JP6602260B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1は実施の形態1に係る電力変換装置の構成例を示す図である。実施の形態1に係る電力変換装置100はパワーモジュール10を備え、パワーモジュール10は、炭化珪素(Silicon Carbide:SiC)を用いて形成された第1のスイッチング素子11aとSiCを用いて形成された第2のスイッチング素子11bとを直列接続したスイッチング素子対11を備える。
図4は実施の形態2に係る電力変換装置が備えるパワーモジュールの第1の基板および第2の基板を示す図である。図5は図4に示す第1の基板および第2の基板をそれぞれの基板面が対向するように配置された状態を示す図である。実施の形態1と実施の形態2の相違点は以下の通りである。
(1)実施の形態2のパワーモジュール10−2は、実施の形態1の第1の基板20および第2の基板30の代わりに第1の基板20−2および第2の基板30−2を備えること。
(2)第1の基板20−2は、実施の形態1の第1の基板20に設けられる構成に加えて、N側導体パターン23dおよびワイヤ24cを備えること。
(3)第1の基板20−2は、第2の基板30−2と同一平面上に配置されていないこと。すなわち、第1の基板20−2は第2の基板30−2と一定距離、離間して重なるように配置されること。
(4)第2の基板30−2は、第1の基板20−2との対向面とは反対側の基板面31、すなわち図4における上面側に、P側導体パターン32a、N側導体パターン32bおよびコンデンサ12aが設けられていること。
(5)第1の接続導体41とP側導体パターン32aは、第1の基板20−2の上面である基板面21と第2の基板30−2の裏面が対向した状態で、第1および第2の接続導体41,42が設けられていること。第2の基板30−2の裏面とは、基板面31とは反対側の面である。
Claims (10)
- 第1の主面および第2の主面を有し、スイッチング素子が前記第1の主面に設置される第1の基板と、
第3の主面および第4の主面を有し、前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が前記第3の主面に設置される第2の基板と、
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体と、
を備え、
前記スイッチング素子が設置された前記第1の主面が、前記スナバ回路が設置されている前記第3の主面と対面しないように、前記第1の基板と前記第2の基板が離間して積層されることを特徴とする電力変換装置。 - 前記第2の基板は、前記第1の基板よりも熱膨張係数が小さいこと
を特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1の基板側に放熱用部品が設置されることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記導体に配置され、前記スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断する溶断部材を備えることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の電力変換装置。
- 前記溶断部材はワイヤで構成されていることを特徴とする請求項4に記載の電力変換装置。
- 前記スナバ回路は、前記コンデンサと直列に接続された抵抗を備えることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の電力変換装置。
- 前記コンデンサの電極の一端は前記ワイヤに接続され、
前記コンデンサの電極の他端は前記第2の基板の導体パターンに接続されていることを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。 - 前記スナバ回路は、抵抗を備え、
前記抵抗、前記コンデンサおよび前記ワイヤは直列に接続されていることを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。 - 前記スイッチング素子はワイドギャップ半導体を用いて形成されていることを特徴とする請求項1から請求項8の何れか一項に記載の電力変換装置。
- スイッチング素子が設置される第1の基板と、
前記スイッチング素子に並列接続されるコンデンサを含むスナバ回路が設置される第2の基板と、
前記スイッチング素子と前記スナバ回路とを電気的に接続する導体と、
前記導体に配置され、前記スナバ回路に一定値以上の電流が流れたときに溶断するワイヤと、
を備えることを特徴とする電力変換装置。
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