JP2006120970A - 半導体モジュールとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】過電流からの保護を図るとともに,高精度に組み付けることが可能な半導体モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】パワーモジュール100は,半導体素子11と,半導体素子12を有している。また,半導体素子11,12は,エミッタ電極41,42とコレクタ電極51,52の間に挟まれている。また,パワーモジュール100では,半導体素子11側のエミッタ電極41と半導体素子12側のコレクタ電極52とが接続部材91を介して電気的に接続されている。また,接続部材91は,ヒューズ機能を兼ねており,半導体素子11,12間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。また,半導体素子11,半導体素子12および接続部材91は,樹脂6でモールドされることにより一体となっている。
【選択図】 図1
【解決手段】パワーモジュール100は,半導体素子11と,半導体素子12を有している。また,半導体素子11,12は,エミッタ電極41,42とコレクタ電極51,52の間に挟まれている。また,パワーモジュール100では,半導体素子11側のエミッタ電極41と半導体素子12側のコレクタ電極52とが接続部材91を介して電気的に接続されている。また,接続部材91は,ヒューズ機能を兼ねており,半導体素子11,12間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。また,半導体素子11,半導体素子12および接続部材91は,樹脂6でモールドされることにより一体となっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は,半導体素子が樹脂でモールドされた半導体モジュールおよびその製造方法に関する。さらに詳細には,過電流からの保護を図るとともに,高精度に組み付けることが可能な半導体モジュールおよびその製造方法に関するものである。
従来から,高耐圧・大電流用のパワーICには,使用時の発熱が大きいことから,素子からの放熱性を向上させるための構成が必要になる。この問題を解決する構成の一例として,例えば特許文献1に,素子の両面に放熱板を兼ねた板状電極を有する半導体装置が提案されている。この構成によれば,素子の両面から放熱できるのため,半導体装置の放熱性が向上するとしている。
図15および図16は,特許文献1で提案されたような両面放熱構造を有するパワーモジュールの一例を示している。パワーモジュール101は,半導体素子11を内蔵する半導体モジュール10と,半導体素子12を内蔵する半導体モジュール20とを有している。半導体モジュール10は,コレクタ電極41と,エミッタ電極51と,コレクタ電極41に接続する端子71と,エミッタ電極51に接続する端子81とを有している。さらに,半導体素子11は,エミッタ電極41とコレクタ電極51の間に挟まれており,半導体素子11と各電極との間はそれぞれ半田により接合されている。また,エミッタ電極41およびコレクタ電極51は,それぞれ板状の銅電極となっており,放熱板を兼ねている。また,半導体モジュール10は,樹脂61で個々にモールドされている。半導体モジュール20も同様の構成となっている。
さらに,パワーモジュール101では,半導体モジュール10と半導体モジュール20とが外部バスバー9を介して電気的に接続されている。すなわち,パワーモジュール101では,半導体モジュール10のコレクタ電極41から,半導体モジュール10のエミッタ電極51,半導体モジュール10の端子81,外部バスバー9,半導体モジュール20の端子72,半導体モジュール20のコレクタ電極42,半導体モジュール20のエミッタ電極52の順に電流が流れるようになっている。図17に,図15に示したパワーモジュール101の等価回路を示す。
このようなパワーモジュール101では,制御系が正しく動作したとしても,ノイズ等の外乱によって半導体モジュール10,20間の短絡故障等を引き起こすことがある。そして,短絡故障等によって過電流が発生した場合,延焼を引き起こすおそれがある。そこで,各端子の一部にヒューズ部を設けることで,過電流時に速やかに電流を遮断することが考えられる(例えば,特許文献2)。すなわち,過電流時にヒューズ部が溶断することで延焼や素子の破壊を防止するのである。
