、および散乱特性を評価するために、これらの粒子密度に関連するガラスを空気中のスラブとしてモデル化した。粒子密度の関数としての全透過率を図9のグラフに示す。粒子密度が増大するにつれて、スラブを透過する全透過率は予想通りに低下する。これは、上述の被積分関数における波長依存性の特性にシフトを生じる。より長い波長における透過率の低下は、ガラス/Si接触面からSiの方に反射する光の方向を変えることによって、長波長におけるSiの吸収率を増強する。この利益は、短波長の透過率の低下のオフセットであり、したがって、吸収率はこれら2つの影響のバランスを取る最適点をもたらす。線44は、1e6の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する被積分関数を示している。線40は、5e6の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する被積分関数を示している。線42は、1e7の粒子密度(1/mm3)についての波長に対する被積分関数を示している。
5e6の最適化粒子密度について、透過率および反射率を図10のグラフに示し、ここで、線46は透過率であり、線48は反射率である。角散乱の幅広いペデスタルを有する強い正反射性ピークを示す、最適化粒子密度についての対応する角度強度のプロットを図11のグラフに示す。線50は透過散乱であり、線52は反射散乱である。
図12は、感光性のガラスを使用した、1つの実施の形態に従った、基板における透過率の波長に対するグラフである。この実施例では、感光性のガラスは、2mmの厚さの「Fota−Lite」であり、10mJoules/パルスを用いて248nmで曝露される。線54は、10パルスに曝露したガラスの全透過率を示している。線54aは、10パルスに曝露したガラスの拡散透過率を示している。線55は、12パルスに曝露したガラスの全透過率を示している。線55aは、12パルスに曝露したガラスの拡散透過率を示している。線56は、15パルスに曝露したガラスの全透過率を示している。線56aは、15パルスに曝露したガラスの拡散透過率を示している。
図13は、400nm、600nm、800nm、および1000nmの波長の12パルスに曝露した「Fota−Lite」についての角度に対する角度強度、余弦補正双方向伝送関数(ccBTDF)のグラフである。図13のグラフは、幅広い角散乱を有する正反射性ピークがほとんどまたは全くないことを示している。
図14は、1つの実施の形態に従って、TiO2粒子を含む、複合ガラスマトリクスを備えた層についての全透過率の波長に対するグラフである。1パーセント、2.5パーセント、5パーセント、および7.5パーセントのTiO2を含んだ層のサンプルを作製した。1パーセント、2.5パーセント、5パーセント、および7.5パーセントのTiO2を含んだ層の全透過率は、それぞれ、線58、線60、線62、および線64によって示されている。
図15は、1つの実施の形態に従って、TiO2粒子を含む、複合ガラスマトリクスを備えた層についての拡散透過率の波長に対するグラフである。1パーセント、2.5パーセント、5パーセント、および7.5パーセントのTiO2を含んだ層のサンプルを調製した。1パーセント、2.5パーセント、5パーセント、および7.5パーセントのTiO2を含む層の拡散透過率は、それぞれ、線66、線68、線70、および線72で示している。
図16は、450nm、600nm、および800nmの波長についての1パーセントのTiO2を含む層の、角度に対する角度強度、余弦補正双方向伝送関数(ccBTDF)のグラフである。
ヘイズは、拡散透過率の全透過率に対する比を計算することによって決定することができる。
本発明の精神または範囲から逸脱することなく、本発明にさまざまな変更およびバリエーションをなしうることは、当業者には明白であろう。よって、本発明の変更およびバリエーションが添付の特許請求の範囲およびそれらの等価物の範囲内に入ることを条件に、本発明がそれらにも及ぶことが意図されている。
Claims (10)
- 無機マトリクスおよび前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域を含む基板と、
前記基板に隣接する導電体と、
前記導電体に隣接する光起電性の活性媒体と、
を備えた、光起電装置。 - 前記導電体が透明導電膜であることを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記透明導電膜がテクスチャー化表面を含むことを特徴とする請求項2記載の装置。
- 無機マトリクスおよび、前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域を含む層をさらに備え、
前記層が、前記基板と物理的に接触し、前記基板と前記導電体との間に位置することを特徴とする請求項1記載の装置。 - 前記マトリクスが、ガラス、ガラスセラミック、およびそれらの組合せから選択される材料を含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記領域が、1つ以上の粒子、塊、球体、沈殿物、結晶、樹枝状結晶、分相成分、分相化合物、気泡、エアライン、空隙またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項1記載の装置。
- 前記領域が、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属酸化物、複数の金属の酸化物、およびそれらの組合せから選択される材料を含むことを特徴とする請求項6記載の装置。
- 基板と、
無機マトリクスおよび、前記無機マトリクスに配置される光散乱特性を有する領域を含む層と、
導電体と、
前記導電体に隣接する光起電性の活性媒体と、
を備え、
前記層が、前記基板と物理的に接触し、前記基板と前記導電体との間に位置する、
光起電装置。 - 前記領域が、粒子、塊、球体、沈殿物、結晶、樹枝状結晶、分相成分、分相化合物、気泡、エアライン、空隙またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項8記載の装置。
- 前記領域が、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属酸化物、複数の金属の酸化物、およびそれらの組合せから選択される材料を含むことを特徴とする請求項9記載の装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012160862A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
JP2015181132A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-10-15 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | 増加ヘイズを有するナノ構造系透明導電体およびそれを備えるデバイス |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090301562A1 (en) * | 2008-06-05 | 2009-12-10 | Stion Corporation | High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method |
US8425985B2 (en) | 2008-08-22 | 2013-04-23 | Corning Incorporated | Method for particulate coating |
US20110017257A1 (en) * | 2008-08-27 | 2011-01-27 | Stion Corporation | Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices |
US20100051090A1 (en) * | 2008-08-28 | 2010-03-04 | Stion Corporation | Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method |
