JP2002319654A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2002319654A
JP2002319654A JP2001124249A JP2001124249A JP2002319654A JP 2002319654 A JP2002319654 A JP 2002319654A JP 2001124249 A JP2001124249 A JP 2001124249A JP 2001124249 A JP2001124249 A JP 2001124249A JP 2002319654 A JP2002319654 A JP 2002319654A
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legs
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Kenji Yagi
賢次 八木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 一対の放熱板の間の距離を正確に規定すると
共に、製造作業性を向上させる。 【解決手段】 本発明の半導体装置1は、発熱素子2
と、この発熱素子2の両面から放熱するための一対の放
熱板3、4とを備えて成るものにおいて、一対の放熱板
3、4のうちの一方の放熱板4の両端部に脚部4a、4
bを設け、この脚部4a、4bによって一対の放熱板
3、4の間の距離を規定するように構成したものであ
る。この構成によれば、従来構成とは異なり、ギャップ
治具が不要であるから、その取り付け及び取り外し作業
をなくすことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発熱素子と、この
発熱素子の両面に接合された一対の放熱板とを備えて成
る半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば高耐圧・大電流用のパワーICの
半導体チップ(発熱素子)は、使用時の発熱が大きいた
め、チップからの放熱性を向上させるための構成が必要
になる。この構成の一例として、チップの両面に一対の
放熱板を例えば半田層を介して接合する構成が、従来よ
り、考えられており、この構成によれば、チップの両面
から放熱できるので、放熱性が向上する。
【0003】上記した構成の場合、一対の放熱板の間の
距離を正確に規定することが困難であると共に、半田層
の厚み寸法がばらつくという問題点があった。このよう
な問題点を解消する構成として、本出願人は、特願20
00−97912を先に出願している。この出願の構成
では、一対の放熱板の間に、ギャップ治具を取り付ける
ことにより、放熱板の間の距離を正確に規定し、また、
半田層の厚み寸法のばらつきを防止している。尚、上記
一対の放熱板の隙間、即ち、チップの周囲の空間部に
は、樹脂が充填されるように構成されており、これによ
り、チップ及び放熱板は樹脂封止されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記出願の構
成においては、半田付けする前に、一対の放熱板の間
に、ギャップ治具を取り付ける作業が必要となると共
に、半田付けした後で、一対の放熱板の間から、ギャッ
プ治具を取り外す作業が必要となる。このため、ギャッ
プ治具の取り付け・取り外しが面倒であるという不具合
があった。
【0005】そこで、本発明の目的は、一対の放熱板の
間の距離を正確に規定することができ、しかも、製造作
業性を向上させることができる半導体装置を提供するこ
とにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば、一対の放熱板のうちの一方の放熱板の両端部に脚部
を設け、この脚部によって前記一対の放熱板の間の距離
を規定するように構成したので、一対の放熱板の間の距
離を正確に規定することができる。しかも、この構成の
場合、ギャップ治具が不要であることから、その取り付
け及び取り外し作業がなくなり、製造作業性が大幅に向
上する。
【0007】請求項2の発明によれば、一対の放熱板の
うちの少なくとも一方の放熱板に、孔または切欠部を設
けたので、作業者は、一対の放熱板の隙間、並びに、チ
ップの周囲部分を、上記孔または切欠部を通して容易に
視認することができる。これにより、例えば、樹脂との
密着力を強くするポリアミド樹脂を一対の放熱板の隙間
等に塗布するような場合に、塗布用のディスペンサのノ
ズルを上記孔または切欠部に差し込んで塗布することが
可能となるから、塗布作業を実行し易くなると共に、均