また,樹脂61でモールドされた半導体モジュール10を形成するためには,一般的にトランスファモールドが行われる。このトランスファモールドでは,上下に分かれた成形型に,コレクタ電極41およびエミッタ電極51が半田付けされた状態の半導体素子11を入れ,型を締めてから大きな圧力をかける。その後,熱で軟化した熱硬化性樹脂(例えば,エポキシ樹脂)を流し込むことにより半導体モジュール10が形成される。
特開2003−110064号公報
特開2003−68967号公報
しかしながら,前記した従来のパワーモジュール101には,次のような問題があった。すなわち,パワーモジュール101では,半導体素子11と半導体素子12とが別々にモールドされて別体となっている。そのため,両半導体素子を接続するために端子や端子間を接続する接続線が必要となる。従って,それらの接触や機械的強度といった事項を検討する必要があり,モジュールのサイズが大型化する。また,両半導体素子間を接続する端子には,外部バスバー9等を支えるための機械的強度が要求される。従って,パワーモジュール101においては,端子の一部に機械的強度が弱いヒューズ部を設けることは困難である。
また,トランスファモールドを行う際には,次のような問題がある。すなわち,トランスファモールドでは,成形型のキャビティが半導体モジュール10の出来上がりの外形を決定する。そして,成形型のキャビティの高さ寸法は,型締めの際の素子破壊を防止するため,半導体モジュール10の高さ寸法よりも若干大きくなっている。そのため,少なくとも一方の面上には,エポキシ樹脂が付着することになる。このエポキシ樹脂は,熱伝導率が低く,銅の1/100以下でしかない。そのため,エポキシ樹脂が電極表面に付着すると放熱性が悪化し,製品として使用できなくなるおそれがある。そこで,この問題を解決するためには,2つの案が考えられる。
第1の案としては,電極表面を樹脂が被さらないようにすることである。この案では,半田付け後の高さ寸法を高精度にする,特に成形型と電極との隙間を樹脂に含有されているフィラー粒径(およそ10μm)以下となるようにする必要がある。しかし,高さ寸法を高精度にするには,板状電極の板厚や半田厚のばらつきを抑制する必要があり,加工費の上昇を招いていしまう。また,この隙間が0μm以下になると型締め時の圧力が電極を介して素子に伝わってしまうため,素子を破壊してしまうおそれがある。そのため,成形時に使用される治具1つ1つを高精度に加工する必要がある。
第2の案としては,成形時に付着した樹脂を成形後に削り取ることである。この案では,研磨などの非常に時間のかかる工程や,研磨後の洗浄などの素子が嫌う水分を利用する工程が必要となる。
すなわち,第1の案,第2の案ともに両面放熱構造のパワーモジュール101に対してトランスファモールドを適用すると,加工費が高くなるとともに信頼性を損なうおそれがある。
本発明は,前記した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは,過電流からの保護を図るとともに,高精度に組み付けることが可能な半導体モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
この課題の解決を目的としてなされた半導体モジュールは,第1の半導体素子と,第1の半導体素子と電気的に接続された第2の半導体素子と,第1の半導体素子と第2の半導体素子との間に設けられた中間端子とを有する半導体モジュールであって,第1の半導体素子と第2の半導体素子とを電気的に接続するとともにヒューズ機能を備える接続部を有し,接続部は,第1の半導体素子および第2の半導体素子とともに一体的に樹脂封止されていることを特徴とするものである。
すなわち,本発明の半導体モジュールは,第1の半導体素子と第2の半導体素子との間に,両者を電気的に接続するとともにヒューズ機能を備える接続部を有している。「接続部」の具体例としては,アルミリボンボンドやアルミワイヤボンド等が該当する。つまり,銅やアルミニウム等の電気伝導性に優れた材料であって,定格電流のおよそ2倍以上の過電流が流れた時に溶断可能なものであればよい。従って,ここでいう「接続部」としては,半導体素子間を接続する接続部材そのものが溶断されなくても,例えば接続部材と半導体素子の電極とを接続する接着材が溶断するものであってもよい。この接続部材が第1の半導体素子と第2の半導体素子との間に位置することで,過電流を速やかに遮断することができ,半導体モジュールの延焼を防ぐことができる。
