JP2010092918A - 板状電極とブロック状電極との接続構造及び接続方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】板状電極とこれに接続する電極の間に接触による応力がかかることなく板状電極を確実に半田接合させることが可能な接続構造及び接続方法の提供にある。
【解決手段】板状電極１１とブロック状電極１２との接続構造であって、板状電極１１に凸部１１ａを設けると共に、ブロック状電極１２に凹部１２ａを設け、板状電極１１は凸部１１ａを凹部１２ａ内に配設しつつブロック状電極１２との間に隙間ｄ０をおいた状態で、丸孔１１ｂを介して凹部１２ａに供給された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。
【選択図】 図１
【解決手段】板状電極１１とブロック状電極１２との接続構造であって、板状電極１１に凸部１１ａを設けると共に、ブロック状電極１２に凹部１２ａを設け、板状電極１１は凸部１１ａを凹部１２ａ内に配設しつつブロック状電極１２との間に隙間ｄ０をおいた状態で、丸孔１１ｂを介して凹部１２ａに供給された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。
【選択図】 図１
Description
この発明は、板状電極とブロック状電極との接続構造及び接続方法に関する。
特許文献１で開示された従来技術においては、パワー素子上に半田付けされる上部電極に、突起部と半田注入口を形成し、この突起部をパワー素子上に接触するように配置することにより、上部電極とパワー素子との間に溶融半田の供給空間を形成する。そして、その溶融半田の供給空間に対し半田注入口から溶融半田を供給して、上部電極をパワー素子に半田接合させる。このため、突起部によって形成された溶融半田の供給空間に対し、上部電極の側方からではなく、半田注入口を介して溶融半田を供給することができ、パワー素子の側面に半田が付着することを防止できるとしている。
特開２００４−１３４４４５号公報（第５〜７頁、図１〜図２）
しかし、特許文献１で開示された従来技術においては、上部電極の突起部をパワー素子上に接触するように配置してから、半田注入口から溶融半田の供給が行われるので、突起部とパワー素子表面とを接触させる必要がある。
このパワー素子表面に突起部が接触することによって応力がかかると、パワー素子に応力がかかりパワー素子が破損してしまう恐れがある。
このため、突起部とパワー素子表面とは非接触のほうが望ましいが、非接触の場合には、溶融半田が突起部とパワー素子表面との間の隙間より外にはみ出してしまう問題がある。
このパワー素子表面に突起部が接触することによって応力がかかると、パワー素子に応力がかかりパワー素子が破損してしまう恐れがある。
このため、突起部とパワー素子表面とは非接触のほうが望ましいが、非接触の場合には、溶融半田が突起部とパワー素子表面との間の隙間より外にはみ出してしまう問題がある。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、板状電極とこれに接続する電極の間に接触による応力がかかることなく板状電極を確実に半田接合させることが可能な接続構造及び接続方法の提供にある。
上記課題を達成するため、請求項１記載の発明は、板状電極とブロック状電極との接続構造であって、前記板状電極に凸部を設けると共に、前記ブロック状電極に凹部を設け、
前記板状電極は前記凸部を前記凹部内に配設しつつ前記ブロック状電極との間に隙間をおいた状態で、前記凹部内に設けられた半田により、前記板状電極の前記凸部が前記ブロック状電極に接合されていることを特徴とする。
前記板状電極は前記凸部を前記凹部内に配設しつつ前記ブロック状電極との間に隙間をおいた状態で、前記凹部内に設けられた半田により、前記板状電極の前記凸部が前記ブロック状電極に接合されていることを特徴とする。
請求項１記載の発明によれば、板状電極は凸部をブロック状電極の凹部に配設しつつ、ブロック状電極との間に隙間をおいた状態で、凹部内に設けられた半田により、板状電極の凸部がブロック状電極に接合されている。従って、板状電極とブロック状電極との間に接触による応力が加わることなく確実に半田接合可能であるとともに、半田と各電極との導通面積を大きくとることができる。そして、半田は凹部内に設けられているので、半田の外部への漏れを防止できる。
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造において、前記板状電極には前記凹部に対向する孔を設けたことを特徴とする。
請求項２記載の発明によれば、板状電極に設けられたブロック状電極の凹部に対向する
孔を介して半田を凹部に注入させることができる。
請求項２記載の発明によれば、板状電極に設けられたブロック状電極の凹部に対向する
孔を介して半田を凹部に注入させることができる。
請求項３記載の発明は、請求項２に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造において、前記孔は、前記凸部の先端に設けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明によれば、孔より注入された半田によって凸部先端より凸部内側にまで半田が侵入して固まることで、凸部の内側と外側の両面より強固に接合される。また、凸部の先端に設けられた孔を介して半田を凹部に注入できるので、半田を凹部へ容易に導入させることができ確実に注入可能である。
請求項３記載の発明によれば、孔より注入された半田によって凸部先端より凸部内側にまで半田が侵入して固まることで、凸部の内側と外側の両面より強固に接合される。また、凸部の先端に設けられた孔を介して半田を凹部に注入できるので、半田を凹部へ容易に導入させることができ確実に注入可能である。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造において、前記板状電極はバスバーであることを特徴とする。
請求項４記載の発明によれば、板状電極はバスバーなので、例えば、バスバー電極を介して半導体素子と外部電源とを接続させることができ、大電流を供給可能である。
請求項４記載の発明によれば、板状電極はバスバーなので、例えば、バスバー電極を介して半導体素子と外部電源とを接続させることができ、大電流を供給可能である。
