JP2003273386A - 情報記録媒体用太陽電池および情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明では可撓性を有しかつ軽量で安価な情報
記録媒体の補助電源用太陽電池を提供する情報記録媒体
用太陽電池と情報記録媒体が望まれていた。 【解決手段】可撓性基材上に光電変換素子が設けられて
いる事を特徴とする情報記録媒体用太陽電池を提供す
る。これにより基材自体に可撓性を持たせることで情報
記録媒体の補助電源として用いた場合に、情報記録媒体
を湾曲させても太陽電池が割れることはない。また、可
撓性基材が有機プラスチックフィルムであることを特徴
とする請求項１記載の情報記録媒体用太陽電池を提供す
る。これにより有機プラスチックフィルムを用いること
で安価でかつ軽量な太陽電池を提供することができる

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電磁波等を通信媒体
としてデータの送受を行うことも可能な非接触型に限ら
ず、接触型およびハイブリッド型等の各種情報記録媒体
用の補助電源等の電源用太陽電池およびそれを用いた情
報記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、データの送受を通信で行う機能を
持つ非接触情報記録媒体や、データの送受を通信で行う
機能の他にも接触もしくは有線でデータの送受を行う機
能を持つ各種情報記録媒体は電池等の電源を持っている
電池内蔵式のものと、全く電池等を持たず、外部からの
電磁波の電磁結合などによって電力の供給を受ける電池
レス式のものがある。

【０００３】常にその電源を使用する非接触式の電池内
蔵式の情報記録媒体における、端末機との電送処理にお
いては、特に電池を消耗する場合が多い。また、ノイズ
等による誤作動により著しく電池を消耗する場合もあ
る。

【０００４】更にカード厚０．８ｍｍ程度の情報記録媒
体においては電池子交換可能な構造とすることは困難な
ことから、その寿命がつきれば情報記録媒体を廃棄しな
ければならずその経済性に大きな問題があった。

【０００５】また電池を持っていない電池レス式の情報
記録媒体においては、端末（リーダ／ライタ）との電送
処理の際だけ、端末（リーダ／ライタ）より受電し、処
理を継続可能としていた。

【０００６】しかしながら、受電可能な距離を逸脱する
と、処理が中断するため、次の使用時に通常の利用がで
きないばかりか、データの書き込み処理の状態によって
は、記録データに復活できないダメージを与える場合も
考えられる。

【０００７】こういった問題を解決するために、例えば
特開２００１−６７４４６号公報に情報記録媒体の補助
電源として太陽電池を用いる試みがなされている。

【０００８】しかしながら従来の太陽電池は単結晶Ｓｉ
等の半導体エウファーを用いるか、ガラス基板の上に薄
膜太陽電池を積層ものが多く、このような太陽電池を情
報記録媒体に用いると、太陽電池が可撓性を持たないた
めに情報記録媒体を湾曲させた際に割れてしまうという
問題があった。

【０００９】またガラスや太陽電池素子自体の厚さが厚
すぎて情報記録媒体の中に好適に設けられない上に、太
陽電池が重いため情報記録媒体の重量が上がってしまう
という問題もあった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、かかる
従来の非接触型で代表される各種情報記録媒体電源、特
に補助電源用太陽電池の欠点を解消せんと鋭意検討の結
果、本発明に到達した。

【００１１】本発明では可撓性を有しかつ軽量で安価な
情報記録媒体、特に非接触情報記録媒体の補助電源用等
の電源に用いられる太陽電池を提供することを課題とし
ている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めになされた請求項１に記載の発明は、可撓性基材上に
光電変換素子が設けられている事を特徴とする情報記録
媒体用太陽電池を提供するものである。

【００１３】基材自体に可撓性を持たせることで情報記
録媒体の補助電源として用いた場合に、情報記録媒体を
湾曲させても太陽電池が割れることはない。

【００１４】また、請求項２記載の発明は、両面が透明
であることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体用
太陽電池を提供するものである。