さらに,本発明の半導体モジュールは,接続部が第1の半導体素子と第2の半導体素子との間であって中間端子よりも電流経路中の上流側に位置するように配設されることにより,故障箇所の特定が容易となる。例えば,このような半導体モジュールを3つ組み合わせて3相インバータを構成したとする。この場合,U相,V相,W相のいずれの相で過電流が生じたのかを,溶断した接続部によって特定することができる。また,故障箇所を特定できることから,故障し易い箇所を特定することも容易となる。
さらに,本発明の半導体モジュールは,第1の半導体素子,第2の半導体素子,および接続部を一体的に樹脂封止している。すなわち,第1の半導体素子と第2の半導体素子との電気的な接続のために,強度の大きな外部端子や外部端子間の接続線を設ける必要がない。従って,半導体モジュール全体がコンパクトである。また,接続部も樹脂封止されていることから,接続部の機械的強度は要求されない。よって,半導体素子を複数有する半導体モジュールの過電流保護を図ることが可能である。
また,本発明の半導体モジュール用の中間接合体は,半導体素子を第1の板状電極と第2の板状電極とで挟み込む構造を有する中間接合体であって,第1の板状電極を支持する第1リードフレームと,第2の板状電極を支持する第2リードフレームと,第1リードフレーム上に設けられ,半導体モジュールの高さ方向に突起する嵌入部と,第2リードフレーム内に設けられ,嵌入部と嵌合することが可能な穴状の被嵌入部とを有することを特徴とするものである。
すなわち,本発明の中間接合体は,半導体素子が第1の板状電極と第2の板状電極とに挟み込まれた両面放熱構造を有している。そして,第1の板状電極は第1リードフレームに,第2の板状電極は第2リードフレームにそれぞれ支持されている。さらに,第1リードフレームには突起状の嵌入部が,第2リードフレームには穴状の被嵌入部がそれぞれ設けられており,その嵌入部と被嵌入部とが嵌合することによって,両リードフレームが位置決めされる。嵌入部と被嵌入部との組合せとしては,例えば押出し加工によって成形された突起状の嵌入部と,その突起状の嵌入部と嵌合する有底穴状の被嵌入部とがある。この他,例えば押出し加工によって成形された凸部の先端面に設けられた突起状の嵌入部と,その突起状の嵌入部と嵌合する貫通穴状の被嵌入部とがある。また,嵌入部や被嵌入部は,その側面がテーパ形状であるとよりよい。テーパ形状であることにより,嵌合が容易となる。
そして,本発明の中間接合体では,その高さ寸法がリードフレームの嵌め合い部分を構成する部位(嵌入部や被嵌入部等)の寸法によって規定される。この嵌め合い部分を構成する部位は,リードフレームの鍛造製法などにより実現される。そのことから,それらの寸法は高精度である。そして,嵌め合い部分を構成する部位の寸法が高精度であることから,中間接合体,すなわち半導体モジュールの高さ寸法が高精度となる。よって,型締め時に型と電極との隙間を極めて狭くすることができる。従って,電極上に樹脂が付着することなく,高放熱性を確保することができる。また,リードフレームの鍛造製法などによって高さ寸法の精度を維持していることから,高精度な組付け治具や治具1つ1つの精度管理が不要となり,加工費が安価である。
また,本発明の半導体モジュールの製造方法は,半導体素子を第1の板状電極と第2の板状電極とで挟み込む構造を有する半導体モジュールの製造方法であって,第1の板状電極を支持する第1リードフレームと,第2の板状電極を支持する第2リードフレームとによって半導体素子を挟み込むとともに,その第1リードフレーム上に設けられた突起状の嵌入部と,その第2リードフレーム内に設けられた穴状の被嵌入部とを嵌合することにより位置決めを行う位置決めステップと,嵌入部と被嵌入部とが嵌合された状態で半導体モジュールの高さ方向に型締めを行う成形ステップとを含むことを特徴としている。
