JP2012084588A - 電子部品における電極の接続構造 - Google Patents

Abstract

【課題】上部電極と被接合部材間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ被接合部材と上部電極との接合強度を高めることが可能な電子部品における電極の接続構造の提供にある。
【解決手段】平面状の基部１１と、第１電極１３および第２電極１４とを備えた被接合部材としての半導体素子１２と、半導体素子１２と隙間を空けて対向配置される板状の電極としての上部電極１５とを備えた電子部品における電極の接続構造であって、上部電極１５は、水平に延びる水平部１５Ａと、該水平部１５Ａに対して傾斜して延びる傾斜部１５Ｂとを有し、水平部１５Ａ及び傾斜部１５Ｂが半導体素子１２の第２電極１４と対向すると共に、水平部１５Ａから離間するに従い傾斜部１５Ｂと第２電極１４との隙間距離ｄが小さくなるように配置され、水平部１５Ａの貫通孔１５Ｃを介して上部電極１５と第２電極１４間の隙間に半田を供給し、半田接合する。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体素子など電子部品における電極の接続構造に関する。

特許文献１における図３及び図４で示す従来技術においては、ベース電極としての基部上に半導体素子が半田を介して接合されると共に、半導体素子上に上部電極が半田を介して接合された半導体装置が開示されている。半導体素子上には、信号線を接続（ワイヤボンディング）するための信号電極が設けられ、半導体素子上における信号電極が設けられた領域以外の領域に上部電極が半田で接合されている。上部電極には、半田供給用の注入孔が貫通形成されている。

この半導体装置の製造方法は、まず、基部上に半導体素子を半田を介して接合させた後、ワイヤボンディングにより半導体素子上の信号電極と外部電極とをワイヤにより接続させる。次に、半導体素子上に上部電極を所定間隔を保持しつつ対向配置させ、加熱装置で半導体装置全体を加熱させながら半田注入孔から溶融半田を供給する。供給された半田は、半田自身の毛細管現象により、半導体素子と上部電極との狭い隙間に侵入し、適量充填される。その後加熱装置から取り出し硬化させることにより、半導体素子と上部電極とが半田により接合される。

特開２００４−３０３８６９号公報

しかし、特許文献１で開示された従来技術においては、半導体素子と上部電極間の隙間が、毛細管現象の発生するような狭小な隙間である必要があり、この隙間が大きすぎると、毛細管現象が起こらず導体素子と上部電極間の隙間に半田が充分に供給されない恐れがあり、逆にこの隙間が小さすぎると半田注入孔から供給された溶融半田は隙間に侵入しづらく、半導体素子と上部電極間の隙間に半田が充分に供給されない恐れがある。このため、半導体素子と上部電極との接合強度が低下してしまう問題がある。

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、上部電極と電子部品間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ電子部品と上部電極との接合強度を高めることが可能な電子部品における電極の接続構造の提供にある。

上記の課題を解決するために、請求項１記載の発明は、平面状の被接合面を有する被接合部材と、少なくとも一部が該被接合部材と隙間を空けて対向配置される板状の電極とを備えた電子部品における電極の接続構造であって、前記電極は、水平に延びる水平部と、該水平部の端部から該水平部に対して傾斜して延びる傾斜面とを有し、前記被接合部材の被接合面と前記電極とは半田により接合されることを特徴とする電子部品における電極の接続構造。

請求項１記載の発明によれば、電極は水平に延びる水平部と、該水平部の端部から該水平部に対して傾斜して延びる傾斜面とを有し、被接合部材の被接合面と電極とは半田により接合されるので、例えば、水平部及び傾斜面と被接合部材の被接合面とを対向配置し、傾斜面と被接合部材の被接合面間の隙間距離の大きいところに半田を供給すれば、表面張力とぬれ性により隙間距離の小さいところへ半田をぬれ広がらせ、電極と被接合部材の被接合面間の隙間を充填することが可能となる。なお、「対向する」とは、電極と被接合部材の被接合面とが平行の場合のみならず平行ではないが互いに向き合っている場合も含んでいる。従って、電極と被接合部材間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ被接合部材と電極との接合強度を高めることが可能である。

