JP2003068967A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パワー素子とリードフレームを直接半田接合
するように構成しながら、過電流の継続状態を遮断可能
にする。 【解決手段】 本発明の半導体装置１は、パワー素子２
と、このパワー素子２の主電極に接続されたパワーリー
ド３ａ、４ａとを備え、パワー素子２を樹脂９でモール
ドすると共に、パワーリード３ａ、４ａをモールド樹脂
部１０から突設させるように構成したものにおいて、パ
ワーリード３ａ、４ａにヒューズ部４ｃを設けたもので
ある。この構成の場合、過電流が流れると、パワーリー
ドのヒューズ部が溶断することから、過電流の継続状態
を確実に遮断できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パワー素子と、こ
のパワー素子の主電極に接続されたパワーリードとを備
えてなる半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等の高耐圧・大
電流用の半導体装置においては、半導体チップ（パワー
素子）の主電極とリードフレームとの間をワイヤーボン
ディングして接続する場合に、ワイヤーの本数を多くす
ることにより、大電流を流すことを可能にしている。そ
して、半導体チップ及びリードフレームは、樹脂でモー
ルドされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体装置のサイズを小形化することがユーザーから要請さ
れている。しかし、半導体装置を小形化しようとする
と、ボンディングワイヤーの本数を必要本数だけ確保で
きなくなった。このような場合、代替技術として、半導
体チップの主電極をリードフレームに直接半田接合する
構成を採用することが考えられている。この構成によれ
ば、半導体装置のサイズを小形化できる。また、半導体
チップで発生する熱をリードフレームを介して良好に放
熱させることができる。

【０００４】さて、半導体装置に過電流が流れ、半導体
チップが破壊されてしまい、半導体チップが短絡状態に
なり、過電流が流れる状態が継続するような場合、半導
体チップとリードフレームをワイヤーボンディングする
構成では、ワイヤーが溶断してしまうので、過電流を遮
断することができる。これに対して、半導体チップとリ
ードフレームを直接半田接合する構成では、溶断する部
分がないので、過電流の継続状態を遮断することができ
ず、パワーラインの過熱を引き起こし、重大な故障が発
生するおそれがあった。

【０００５】一方、上記構成の半導体装置を実装する実
装体構造（パワーモジュール等）においては、半導体装
置を実装体構造に保持部材によって固定すると共に、半
導体装置のパワーリードを実装体構造のバスバーに半田
接合している。ここで、高耐圧・大電流用の半導体装置
の場合、半導体チップの発熱等により、半導体装置の温
度が約１５０℃程度にまで上昇することもある。

【０００６】このような温度事情に対して、実装体構造
においては、半導体装置を固定する保持部材等の部品の
熱膨張係数と、半導体装置のパワーリードの熱膨張係数
が異なるため、上記した熱サイクルが繰り返しかかる
と、パワーリードとバスバーとの半田接合部に熱応力が
繰り返し加わる。これにより、最悪の場合、パワーリー
ドとバスバーとの半田接合部が破断することがあった。

【０００７】そこで、本発明の目的は、パワー素子とリ
ードフレームを直接半田接合するように構成しながら、
過電流の継続状態を遮断することができる半導体装置を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、半導
体装置に熱サイクルが繰り返し加わることがあっても、
パワーリードの半田接合部の破断を防止することができ
る半導体装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、パワーリードのうちの少なくとも１つにヒューズ部
を設けたので、半導体チップとリードフレームを直接半
田接合するように構成しても、過電流が流れたときに、
パワーリードのヒューズ部が溶断することから、過電流
の継続状態を確実に遮断することができる。

【０００９】請求項２の発明においては、前記パワーリ
ードを幅広の導体板で構成し、前記ヒューズ部を、前記
導体板に設けられた幅狭であって且つ湾曲した板状部分
で構成した。この構成の場合、パワーリードに幅狭な部
分を形成するだけでヒューズ部を実現することができ
る。また、半導体装置に熱サイクルが繰り返し加わった
場合に、熱応力をパワーリードに設けられた湾曲した板
状部分で緩和することができ、熱応力がパワーリードの
半田接合部へ加わらなくなる。従って、半田接合部の破
断を防止することができる。

【００１０】請求項３の発明では、前記パワー素子の上
面及び下面の主電極に半田接合された一対のリードフレ
ームを備え、前記リードフレームに前記パワーリードを
一体に設けるように構成した。この構成によれば、一対
のリードフレームをヒートシンクとして使用することに
より、パワー素子で発生する熱を良好に放熱することが
できる。