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造において、前記ブロック状電極は半導体素子上に設けられたヒートマスであることを特徴とする。
請求項５記載の発明によれば、ブロック状電極は半導体素子上に設けられたヒートマスなので、隙間により半導体素子に応力を加えることなく接続が可能である。
請求項５記載の発明によれば、ブロック状電極は半導体素子上に設けられたヒートマスなので、隙間により半導体素子に応力を加えることなく接続が可能である。
請求項６記載の発明は、板状電極とブロック状電極との接続方法であって、前記板状電極に形成され先端に孔を有する凸部を、前記ブロック状電極に形成された凹部内に配設させつつ両電極の間に隙間をおいた状態で、前記凹部に前記孔から半田を注入して、前記板状電極の前記凸部を前記ブロック状電極に接合させることを特徴とする。
請求項６記載の発明によれば、請求項１及び請求項２と同等の作用効果を得ることができる。
請求項６記載の発明によれば、請求項１及び請求項２と同等の作用効果を得ることができる。
本発明によれば、板状電極の凸部をブロック状電極の凹部に配設し凹部に半田を設けることにより、板状電極とブロック状電極の間に接触による応力がかかることなく板状電極とブロック状電極とを確実に半田接合可能である。
（第１の実施形態）
以下、本発明の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図１〜図３に基づいて説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、この接続構造を有する接続部１０は薄板状の板状電極１１とブロック体状のブロック状電極１２を備えている。
板状電極１１は、下方に突出し先端に行くに従い小径となるドーム状の凸部１１ａを有し、凸部１１ａの先端には半田注入用の丸孔１１ｂが形成されている。凸部１１ａ及び丸孔１１ｂはプレス加工により形成される。また、板状電極１１の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等を含んだ金属材料が用いられている。
以下、本発明の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図１〜図３に基づいて説明する。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、この接続構造を有する接続部１０は薄板状の板状電極１１とブロック体状のブロック状電極１２を備えている。
板状電極１１は、下方に突出し先端に行くに従い小径となるドーム状の凸部１１ａを有し、凸部１１ａの先端には半田注入用の丸孔１１ｂが形成されている。凸部１１ａ及び丸孔１１ｂはプレス加工により形成される。また、板状電極１１の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等を含んだ金属材料が用いられている。
ブロック状電極１２は、上方に開口し有底丸孔状の凹部１２ａを有している。なお、凹部１２ａの内径寸法は、凸部１１ａの外径寸法より大きくとられ、凹部１２ａの深さ距離は、凸部１１ａの高さ距離より大きくとられている。凹部１２ａは鋳造、鍛造、エッチング等により形成されている。ブロック状電極１２の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等を含んだ金属材料が用いられている。
板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設し、板状電極１１とブロック状電極１２との間に、若干の隙間ｄ０が形成された状態で、凹部１２ａ内に充填された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。
板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設し、板状電極１１とブロック状電極１２との間に、若干の隙間ｄ０が形成された状態で、凹部１２ａ内に充填された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。
図１（ｂ）に示すように、板状電極１１のフラットな下面とブロック状電極１２のフラットな上面との間の隙間をｄ０とすれば、ｄ０≧０となるように設定されている。これは、板状電極１１とブロック状電極１２とが接触することにより接触部に応力がかることによる不具合の発生を防止するためである。隙間ｄ０の幅は、予め製造工程における寸法公差（バラツキ）を考慮して設定されている。なお、隙間ｄ０は０（ゼロ）を含んでいるが、応力が働かない範囲における０を意味している。
凹部１２ａ内に充填された半田１４を介して板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２とが半田接合されている。凸部１１ａは先端部が半田１４と接触状態にあり、半田１４は丸孔１１ｂを通って先端部の外周面と内周面に接触している。また、凹部１２ａは、内周面の一部で半田１４と接触している。このために、板状電極１１のフラットな下面とブロック状電極１２のフラットな上面とを半田接合させる場合と比較して、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくとることができるとともに、凸部１１ａ内に侵入した半田１４により強固に接合することができる。特に、本実施形態の場合、凸部１１ａは先端に行くに従い小径となるいわゆるドーム形状となっているため、凸部１１ａ内で硬化した半田１４はくさび形状となり、引っ張り応力に対する接合強度を高めることができる。図１（ｂ）は半田接合された状態を示している。
上記のような構成を有する板状電極とブロック状電極との接続部１０について、図２の製造工程を示すフローチャート及び図３の製造工程を説明するための模式図に基づきその動作説明を行う。
先ずＳ１０１では、板状電極１１はブロック状電極１２上の所定位置に配置される。これは、図３（ａ）に示すように、板状電極１１は、板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設し、板状電極１１とブロック状電極１２との間に隙間ｄ０（≧０）が形成された状態で、図示しない支持手段（例えば、ロボットアーム又は、固定部材）により支持されている。このとき、凹部１２ａの内径寸法は、凸部１１ａの外径寸法より大きくとられ、凹部１２ａの深さ距離は、凸部１１ａの高さ距離より大きくとられていることにより、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との間には、半田の供給空間が形成された状態にある。
