JP2008066333A - 太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池 - Google Patents
太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板1上に凹凸構造を有する凹凸層2を形成し、前記凹凸構造が、直径410nm〜1190nmの開口面を有する略半球形状または円錐形状のホールであり、前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、30nm〜590nmであり、かつ前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.08〜0.19である太陽電池用基板、その製造方法並びにそれを用いた太陽電池。
【選択図】図1
Description
前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、30nm〜590nmであり、かつ
前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.08〜0.19であることを特徴とする太陽電池用基板である。
請求項2に記載の発明は、前記基板上に設けられた凹凸構造が、前記基板上に凹凸層を設けることにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用基板である。
請求項3に記載の発明は、前記凹凸層が、透明導電性材料であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池用基板である。
請求項4に記載の発明は、前記透明導電性材料が、ZnOまたはSnO2であることを特徴とする請求項3に記載の太陽電池用基板である。
請求項5に記載の発明は、前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドおよびポリアリレートから選ばれたフィルム、または、前記フィルムの二種以上を積層した複合フィルムからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の太陽電池用基板である。
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の太陽電池基板の前記凹凸構造上に、1層以上の光電変換層が設けられてなることを特徴とする太陽電池である。
請求項7に記載の発明は、光入射面にテクスチャーを有し、
前記テクスチャーの高さの二乗平均値が20nm〜590nmであり、
前記テクスチャーの平均線と前記テクスチャー表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.11〜0.29であることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池である。
請求項8に記載の発明は、前記光電変換層の活性層として、結晶質シリコン、アモルファスシリコン、または、シリコン合金が用いられていることを特徴とする請求項6または7に記載の太陽電池である。
請求項9に記載の発明は、請求項3〜5のいずれかに記載の太陽電池用基板の製造方法であって、前記透明導電性材料をエッチングして凹凸構造を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池用基板の製造方法である。
光電変換層での光吸収量の増加と、光電変換効率の向上は等価である。光電変換効率の向上により、光電変換層の膜厚を薄くすることができ、その結果、製造コストを削減することができる。
さらに好ましい凹凸構造は、(1)直径700nm〜900nmの開口面を有する略半球形状または円錐形状のホールであり、(2)前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、200nm〜400nmであり、かつ(3)前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.12〜0.15である。
このようにして得られた光電変換層は、凹凸層2とは逆の面の光入射面にテクスチャーを有する構造となる。テクスチャーは、その高さの二乗平均値が20nm〜590nmであり、前記テクスチャーの平均線と前記テクスチャー表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.11〜0.29であることが、光閉じ込め効果上、好ましい。
まず、ポリイミドフィルム((宇部興産社製(登録商標)ユーピレックス)上に、マグネトロンスパッタリング法により温度150℃下においてZnOを厚さ500nmとなるように積層した。
凹凸層に凹凸構造を設けなかった以外は、実施例1と同様に太陽電池を作製し、実施例1と同様に電池特性を測定した。
ZnO表面のホールにおいて、開口直径を200〜400nm、凹凸構造の高さの二乗平均値を10〜25nm、tanθを0.05〜0.07に調整したこと以外は、実施例1と同様に太陽電池を作製し、実施例1と同様に電池特性を測定した。
ZnO表面のホールにおいて、開口直径を1200〜1300nm、凹凸構造の高さの二乗平均値を40〜150nm、tanθを0.12〜0.18に調整したこと以外は、実施例1と同様に太陽電池を作製し、実施例1と同様に電池特性を測定した。
ZnO表面のホールにおいて、開口直径を500〜1000nm、凹凸構造の高さの二乗平均値を40〜150nm、tanθを0.20〜0.25に調整したこと以外は、実施例1と同様に太陽電池を作製し、実施例1と同様に電池特性を測定した。
Claims (9)
- 基板上に凹凸構造を有し、前記凹凸構造が、直径410nm〜1190nmの開口面を有する略半球形状または円錐形状のホールであり、
前記凹凸構造の高さの二乗平均値が、30nm〜590nmであり、かつ
前記凹凸構造の平均線と前記凹凸表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.08〜0.19であることを特徴とする太陽電池用基板。 - 前記基板上に設けられた凹凸構造が、前記基板上に凹凸層を設けることにより形成されていることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用基板。
- 前記凹凸層が、透明導電性材料であることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池用基板。
- 前記透明導電性材料が、ZnOまたはSnO2であることを特徴とする請求項3に記載の太陽電池用基板。
- 前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミドおよびポリアリレートから選ばれたフィルム、または、前記フィルムの二種以上を積層した複合フィルムからなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の太陽電池用基板。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の太陽電池基板の前記凹凸構造上に、1層以上の光電変換層が設けられてなることを特徴とする太陽電池。
- 光入射面にテクスチャーを有し、
前記テクスチャーの高さの二乗平均値が20nm〜590nmであり、
前記テクスチャーの平均線と前記テクスチャー表面とがなす傾斜角をθとしたとき、tanθが0.11〜0.29であることを特徴とする請求項6に記載の太陽電池。 - 前記光電変換層の活性層として、結晶質シリコン、アモルファスシリコン、または、シリコン合金が用いられていることを特徴とする請求項6または7に記載の太陽電池。
- 請求項3〜5のいずれかに記載の太陽電池用基板の製造方法であって、前記透明導電性材料をエッチングして凹凸構造を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池用基板の製造方法。
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2006
- 2006-09-04 JP JP2006239348A patent/JP2008066333A/ja active Pending
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