【００１５】両面が透明であるため、どちらか一方の面
からしか光が入射しなくても発電できる。

【００１６】また請求項３記載の発明は、可撓性基材が
有機プラスチックフィルムであることを特徴とする請求
項１または２記載の情報記録媒体用太陽電池を提供する
ものである。

【００１７】有機プラスチックフィルムを用いることで
安価でかつ軽量な太陽電池を提供することができる。

【００１８】また請求項４記載の発明は、請求項１また
は２または３記載の太陽電池を備えている事を特徴とす
る情報記録媒体を提供するものである。。

【００１９】このような太陽電池を用いることで、軽量
かつ安価で可撓性を持つ補助電源等の電源つき情報記録
媒体を実現できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に本発明について詳細に説明
する。

【００２１】まず、本発明の太陽電池の可撓性基材とし
ては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテ
ルスルホン、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロ
ース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン−テ
トラフルオロエチレン共重合樹脂、耐候性ポリエチレン
テレフタレート、耐候性ポリプロピレン、ガラス繊維強
化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネ
ート、ポリイミド、透明性ポリイミド、フッ素系樹脂、
環状ポリオレフィン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ＳＵ
Ｓ薄板、Ａｌフォイルなどを使用することができるが、
これらに限定されるわけではない。

【００２２】これらは単独のフィルムとして使用しても
よいが、二種以上を積層した複合フィルムを使用するこ
ともできる。

【００２３】本発明においては光電変換素子の両側の電
極は、光を透過することが重要であり、電極材料として
は透明な酸化物導電薄膜または極薄金属膜などを仕様す
ることができる。透明酸化物導電薄膜としては酸化錫、
インジウムを添加した酸化錫、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛、アルミを添加した酸化亜鉛、極薄金属
薄膜としてはクロム、アルミ、銀、白金、金、ニッケル
クロム合金などを仕様することができるが、これらに限
定される訳ではない。

【００２４】また極薄金属薄膜の膜厚としては７５ｎｍ
以下、望ましく３５ｎｍ以下が好ましい。また種々の透
明酸化物導電薄膜の積層体、極薄金属薄膜の積層体、ま
た透明酸化物導電薄膜と極薄金属薄膜の積層体であって
も構わない。

【００２５】これらの電極に用いられる透明な酸化物導
電薄膜または極薄金属膜などは真空蒸着法、反応性蒸着
法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の真空成
膜プロセス、グラビアコートやスクリーンコート等のウ
ェットコートと、熱乾燥法、熱硬化法、紫外線照射硬化
法、電子線照射硬化法等を組み合わせた成膜プロセスに
よることができ、各々の電極の特性に最適な方法が適宜
選択される。この他のいかなる成膜方法であっても構わ
ない。

【００２６】また透明な酸化物導電薄膜または極薄金属
膜の抵抗率の高さを補うために受光面積を大幅に失わな
い程度の櫛形の導電性補強用金属電極を併せて設けるこ
ともできる。

【００２７】なお、このときの電極は両方透明電極を用
いても、片方だけ用いても構わないものである。

【００２８】また、本発明において太陽光をより有効利
用するために、光の干渉を利用した反射防止層を上記の
光電変換素子と電極の間、電極上、あるは電極の層間の
いずれかに設けることも可能である。

【００２９】反射防止膜は、光の干渉性を利用したもの
で、一般に目的の反射防止特性を得るために所定の光学
膜厚ｎｄ（屈折率ｎ×形状膜厚ｄ）の層から構成されれ
ばよく本発明において積層数は特に限定されない。

【００３０】反射防止膜として珪素酸化物や有機フッ素
化合物等の低屈折率層を単層で設けることも可能である
が、通常は、コスト及び反射防止効果の面から１〜６層
とすることが好ましい。

【００３１】反射防止膜は真空蒸着法、反応性蒸着法、
イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜プ
ロセス、グラビアコートやスクリーンコート等のウェッ
トコートと、熱乾燥法、熱硬化法、紫外線照射硬化法、
電子線照射硬化法等を組み合わせた成膜プロセスによる
ことができ、各々の薄膜の特性に最適な方法が適宜選択
される。