先ずＳ１０１では、板状電極１１はブロック状電極１２上の所定位置に配置される。これは、図３（ａ）に示すように、板状電極１１は、板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設し、板状電極１１とブロック状電極１２との間に隙間ｄ０（≧０）が形成された状態で、図示しない支持手段（例えば、ロボットアーム又は、固定部材）により支持されている。このとき、凹部１２ａの内径寸法は、凸部１１ａの外径寸法より大きくとられ、凹部１２ａの深さ距離は、凸部１１ａの高さ距離より大きくとられていることにより、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との間には、半田の供給空間が形成された状態にある。
次にＳ１０２では、半田供給装置１３が半田注入用の丸孔１１ｂの上方に移動される。このとき、図３（ｂ）に示すように、半田供給装置１３のノズル１３ａが丸孔１１ｂのほぼ中央に位置するように、半田供給装置１３が配置される。
次にＳ１０３では、半田供給装置１３からクリーム半田１４ａが供給される。供給されたクリーム半田１４ａは、図３（ｂ）に示すように、丸孔１１ｂを通って半田の供給空間
に侵入していく。なお、クリーム半田１４ａは、半田の粉末にフラックス（溶媒）を加えて適当な粘度にしたものである。
次にＳ１０３では、半田供給装置１３からクリーム半田１４ａが供給される。供給されたクリーム半田１４ａは、図３（ｂ）に示すように、丸孔１１ｂを通って半田の供給空間
に侵入していく。なお、クリーム半田１４ａは、半田の粉末にフラックス（溶媒）を加えて適当な粘度にしたものである。
次にＳ１０４では、クリーム半田１４ａが注入された板状電極１１とブロック状電極１２の接続部１０を、図示しないリフロー加熱炉に入れて半田１４を溶融させる。リフロー加熱炉は設定温度及び設定時間が可変とされ、最も適切な設定温度及び設定時間に設定されている。溶融された半田１４は、表面張力と半田濡れ作用により、凸部１１ａと凹部１２ａとの間に回り込むとともに丸孔１１ｂを通って凸部１１ａ内に侵入し、凹部１２ａ内で一定の高さレベルまで満たされる。なお、クリーム半田１４ａの凹部１２ａへの充填量は、溶融状態にある半田１４が凹部１２ａより外部へ漏れないように予め適切な量に設定されている。
次にＳ１０５では、接続部１０をリフロー加熱炉から取り出して冷却される。冷却は自然冷却により行われる。
次にＳ１０６では、冷却により半田１４が硬化し、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２とが半田接合される。図３（ｃ）は、半田接合された状態を示している。
このとき、凸部１１ａは先端部が半田１４と接触状態にあり、半田１４は丸孔１１ｂを通って先端部の外周面と内周面に接触している。また、凹部１２ａは、内周面の一部で半田１４と接触している。このように、板状電極１１とブロック状電極１２とは、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくとることができるとともに、凸部１１ａ内に侵入した半田１４により強固に接合することができる。
次にＳ１０６では、冷却により半田１４が硬化し、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２とが半田接合される。図３（ｃ）は、半田接合された状態を示している。
このとき、凸部１１ａは先端部が半田１４と接触状態にあり、半田１４は丸孔１１ｂを通って先端部の外周面と内周面に接触している。また、凹部１２ａは、内周面の一部で半田１４と接触している。このように、板状電極１１とブロック状電極１２とは、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくとることができるとともに、凸部１１ａ内に侵入した半田１４により強固に接合することができる。
第１の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続部１０によれば以下の効果を奏する。
（１）板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設しつつ、板状電極１１とブロック状電極１２との間に、若干の隙間ｄ０（≧０）が形成された状態で、凹部１２ａ内に充填された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。従って、板状電極１１とブロック状電極１２との間に接触による応力が加わることなく確実に半田接合可能である。
（２）凹部１２ａ内に注入された半田１４を介して板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２とが半田接合されている。凸部１１ａは先端部が半田１４と接触状態にあり、半田１４は丸孔１１ｂを通って先端部の外周面と内周面に接触している。また、凹部１２ａは、内周面の一部で半田１４と接触している。このように、板状電極１１とブロック状電極１２とは、板状電極１１のフラットな下面とブロック状電極１２のフラットな上面と
を半田接合させる場合と比較して、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくとることができるとともに、凸部１１ａ内に侵入した半田１４により強固に接合することができる。
（３）凸部１１ａ及び凹部１２ａの大きさが一定で、凹部１２ａへの半田１４の充填量が一定の場合に、板状電極１１とブロック状電極１２との隙間ｄ０が大きくなると、半田１４と各電極１１、１２との導通面積が小さくなるが、このようなときには、凹部１２ａへの半田１４の充填量を多くすることで、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくすることが可能である。
（４）凸部１１ａの先端に設けられた半田注入用の丸孔１１ｂを通ってクリーム半田１４ａを凹部１２ａに注入できるので、半田供給装置１３のノズル１３ａを丸孔１１ｂに導入しやすく確実に注入可能である。また、半田１４は凹部１２ａ内に充填されているので、半田１４の外部への漏れを防止できる。