【００１１】請求項４の発明によれば、前記ヒューズ部
を、前記パワーリードに接合されたヒューズ部材で構成
したので、ヒューズ部の溶断性能（溶断するときの電流
値や電流継続時間等）を容易に設定することができる。

【００１２】請求項５の発明によれば、前記パワー素子
の制御電極に接続された制御電極用リードを備え、前記
制御電極用リードに湾曲部を設けたので、半導体装置に
熱サイクルが繰り返し加わった場合に、熱応力を制御電
極用リードに設けられた湾曲部で緩和することができ、
該熱応力が制御電極用リードの半田接合部へ加わらなく
なる。従って、半田接合部の破断を防止することができ
る。

【００１３】請求項６の発明によれば、請求項２または
５の発明とほぼ同様な作用効果を得ることができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例につ
いて、図１ないし図７を参照しながら説明する。まず、
図１ないし図５は、本実施例の半導体装置１の全体構成
及び製造工程を示す図である。このうちの図４に示すよ
うに、本実施例の半導体装置１は、半導体チップ（パワ
ー素子）２と、下側ヒートシンク（リードフレーム）３
と、上側ヒートシンク（リードフレーム）４と、ヒート
シンクブロック５とを備えて構成されている。

【００１５】上記半導体チップ２は、例えばＩＧＢＴや
サイリスタ等のパワー素子から構成されている。半導体
チップ２の形状は、本実施例の場合、図５（ａ）に示す
ように、例えば矩形状の薄板状である。また、下側ヒー
トシンク３、上側ヒートシンク４及びヒートシンクブロ
ック５は、例えばＣｕやＡｌ等の熱伝導性及び電気伝導
性の高い金属で構成されている。そして、ヒートシンク
ブロック５は、図５（ａ）に示すように、半導体チップ
２よりも１回り小さい程度の大きさの矩形状の板材であ
る。

【００１６】また、下側ヒートシンク３は、図５（ａ）
に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の板材で
あり、端子部（パワーリード）３ａが前方へ突設されて
いる。この端子部３ａは、図１ないし図３に示すよう
に、下側ヒートシンク３に対して直角に折曲されるよう
に構成されている。更に、上側ヒートシンク４は、図５
（ｄ）に示すように、全体として例えばほぼ長方形状の
板材で構成されており、端子部（パワーリード）４ａが
後方へ突設されている。この端子部４ａは、図１ないし
図３に示すように、上側ヒートシンク４に対して直角に
折曲されるように構成されている。

【００１７】そして、上記構成の場合、図４に示すよう
に、半導体チップ２は、下側ヒートシンク３の上に接合
部材である例えば半田６を介して接合されている。そし
て、ヒートシンクブロック５は、半導体チップ２の上に
接合部材である例えば半田６を介して接合されている。
更に、上側ヒートシンク４は、ヒートシンクブロック５
の上に接合部材である例えば半田６を介して接合されて
いる。尚、上記各半田６の層の厚み寸法は、例えば１０
０〜２００μｍ程度となるように構成されている。

【００１８】上記構成においては、半導体チップ２で発
生した熱は、その両面からヒートシンク３、４及びヒー
トシンクブロック５を介して放熱される構成となってい
る。また、下側ヒートシンク３及び上側ヒートシンク４
は、半導体チップ２の下面及び上面に設けられた主電極
（例えばコレクタ電極やエミッタ電極等）に半田６を介
して電気的にも接続されている。

【００１９】また、半導体チップ２の上面に設けられた
制御電極（ゲート電極等）は、図５（ｂ）及び（ｃ）に
示すように、制御電極用のリードフレーム７にワイヤー
８を介してワイヤーボンディングされている。制御電極
用のリードフレーム７には、制御電極用リード７ａが延
設されており、これら制御電極用リード７ａは、図１な
いし図３に示すように、リードフレーム７に対して直角
に折曲されるように構成されている。

【００２０】尚、下側ヒートシンク３の端子部３ａと、
上側ヒートシンク４の端子部４ａは、互いの位置がずれ
るように対向する構成となっている。また、上記構成の
場合、下側ヒートシンク３の上面と上側ヒートシンク４
の下面との間の距離は、例えば１〜２ｍｍ程度になるよ
うに構成されている。