【００３２】この他のいかなる成膜方法であっても構わ
ない。

【００３３】また光電変換素子の耐候性をあげるため
に、上記の光電変換素子と電極の間、電極上、あるは電
極の層間のいずれかに設けガスバリアー層を設けること
も可能である。

【００３４】ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素窒化物
（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）のいず
れかの単独、もしくは二種以上の混合系の蒸着層、また
は無機−有機のハイブリッドコート層のうちのいずれか
一種、または二種以上を組み合わせた複合層を好適に使
用できる。

【００３５】上記、ケイ素酸化物（ＳｉＯｘ）、ケイ素
窒化物（ＳｉＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）
などの蒸着層は蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディッ
ピング法、ゾルゲル法などにより基材フィルム上に容易
に形成することができる。

【００３６】このようなバリア層の厚さは５〜５００ｎ
ｍの範囲が適当であり、特に３０〜１５０ｎｍの範囲が
好ましい。

【００３７】また太陽電池素子の性能を上げるために適
宜、凸凹形状の光閉じこめ層を設けることも可能であ
る。これは可撓性基材そのものを凸凹形状に加工しても
よいし、また、ガスバリア層や反射防止層、または透明
導電金属酸化物等の電極などを凸凹形状するように成長
させてもよいし、、ウエットおよびドライエッチング等
によって凸凹加工することも可能である。また凸凹形状
の層を加えることも可能である。

【００３８】本発明の太陽電池の光電変換素子とは、半
導体の光起電力効果を利用して発電するもの全てを意味
しており、シリコン（多結晶系、アモルファス系）太陽
電池用光電変換素子、化合物半導体（３−５族、２−６
族、その他）太陽電池用光電変換素子、全固体型色素増
感太陽電池用光電変換素子、有機半導体太陽電池用光電
変換素子などが特に好適に用いられる。

【００３９】なお、本願発明の太陽電池はフレキシブル
なため、ガラス基板などを用いる太陽電池に比べ、大面
積であっても、耐屈曲性に優れている。また、太陽電池
は大面積であれば、より多くの電流を発生させることが
でき、光電変換素子の情報記録媒体全体に対する面積比
が５％以上、さらには１０％以上であると好ましい。

【００４０】また、記録媒体については、図面を参照し
ながら説明する。図４は、本発明の非接触型ＩＣカード
の構成を示す図である。この構成は補助電源及び電源切
替回路を有する以外は、通常の非接触型ＩＣカードと同
様な構成である。

【００４１】すなわち、ＩＣ１０は、ユーザーのプログ
ラムに従いデータ処理を行うＣＰＵ１４，プログラムを
格納しているＲＯＭ１６，データを格納するＲＡＭ１
７，動作されるためのクロック１５、データ及びアドレ
ス等を伝達させるバス１３、アナログからデジタルに、
デジタルからアナログに変復調させる変復調回路１１、
変復調回路１１とバス１３との間でデータをパラレル／
シリアル変換する入出力制御回路１２と、から構成され
ている。

【００４２】ＩＣ１０に電力を供給するに当たって、補
助電源からの電力と電磁波から得られる電力を電源切替
回路に接続して、電源を切り替えることができるように
する。電源の切替時には、瞬断が起こらないように配慮
したダイオード４１、４２、及び抵抗４３からなる電源
切替回路４０を形成するアンテナ回路（共振回路）６０
は、コイル６１と可変コンデンサ６２からなり、端末
（リーダ／ライタ）から電磁波７０によってデータの送
受信及び電気の供給を受けるための回路であり、受信し
た電磁波から得られる交流電圧を直流電圧に整流するダ
イオード５１、５２、５３、５４で構成されたブリッジ
回路５０，この得られた電力を安定化させるために図２
に示すような電源安定化回路３１を通し電源切替回路４
０に接続する。