本発明の半導体モジュールの製造方法では,第1リードフレームの嵌入部と,第2リードフレームの被嵌入部とを嵌合することにより,両リードフレームの位置決めが行われる。両フレーム間(第1の板状電極と第2の板状電極との隙間)は,リードフレームの嵌め合い部分(嵌入部や被嵌入部等)の寸法によって規定される。そのため,高精度な組付け治具や治具1つ1つの精度管理が不要となる。その後,半導体モジュールの高さ方向に型締めを行う。これにより,半導体モジュールの外形寸法が高精度に規定される。その後,型締めされた状態で,熱硬化性樹脂を成形型のキャビティに注入する。半導体モジュールの高さ寸法が高精度であることから,型と電極との隙間を極めて狭く,電極上に樹脂が殆ど付着しない。従って,高放熱性を確保することができる。さらには,電極上に樹脂が付着していないため,成形後に樹脂を削り取る工程は不要である。
本発明によれば,半導体素子と半導体素子との間にヒューズ機能を有する接続部を設け,その接続部を含めて一体的にモールドすることで,過電流保護が図られた半導体モジュールを実現している。また,嵌め合い構造を有する一対のリードフレームを設けることにより,高さ寸法が高精度な半導体モジュールを実現している。よって,過電流からの保護を図るとともに,高精度に組み付けることが可能な半導体モジュールおよびその製造方法が提案されている。
以下,本発明を具体化した実施の形態について,添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお,以下の形態では,両面放熱構造のパワーモジュール(半導体モジュール)およびその製造方法として本発明を適用する。
本形態のパワーモジュール100は,図1に示すように半導体素子11と,半導体素子12を有している。半導体素子11および半導体素子12は,IGBTやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成されている。また,半導体素子11は,エミッタ電極41とコレクタ電極51の間に挟まれており,半導体素子11と各電極との間はそれぞれ半田により接合されている。また,半導体素子12についても半導体素子11と同様に,エミッタ電極42とコレクタ電極52の間に挟まれている。
エミッタ電極41,42およびコレクタ電極51,52は,それぞれ熱伝導性および電気伝導性に優れた金属(例えば,銅やアルミニウム)で構成されている。さらにこれらの電極は,矩形状の板材であり,放熱板を兼ねている。すなわち,本形態のパワーモジュール100は,両面放熱構造をなしている。
また,エミッタ電極41,42とコレクタ電極51,52との間の隙間,ならびに,半導体素子11,12の周囲部分には,樹脂(例えば,エポキシ樹脂)6が充填されている。すなわち,半導体素子11および半導体素子12は,樹脂6でモールドされることにより一体となっている。この点,半導体素子11を内蔵する半導体モジュール10と半導体素子12を内蔵する半導体モジュール20とが別体で構成された従来の形態(図16参照)と異なる。
さらに,パワーモジュール100では,半導体素子11側のエミッタ電極41と半導体素子12側のコレクタ電極52とが接続部材91を介して電気的に接続されている。また,接続部材91は,ヒューズ機能を兼ねており,半導体素子11,12間の短絡や負荷短絡時に溶断するようになっている。図2は,本形態のパワーモジュール100のうち,半導体素子11,12を覆う樹脂6を除いた状態を示している。接続部材91は,板厚が0.2mmであり,幅が2.0mmであるアルミリボンボンドであって,3〜5本の範囲内で設けられている。この接続部材91が過電流時にすべて溶断することにより,半導体素子11,12間の電流が瞬断される。
パワーモジュール100では,接続部材91によってエミッタ電極51とコレクタ電極42とを電気的に接続することにより,半導体素子11側のコレクタ電極41から,半導体素子11側のエミッタ電極51,接続部材91,半導体素子12側のコレクタ電極42,半導体素子12側のエミッタ電極52の順に電流が流れるようになっている。
図3に,図1に示したパワーモジュール100の等価回路を示す。図3中のP,N,Uは,それぞれ図1中の端子P,N,Uにそれぞれ対応している。さらに,図3に示すように,半導体素子11と半導体素子12との間で,且つ,出力端子Uの前段に,通電断面積が小さい接続部材91が設けられる。これにより,過電流に対する保護が図られ,樹脂6の延焼等を抑制することができる。このようなパワーモジュール100を複数設けることにより,例えば図4に示すような3相インバータが構成される。