【００２１】そして、図４に示すように、一対のヒート
シンク３、４の隙間、並びに、半導体チップ２及びヒー
トシンクブロック５の周囲部分には、樹脂（例えばエポ
キシ樹脂等）９がモールド（充填封止）されている。こ
の場合、端子部３ａ、４ａ及び制御電極用リード７ａ
は、モールド樹脂部１０から外方へ突設されている。

【００２２】尚、ヒートシンク３、４の表面、並びに、
半導体チップ２及びヒートシンクブロック５の周囲部分
（即ち、ヒートシンク３、４等の表面のうちの樹脂９と
接する面）等には、図示しないポリアミド樹脂が塗布さ
れている。このポリアミド樹脂は、モールド樹脂９とヒ
ートシンク３、４との密着力、モールド樹脂９と半導体
チップ２との密着力、並びに、モールド樹脂９とヒート
シンクブロック５との密着力を強化するためのものであ
る。

【００２３】次に、上記した構成の半導体装置１の製造
方法（即ち、製造工程）について、図５を参照して簡単
に説明する。まず、図５（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、下側ヒートシンク３の上面に、半導体チップ２とヒ
ートシンクブロック５を半田付けする工程を実行する。
この場合、下側ヒートシンク３の上面に半田箔１１を介
して半導体チップ２を載せると共に、このチップ２の上
に半田箔１１を介してヒートシンクブロック５を載せ
る。この後、加熱装置（リフロー装置）によって上記半
田箔１１、１１を溶融させてから、硬化させる。

【００２４】続いて、図５（ｃ）に示すように、チップ
２の制御電極（例えばゲート電極等）とリードフレーム
７とをワイヤーボンディングする工程を実行する。次い
で、図５（ｄ）及び（ｅ）に示すように、ヒートシンク
ブロック５の上に上側ヒートシンク４を半田付けする工
程を実行する。この場合、図５（ｄ）に示すように、ヒ
ートシンクブロック５の上に半田箔１１を介して上側ヒ
ートシンク４を載せる。そして、加熱装置によって上記
半田箔１１を溶融させてから、硬化させる。

【００２５】このとき、上側ヒートシンク４の上に例え
ば重り１２等を載置することにより、上側ヒートシンク
４を下方へ向けて加圧するように構成されている。これ
と共に、上側ヒートシンク４と下側ヒートシンク１３と
の間に、スペーサ治具（図示しない）を取り付けること
により、上側ヒートシンク４と下側ヒートシンク３との
間の距離を予め決められた設定距離に保持するように構
成されている。

【００２６】尚、半田箔１１が溶融する前の状態では、
上側ヒートシンク４と下側ヒートシンク３との距離は、
スペーサ治具の設定距離よりも大きくなるように構成さ
れている。そして、半田箔１１が溶融すると、重り１２
の加圧力により、溶融した半田層の部分が薄くなり、上
側ヒートシンク４と下側ヒートシンク３との距離がスペ
ーサ治具の設定距離と等しくなる。このとき、半田層
は、適度な薄さまで薄くなるように構成されている。そ
して、溶融した半田層が硬化すれば、半導体チップ１２
とヒートシンク３、４とヒートシンクブロック５の接合
及び電気的接続が完了する。

【００２７】次いで、ポリアミド樹脂を、一対のヒート
シンク３、４の表面、並びに、半導体チップ２及びヒー
トシンクブロック５の周囲部分（端面部）等に塗布する
工程を実行する。この場合、ポリアミド樹脂を塗布する
具体的方法としては、ポリアミド樹脂塗布用のディスペ
ンサのノズルからポリアミド樹脂を滴下したり噴霧した
りする塗布方法や、ディッピング（浸漬）塗布方法等を
使用すれば良い。尚、ワイヤー８やリードフレーム７の
表面にも、ポリアミド樹脂を塗布しておくことが好まし
い。

【００２８】この後、上記塗布したポリアミド樹脂が乾
燥したら、図４に示すように、ヒートシンク３、４の隙
間、並びに、半導体チップ２及びヒートシンクブロック
５の周囲部分等を、樹脂９でモールドする工程を実行す
る。この場合、上述したように半田付けし且つポリアミ
ド樹脂を塗布したヒートシンク３、４、半導体チップ２
及びヒートシンクブロック５等の構成を、図示しない成
形型の内部に収容すると共に、樹脂９を注入（充填）す
る。これにより、一対のヒートシンク３、４の隙間、並
びに、チップ２及びヒートシンクブロック５の周囲部分
等に、樹脂９が充填される。そして、上記樹脂９が硬化
した後、成形型内から半導体装置１を取り出せば、半導
体装置１が完成する。