【００４３】一方、太陽電池である補助電源２０からも
電源切替回路４０に電力を供給できるようにダイオード
４１を電圧安定化回路３１の出力に接続させておく。電
磁波からの電力供給が少なくなったり或いは途切れた場
合は、補助電源から電力を供給させる。このような構成
にすることにより、変復調回路１１、ＣＰＵ１４，記憶
素子１６、１７等に電力を供給することが可能で、情報
の伝送が確実に行えるようになる。

【００４４】この様な太陽電池は、情報記録媒体の駆動
に役立つ配線が設けられるものであれば以上のような配
線以外でも構わないものであり、ＩＣ、ＣＰＵ、ＲＯ
Ｍ、ＲＡＭ等の構成も上記以外の構成を持つものでも良
い事は当然である。

【００４５】

【実施例】以下に、図面を用いて本発明の太陽電池を具
体的に説明する。

【００４６】ただし、本発明はこれらの図面に限定され
るものではない。

【００４７】図１に一層構成例として本発明の太陽電池
の断面概略図示した。

【００４８】図１は可撓性基材上に光電変換部（電極／
光電変換素子／電極）を設けることで太陽電池を形成
し、その裏面電極側を接着層を介して太陽電池用裏面保
護シートに積層した例である。

【００４９】この場合は可撓性基材は太陽光を透過する
必要がある。

【００５０】また図２は別な層構成例で、可撓性基材上
に光電変換部（電極／光電変換素子／電極）を形成し、
その光電変換素子側つまり太陽光入射側に接着層を介し
て表面保護シートを積層した層構成例である。

【００５１】この場合は可撓性基材は透明、不透明を問
わない。

【００５２】図３は図２の場合と同様に可撓性基材上に
光電変換部（電極／光電変換素子／電極）を形成し、そ
の光入射側の面に太陽光を有効に取り込むための反射防
止膜を形成した別な層構成例である。

【００５３】上記の構成において、図には示していない
が、必要に応じて太陽電池用フィルムのいずれかの層に
先に説明したようなガスバリア層、図１，２の場合は反
射防止層を設けることができるし、更にその上にフィル
ムラミネートや樹脂コーティングによる保護層を設ける
こともできる。

【００５４】また太陽電池用フィルムの最表面に防汚層
を設けることも好ましい。

【００５５】接着層を用いる場合は、接着層の厚さは特
に限定されず太陽電池の種類や形状に応じて適する厚さ
で基材フィルムなどに積層する事ができる。

【００５６】積層方法についても、接着層の材質と積層
する厚さに応じて、たとえば、溶液、ディスパージョン
などを用いるコーティング法、押し出しコート法、カレ
ンダーコート法、熱ラミネート法、ドライラミネート法
などの適宜の手段により基材フィルム面などに積層する
ことができる。

【００５７】この様な構成をとった太陽電池を非接触情
報記録媒体の補助電源とすることで、先に説明したよう
に、フレキシブルで軽量かつ安価な非接触情報記録媒体
を提供することができる。

【００５８】図５は別な層構成例で、透明可撓性基材上
に透明導電性金属酸化物を形成しその上に光電変換層、
透明導電性金属酸化物と形成しその上に接着層を介し透
明可撓性基材を接着した例である。

【００５９】また、図６はさらに別な層構成例で、透明
導電性金属酸化物、光電変換層、極薄金属膜の順に積層
した層構成例、図７は極薄金属膜、光電変換層、透明導
電性金属酸化物の順に積層した層構成例、図８は極薄金
属膜、光電変換層、極薄金属膜の順に積層した層構成例
である。

【００６０】接着層の厚さは特に限定されず太陽電池素
子の種類や形状に応じて適する厚さで基材フィルムなど
に積層する事ができる。積層方法についても、接着層の
材質と積層する厚さに応じて、たとえば、溶液、ディス
パージョンなどを用いるコーティング法、押し出しコー
ト法、カレンダーコート法、熱ラミネート法、ドライラ
ミネート法などの適宜の手段により基材フィルム面など
に積層することができる。