なお,接続部材91は,アルミリボンボンドに限るものではない。すなわち,エミッタ電極51とコレクタ電極42との間を電気的に接続することが可能であり,過電流時に溶断可能であればよい。例えば,図5に示すように直径が300〜500μmの範囲内のアルミワイヤを少なくとも14本設けることとしてもよい。また,図6に示すように板厚が0.5mmで幅が5.0mmの銅板を融点が低い(200〜300℃)ろう接材で接合することとしてもよい。また,断面積が小さい銅材と抵抗接合,プラズマ接合,Tig(タングステン・イナート・ガス)接合などで構成するとしてもよい。なお,溶断可能とするためには,通電断面積が3mm2 以下であることが好ましい。
続いて,前述した両面放熱構造を有するパワーモジュールの製造方法,特に半導体素子11,12を樹脂6でモールドする際の方法について説明する。以下,図6に示したパワーモジュール120の製造方法について説明する。
まず,図7に示すように,リードフレーム40に支持されたコレクタ電極41,42を用意する。リードフレーム40の一部には,エミッタ電極51,52との位置決めを行うための位置決め部45が設けられている。位置決め部45には,略円柱状であって有底穴状の凹部46が幾つか設けられている。これら凹部46は,リードフレーム40の生成時の鍛造製法などにより実現される。なお,コレクタ電極41,42の上面上には,半導体素子11,12を半田付けしておく。
また,図8に示すように,リードフレーム50に支持されたエミッタ電極51,52を用意する。リードフレーム50の一部には,コレクタ電極41,42との位置決めを行うための位置決め部55が設けられている。位置決め部55には,略円柱状であって突起状の凸部56が幾つか設けられている。これら凸部56は,リードフレーム50の生成時の鍛造製法などにより実現される。
次に,図9に示すように,リードフレーム40とリードフレーム50とを重ね合わせ,半導体素子11,12上にそれぞれエミッタ電極51,52を半田付けする。このとき,リードフレーム40に設けられた凹部46と,リードフレーム50に設けられた凸部56とが嵌合することにより,各電極の平面位置が位置決めされる。
また,凹部46と凸部56とが嵌合した状態で固定されることにより,次のことが規定される。すなわち,凹部46の深さと,凸部56の長さ(図8中のL1)とにより,エミッタ電極とコレクタ電極との間の隙間寸法が規定される。この隙間寸法の精度は,凹部46および凸部56の鍛造加工精度によって決定され,半田厚や電極板厚に左右されない。そのため,隙間寸法は高精度に規定される。また,隙間寸法が規定されることから,パワーモジュールの高さ寸法(図9中のL2)が規定される。
さらに,エミッタ電極51とコレクタ電極42とに対して接続部材93を半田付けする。すなわち,図10に示すように,電気伝導性に優れた接続部材93をエミッタ電極51とコレクタ電極42との間に設けることにより,半導体素子11と半導体素子12とが電気的に接続される。
次に,各リードフレームのうちの中央部分を切り離した後,図11に示すように,上型66と下型67とにより構成される成形型60内に,エミッタ電極およびコレクタ電極が接続された半導体素子11,12を収容する。そして,上型66および下型67とによって高さ方向に型締めされ,リードフレームを切り離す前の半導体モジュールである中間接合体が製造される。なお,各リードフレームの位置決め部は,後述する樹脂封止工程後に除去されることから,型締め工程時には成形型60の外側に位置する(図10参照)。
そして,型締めされた状態で成形型60内のキャビティに熱で軟化した熱硬化性樹脂6を注入する。これにより,エミッタ電極とコレクタ電極との隙間,並びに,半導体素子11,12の周囲部分等に樹脂6が充填される。なお,凹部46と凸部56とが嵌め合わされた状態で,パワーモジュールの外形高さ寸法を規定することになる。そして,その外形高さ寸法が高精度に規定されていることから,成形型60と両電極との間には殆ど隙間が生じない。そのため,電極上の樹脂の付着が抑制され,成形後のパワーモジュールは高放熱性を確保することができる。樹脂6が硬化した後,成形型70内から半導体素子11,12が一体化されたモジュールを取り出す。その後,樹脂6からはみ出したリードフレームを切除する。このとき,リードフレーム中の各位置決め部が除去される。これにより,パワーモジュール120が完成する。