請求項２記載の発明は、請求項１に記載の電子部品における電極の接続構造において、前記電極は、前記傾斜面が前記被接合部材の被接合面と対向するとともに、前記水平部から離間するに従い前記傾斜面と前記被接合部材の被接合面との隙間距離が小さくなるように配置されていることを特徴とする。

請求項２記載の発明によれば、電極の傾斜面が被接合部材の被接合面と対向するとともに、水平部から離間するに従い傾斜面と被接合部材の被接合面との隙間距離が小さくなるように配置されているので、例えば、水平部に半田を供給すれば、表面張力とぬれ性により隙間距離の小さい傾斜部へ半田をぬれ広がらせ、電極と被接合部材の被接合面間の隙間を充填することが可能となる。

請求項３記載の発明は、請求項１に記載の電子部品における電極の接続構造において、前記電極は、前記水平部及び前記傾斜面が前記被接合部材の被接合面と対向するとともに、前記傾斜面が、前記水平部から離間するに従い前記傾斜面と前記被接合部材との隙間距離が大きくなるように配置されていることを特徴とする。

請求項３記載の発明によれば、電極は水平部及び傾斜面が被接合部材の被接合面と対向するとともに、傾斜面が水平部から離間するに従い傾斜面と被接合部材との隙間距離が大きくなるように配置されているので、例えば、傾斜部に半田を供給すれば、表面張力とぬれ性により隙間距離の小さい水平部側へ半田をぬれ広がらせ、電極と被接合部材の被接合面間の隙間を充填することが可能となる。

請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品における電極の接続構造において、前記電極には、前記傾斜面と前記被接合部材の隙間距離が最も小さい部分より前記傾斜面と前記被接合部材の隙間距離が大きい部分に半田供給用の貫通孔が形成されていることを特徴とする。

請求項４記載の発明によれば、電極には、傾斜面と被接合部材間の隙間距離が最も小さい部分より傾斜面と被接合部材の隙間距離が大きい部分に半田供給用の貫通孔が形成されているので、半田供給用の貫通孔を介して電極の傾斜面と被接合部材間に半田を供給することにより、供給された半田は、表面張力とぬれ性により電極の傾斜面と被接合部材間の隙間距離の小さい方向へぬれ広がり、電極と被接合部材との隙間を充填することが可能となる。

本発明によれば、電極と被接合部材間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要がなく、電極と被接合部材との接合強度を高めることが可能となる。

第１の実施形態に係る半導体素子における電極の接続構造を示す斜視図である。（ａ）半田接合前の状態を示し、（ｂ）半田接合後の状態を示す。 図１におけるＡ−Ａ線断面図である。 第１の実施形態に係る接続構造の製造工程を説明するための模式図である。（ａ）基部上に接合された半導体素子上に間隔を空けて電極を配置する工程を示し、（ｂ）半導体装置を加熱装置内に配置し電極上より溶融半田を滴下させる工程を示し、（ｃ）半導体素子上に滴下された溶融半田が半導体素子と電極間の隙間に供給される工程を示し、（ｄ）半田を供給後硬化させた状態を示す。 第２の実施形態に係る半導体素子における電極の接続構造を示す斜視図である。（ａ）半田接合前の状態を示し、（ｂ）半田接合後の状態を示す。 図４におけるＢ−Ｂ線断面図である。 第２の実施形態に係る接続構造の製造工程を説明するための模式図である。（ａ）基部上に接合された半導体素子上に間隔を空けて電極を配置する工程を示し、（ｂ）半導体装置を加熱装置内に配置し電極上より溶融半田を滴下させる工程を示し、（ｃ）半導体素子上に滴下された溶融半田が半導体素子と電極間の隙間に供給される工程を示し、（ｄ）半田を供給後硬化させた状態を示す。 その他の実施形態に係る半導体素子における電極の接続構造を示す図５に相当する断面図である。