【００６１】図９は透明可撓性基材上に透明導電性金属
酸化物、光電変換層、透明導電性金属酸化物の順に積層
しその上にガスバリアを形成した層構成例である。図１
０は透明可撓性基材上に透明導電性金属酸化物、光電変
換層、極薄金属膜の順に積層した例、図１１は極薄金属
膜、光電変換層、透明導電性金属酸化物の順に積層した
層構成例、図１２は極薄金属膜、光電変換層、極薄金属
膜の順に積層した層構成例である。この場合は接着層は
必ずしも必要ではないが、さらにこのガスバリア層上に
接着層を介して透明な保護フィルム等を積層することも
可能である。

【００６２】図５〜１２のいずれの層構成例の場合にお
いても反射防止層を設けることができるし、更にその上
にフィルムラミネートや樹脂コーティングによる保護層
をもうけることもできる。また太陽電池用フィルムの最
表面に防汚層を設けることも好ましいし、適宜ガスバリ
アフィルムを形成することも可能である。

【００６３】この様な構成をとった両面が透明な太陽電
池を非接触情報記録媒体の補助電源とすることで、先に
説明したように、記録媒体の片面しか光が当たらないよ
うな状況下においても発電することが可能な非接触情報
記録媒体を提供することができる。

【００６４】以下に具体的な実施例を示す。

【００６５】＜実施例１＞耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μ
ｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成
しその片面にインジウムを添加した酸化錫（ＩＴＯ）薄
膜を基板温度６５℃で膜厚４００ｎｍスパッタで形成
し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層、ｉ層、ｎ層
を基板温度７５℃で積層し、その上にインジウムを添加
した酸化錫（ＩＴＯ）薄膜を基板温度６５℃で膜厚４０
０ｎｍスパッタで形成する。続いてその上に接着剤を介
して保護層として耐光性ＰＥＴを積層した。

【００６６】＜実施例２＞耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μ
ｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成
しその片面にＡｇをＥＢ蒸着法で基材温度室温にて膜厚
２０ｎｍ成膜形成し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ
層、ｉ層、ｎ層を基板温度７５℃で積層し、その上にイ
ンジウムを添加した酸化錫（ＩＴＯ）薄膜を基板温度６
５℃で膜厚４００ｎｍスパッタで形成する。続いてその
上に接着剤を介して保護層として耐光性ＰＥＴを積層し
た。

【００６７】＜実施例３＞耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μ
ｍ）の両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸着法により形成
しその片面にインジウムを添加した酸化錫（ＩＴＯ）薄
膜を基板温度６５℃で膜厚４００ｎｍスパッタで形成
し、続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ層、ｉ層、ｎ層
を基板温度７５℃で積層し、その上にＡｇをＥＢ蒸着法
で基材温度室温にて膜厚２０ｎｍ成膜形成する。続いて
その上にＰＥＣＶＤ法でＳｉＯｘ薄膜（ｘ＝１．７）を
４０ｎｍ形成した。

【００６８】＜比較例１＞耐候性ＰＥＴ（厚さ１８８μ
ｍ）に実施例と同様に両面にＳｉＯｘを４０ｎｍずつ蒸
着法により形成し、その片面にインジウムを添加した酸
化錫（ＩＴＯ）薄膜を基板温度６５℃で膜厚４５０ｎｍ
スパッタで形成し続いてＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅ
ｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式でアモルファスシリコンのｐ
層、ｉ層、ｎ層を基板温度７５℃で積層し、最後に反射
層としてＡｇの蒸着層を基板温度室温で形成して太陽電
池セルを作製した。続いてＡｇの蒸着層側に接着剤を介
して裏面保護層として耐光性ＰＥＴを積層した。

【００６９】［試験および結果］以上の様にして用意し
た実施例１，２，３および比較例の太陽電池の入射光方
向に対する発電の不可を表１に示す。発電した場合を
○、発電しなかった場合を×と記す。