（５）凹部１２ａの内径寸法は、凸部１１ａの外径寸法より大きくとられ、凹部１２ａの深さ距離は、凸部１１ａの高さ距離より大きくとられていることにより、板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設したときに、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との間には、半田の供給空間が形成された状態にある。従って、丸孔１１ｂを通って注入されたクリーム半田１４ａを、半田の供給空間に侵入させることができるので、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との半田接合を確実に行うことができる。
（１）板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設しつつ、板状電極１１とブロック状電極１２との間に、若干の隙間ｄ０（≧０）が形成された状態で、凹部１２ａ内に充填された半田１４により、板状電極１１の凸部１１ａがブロック状電極１２に接合されている。従って、板状電極１１とブロック状電極１２との間に接触による応力が加わることなく確実に半田接合可能である。
（２）凹部１２ａ内に注入された半田１４を介して板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２とが半田接合されている。凸部１１ａは先端部が半田１４と接触状態にあり、半田１４は丸孔１１ｂを通って先端部の外周面と内周面に接触している。また、凹部１２ａは、内周面の一部で半田１４と接触している。このように、板状電極１１とブロック状電極１２とは、板状電極１１のフラットな下面とブロック状電極１２のフラットな上面と
を半田接合させる場合と比較して、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくとることができるとともに、凸部１１ａ内に侵入した半田１４により強固に接合することができる。
（３）凸部１１ａ及び凹部１２ａの大きさが一定で、凹部１２ａへの半田１４の充填量が一定の場合に、板状電極１１とブロック状電極１２との隙間ｄ０が大きくなると、半田１４と各電極１１、１２との導通面積が小さくなるが、このようなときには、凹部１２ａへの半田１４の充填量を多くすることで、半田１４と各電極１１、１２との導通面積を大きくすることが可能である。
（４）凸部１１ａの先端に設けられた半田注入用の丸孔１１ｂを通ってクリーム半田１４ａを凹部１２ａに注入できるので、半田供給装置１３のノズル１３ａを丸孔１１ｂに導入しやすく確実に注入可能である。また、半田１４は凹部１２ａ内に充填されているので、半田１４の外部への漏れを防止できる。
（５）凹部１２ａの内径寸法は、凸部１１ａの外径寸法より大きくとられ、凹部１２ａの深さ距離は、凸部１１ａの高さ距離より大きくとられていることにより、板状電極１１の凸部１１ａをブロック状電極１２の凹部１２ａ内に配設したときに、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との間には、半田の供給空間が形成された状態にある。従って、丸孔１１ｂを通って注入されたクリーム半田１４ａを、半田の供給空間に侵入させることができるので、板状電極１１の凸部１１ａとブロック状電極１２との半田接合を確実に行うことができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図４及び図５に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における接続構造を半導体装置に適用したものであり、基本的な構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
次に、第２の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図４及び図５に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における接続構造を半導体装置に適用したものであり、基本的な構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図４に示すように、半導体装置２０は本体部２１とハウジング部２２とにより構成されている。
本体部２１は、絶縁性の回路基板２３を備え、回路基板２３上に設けられた金属層２４上に半導体素子としての複数のＩＧＢＴ２５及びダイオード２６がそれぞれ半田により接合されている。
ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６上には、ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６で発生した熱を一時的に吸収して、その後放出する直方体状のヒートマス２７、２８がそれぞれ半田で接合されている。ヒートマス２７、２８はブロック状電極に相当し、ヒートマス２７、２８には、その上面に有底丸孔状の凹部２７ａ、２８ａが形成されている。
回路基板２３は金属製のベースプレート２９に裏面側の金属層３０を介して接合されている。
本体部２１は、絶縁性の回路基板２３を備え、回路基板２３上に設けられた金属層２４上に半導体素子としての複数のＩＧＢＴ２５及びダイオード２６がそれぞれ半田により接合されている。
ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６上には、ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６で発生した熱を一時的に吸収して、その後放出する直方体状のヒートマス２７、２８がそれぞれ半田で接合されている。ヒートマス２７、２８はブロック状電極に相当し、ヒートマス２７、２８には、その上面に有底丸孔状の凹部２７ａ、２８ａが形成されている。
回路基板２３は金属製のベースプレート２９に裏面側の金属層３０を介して接合されている。
ハウジング部２２は、樹脂製のハウジング３１と、該ハウジング３１に一体成形されて
一部が埋め込まれた金属製で薄板状のバスバー３２とを備えている。バスバー３２は板状電極に相当し、バスバー３２には、裏面側に突出する複数の凸部３２ａ、３２ｂが設けられ、凸部３２ａ、３２ｂの先端には丸孔３２ｃ、３２ｄが形成されている。なお、凸部３２ａ、３２ｂは凹部２７ａ、２８ａに対応する位置に形成されている。