US20100078059A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Stion Corporation | Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell |
US8232134B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-07-31 | Stion Corporation | Rapid thermal method and device for thin film tandem cell |
US8563850B2 (en) | 2009-03-16 | 2013-10-22 | Stion Corporation | Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration |
US10581020B2 (en) * | 2011-02-08 | 2020-03-03 | Vitro Flat Glass Llc | Light extracting substrate for organic light emitting diode |
US8663732B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-03-04 | Corsam Technologies Llc | Light scattering inorganic substrates using monolayers |
BR112012029813A2 (pt) * | 2010-05-26 | 2017-03-07 | Univ Toledo | estrutura de célula fotovoltaica, método para fazer uma camada de interface de dispersão de luz para uma célula fotovoltaica e estrutura de célula fotovoltaica (pv) tendo uma camada de interface de dispersão |
KR101732626B1 (ko) | 2010-06-29 | 2017-05-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 박막 태양 전지용 기판 |
JP2012020389A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Oji Paper Co Ltd | 単粒子膜被覆ロールの製造方法、凹凸形成ロールの製造方法、凹凸形成フィルムの製造方法および単粒子膜被覆装置 |
WO2012030696A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Corning Incorporated | Process for particle doping of scattering superstrates |
US20120061836A1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Tao Companies Llc | SPRAY PYROLYSIS OF Y-DOPED ZnO |
US8760760B2 (en) * | 2010-09-30 | 2014-06-24 | Reald Inc. | Cleanable coating for projection screen |
TWI572947B (zh) | 2010-11-30 | 2017-03-01 | 康寧公司 | 具有光擴散玻璃面板之顯示裝置 |
US9346709B2 (en) | 2011-05-05 | 2016-05-24 | Corning Incorporated | Glass with high frictive damage resistance |
CN102983181A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 杜邦太阳能有限公司 | 光电转换模块 |
US8916409B2 (en) * | 2011-10-18 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device using nano-spheres for textured electrodes |
EP2597681A1 (de) * | 2011-11-22 | 2013-05-29 | Holtmann & Stierle Chemie GmbH | Schutzschicht für Photovoltaikmodule, sowie Verfahren zu deren Herstellung |
CN103137739A (zh) * | 2011-11-30 | 2013-06-05 | 杜邦太阳能有限公司 | 可切换照明功能的太阳能电池组件及bipv幕墙 |
US8901544B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-12-02 | Corning Incorporated | Organic thin film transistor with ion exchanged glass substrate |
FR2985374A1 (fr) * | 2011-12-26 | 2013-07-05 | Solsia | Panneau photovoltaique a diodes montees en parallele a structure centrale diffusante et structure arriere reflechissante |
KR20150036268A (ko) | 2012-06-29 | 2015-04-07 | 코닝 인코포레이티드 | 반도체 공정용 유리-세라믹 기판 |
US11352287B2 (en) * | 2012-11-28 | 2022-06-07 | Vitro Flat Glass Llc | High strain point glass |
TWI656022B (zh) | 2013-11-13 | 2019-04-11 | 美商康寧公司 | 疊層玻璃物件及其製造方法 |
US10125418B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-11-13 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Method for the preparation of Ag/C nanocomposite films by laser-induced carbonization of alkane |
US9761817B2 (en) | 2015-03-13 | 2017-09-12 | Corning Incorporated | Photo-patternable gate dielectrics for OFET |
US10112209B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-10-30 | VITRO S.A.B. de C.V. | Glass drawdown coating system |
US9859477B2 (en) * | 2016-01-15 | 2018-01-02 | Corning Incorporated | Method of forming light emitting diode with high-silica substrate |
TW202036060A (zh) * | 2018-11-12 | 2020-10-01 | 美商康寧公司 | 包括圖案化反射器之背光、擴散板及製造背光之方法 |
US11226548B2 (en) * | 2019-05-20 | 2022-01-18 | Reald | Polarizing preserving front projection screen with protrusions |