【００７０】ただし、光電変換層をつける時に基材とし
て用いた耐候性ＰＥＴ側から光を入射した場合を表側入
射、その逆側から入射した場合を裏側入射と定義する。

【００７１】

【表１】

【００７２】表１から分かる通り、実施例１〜３にかか
る太陽電池はどちらから光を当てても発電することが可
能である。かかる太陽電池を補助電源としても用いるこ
とでどちらか一方向からしか光が入射しない状況におい
ても非接触情報記録媒体用の補助電源として有効に機能
することができる。図１３に本発明の太陽電池を補助電
源として用いた非接触情報記録媒体の概略図を示す。

【００７３】

【発明の効果】以上の説明で明らかな通り、本発明の可
撓性基材上に形成された太陽電池を情報記録媒体用の補
助電源等の電源として用いることで、フレキシブルかつ
軽量で安価な補助電源つき情報記録媒体を提供できる。

【００７４】特に請求項２に係る発明においては、情報
記録媒体補助電源用太陽電池の両面が透明にすること
で、どちらか一方からしか光が入射しないような状況下
においても発電できることを特徴とする太陽電池を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の非接触情報記録媒体用の補助電源用太
陽電池の層構成例の概略断面図である。

【図２】図１とは別な本発明の層構成例の非接触情報記
録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断面図である。

【図３】図１、図２とは別な本発明の層構成例の非接触
情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断面図であ
る。

【図４】本発明の情報記録媒体において、非接触情報記
録媒体である場合の一実施例の回路図である。

【図５】図１〜３とは別な本発明の層構成例の非接触情
報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断面図であ
る。

【図６】図１〜３、図５とは別な本発明の層構成例の非
接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断面図
である。

【図７】図１〜３、図５〜６とは別な本発明の層構成例
の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断
面図である。

【図８】図１〜３、図５〜７とは別な本発明の層構成例
の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断
面図である。

【図９】図１〜３、図５〜８とは別な本発明の層構成例
の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略断
面図である。

【図１０】図１〜３、図５〜９とは別な本発明の層構成
例の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概略
断面図である。

【図１１】図１〜３、図５〜１０とは別な本発明の層構
成例の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概
略断面図である。

【図１２】図１〜３、図５〜１１とは別な本発明の層構
成例の非接触情報記録媒体用の補助電源用太陽電池の概
略断面図である。

【図１３】本発明の太陽電池を補助電源として用いた情
報記録媒体の概略図である。

【符号の説明】 １．…光電変換素子 ２．…可撓性基材 ３．…太陽電池用裏面保護シート ４．…表面保護シート ５．…接着層 ６．…反射防止層 ７．…非接触情報記録部 １０…ＩＣ １１…変復調回路 １２…入出力制御回路 １３…バス １４…ＣＰＵ １５…クロック １６…ＲＯＭ １７…ＲＡＭ ２０…補助電源 ２１…外部充電端子 ３０…蓄電コンデンサ ３１…電圧安定化回路 ４０…電源切替回路 ４１…ダイオード ５０…ブリッジ回路 ５１、５２、５３、５４…ダイオード ６０…アンテナ（共振回路） ６１…コイル ６２…可変コンデンサ ７０…電磁波 １０１…光電変換層 １０２…透明導電性金属酸化物 １０３…可撓性透明基材 １０４…ガスバリア膜 １０５…接着層 １０６…極薄金属膜 １１０…太陽電池を補助電源とした非接触情報記録媒体 １１１…補助電源用太陽電池 １１２…補助電源 １１３…制御部（ＣＰＵ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】可撓性基材上に光電変換素子が設けられて
   いる事を特徴とする情報記録媒体用太陽電池。
2. 【請求項２】両面が透明であることを特徴とする請求項
   １記載の情報記録媒体用太陽電池。
3. 【請求項３】可撓性基材が有機プラスチックフィルムで
   あることを特徴とする請求項１または２記載の情報記録
   媒体用太陽電池。
4. 【請求項４】請求項１または２または３記載の太陽電池
   を備えている事を特徴とする非接触情報記録媒体。