なお,図12に示すようにリードフレーム40に貫通孔48を設け,さらにリードフレーム50に押出部58およびその押出部58の先端部の一部から高さ方向に延出するとともに貫通孔48に挿入可能な突出部59を設けてもよい。この場合,エミッタ電極とコレクタ電極との間の隙間寸法は,貫通孔48の深さや突出部59の長さによるものではなく,押出部58の長さ(図12中のL3)によって規定される。
以上詳細に説明したように本形態のパワーモジュール100では,半導体素子11と半導体素子12とがヒューズ機能を有する接続部材91によって電気的に接続されることとしている。そのため,過電流時に速やかに電流を遮断することができる。さらに,接続部材91は,半導体素子11,12とともに一体的に樹脂封止されている。すなわち,本形態のパワーモジュール100では,2つの半導体素子がまとめてモールドされており,接続部材91もあわせてモールドされている。そのため,接続部材91に対して強い機械的強度は要求されない。また,接続部材91もあわせて一体的にモールドされていることから,半導体素子間を外部で接続していた従来のパワーモジュール(図16参照)と比較してコンパクトである。
また,接続部材91は,半導体素子11と半導体素子12との間であって,出力端子Uよりも前段の位置に設けることとしている。これにより,例えば図4に示すような3相インバータを構成した場合,U相,V相,W相のいずれの相で故障が発生したかを容易に特定することができる。そして,故障部位を特定することができることから,その対策が容易となる。
また,本形態のパワーモジュール100の製造方法では,エミッタ電極51,52を支持するとともに突起状の凸部56を備えたリードフレーム50を用意することとしている。また,コレクタ電極41,42を支持するとともに穴状の凹部46を備えたリードフレーム40を用意することとしている。そして,両リードフレームの間に半導体素子11,12を挟み,両リードフレームを凸部56と凹部46とが嵌合するように重ね合わせることとしている。これにより,両リードフレームの平面位置が位置決めされる。さらに,凹部46の深さと凸部56の長さとにより,エミッタ電極とコレクタ電極との間の隙間寸法が規定されることになる。そして,凹部46および凸部56は,各リードフレームの生成時の鍛造製法などにより実現されることから,その寸法は高精度である。そのため,特別な治具を用いることなく高さ寸法を高精度にすることができる。つまり,高精度な組付け治具や治具1つ1つの精度管理が不要となり,加工費の低減が可能となる。
そして,凸部56と凹部46とが嵌合された状態で高さ方向に型締めし,その状態で樹脂を流し込むこととしている。このとき,高さ寸法が高精度であることから,成形型と電極との隙間が極めて狭い。そのため,両電極上に樹脂が流れ込むことが殆どない。よって,高放熱性を確保することができる。さらには,電極上に樹脂が付着していないため,成形後に樹脂を削り取る工程は不要である。
なお,本実施の形態は単なる例示にすぎず,本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に,その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良,変形が可能である。例えば,リードフレーム40とリードフレーム50との嵌め合い機構については,図9に示した機構に限るものではない。例えば,リードフレーム40側に凸部を,リードフレーム50側に凹部をそれぞれ設けてもよい。また,凹部および凸部の形状は円柱状に限らず,角柱状であってもよい。
また,図13に示すように,凹部46および凸部56の形状をテーパ形状としてもよい。テーパ形状とすることにより,凹部46と凸部56との嵌合をスムーズに行うことができる。
また,本実施の形態では,2つの半導体素子11,12をモールドしているが,モールドされる半導体素子の数は2つに限るものではない。例えば,図14に示すように,1つの半導体素子をモールドする際にも本発明を適用可能である。
2 電源
3 負荷
6 樹脂
11,12 半導体素子