CN112271227A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-26 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种提高空间用太阳电池转换效率的玻璃盖片 |
TWI755286B (zh) * | 2021-02-23 | 2022-02-11 | 歆熾電氣技術股份有限公司 | 塗佈方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4190321A (en) * | 1977-02-18 | 1980-02-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microstructured transmission and reflectance modifying coating |
US4206979A (en) * | 1977-03-28 | 1980-06-10 | Grumman Aerospace Corporation | Electro-optic modulator |
US4377723A (en) * | 1980-05-02 | 1983-03-22 | The University Of Delaware | High efficiency thin-film multiple-gap photovoltaic device |
US4407695A (en) * | 1981-12-31 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Natural lithographic fabrication of microstructures over large areas |
US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
US4514582A (en) * | 1982-09-17 | 1985-04-30 | Exxon Research And Engineering Co. | Optical absorption enhancement in amorphous silicon deposited on rough substrate |
US4517581A (en) * | 1982-11-16 | 1985-05-14 | Itt Industries, Inc. | Photodetector |
US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
JPS59127879A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置およびその作製方法 |
JPH0680837B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1994-10-12 | 通商産業省工業技術院長 | 光路を延長した光電変換素子 |
JPS6068663A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US4614835A (en) * | 1983-12-15 | 1986-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Photovoltaic solar arrays using silicon microparticles |
US4956685A (en) * | 1984-12-21 | 1990-09-11 | Licentia Patent-Verwaltungs Gmbh | Thin film solar cell having a concave n-i-p structure |
US4801476A (en) * | 1986-09-24 | 1989-01-31 | Exxon Research And Engineering Company | Method for production of large area 2-dimensional arrays of close packed colloidal particles |
JPS63171671A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-07-15 | エクソン リサーチ アンド エンヂニアリング コムパニー | 密にパックされたコロイド粒子の大面積・2次元配置物の製造法 |
JPH0381932A (ja) * | 1989-05-23 | 1991-04-08 | Toshiba Corp | 蛍光面とその製造方法及びx線イメージ管 |
US5656098A (en) * | 1992-03-03 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic conversion device and method for producing same |
JP2756050B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1998-05-25 | キヤノン株式会社 | 光起電力装置 |
US5261970A (en) * | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Sverdrup Technology, Inc. | Optoelectronic and photovoltaic devices with low-reflectance surfaces |
US6008449A (en) * | 1997-08-19 | 1999-12-28 | Cole; Eric D. | Reflective concentrating solar cell assembly |
AUPP699798A0 (en) * | 1998-11-06 | 1998-12-03 | Pacific Solar Pty Limited | Thin films with light trapping |
JP2001060702A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置 |
DE20100043U1 (de) * | 2001-01-02 | 2001-09-27 | Schmidt Tudl Arnold | Lichtelement für eine Lichtdachkonstruktion |
US6750393B2 (en) * | 2001-06-25 | 2004-06-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Back reflector of solar cells |
AUPR719801A0 (en) * | 2001-08-23 | 2001-09-13 | Pacific Solar Pty Limited | Glass beads coating process |
JP2003124491A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
WO2003080530A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Substrat de verre et processus de production de ce substrat |
US6660930B1 (en) * | 2002-06-12 | 2003-12-09 | Rwe Schott Solar, Inc. | Solar cell modules with improved backskin |
CN100584921C (zh) * | 2002-09-05 | 2010-01-27 | 奈米系统股份有限公司 | 促进电荷转移至纳米结构或自纳米结构转移出电荷的有机物 |
