JP6724449B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
[特許文献1] 特開平6−13501号公報
[特許文献2] 特開2004−207277号公報
[特許文献3] 特開2009−64852号公報
[特許文献4] 国際公開2013/118478
[1.1 半導体装置10の構成]
図1は、本実施形態に係る半導体装置10の一例を示す。例えば、半導体装置10は、パワー半導体素子を搭載し、工作機械及びロボットにおける電力制御等に用いられる電力制御用電子部品であってよい。図1(a)は、半導体装置10の長手方向における断面図を示す。まず、図1(a)により半導体装置10の層構成を説明する。半導体装置10は、半導体素子110と、第1導電部120と、絶縁板130と、第2導電部140と、プリント回路基板160と、導電ポスト170と、外部端子180と、外部端子182と、モールド材料190と、を備える。
[1.2 第1導電部120の構成]
まず、第1導電部120の構成を説明する。図示するように、第1導電部120は、金属板123と、接合層124と、金属膜126と、接合層128とを有する。
次に、第2導電部140の構成を説明する。第2導電部140は、金属板142と、接合層144と、金属膜146と、接合層148とを有する。
図4及び図5は、絶縁板130の第1面(及び/又は第2面)上における凹部125の形状のバリエーションを示す。
図6は、本実施形態の変形例に係る半導体装置10の一例を示す。本変形例において、図1〜図3で説明した実施形態の半導体装置10と同様の点については説明を省略する。本変形例において、第1導電部120は、間隙形成層121aにおいて、本体部220、及び、複数の凸部222を有する。
図9は、半導体装置10の製造方法の一例を示す。半導体装置10は、S110〜S230の処理を実行することにより製造される。
図10は、密着強度試験の一例を示す。密着強度試験は、各材料上にモールド材料190を固めて各材料の面方向に力を加えたときにモールド材料190が剥離するときの力を測定することにより行う。例えば、密着強度試験用のモジュールは、各材料で形成された10mm×10mmの基板状の材料300にはんだ付けと同様の熱処理(例えば245℃、12分)を実行し、洗浄及び乾燥後に、フッ素樹脂製の型を用いて底面が直径3.57mmの円で上面が直径3mmの円で高さが4mmの円錐台形状となるように未硬化のモールド材料190を配置し、モールド材料190の熱硬化処理(例えば、170℃、60分)をして得られる。その後、密着強度試験用のモジュールに対して、常温、0.25mm/secの条件でシェア試験を実施し、単位面積あたりの破断強度を測定した。
Claims (16)
- 絶縁板と、
前記絶縁板の第1面上に設けられた第1導電部と、
前記第1導電部上に搭載される半導体素子と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子を封止するモールド材料と
を備え、
前記絶縁板の材料は、前記第1導電部の材料よりも前記モールド材料との密着性が高く、
前記第1導電部は、一部において前記絶縁板との間に前記モールド材料が充填された間隙を有し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置。 - 絶縁板と、
前記絶縁板の第1面に形成された第1導電部と、
前記第1導電部上に搭載される半導体素子と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子を封止するモールド材料と
を備え、
前記第1導電部は、
前記絶縁板側に設けられ、互いに離れた異なる位置で前記絶縁板の前記第1面に接合される複数の凸部と、
隣接する凸部同士の間の少なくとも一部において、前記絶縁板との間に前記モールド材料が充填される間隙と
を有し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置。 - 前記第1導電部は、
前記絶縁板の前記第1面上に形成された金属膜と、
前記金属膜に接合された金属板と
を有し、
前記金属板および前記絶縁板の間の少なくとも一部において、前記金属膜が設けられずに前記モールド材料が充填された前記間隙を有する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 絶縁板と、
前記絶縁板の第1面に形成された金属膜および前記金属膜に接合された金属板を有する第1導電部と、
前記金属板上に搭載される半導体素子と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子を封止するモールド材料と
を備え、
前記金属板および前記絶縁板の間の少なくとも一部において、前記金属膜が設けられずに前記モールド材料が充填された間隙を有し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置。 - 前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状であって、角が面取り処理された形状を有する、
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記絶縁板の第2面上に設けられた第2導電部を更に備え、
前記第2導電部は、一部において前記絶縁板との間に前記モールド材料が充填された第2間隙を有する請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記間隙は、前記半導体素子および前記第1導電部の接触面から前記絶縁板に向かって45度の角度で広がる空間領域外に少なくとも一部が位置する請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電部は、面積が最大である主導電部材および少なくとも1つの副導電部材を含む互いに離れた複数の導電部材を有し、
前記複数の導電部材のうち前記主導電部材を含む一部の導電部材のみに対して前記間隙が設けられる
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記絶縁板は、セラミック板である請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電部は、銅を含む請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記モールド材料は、エポキシ樹脂を含む請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記絶縁板の材料上に前記モールド材料を固めて当該絶縁板の材料の面方向に力を加えたときに前記モールド材料が剥離するときの力が、前記第1導電部の材料上に前記モールド材料を固めて当該第1導電部の材料の面方向に力を加えたときに前記モールド材料が剥離するときの力よりも大きい請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 第1面上に第1導電部が設けられた絶縁板を用意する段階と、
前記第1導電部上に半導体素子を搭載する段階と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子をモールド材料により封止する段階と
を備え、
前記絶縁板の材料は、前記第1導電部の材料よりも前記モールド材料との密着性が高く、
前記封止する段階は、前記第1導電部の一部における前記絶縁板との間の間隙に前記モールド材料を充填し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置の製造方法。 - 第1面上に第1導電部が設けられた絶縁板を用意する段階と、
前記第1導電部上に半導体素子を搭載する段階と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子をモールド材料により封止する段階と
を備え、
前記第1導電部は、前記絶縁板側に設けられ、互いに離れた異なる位置で前記絶縁板の前記第1面に接合される複数の凸部を有し、
前記封止する段階は、隣接する凸部同士の間の少なくとも一部における、前記第1導電部と前記絶縁板との間の間隙に前記モールド材料を充填し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置の製造方法。 - 第1面上に形成された金属膜および前記金属膜に接合された金属板を含む第1導電部が設けられた絶縁板を用意する段階と、
前記金属板上に半導体素子を搭載する段階と、
前記絶縁板の前記第1面側における前記第1導電部および前記半導体素子をモールド材料により封止する段階と
を備え、
前記封止する段階は、前記金属板および前記絶縁板の間の少なくとも一部における、前記金属膜が設けられていない間隙に前記モールド材料を充填し、
前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって開口幅が大きくなる箇所を含む形状、および、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状、の少なくとも1つの形状を有する、
半導体装置の製造方法。 - 前記間隙は、前記絶縁板の前記第1面上において、前記第1導電部の縁部から前記間隙の内部に向かって少なくとも1つの折れ曲がりを有する形状であって、角が面取り処理された形状を有する、
請求項13から15のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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