一に塗布することができる。また、上記孔または切欠部
を通して、ポリアミド樹脂が放熱板やチップ等に十分に
塗布されたか否かや、均一に塗布されたか否か等を、視
認により容易に確認することができる。
【0008】ちなみに、一対の放熱板の間の隙間は、例
えば約1〜2mm程度であり、かなり狭いことから、上
記孔または切欠部がない場合には、ポリアミド樹脂の塗
布作業が困難であると共に、ポリアミド樹脂の塗布状態
の確認作業が困難であるという問題点があった。
【0009】また、請求項3の発明によれば、請求項2
の発明とほぼ同じ作用効果を得ることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施例につ
いて、図1ないし図3を参照しながら説明する。まず、
図1に示すように、本実施例の半導体装置1は、半導体
チップ(発熱素子)2と、下側ヒートシンク(放熱板)
3と、上側ヒートシンク(放熱板)4と、ヒートシンク
ブロック5とを備えて構成されている。
【0011】この構成の場合、半導体チップ2の下面と
下側ヒートシンク3との間は、接合部材である例えば半
田6によって接合されている。そして、半導体チップ2
の上面とヒートシンクブロック5の下面との間も、半田
6によって接合されている。更に、ヒートシンクブロッ
ク5の上面と上側ヒートシンク4の下面との間も、半田
6によって接合されている。これにより、上記構成にお
いては、半導体チップ2の両面からヒートシンク3、4
(即ち、一対の放熱板)を介して放熱されるように構成
されている。
【0012】そして、上記半導体チップ2は、例えばI
GBTやサイリスタ等のパワー半導体素子から構成され
ている。半導体チップ2の形状は、本実施例の場合、図
3(a)に示すように、例えば矩形状の薄板状である。
また、下側ヒートシンク3、上側ヒートシンク4及びヒ
ートシンクブロック5は、例えばCuやAl等の熱伝導
性が良い金属で構成されている。この構成の場合、下側
ヒートシンク3及び上側ヒートシンク4は、半導体チッ
プ2の各主電極(パッド)に電気的にも接続されるよう
に構成されている。
【0013】そして、下側ヒートシンク3は、図3
(a)に示すように、全体として例えば長方形状の板材
であり、端子部3aが後方へ向けて延びるように突設さ
れている。また、ヒートシンクブロック5は、図3
(a)に示すように、半導体チップ2よりも1回り小さ
い程度の大きさの矩形状の板材である。
【0014】次に、上側ヒートシンク4は、図3(d)
に示すように、全体として例えば長方形状の板材で構成
されており、その両端部には、脚部4a、4bが例えば
曲げ加工により設けられている。これら脚部4a、4b
は、下側ヒートシンク3と上側ヒートシンク4の間の距
離を規定するためのものであり、該距離を規定可能な精
度の長さを有している。上記脚部4a、4bによって距
離を規定するときの具体的作用(動作)については、後
述する。
【0015】尚、本実施例の場合、下側ヒートシンク3
の上面と上側ヒートシンク4の下面との間の距離は、例
えば1.5mm程度に設定されている。また、上側ヒー
トシンク4には、端子部4cが後方へ向けて延びるよう
に突設されている。
【0016】更に、上側ヒートシンク4には、チップ2
の両側(即ち、近傍)に位置して2個の孔4d、4eが
形成されている。これら孔4d、4eは、図2に示すよ
うに、長細い形状の孔であり、肉盗み部分としての機能
も有している。この構成の場合、作業者は、上記孔4
d、4eを通して、一対のヒートシンク3、4の隙間、
並びに、チップ2の周囲部分を容易に視認することがで
きる。
【0017】一方、図1に示すように、一対のヒートシ
ンク3、4の隙間、並びに、チップ2及びヒートシンク
ブロック5の周囲部分には、樹脂(例えばエポキシ樹
脂)7が充填封止されている。ここで、樹脂7とヒート
シンク3、4との密着力、並びに、樹脂7とチップ2や
ヒートシンクブロック5との密着力を強くするために、
コーティング樹脂である例えばポリアミド樹脂8が、一
対のヒートシンク3、4の内側の表面、並びに、チップ
2やヒートシンクブロック5の周囲部分の表面に、図1
中においてやや太い実線で示すように塗布されている。
【0018】次に、上記した構成の半導体装置1の製造
方法(即ち、製造工程)について、図3を参照して説明
する。まず、図3(a)及び(b)に示すように、下側
ヒートシンク3の上面に、チップ2とヒートシンクブロ
ック5を半田付けする工程を実行する。この場合、下側
ヒートシンク3の上面に半田箔9を介してチップ2を積
層すると共に、このチップ2の上に半田箔9を介してヒ
ートシンクブロック5を積層する。この後、加熱装置
