JP2015018856A - 半導体パワーモジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、半導体パワーモジュールの基本構造の一例を示す。図1の半導体パワーモジュールでは、銅やアルミニウムなどの金属で構成したベース板41に、絶縁基板43や導体パターン47を介して半導体素子45が実装される。絶縁基板43は、窒化アルミニウムなどの絶縁基板である。図1の例では、絶縁基板43は、銅やアルミニウムなどの導体パターン47で挟まれる構造になっている。図1において、配線材49、51、53、55は入出力端子である。なお、符号42は、半田を示す。
前記正極パターン部を前記負極パターン部にコンデンサを介して接続する複数の導電経路が構成され、これらの導電経路は、互いに独立して、かつ、互いに並列に配置されており、
前記導体パターンは、互いに分離されている複数の分離パターン部をさらに含み、
前記各導電経路は、互いに直列に接続された前記コンデンサと前記分離パターン部と小断面部とを含み、
前記各導電経路において、前記コンデンサの一端部は前記分離パターン部に直接接続され、前記分離パターン部は、前記小断面部を通して前記正極パターン部または前記負極パターン部に接続され、
前記各導電経路において、前記小断面部は、この導電経路における他の部分よりも断面積が小さくなっており、
前記各導電経路について、前記コンデンサが短絡故障した時に、前記小断面部に過電流が流れ、この過電流により前記小断面部が溶断するように、前記小断面部の断面積が設定されている、ことを特徴とする半導体パワーモジュールが提供される。
ベース板25は、銅やアルミニウムなどの金属で構成され、半導体素子5,7を冷却するためのヒートシンクとして機能する。絶縁基板27は、ベース板25上に形成された例えば熱伝導性の高い絶縁メタライズ基板であり、ベース板25と第3正極サブパターン部9cの間に挟持される。なお、絶縁が不要な用途では絶縁基板27を省略できる。
このような半導体パワーモジュール10は、例えば、インバータの構成要素である。図3(A)は、インバータを示す。図3(A)のインバータは、入力された直流電圧Vin+を3相の交流電圧Vu、Vv、Vwに変換する。
図3(B)は、降圧型DC−DCコンバータを示す。図3(B)において、半導体パワーモジュール10では、正極パターン部9に入力された直流電圧Vin+(Vin−に対するVin+)が、半導体素子5,7により、出力パターン部13とコイル29を通して、降圧した電圧Voutにされる。降圧した電圧Voutは、例えばコンデンサ31に受けられる。
Imax≦If×n
図4(A)は、変更例1による半導体パワーモジュール10の構成を示す平面図である。図4(A)に示すように、導体パターン3は、上述の分離パターン部15に加えて、互いに分離された複数の分離パターン部32を含んでいてもよい。
上述では、各導電経路L1〜L5において、導体パターン3の分離パターン部15は、小断面部23を通して正極パターン部9に接続されていたが、本発明は、これに限定されない。すなわち、各導電経路L1〜L5において、導体パターン3の分離パターン部は、小断面部を通して負極パターン部11に接続されていてもよい。例えば、上述の変更例1の構成を示す図4(A)の各導電経路L1〜L5において、分離パターン部15と小断面部23を省略して、コンデンサ21の一端部(正極部)を正極パターン部9に直接接続してもよい。
上述では、各導電経路において、1つのコンデンサ21が小断面部に直列に接続されていたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、1つの導電経路、または、複数の導電経路の各々において、互いに並列に接続された複数のコンデンサ21が、1つの分離パターン部に直列に直接接続され、かつ、小断面部に直列に接続されていてもよい。例えば、図4(B)のように、各導電経路L1、L2において、2つのコンデンサ21が、1つの分離パターン部15に直列に直接接続され、かつ、小断面部23に直列に接続されていてもよい。なお、図4(B)では、2つの導電経路L1、L2が形成されている。
上述では、正極パターン部9は、絶縁基板1の他方の面に形成された第3正極サブパターン部9cを含んでいたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、第3正極サブパターン部9cを省略してもよい。この場合、例えば、図5のように、正極パターン部9は、絶縁基板1の一方の面に形成された第4正極サブパターン部9dを含む。第4正極サブパターン部9dは、絶縁基板1において第4正極サブパターン部9dと同じ面に形成された第1正極サブパターン部9aと第2正極サブパターン部9bとを接続する。なお、正極パターン部9の全体(正極サブパターン部9a,9b,9d)にわたって、負極パターン部11に対する正極パターン部9の電位は同じになる。
1a 導体
1b 導体
3 導体パターン
5 半導体素子
7 半導体素子
9 正極パターン部
9a 第1正極サブパターン部
9b 第2正極サブパターン部
9c 第3正極サブパターン部
10 半導体パワーモジュール
11 負極パターン部
13 出力パターン部
15 分離パターン部
17 配線材
19 配線材
21 コンデンサ
23 小断面部
25 ベース板
27 絶縁基板
29 コイル
31 コンデンサ
32 分離パターン部
33 小断面部
L1〜L5 導電経路
Claims (4)
- 絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された導体パターンと、前記導体パターン上に実装された半導体素子とを備え、前記導体パターンは、正極パターン部と負極パターン部と出力パターン部を含み、前記正極パターン部は、前記半導体素子を介して前記出力パターン部に接続されるように構成された半導体パワーモジュールであって、
前記正極パターン部を前記負極パターン部にコンデンサを介して接続する複数の導電経路が構成され、これらの導電経路は、互いに独立して、かつ、互いに並列に配置されており、
前記導体パターンは、互いに分離されている複数の分離パターン部をさらに含み、
前記各導電経路は、互いに直列に接続された前記コンデンサと前記分離パターン部と小断面部とを含み、
前記各導電経路において、前記コンデンサの一端部は前記分離パターン部に直接接続され、前記分離パターン部は、前記小断面部を通して前記正極パターン部または前記負極パターン部に接続され、
前記各導電経路において、前記小断面部は、この導電経路における他の部分よりも断面積が小さくなっており、
前記各導電経路について、前記コンデンサが短絡故障した時に、前記小断面部に過電流が流れ、この過電流により前記小断面部が溶断するように、前記小断面部の断面積が設定されている、ことを特徴とする半導体パワーモジュール。 - 前記小断面部は、ワイヤであるか、または、前記導体パターンの一部である、ことを特徴とする請求項1に記載の半導体パワーモジュール。
- 1つの前記導電経路において、または、複数の前記導電経路の各々において、複数の前記小断面部が並列に配置されている、ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パワーモジュール。
- 1つの前記導電経路において、または、複数の前記導電経路の各々において、前記コンデンサの前記一端部と他端部は、前記正極パターン部、前記負極パターン部、または、前記導体パターンに含まれる他の導体パターン部に直接接続されている、ことを特徴とする請求項1、2または3に記載の半導体パワーモジュール。
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2013
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