【００２９】ここで、端子部３ａ、４ａの形状について
説明する。端子部３ａは、図１及び図２に示すように、
幅広の導体板で構成されており、その中間部分に、ほぼ
Ｕ字形に湾曲した湾曲部３ｂが形成されている。そし
て、この湾曲部３ｂのうちの最も突出した部位に幅狭な
（即ち、断面積が小さい）板状部分３ｃが形成されてい
る。即ち、この板状部分３ｃが、幅狭であって且つ湾曲
した板状部分であり、本発明のヒューズ部を構成してい
る。

【００３０】本実施例の場合、上記板状部分３ｃは、端
子部３ａに定格電流（半導体チップ２の定格電流）の例
えば５倍以上の大きさの電流が例えば１秒間以上継続し
て流れたときに、溶断するように構成されている。ま
た、端子部４ａの形状は、端子部３ａの形状とほぼ同じ
である。即ち、端子部４ａは、幅広の導体板で構成さ
れ、その中間部分に湾曲部４ｂが形成されていると共
に、この湾曲部４ｂに幅狭な板状部分４ｃが形成されて
いる。そして、この板状部分４ｃが、本発明のヒューズ
部を構成している。更に、板状部分４ｃの溶断性能は、
前記板状部分３ｃの溶断性能とほぼ同じ性能に設定され
ている。

【００３１】また、４個の制御電極用リード７ａは、図
１ないし図３に示すように、幅狭な導体板で構成されて
おり、その中間部分に、ほぼＵ字形に湾曲した湾曲部７
ｂが形成されている。

【００３２】次に、上記構成の半導体装置１を組み込ん
だ半導体モジュール（パワーモジュール）１３につい
て、図６及び図７を参照して説明する。半導体モジュー
ル１３のベースを構成する冷却板１４の上面には、例え
ば２個の半導体装置１が絶縁材製の放熱シート１５を挟
んで載置されている。２個の半導体装置１の各上面に
は、絶縁材製の放熱シート１６が貼り付けられている。
上記２個の半導体装置１は、冷却板１４に、ほぼコ字状
をなす押さえ部材１７によって押さえ付けられており、
各押さえ部材１７は冷却板１４に２個のねじ１８によっ
て締め付け固定されている。尚、冷却板１４及び押さえ
部材１７は、ＣｕやＡｌ等の熱伝導性の良い金属で構成
されている。

【００３３】そして、冷却板１４の上面の４隅部には、
支持脚１９が立設されており、これら支持脚１９上に絶
縁板２０が載置されてねじ２１により固定されている。
上記絶縁板２０の上面には、バスバー２２がねじ２３に
より固定されている。また、絶縁板２０には、複数の貫
通孔２０ａが形成されており、これら貫通孔２０ａ内を
半導体装置１の端子部３ａ、４ａ及び制御電極用リード
７ａが挿通するように構成されている。そして、半導体
装置１の端子部３ａ、４ａは、バスバー２２に設けられ
た接合片部２２ａに半田接合されている。

【００３４】更に、絶縁板２０の上面の４隅部には、支
持脚２４が立設されており、これら支持脚２４上に制御
回路基板（プリント配線基板）２５が載置されてねじ２
６により固定されている。制御回路基板２５には、各種
の電子部品（ＩＣ等）２７が実装されている。そして、
半導体装置１の制御電極用リード７ａの先端部は、制御
回路基板２５に設けられたランドに半田付けされてい
る。

【００３５】このような構成の本実施例によれば、半導
体装置１の端子部（パワーリード）３ａ、４ａに板状部
分（ヒューズ部）３ｃ、４ｃを設けたので、半導体チッ
プ２とヒートシンク（リードフレーム）３、４を直接半
田接合するように構成しても、過電流が流れたときに、
端子部３ａ、４ａのヒューズ部３ｃ、４ｃが溶断する。
これによって、過電流の継続状態を確実に遮断すること
ができ、重大事故の発生を未然に防止することができ
る。