(例えばリフロー装置)によって上記半田箔9、9を溶
融させてから、硬化させる。
【0019】続いて、図3(c)に示すように、チップ
2の制御電極(例えばゲートパッド等)とリードフレー
ム10a、10bとをワイヤーボンディングする工程を
実行する。これにより、ワイヤー11によってチップ2
の制御電極とリードフレーム10a、10bとが接続さ
れる。
【0020】次いで、図3(d)及び(e)に示すよう
に、ヒートシンクブロック5の上に上側ヒートシンク4
を半田付けする工程を実行する。この場合、図3(d)
に示すように、ヒートシンクブロック5の上に半田箔9
を介して上側ヒートシンク4を載せる。そして、加熱装
置によって上記半田箔9を溶融させてから、硬化させ
る。このとき、図3(e)に示すように、台12上に下
側ヒートシンク3を載置して固定すると共に、上側ヒー
トシンク4の両端部の脚部4a、4bの先端部を台12
に当接させるようにしてセットする。
【0021】そして、上側ヒートシンク4の上に例えば
重り13を載置することにより、上側ヒートシンク4を
下方へ向けて加圧するように構成されている。この場
合、半田箔9が溶融する前の状態では、上側ヒートシン
ク4の脚部4a、4bの先端部は、台12の上面に当接
しないように構成されている。そして、半田箔9が溶融
すると、重り13の加圧により、溶融した半田層の部分
が薄くなり、上側ヒートシンク4の脚部4a、4bの先
端部が台12の上面に当接する。このとき、半田層は、
適度な薄さまで薄くなるように構成されている。
【0022】このようにして、上側ヒートシンク4の脚
部4a、4bは、下側ヒートシンク3と上側ヒートシン
ク4の間の距離を規定するのである。そして、溶融した
半田層が硬化すれば、チップ2とヒートシンク3、4と
ヒートシンクブロック5の接合及び電気的接続が完了す
る。
【0023】次いで、ポリアミド樹脂8を、一対のヒー
トシンク3、4の隙間、並びに、チップ2の周囲部分等
に塗布する工程を実行する。この構成の場合、上側ヒー
トシンク4の孔4d、4eの中に、ポリアミド樹脂8塗
布用のディスペンサのノズルを挿入して(差し込ん
で)、このノズルの先端からポリアミド樹脂8を滴下
(または噴霧)することにより、ポリアミド樹脂8の塗
布を実行するように構成されている。
【0024】そして、ポリアミド樹脂8を塗布した後
は、上側ヒートシンク4の孔4d、4eを通して、一対
のヒートシンク3、4の隙間、並びに、チップ2やヒー
トシンクブロック5等の周囲部分等を視認することによ
り、ポリアミド樹脂8がヒートシンク3、4の内側の表
面やチップ2やヒートシンクブロック5等の周囲部分の
表面等に十分に塗布されたか否か、また、均一に塗布さ
れたか否かなどを確認する。
【0025】続いて、上記したようにポリアミド樹脂8
を塗布した後の構成を、図示しない成形型(例えば上下
型)の中に収容し、一対のヒートシンク3、4の隙間、
並びに、チップ2の周囲部分等に樹脂7を注入する工程
(モールド工程)を実行するように構成されている。こ
れにより、図1に示すように、一対のヒートシンク3、
4の隙間、並びに、チップ2やヒートシンクブロック5
の周囲部分等に、樹脂7が充填封止される。そして、樹
脂7が硬化した後、成形型内から半導体装置1を取り出
せば、半導体装置1が完成する。
【0026】このような構成の本実施例によれば、一対
のヒートシンク3、4のうちの一方のヒートシンク4の
両端部に脚部4a、4bを設け、この脚部4a、4bに
よって一対のヒートシンク3、4の間の距離を規定する
ように構成したので、一対のヒートシンク3、4の間の
距離を正確に規定することができる。しかも、本実施例
の場合、従来構成とは異なり、ギャップ治具が不要であ
ることから、その取り付け及び取り外し作業がなくなる
ため、製造作業性を大幅に向上させることができる。
【0027】また、上記実施例においては、一対のヒー
トシンク3、4のうちの一方のヒートシンク4に、孔4
d、4eを設けたので、作業者は、一対のヒートシンク
3、4の隙間、並びに、チップ2やヒートシンクブロッ
ク5の周囲部分を、上記孔4d、4eを通して容易に視
認することができる。これにより、例えば、樹脂7との
密着力を強くするポリアミド樹脂8を一対のヒートシン
ク3、4の隙間に塗布するような場合に、塗布用のディ
スペンサのノズルを上記孔4d、4eに差し込んで塗布
することが可能となるから、塗布作業を実行し易くなる
と共に、均一に塗布することができる。また、作業者
は、上記孔4d、4eを通して、ポリアミド樹脂8がヒ
ートシンク3、4やチップ2に十分に塗布されたか否か
や、均一に塗布されたか否か等を、視認により容易に確
認することができる。