US6737364B2 (en) * | 2002-10-07 | 2004-05-18 | International Business Machines Corporation | Method for fabricating crystalline-dielectric thin films and devices formed using same |
JP3934025B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2007-06-20 | 大日本印刷株式会社 | 多層配線基板 |
CN1166725C (zh) * | 2002-12-19 | 2004-09-15 | 上海交通大学 | 固态基底表面有序排布纳米颗粒的方法 |
DE10346197B4 (de) * | 2003-09-30 | 2006-02-16 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer solchen und Verwendung |
CN1635372A (zh) * | 2003-12-25 | 2005-07-06 | 电子科技大学 | 电子聚合物气体传感器阵列及其制备方法 |
WO2006005889A1 (fr) * | 2004-07-07 | 2006-01-19 | Saint-Gobain Glass France | Cellule solaire photovoltaique et module solaire |
WO2006017585A1 (en) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Fusion Optix, Inc. | Multi-region light scattering element |
US7453635B2 (en) * | 2004-08-10 | 2008-11-18 | Fusion Optix Inc. | Imaging material with improved contrast |
WO2006026743A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Fusion Optix, Inc. | Enhanced light diffusing sheet |
JP4959127B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2012-06-20 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置用基板 |
JP4623440B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-02-02 | 康郎 新留 | ナノ粒子配向薄膜の製造方法 |
US20060237236A1 (en) * | 2005-04-26 | 2006-10-26 | Harold Sreshta | Composite structure having a non-planar interface and method of making same |
KR100695111B1 (ko) * | 2005-06-18 | 2007-03-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 강유전체 냉음극 및 이를 구비한 강유전체 전계방출소자 |
DE102005058759B4 (de) * | 2005-12-05 | 2009-11-05 | Schott Ag | Glaskeramik, Verfahren zur Herstellung einer Glaskeramik und deren Verwendung |
US7466075B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-12-16 | Eastman Kodak Company | OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer |
JP2007260666A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-10-11 | Eintesla Inc | 積層薄膜の同時形成方法 |
WO2008001670A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Oji Paper Co., Ltd. | Masque de gravure de film monoparticulaire et son procédé de production, procédé de production d'une structure fine avec un masque de gravure de film monoparticulaire et structure fine obtenue à l'aide du procédé de production |
WO2008012079A1 (de) * | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg | Organische solarzelle |
US9040816B2 (en) * | 2006-12-08 | 2015-05-26 | Nanocopoeia, Inc. | Methods and apparatus for forming photovoltaic cells using electrospray |
-
2009
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- 2009-03-25 EP EP09723659A patent/EP2259877A2/en not_active Withdrawn
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- 2009-03-25 US US12/517,331 patent/US20100307552A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015181132A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-10-15 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | 増加ヘイズを有するナノ構造系透明導電体およびそれを備えるデバイス |
WO2012160862A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2012-11-29 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
JPWO2012160862A1 (ja) * | 2011-05-23 | 2014-07-31 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009120344A3 (en) | 2010-10-07 |
WO2009120344A2 (en) | 2009-10-01 |
KR20110007151A (ko) | 2011-01-21 |
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WO2009120330A2 (en) | 2009-10-01 |
CN102017171A (zh) | 2011-04-13 |
TW201004719A (en) | 2010-02-01 |
JP2011515216A (ja) | 2011-05-19 |
EP2257989A2 (en) | 2010-12-08 |
KR20100125443A (ko) | 2010-11-30 |
AU2009229343A1 (en) | 2009-10-01 |
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