40,50 リードフレーム
41,42 コレクタ電極
51,52 エミッタ電極
46 凹部(被嵌入部)
56 凸部(嵌入部)
60 成形型
91,92,93 接続部材(接続部)
100 パワーモジュール(半導体モジュール)
3 負荷
6 樹脂
11,12 半導体素子
40,50 リードフレーム
41,42 コレクタ電極
51,52 エミッタ電極
46 凹部(被嵌入部)
56 凸部(嵌入部)
60 成形型
91,92,93 接続部材(接続部)
100 パワーモジュール(半導体モジュール)
Claims (9)
- 第1の半導体素子と,前記第1の半導体素子と電気的に接続された第2の半導体素子と,前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子との間に設けられた中間端子とを有する半導体モジュールにおいて,
前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とを電気的に接続するとともにヒューズ機能を備える接続部を有し,
前記接続部は,前記第1の半導体素子および前記第2の半導体素子とともに一体的に樹脂封止されていることを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1に記載する半導体モジュールにおいて,
前記接続部は,導体材で構成されるとともに,通電断面積が3mm2 以下であることを特徴とする半導体モジュール。 - 請求項1または請求項2に記載する半導体モジュールにおいて,
各半導体素子は,それぞれ一対の板状電極に挟まれていることを特徴とする半導体モジュール。 - 両面電極構造を有する半導体モジュールを支持するリードフレーム対において,
第1の板状電極を支持する第1リードフレームと,
第2の板状電極を支持する第2リードフレームとを有し,
前記第1リードフレームには,厚さ方向に突起する嵌入部が設けられ,
前記第2リードフレームには,前記嵌入部と嵌合することが可能な穴状の被嵌入部が設けられていることを特徴とするリードフレーム対。 - 請求項4に記載するリードフレーム対において,
前記嵌入部と前記被嵌入部との少なくとも一方は,その側面がテーパ状をなしていることを特徴とするリードフレーム対。 - 半導体素子を第1の板状電極と第2の板状電極とで挟み込む構造を有する中間接合体において,
前記第1の板状電極を支持する第1リードフレームと,
前記第2の板状電極を支持する第2リードフレームと,
前記第1リードフレーム上に設けられ,半導体素子の高さ方向に突起する嵌入部と,
前記第2リードフレーム内に設けられ,前記嵌入部と嵌合することが可能な穴状の被嵌入部とを有することを特徴とする中間接合体。 - 請求項6に記載する中間接合体において,
前記嵌入部と前記被嵌入部との少なくとも一方は,その側面がテーパ状をなしていることを特徴とする中間接合体。 - 半導体素子を,第1の板状電極と第2の板状電極とで挟み込む構造を有する半導体モジュールの製造方法において,
前記第1の板状電極を支持する第1リードフレームと,前記第2の板状電極を支持する第2リードフレームとによって前記半導体素子を挟み込むとともに,当該第1リードフレーム上に設けられた突起状の嵌入部と,当該第2リードフレーム内に設けられた穴状の被嵌入部とを嵌合することにより位置決めを行う位置決めステップと,
前記嵌入部と前記被嵌入部とが嵌合された状態で半導体モジュールの高さ方向に型締めを行う成形ステップとを含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。 - 請求項8に記載する半導体モジュールの製造方法において,
型締めを行った状態で前記第1の板状電極と第2の板状電極との隙間に樹脂を流し込む樹脂注入ステップを含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
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- 2004-10-25 JP JP2004309184A patent/JP2006120970A/ja active Pending
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