ハウジング部２２は、本体部２１に上方から取り付けられ接着されて一体化されている。
一部が埋め込まれた金属製で薄板状のバスバー３２とを備えている。バスバー３２は板状電極に相当し、バスバー３２には、裏面側に突出する複数の凸部３２ａ、３２ｂが設けられ、凸部３２ａ、３２ｂの先端には丸孔３２ｃ、３２ｄが形成されている。なお、凸部３２ａ、３２ｂは凹部２７ａ、２８ａに対応する位置に形成されている。
ハウジング部２２は、本体部２１に上方から取り付けられ接着されて一体化されている。
図５（ａ）、（ｂ）は、半導体装置２０の製造工程を説明するための模式図である。
図５（ａ）に示すように、本体部２１に上方からハウジング部２２が取り付けられ一体化される。このとき、バスバー３２の凸部３２ａ、３２ｂは、ヒートマス２７、２８の凹部２７ａ、２８ａ内にそれぞれ配設されて、バスバー３２とヒートマス２７、２８との間には、隙間ｄ１（≧０）が形成された状態にある。なお、隙間ｄ１の幅は組付け時にバスバー３２とヒートマス２７、２８とが干渉しない（ｄ１≧０）ように、予め寸法公差（バラツキ）を考慮して設定されている。
図５（ａ）に示すように、本体部２１に上方からハウジング部２２が取り付けられ一体化される。このとき、バスバー３２の凸部３２ａ、３２ｂは、ヒートマス２７、２８の凹部２７ａ、２８ａ内にそれぞれ配設されて、バスバー３２とヒートマス２７、２８との間には、隙間ｄ１（≧０）が形成された状態にある。なお、隙間ｄ１の幅は組付け時にバスバー３２とヒートマス２７、２８とが干渉しない（ｄ１≧０）ように、予め寸法公差（バラツキ）を考慮して設定されている。
次に、半田供給装置１３が半田注入用の丸孔３２ｃの上方に移動される。このとき、図５（ａ）に示すように、半田供給装置１３のノズル１３ａが丸孔３２ｃのほぼ中央に位置するように、半田供給装置１３が配置され、半田供給装置１３からクリーム半田１４ａが供給される。供給されたクリーム半田１４ａは、図５（ａ）に示すように、丸孔３２ｃを通って凹部２７ａに注入され、凸部３２ａと凹部２７ａとの隙間及び凸部３２ａの内側に侵入していく。
上記半田注入の操作が各丸孔３２ｃ、３２ｄに対してなされて、各丸孔３２ｃ、３２ｄを通って各凹部２７ａ、２８ａにクリーム半田１４ａの注入が順次行われる。
上記半田注入の操作が各丸孔３２ｃ、３２ｄに対してなされて、各丸孔３２ｃ、３２ｄを通って各凹部２７ａ、２８ａにクリーム半田１４ａの注入が順次行われる。
次に、第１の実施形態と同様に、クリーム半田１４ａが注入された半導体装置２０を、図示しないリフロー加熱炉に入れて半田１４を溶融させ、所定時間経過後、リフロー加熱炉から取り出して冷却される。冷却により半田１４が硬化し、バスバー３２の各凸部３２ａ、３２ｂとヒートマス２７、２８とがそれぞれ半田接合される。図５（ｂ）は、半田接合された状態を示している。
ところで、ヒートマス２７、２８はＩＧＢＴ２５及びダイオード２６の電極を兼ねており、ＩＧＢＴ２５の場合には上面側にエミッタ電極パッドがあり、ヒートマス２７はエミッタ電極パッドと半田にて接合されてエミッタ電極になり、ダイオード２６の場合には上面側にアノード電極パッドがあり、ヒートマス２８はアノード電極パッドと半田にて接合されてアノード電極になる。
エミッタ電極及びアノード電極としてのヒートマス２７、２８はバスバー３２を介して外部電源等に接続され、ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６の作動時には、電源側からバスバー３２及びヒートマス２７、２８を通じてＩＧＢＴ２５及びダイオード２６に大きな電流が供給され、この電流は、例えば電動モータ用の駆動電流としてＩＧＢＴ２５及びダイオード２６から出力される。
エミッタ電極及びアノード電極としてのヒートマス２７、２８はバスバー３２を介して外部電源等に接続され、ＩＧＢＴ２５及びダイオード２６の作動時には、電源側からバスバー３２及びヒートマス２７、２８を通じてＩＧＢＴ２５及びダイオード２６に大きな電流が供給され、この電流は、例えば電動モータ用の駆動電流としてＩＧＢＴ２５及びダイオード２６から出力される。
この実施形態においては、ブロック状電極としてのヒートマス２７、２８は板状電極としてのバスバー３２を介して外部電源等に接続され、電源側からバスバー３２及びヒートマス２７、２８を通じてＩＧＢＴ２５及びダイオード２６に大きな電流が供給されるが、
バスバー３２の各凸部３２ａ、３２ｂとヒートマス２７、２８とがそれぞれ半田接合されることにより電気的に接続されているので、接触部の導通面積を大きくして電気抵抗を小さくすることができる。また、凸部３２ａ、３２ｂ内に侵入した半田１４により凸部３２ａ、３２ｂの内周面と外周面の両面より強固に接合することができる。
また、バスバー３２とヒートマス２７、２８との間は隙間ｄ１（≧０）が形成された状態で組み付けが行われているので、バスバー３２とヒートマス２７、２８とが接触することによってＩＧＢＴ２５及びダイオード２６へ応力がかかることが防止されるため、破損を防ぐことができる。
バスバー３２の各凸部３２ａ、３２ｂとヒートマス２７、２８とがそれぞれ半田接合されることにより電気的に接続されているので、接触部の導通面積を大きくして電気抵抗を小さくすることができる。また、凸部３２ａ、３２ｂ内に侵入した半田１４により凸部３２ａ、３２ｂの内周面と外周面の両面より強固に接合することができる。
また、バスバー３２とヒートマス２７、２８との間は隙間ｄ１（≧０）が形成された状態で組み付けが行われているので、バスバー３２とヒートマス２７、２８とが接触することによってＩＧＢＴ２５及びダイオード２６へ応力がかかることが防止されるため、破損を防ぐことができる。
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図６及び図７に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における丸孔１１ｂの孔位置を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
次に、第３の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図６及び図７に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における丸孔１１ｂの孔位置を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、この接続構造を有する接続部４０は板状電極４１とブロック状電極４２を備えている。