（第１の実施形態）
以下、第１の実施形態に係る電子部品としての半導体素子における電極の接続構造を図１〜図３に基づいて説明する。
図１及び図２に示すように、半導体装置１０は、上面が平面状の基部１１と、表面が平面状の第１電極１３および第２電極１４とを備えた被接合部材としての半導体素子１２と、半導体素子１２と隙間を空けて対向配置された板状の電極としての上部電極１５から構成され、基部１１と第１電極１３とは第１半田層１６を介して接合され、第２電極１４と上部電極１５とは第２半田層１７を介して接合されている。なお、第１電極１３および第２電極１４は被接合部材の被接合面に相当する。また、図１（ａ）は、上部電極１５と半導体素子１２の第２電極１４とが半田接合される前の状態を示し、図１（ｂ）は、上部電極１５と半導体素子１２の第２電極１４とが半田接合された後の状態を示している。

基部１１は、金属製で所定の厚さを有する材料が用いられており、材料としては、ニッケル、チタン、アルミニウム、又はこれらの合金等を含んだ導電性で熱伝導性の良い金属材料が使用されている。

半導体素子１２は、矩形の形状を有し、裏面に第１電極１３が形成され、おもて面に第２電極１４が形成されている。第１電極１３及び第２電極１４は、銅やアルミニウム等で形成されている。半導体素子１２としては、例えば、ＩＧＢＴのような電力制御素子などが用いられている。半導体素子１２のおもて面における半導体素子１２の短辺方向の側縁部のうちの一方には、制御用電極１８が形成され制御用電極１８は図示しない外部電極とワイヤ１９により接続されている。（図３参照）従って、第１電極１３は半導体素子１２の裏面のほぼ全面に渡り形成されているが、第２電極１４は半導体素子１２のおもて面における制御用電極１８の形成された部位を含まない領域に形成されている。

上部電極１５は、所定の厚みを有し短冊状の板状部材から形成されている。材料としては、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等を含んだ導電性で熱伝導性の良い金属材料が使用されている。上部電極１５は、板状の部材を折り曲げた形状を有し、水平に延びる水平部１５Ａと水平部１５Ａの先端側に連設され水平部１５Ａに対して傾斜して延びる傾斜部１５Ｂとを備えている。

図２に示すように、上部電極１５は、上部電極１５の傾斜部１５Ｂの先端側を制御用電極１８側に向けて、上部電極１５の水平部１５Ａ及び傾斜部１５Ｂと半導体素子１２の第２電極１４とが隙間を空けて対向するように配置されている。
ここで、水平部１５Ａの第２電極１４と対向する下側の面を下面１５Ｄとし、傾斜部１５Ｂの第２電極１４と対向する下側の傾斜面を下面１５Ｅとすれば、下面１５Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置されると共に、下面１５Ｅは下面１５Ｅと第２電極１４との隙間距離が水平部１５Ａから離間するに従い（言い換えると、上部電極１５の傾斜部１５Ｂの先端側に行くほど）隙間距離が小さくなるように配置されている。すなわち、下面１５Ｄと第２電極１４との隙間距離をｄ１とし、下面１５Ｅの第２電極１４との隙間距離が最も小さい部分の隙間距離をｄ２とすれば、ｄ１＞ｄ２となるように配置されている。

水平部１５Ａの傾斜部１５Ｂに隣接した部位には、半田供給用の貫通孔１５Ｃが形成されている。半田供給用の貫通孔１５Ｃを介して上部電極１５と第２電極１４間の隙間距離ｄの最も大きい領域（ｄ＝ｄ１）に半田が供給される。
傾斜部１５Ｂの下面１５Ｅ及び水平部１５Ａの下面１５Ｄと第２電極１４との間に第２半田層１７が形成されている。図２に示すように、第２半田層１７は、上部電極１５の傾斜部１５Ｂの先端側に向けて尖った楔状に形成されている。なお、第１半田層１６及び第２半田層１７は、スズ（Ｓｎ）等を含む同一組成、同一融点の半田を使用して形成されている。