【0028】尚、一対のヒートシンク3、4の間の隙間
は、本実施例の場合、例えば約1.5mm程度であり、
かなり狭いことから、上記孔d、4eがない場合には、
ポリアミド樹脂8の塗布作業が困難であると共に、ポリ
アミド樹脂の塗布状態の確認作業がかなり困難である。
【0029】また、上記実施例においては、上側ヒート
シンク4に2個の孔d、4eを設けたが、これに限られ
るものではなく、1個または3個以上の孔を設けても良
く、また、孔の形状も内部を視認し易い形状であれば良
く、また、下側ヒートシンク3側に孔を設けるように構
成しても良い。
【0030】更に、上記実施例では、ヒートシンク3、
4とチップ2とヒートシンクブロック5とを接合する接
合部材として半田箔9を用いたが、これに代えて、半田
ペーストや、導電性接着剤を用いるように構成しても良
い。
【0031】更にまた、上記実施例では、上側ヒートシ
ンク4の両端部に各1個の脚部4a、4bを設けたが、
これに限られるものではなく、上側ヒートシンクの両端
部に各2個以上の脚部を設けるように構成しても良く、
また、下側ヒートシンク側に脚部を設けるように構成し
ても良い。
【0032】また、上記実施例においては、ヒートシン
ク3、4間にチップ(放熱素子)2を1個挟むように構
成したが、これに限られるものではなく、2個以上のチ
ップ(または2種類以上のチップ)を挟むように構成し
てんも良い。
【0033】図4及び図5は、本発明の第2の実施例を
示すものである。尚、第1の実施例と同一部分には、同
一符号を付している。この第2の実施例では、脚部14
a〜14dを下側ヒートシンク14に設けていると共
に、上側ヒートシンク15の大きさを下側ヒートシンク
14よりもある程度小さく構成している。
【0034】具体的には、図4及び図5に示すように、
下側ヒートシンク14の4つの角部に、4個の脚部14
a〜14dを例えば曲げ加工により上方へ突出するよう
に形成している。この場合、下側ヒートシンク14の両
端部に各2個の脚部14a、14b、14c、14dを
設ける構成となっている。
【0035】そして、上側ヒートシンク15の大きさを
下側ヒートシンク14よりも一回り小さく構成してい
る。これにより、上側ヒートシンク15の一回り小さく
なった部分から、作業者は、一対のヒートシンク14、
15の隙間、並びに、チップ2やヒートシンクブロック
5の周囲部分等を容易に視認することができる構成とな
っている。
【0036】この構成の場合、上側ヒートシンク15が
一回り小さくなることは、上側ヒートシンク15の周囲
部に切欠部が全周にわたって形成されていることと同じ
であり、上側ヒートシンク15に、第1の実施例の孔に
代えて切欠部を設けた構成となっている。
【0037】尚、上記第2の実施例においては、下側ヒ
ートシンク14及び上側ヒートシンク15には、それぞ
れ端子部14e及び15aが突設されている。そして、
上述した以外の第2の実施例の構成は、第1の実施例と
同じ構成となっている。従って、第2の実施例において
も、第1の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができ
る。
【0038】図6及び図7は、本発明の第3の実施例を
示すものである。尚、第1の実施例と同一部分には、同
一符号を付している。この第3の実施例では、上側ヒー
トシンク16に、第1の実施例の孔に代えて矩形状の切
欠部16a、16bを設けている。そして、上側ヒート
シンク16の4隅部に、別体の脚部17〜20が下方へ
向けて突設されている。
【0039】各脚部17〜20は、円柱状部材からな
り、その根元部(図7中の上端部)には、径小部17a
〜20aが設けられている。この構成の場合、各脚部1
7〜20の径小部17a〜20aを、上側ヒートシンク
16の4隅部に設けられた嵌合孔部に嵌合させて例えば
溶接またはかしめることにより、上側ヒートシンク16
に脚部17〜20を取付固定している。尚、各脚部17
〜20の径小部17a〜20aと、上側ヒートシンク1
6の4隅部の嵌合孔部にねじ部を形成して、上側ヒート
シンク16に脚部17〜20を螺挿して締め付け固定す
るように構成しても良い。
【0040】また、上記第3の実施例においては、上側
ヒートシンク16及び下側ヒートシンク21には、それ
ぞれ端子部16c及び21aが突設されている。更に、
上側ヒートシンク16の脚部17〜20が下側ヒートシ
ンク21に接触しないように構成するために、下側ヒー
トシンク21には、切欠部21b、21c、21dが形
成されている。
【0041】尚、上述した以外の第3の実施例の構成
は、第1の実施例と同じ構成となっている。従って、第
3の実施例においても、第1の実施例とほぼ同じ作用効