板状電極４１には、下方に突出した複数個（この場合は２個）の凸部４１ａを有し、複数個の凸部４１ａの間に半田注入用の丸孔４１ｂが形成されている。
ブロック状電極４２は、上方に開口し有底矩形孔状の凹部４２ａを有しているが、凹部４２ａの大きさは、複数個の凸部４１ａを収容可能な大きさに設定されている。
板状電極４１には、下方に突出した複数個（この場合は２個）の凸部４１ａを有し、複数個の凸部４１ａの間に半田注入用の丸孔４１ｂが形成されている。
ブロック状電極４２は、上方に開口し有底矩形孔状の凹部４２ａを有しているが、凹部４２ａの大きさは、複数個の凸部４１ａを収容可能な大きさに設定されている。
板状電極４１の各凸部４１ａをブロック状電極４２の凹部４２ａ内に配設し、板状電極４１とブロック状電極４２との間に、隙間ｄ２（≧０）が形成された状態で、凹部４２ａ内に充填された半田１４により、板状電極４１の各凸部４１ａがブロック状電極４２に接合されている。
図７（ａ）、（ｂ）は、接続部４０の製造工程を説明するための模式図である。
図７（ａ）に示すように、板状電極４１は、各凸部４１ａをブロック状電極４２の凹部４２ａ内に配設し、ブロック状電極４２との間に隙間ｄ２が形成された状態で、支持されている。
半田供給装置１３が半田注入用の丸孔４１ｂの上方に移動される。このとき、図７（ａ）に示すように、半田供給装置１３のノズル１３ａが丸孔４１ｂのほぼ中央に位置するように、半田供給装置１３が配置され、半田供給装置１３からクリーム半田１４ａが供給される。供給されたクリーム半田１４ａは、図７（ａ）に示すように、丸孔４１ｂを通って凹部４２ａに注入され、第１の実施形態と同様に加熱冷却することにより、板状電極４１の各凸部４１ａとブロック状電極４２とがそれぞれ半田接合される。図７（ｂ）は、半田接合された状態を示している。
図７（ａ）に示すように、板状電極４１は、各凸部４１ａをブロック状電極４２の凹部４２ａ内に配設し、ブロック状電極４２との間に隙間ｄ２が形成された状態で、支持されている。
半田供給装置１３が半田注入用の丸孔４１ｂの上方に移動される。このとき、図７（ａ）に示すように、半田供給装置１３のノズル１３ａが丸孔４１ｂのほぼ中央に位置するように、半田供給装置１３が配置され、半田供給装置１３からクリーム半田１４ａが供給される。供給されたクリーム半田１４ａは、図７（ａ）に示すように、丸孔４１ｂを通って凹部４２ａに注入され、第１の実施形態と同様に加熱冷却することにより、板状電極４１の各凸部４１ａとブロック状電極４２とがそれぞれ半田接合される。図７（ｂ）は、半田接合された状態を示している。
この実施形態においては、板状電極４１とブロック状電極４２とは、複数の凸部４１ａと凹部４２ａとで半田１４を介して接合されているので、各電極４１、４２間の導通面積を一層大きくとることができると共に、強固に接合することができる。
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図８に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における凸部１１ａの形状を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
次に、第４の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図８に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における凸部１１ａの形状を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、この接続構造を有する接続部５０は板状電極５１とブロック状電極５２を備えている。
板状電極５１には、下方に突出した複数個（この場合は２個）の凸部としての折り曲げ部５１ａが形成され、折り曲げ部５１ａの間に半田注入用の矩形孔５１ｂが設けられている。
ブロック状電極５２は、上方に開口し有底矩形孔状の凹部５２ａを有している。凹部５２ａは複数個の折り曲げ部５１ａを収容可能な大きさに設定されている。
板状電極５１には、下方に突出した複数個（この場合は２個）の凸部としての折り曲げ部５１ａが形成され、折り曲げ部５１ａの間に半田注入用の矩形孔５１ｂが設けられている。
ブロック状電極５２は、上方に開口し有底矩形孔状の凹部５２ａを有している。凹部５２ａは複数個の折り曲げ部５１ａを収容可能な大きさに設定されている。
板状電極５１の各折り曲げ部５１ａをブロック状電極５２の凹部５２ａ内に配設し、板状電極５１とブロック状電極５２との間に、隙間ｄ３（≧０）が形成された状態で、矩形孔５１ｂを通って凹部５２ａ内にクリーム半田１４ａを注入し、第１の実施形態と同様に加熱冷却することにより、板状電極５１の各折り曲げ部５１ａをブロック状電極５２に半田接合させることができる。図８（ｂ）は半田接合された状態を示している。
この実施形態においては、板状電極５１に形成される凸部を折り曲げ部５１ａで形成すればよいので、加工が簡単であり加工工数を削減可能である。
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図９に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態におけるブロック状電極１２を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
次に、第５の実施形態に係る板状電極とブロック状電極との接続構造について、図９に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態におけるブロック状電極１２を変更したものであり、その他の構成及び製造工程は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成及び工程についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。
図９に示すように、この接続構造を有する接続部６０は板状電極６１とブロック電極６２及びスペーサ６３とから成るブロック状電極６４とを備えている。