次に、上記構造を有する半導体装置１０についてその製造工程を図３に基づき説明する。
先ず、基部１１上にはんだ箔を介して半導体素子１２を載せ、図示しない加熱装置によって所定の温度ではんだ箔を溶融させ、その後硬化させて半導体素子１２と基部１１との半田付けを行い、半導体素子１２上の第１電極１３と基部１１とを第１半田層１６を介して接合させる。
図３（ａ）に示すように、この基部１１と半田接合された半導体素子１２上に上部電極１５を治具にて所定の隙間距離を空けて対向配置させる。すなわち、第２電極１４上に上部電極１５の傾斜部１５Ｂの先端側を制御用電極１８側に向け、傾斜部１５Ｂの先端部と第２電極１４間の隙間距離ｄがｄ２となり、水平部１５Ａと第２電極１４間の隙間距離ｄがｄ１となるように上部電極１５を配置する。

次に、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）に示す状態にある半導体装置を加熱装置内に入れて、装置全体を加熱させながら上方に配置された半田供給装置２０から溶融半田を供給する。半田供給装置２０から供給された溶融半田は、上部電極１５に形成された半田供給用の貫通孔１５Ｃを通過して半導体素子１２の第２電極１４上に供給されるが、表面張力と第２電極１４のぬれ性により半球状にぬれ広がり、領域を拡大させつつ周辺に移動する。そして、半球状の周面の一部が水平部１５Ａの下面１５Ｄ及び傾斜部１５Ｂの下面１５Ｅと当接する。

次に、図３（ｃ）に示すように、水平部１５Ａの下面１５Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置されると共に、傾斜部１５Ｂの下面１５Ｅは下面１５Ｅと第２電極１４との隙間距離ｄが水平部１５Ａから離間するに従い隙間距離ｄが小さくなるように配置されていることにより、供給された溶融半田は、下面１５Ｅと第２電極１４間の隙間を傾斜部１５Ｂの先端側に向けて移動する。すなわち、上部電極１５と第２電極１４間の隙間距離ｄの大きい領域（ｄ＝ｄ１）に供給され半球状にぬれ広がった溶融半田は、図３（ｃ）に矢印で示すように、半田自身の表面張力とぬれ性により、傾斜部１５Ｂの下面１５Ｅと第２電極１４間の隙間距離ｄの大きいところから小さいところへぬれ広がり、隙間に半田が確実に充填される。

次に、図３（ｄ）に示すように、加熱装置から取り出し冷却させることにより半田が硬化し、第２電極１４と上部電極１５とが第２半田層１７を介して接合される。特に、上部電極１５の周面と第２電極１４間には、半田が裾広がり状となったフィレットが形成される。

この第１の実施形態に係る半導体装置１０によれば以下の効果を奏する。
（１）水平部１５Ａと傾斜部１５Ｂとを備えた上部電極１５を、水平部１５Ａの下面１５Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置する共に、傾斜部１５Ｂの下面１５Ｅは下面１５Ｅと第２電極１４との隙間距離ｄが水平部１５Ａから離間するに従い隙間距離ｄが小さくなるように配置することにより、水平部１５Ａに形成された半田供給用の貫通孔１５Ｃを介して供給された溶融半田は、下面１５Ｅと第２電極１４間の隙間を隙間距離ｄの大きいところから隙間距離ｄの小さい傾斜部１５Ｂの先端側に向けてぬれ広がり、上部電極１５と第２電極１４間の隙間に半田を確実に充填することが可能となる。従って、上部電極１５と第２電極１４間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ上部電極１５と半導体素子１２間の接合強度を高めることが可能である。また、隙間を毛細管現象の発生する隙間とする必要が無いので、設計の自由度を向上させることが可能である。
（２）上部電極１５に傾斜部１５Ｂを設けることにより、全体を水平部１５Ａだけで形成する場合と比較して、上部電極１５と第２電極１４との接合面積を拡張することができ、上部電極１５と半導体素子１２間の接合強度を一層高めることが可能となる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る半導体装置３０を図４〜図６に基づいて説明する。
この実施形態は、第１の実施形態における上部電極１５と半導体素子１２との配置関係を変更したものであり、その他の構成は共通である。
従って、ここでは説明の便宜上、先の説明で用いた符号を一部共通して用い、共通する構成についてはその説明を省略し、変更した個所のみ説明を行う。