【００３６】また、上記実施例においては、端子部３
ａ、４ａを幅広の導体板で構成し、ヒューズ部３ｃ、４
ｃを、導体板に設けられた幅狭であって且つ湾曲した板
状部分３ｃ、４ｃで構成した。この構成の場合、端子部
３ａ、４ａに幅狭な部分を形成するだけでヒューズ部３
ｃ、４ｃを容易に作製することができる。

【００３７】そして、上記構成において、半導体装置１
及び半導体モジュール１３に熱サイクルが繰り返し加わ
った場合、半導体装置１を固定する冷却板１４、押さえ
部材１７、支持脚１９、絶縁板２０等の部品の熱膨張係
数と、半導体装置１の端子部３ａ、４ａの熱膨張係数が
異なるため、端子部３ａ、４ａとバスバー２２との半田
接合部に熱応力が繰り返し加わることになる。これに対
して、上記実施例では、熱応力を端子部３ａ、４ａに設
けられた湾曲した板状部分３ｃ、４ｃで緩和することが
できるから、熱応力が端子部３ａ、４ａとバスバー２２
との半田接合部へ加わらなくなる。従って、上記半田接
合部の破断を防止することができる。

【００３８】また、上記実施例では、半導体装置１にお
いて、半導体チップ２の上面及び下面の主電極に半田接
合された一対のヒートシンク（リードフレーム）３、４
を備え、これらヒートシンク３、４に端子部（パワーリ
ード）３ａ、４ａを一体に設けるように構成した。この
構成によれば、一対のヒートシンク３、４によって、半
導体チップ２で発生する熱を良好に放熱することができ
る。

【００３９】更に、上記実施例においては、半導体装置
１及び半導体モジュール１３に熱サイクルが繰り返し加
わった場合、半導体装置１を固定する冷却板１４、押さ
え部材１７、支持脚１９、２４、制御回路基板２５等の
部品の熱膨張係数と、半導体装置１の制御電極用リード
７ａの熱膨張係数が異なるため、制御電極用リード７ａ
と制御回路基板２５との半田付け部に熱応力が繰り返し
加わることになる。これに対して、上記実施例では、半
導体装置１の制御電極用リード７ａに湾曲部７ｂを設け
たので、熱応力を湾曲部７ｂで緩和することができ、熱
応力が制御電極用リード７ａと制御回路基板２５との半
田付け部へ加わらなくなる。従って、上記半田付け部の
破断を防止することができる。

【００４０】尚、上記実施例では、半導体装置１の端子
部３ａ、４ａにそれぞれヒューズ部３ｃ、４ｃを設けた
が、これに代えて、端子部３ａ、４ａのいずれか一方に
だけヒューズ部を設けるように構成しても良い。また、
ヒューズ部としての機能を持たせるだけであれば、端子
部３ａ、４ａの導体板を湾曲させることをやめて、幅狭
に構成するだけでも良い。

【００４１】更に、上記実施例においては、半導体装置
１の制御電極用リード７ａに湾曲部７ｂを設けるように
構成したが、これに代えて、制御電極用リード７ａに湾
曲部を設けることを止めても良い。

【００４２】図８及び図９は、本発明の第２の実施例を
示すものである。尚、第１の実施例と同一構成には、同
一符号を付している。この第２の実施例では、図８及び
図９に示すように、半導体装置１の２個の端子部３ａ、
４ａのうちの一方の端子部３ａを短くし、その先端部に
例えば矩形板状のヒューズ部材２８を溶接して接合し
た。尚、ヒューズ部材２８を端子部３ａにろう付け、か
しめ等により接合しても良い。

【００４３】上記ヒューズ部材２８は、例えばＳｎ系合
金やＰｂ系合金等で形成されており、端子部３ａに比べ
て低融点または高比抵抗の特性を持っている。このヒュ
ーズ部材２８は、端子部３ａに定格電流の例えば５倍以
上の大きさの電流が例えば１秒間以上継続して流れたと
きに、溶断するように構成されている。この場合、ヒュ
ーズ部材２８がヒューズ部を構成している。

【００４４】そして、ヒューズ部材２８の先端部には、
矩形板状の接続部材２９が例えば溶接により接合されて
いる。尚、接続部材２９をヒューズ部材２８にろう付
け、かしめ等により接合しても良い。上記接続部材２９
は、バスバー２２との接合に適した金属（例えば黄銅
等）により形成されている。