板状電極６１は、下方に突出した凸部６１ａを有し、凸部６１ａの先端には半田注入用の丸孔６１ｂが形成されている。
スペーサ６３は中心部に貫通孔６３ａを有し、所定の厚さを持った金属材料で形成されている。スペーサ６３はブロック電極６２上に載置して固定されることによってブロック状電極６４を構成し、スペーサ６３の貫通孔６３ａの内周面とブロック電極６２の上面とにより上方に開口した有底丸孔状の凹部６５が形成される。
板状電極６１は、下方に突出した凸部６１ａを有し、凸部６１ａの先端には半田注入用の丸孔６１ｂが形成されている。
スペーサ６３は中心部に貫通孔６３ａを有し、所定の厚さを持った金属材料で形成されている。スペーサ６３はブロック電極６２上に載置して固定されることによってブロック状電極６４を構成し、スペーサ６３の貫通孔６３ａの内周面とブロック電極６２の上面とにより上方に開口した有底丸孔状の凹部６５が形成される。
板状電極６１の凸部６１ａをブロック状電極６４の凹部６５内に配設し、板状電極６１とスペーサ６３との間に、隙間ｄ４（≧０）が形成された状態で、丸孔６１ｂを通って凹部６５内にクリーム半田１４ａを注入し、第１の実施形態と同様に加熱冷却することにより、板状電極６１の凸部６１ａをブロック状電極６４に半田接合させることができる。
この実施形態においては、貫通孔６３ａの形成されたスペーサ６３をブロック電極６２上に載置させることにより凹部６５が形成されるので、直接凹部を鋳造などで加工形成する場合と比較して、加工工数を削減可能である。
なお、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、例えば、次のように変更しても良い。
○ 第１の実施形態〜第５の実施形態では、使用される半田をクリーム半田１４ａとして説明したが、シート半田を使用しても良いし、また、溶融半田を使用しても良い。シート半田の場合には、シート半田をブロック状電極の凹部に載置した後、板状電極の凸部を凹部に配設し、加熱によりシート半田を溶融させればよいために、板状電極に半田注入するための孔が不要となる。溶融半田の場合には、直接半田を凹部内に注入して硬化させるのでリフロー加熱炉に入れる工程が不要となる。
○ 第１の実施形態〜第５の実施形態では、ブロック状電極に形成される凹部を有底丸孔又は、有底矩形孔として説明したが、それ以外の有底長孔或いは、有底不定形孔としてもよい。また、板状電極に形成される半田注入用の孔についても、丸孔、矩形孔以外の長丸孔、不定形孔としても良い。
○ 第３の実施形態では、板状電極４１に形成される複数の凸部４１ａを２個として説明したが、３個以上あっても良い。この場合には、両電極４１、４２間の接合面積を更に大きくとることができる。
○ 第１の実施形態〜第５の実施形態では、使用される半田をクリーム半田１４ａとして説明したが、シート半田を使用しても良いし、また、溶融半田を使用しても良い。シート半田の場合には、シート半田をブロック状電極の凹部に載置した後、板状電極の凸部を凹部に配設し、加熱によりシート半田を溶融させればよいために、板状電極に半田注入するための孔が不要となる。溶融半田の場合には、直接半田を凹部内に注入して硬化させるのでリフロー加熱炉に入れる工程が不要となる。
○ 第１の実施形態〜第５の実施形態では、ブロック状電極に形成される凹部を有底丸孔又は、有底矩形孔として説明したが、それ以外の有底長孔或いは、有底不定形孔としてもよい。また、板状電極に形成される半田注入用の孔についても、丸孔、矩形孔以外の長丸孔、不定形孔としても良い。
○ 第３の実施形態では、板状電極４１に形成される複数の凸部４１ａを２個として説明したが、３個以上あっても良い。この場合には、両電極４１、４２間の接合面積を更に大きくとることができる。
１０ 接続部
１１ 板状電極
１１ａ 凸部
１１ｂ 丸孔
１２ ブロック状電極
１２ａ 凹部
１４ 半田
１４ａ クリーム半田
ｄ０ 隙間
１１ 板状電極
１１ａ 凸部
１１ｂ 丸孔
１２ ブロック状電極
１２ａ 凹部
１４ 半田
１４ａ クリーム半田
ｄ０ 隙間
Claims (6)
- 板状電極とブロック状電極との接続構造であって、
前記板状電極に凸部を設けると共に、前記ブロック状電極に凹部を設け、
前記板状電極は前記凸部を前記凹部内に配設しつつ前記ブロック状電極との間に隙間をおいた状態で、前記凹部内に設けられた半田により、前記板状電極の前記凸部が前記ブロック状電極に接合されていることを特徴とする板状電極とブロック状電極との接続構造。 - 前記板状電極には前記凹部に対向する孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造。
- 前記孔は、前記凸部の先端に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造。
- 前記板状電極はバスバーであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造。
- 前記ブロック状電極は半導体素子上に設けられたヒートマスであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の板状電極とブロック状電極との接続構造。
- 板状電極とブロック状電極との接続方法であって、
前記板状電極に形成され先端に孔を有する凸部を、前記ブロック状電極に形成された凹部内に配設させつつ両電極の間に隙間をおいた状態で、
前記凹部に前記孔から半田を注入して、前記板状電極の前記凸部を前記ブロック状電極に接合させることを特徴とする板状電極とブロック状電極との接続方法。
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|---|---|---|---|---|
| JP2013065836A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電極部材およびこれを用いた電力用半導体装置 |
| JP2014082275A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| US8746538B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| WO2015107871A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015111691A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | 電極端子、電力用半導体装置、および電力用半導体装置の製造方法 |