果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す半導体装置の縦断
側面図
【図2】半導体装置の上面図
【図3】半導体装置の製造工程を示す図
【図4】本発明の第2の実施例を示す図2相当図
【図5】図1相当図
【図6】本発明の第3の実施例を示す図2相当図
【図7】図1相当図
【符号の説明】
1は半導体装置、2は半導体チップ(発熱素子)、3は
下側ヒートシンク(放熱板)、3aは端子部、4は上側
ヒートシンク(放熱板)、4a、4bは脚部、4cは端
子部、4d、4eは孔、5はヒートシンクブロック、6
は半田、7は樹脂、8はポリアミド樹脂、14は下側ヒ
ートシンク、14a〜14dは脚部、15は上側ヒート
シンク、16は上側ヒートシンク、16a、16bは切
欠部、17、18、19、20は脚部、21は下側ヒー
トシンクを示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発熱素子と、この発熱素子の両面から放
    熱するための一対の放熱板とを備えて成る半導体装置に
    おいて、 前記一対の放熱板のうちの一方の放熱板の両端部に脚部
    を設け、この脚部によって前記一対の放熱板の間の距離
    を規定するように構成したことを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 前記一対の放熱板のうちの少なくとも一
    方の放熱板に、孔または切欠部を設けたことを特徴とす
    る請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 発熱素子と、この発熱素子の両面から放
    熱するための一対の放熱板とを備えて成る半導体装置に
    おいて、 前記一対の放熱板のうちの少なくとも一方の放熱板に、
    孔または切欠部を設けたことを特徴とする半導体装置。
JP2001124249A 2001-04-23 2001-04-23 半導体装置 Pending JP2002319654A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009170774A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Denso Corp 半導体モジュール
JP2009283656A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2010161188A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びパワー半導体装置
JP2011211017A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denso Corp 半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
JP2011211018A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denso Corp 半導体モジュール

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009170774A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Denso Corp 半導体モジュール
JP2009283656A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
US8278747B2 (en) 2008-05-22 2012-10-02 Denso Corporation Semiconductor apparatus having a two-side heat radiation structure
JP2010161188A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びパワー半導体装置
JP2011211017A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denso Corp 半導体モジュールおよびそれを備えた半導体装置
JP2011211018A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Denso Corp 半導体モジュール

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