【００４５】尚、上述した以外の第２の実施例の構成
は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。従っ
て、第２の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ
作用効果を得ることができる。特に、第２の実施例によ
れば、ヒューズ部材（ヒューズ部）２８の溶断性能（溶
断するときの電流値や電流継続時間等）を容易に設定す
ることができる。

【００４６】図１０及び図１１は、本発明の第３の実施
例を示すものである。尚、第２の実施例と同一構成に
は、同一符号を付している。この第３の実施例では、図
１０及び図１１に示すように、半導体装置１の２個の端
子部３ａ、４ａを共に短くし、それぞれの先端部に例え
ば矩形板状のヒューズ部材３０を溶接して接合した。
尚、ヒューズ部材３０を端子部３ａ、４ａにろう付け、
かしめ等により接合しても良い。上記ヒューズ部材３０
は、第２の実施例のヒューズ部材２８とほぼ同じ金属材
料で形成されている。このヒューズ部材３０は、端子部
３ａ、４ａに定格電流の例えば５倍以上の大きさの電流
が例えば１秒間以上継続して流れたときに、溶断するよ
うに構成されている。

【００４７】そして、本実施例の場合、上記ヒューズ部
材３０の先端部をバスバー２２に半田接合するように構
成されている。上述した以外の第３の実施例の構成は、
第２の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、
第３の実施例においても、第２の実施例とほぼ同じ作用
効果を得ることができる。

【００４８】尚、上記各実施例においては、半導体チッ
プ２としてＩＧＢＴに適用したが、これに限られるもの
ではなく、例えばＭＯＳＦＥＴや他の半導体素子に適用
しても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す半導体装置の正面
図

【図２】半導体装置の側面図

【図３】半導体装置の後面図

【図４】半導体装置の縦断面図

【図５】半導体装置の製造工程を示す図

【図６】半導体モジュールの部分破断正面図

【図７】半導体モジュールの側面図

【図８】本発明の第２の実施例を示す図１相当図

【図９】図２相当図

【図１０】本発明の第３の実施例を示す図１相当図

【図１１】図２相当図

【符号の説明】

１は半導体装置、２は半導体チップ（パワー素子）、３
は下側ヒートシンク（リードフレーム）、３ａは端子部
（パワーリード）、３ｂは湾曲部、３ｃは板状部分（ヒ
ューズ部）、４は上側ヒートシンク（リードフレー
ム）、４ａは端子部（パワーリード）、４ｂは湾曲部、
４ｃは板状部分（ヒューズ部）、５はヒートシンクブロ
ック、７はリードフレーム、７ａは制御電極用リード、
７ｂは湾曲部、９は樹脂、１０はモールド樹脂部、１１
は半田箔、１２は重り、１３は半導体モジュール、１４
は冷却板、１７は押さえ部材、１９は支持脚、２０は絶
縁板、２２はバスバー、２４は支持脚、２５は制御回路
基板、２８はヒューズ部材（ヒューズ部）、２９は接続
部材、３０はヒューズ部材（ヒューズ部）を示す。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パワー素子と、このパワー素子の主電極
   に接続されたパワーリードとを備え、前記パワー素子を
   樹脂でモールドすると共に、前記パワーリードをモール
   ド樹脂部から突設させるように構成した半導体装置にお
   いて、 前記パワーリードのうちの少なくとも１つにヒューズ部
   を設けたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記パワーリードを幅広の導体板で構成
   し、 前記ヒューズ部を、前記導体板に設けられた幅狭であっ
   て且つ湾曲した板状部分で構成したことを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記パワー素子の上面及び下面の主電極
   に半田接合された一対のリードフレームを備え、 前記リードフレームに前記パワーリードを一体に設けた
   ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記ヒューズ部を、前記パワーリードに
   接合されたヒューズ部材で構成したことを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記パワー素子の制御電極に接続された
   制御電極用リードを備え、 前記制御電極用リードに湾曲部を設けたことを特徴とす
   る請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 パワー素子と、このパワー素子の主電極
   に接続されたパワーリードと、前記パワー素子の制御電
   極に接続された制御電極用リードとを備え、前記パワー
   素子を樹脂でモールドすると共に、前記パワーリード及
   び前記制御電極用リードをモールド樹脂部から突設させ
   るように構成した半導体装置において、 前記パワーリード及び前記制御電極用リードに湾曲部を
   設けたことを特徴とする半導体装置。