| CN105765715A (zh) * | 2013-11-26 | 2016-07-13 | 三菱电机株式会社 | 功率模块以及功率模块的制造方法 |
| DE102015212831B4 (de) | 2014-10-09 | 2021-08-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitervorrichtung |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233089A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-12 | Hitachi Ltd | Bus bar of printed board |
| JP2001045634A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | ジャンクションブロックの回路導体接合構造 |
| JP2001127100A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004134445A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Toyota Motor Corp | 上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法 |
| JP2004303869A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2008
- 2008-10-03 JP JP2008258594A patent/JP2010092918A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5233089A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-12 | Hitachi Ltd | Bus bar of printed board |
| JP2001045634A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | ジャンクションブロックの回路導体接合構造 |
| JP2001127100A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2004134445A (ja) * | 2002-10-08 | 2004-04-30 | Toyota Motor Corp | 上部電極、パワーモジュール、および上部電極のはんだ付け方法 |
| JP2004303869A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013065836A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 電極部材およびこれを用いた電力用半導体装置 |
| US8746538B2 (en) | 2011-11-25 | 2014-06-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| US9087778B2 (en) | 2011-11-25 | 2015-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Joining method and semiconductor device manufacturing method |
| JP2014082275A (ja) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| CN105765715A (zh) * | 2013-11-26 | 2016-07-13 | 三菱电机株式会社 | 功率模块以及功率模块的制造方法 |
| DE112014005415B4 (de) | 2013-11-26 | 2020-01-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungsmodul und Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls |
| WO2015107871A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| WO2015111691A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | 電極端子、電力用半導体装置、および電力用半導体装置の製造方法 |
| CN105706236A (zh) * | 2014-01-27 | 2016-06-22 | 三菱电机株式会社 | 电极端子、电力用半导体装置以及电力用半导体装置的制造方法 |
| JPWO2015111691A1 (ja) * | 2014-01-27 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 電極端子、電力用半導体装置、および電力用半導体装置の製造方法 |
| US9899345B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-02-20 | Mitsubishi Electric Cooperation | Electrode terminal, semiconductor device for electrical power, and method for manufacturing semiconductor device for electrical power |
| DE102015212831B4 (de) | 2014-10-09 | 2021-08-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Leistungshalbleitervorrichtung |
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