図４及び図５に示すように、上部電極３１は、所定の厚みを有し短冊状の板状部材から形成されている。上部電極３１は、板状の部材を折り曲げた形状を有し、水平に延びる水平部３１Ａと水平部３１Ａの先端側に連設され水平部３１Ａに対して傾斜して延びる傾斜部３１Ｂとを備えている。

図５に示すように、上部電極３１は、上部電極３１の傾斜部１５Ｂの先端側を制御用電極１８側に向けて、上部電極３１の水平部３１Ａ及び傾斜部３１Ｂと半導体素子１２の第２電極１４とが隙間を空けて対向するように配置されている。
ここで、水平部３１Ａの第２電極１４と対向する下側の面を下面３１Ｄとし、傾斜部３１Ｂの第２電極１４と対向する下側の傾斜面を下面３１Ｅとすれば、下面３１Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置されると共に、下面３１Ｅは下面３１Ｅと第２電極１４との隙間距離が水平部３１Ａから離間するに従い（言い換えると、傾斜部１５Ｂの先端側に行くほど）隙間距離が大きくなるように配置されている。すなわち、下面３１Ｄと第２電極１４との隙間距離をｄ３とし、下面３１Ｅの第２電極１４との隙間距離が最も大きい部分の隙間距離をｄ２とすれば、ｄ３＞ｄ４となるように配置されている。

傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅ及び水平部３１Ａの下面３１Ｄと第２電極１４との間に第２半田層３２が形成されている。図５に示すように、第２半田層３２は、上部電極３１の水平部３１Ａに向けて尖った楔状に形成されている。なお、第１半田層１６及び第２半田層３２は、スズ（Ｓｎ）等を含む同一組成、同一融点の半田を使用して形成されている。

次に、上記構造を有する半導体装置３０についてその製造工程を図６に基づき説明する。
先ず、基部１１上にはんだ箔を介して半導体素子１２を載せ、図示しない加熱装置によって所定の温度ではんだ箔を溶融させ、その後硬化させて半導体素子１２と基部１１との半田付けを行い、半導体素子１２の第１電極１３と基部１１とを第１半田層１６を介して接合させる。
図６（ａ）に示すように、この基部１１と半田接合された半導体素子１２上に上部電極３１を治具にて所定の隙間距離を空けて対向配置させる。すなわち、第２電極１４上に上部電極３１の傾斜部３１Ｂの先端側を制御用電極１８側に向け、傾斜部３１Ｂの先端部と第２電極１４間の隙間距離ｄがｄ４となり、水平部３１Ａと第２電極１４間の隙間距離ｄがｄ３となるように上部電極３１を配置する。

次に、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）に示す状態にある半導体装置を加熱装置内に入れて、装置全体を加熱させながら上方に配置された半田供給装置２０から溶融半田を供給する。なお、この場合には、半田供給装置２０は、上部電極３１の傾斜部３１Ｂの先端側の上方に配置されており、第２電極１４の傾斜部３１Ｂの先端部と対向する部分より制御用電極１８側の部分に半田が滴下されるように上部電極３１より少し離して配置されている。半田供給装置２０から供給された溶融半田は、半導体素子１２の第２電極１４上に滴下されるが、表面張力と第２電極１４のぬれ性により半球状にぬれ広がり、領域を拡大させつつ周辺に移動する。そして、半球状の周面の一部が傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅと当接する。

次に、図６（ｃ）に示すように、水平部３１Ａの下面３１Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置されると共に、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅは下面３１Ｅと第２電極１４との隙間距離ｄが水平部３１Ａから離間するに従い隙間距離ｄが大きくなるように配置されていることにより、供給された溶融半田は、下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間を水平部３１Ａ側に向けて移動する。すなわち、上部電極３１と第２電極１４間の隙間距離ｄの大きい領域（ｄ＝ｄ４）に供給され半球状にぬれ広がった溶融半田は、図６（ｃ）に矢印で示すように、半田自身の表面張力とぬれ性により、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間距離ｄの大きいところから小さいところへぬれ広がり、隙間に半田が確実に充填される。

次に、図６（ｄ）に示すように、加熱装置から取り出し冷却させることにより半田が硬化し、第２電極１４と上部電極３１とが第２半田層３２を介して接合される。特に、上部電極３１の周面と第２電極１４間には、半田が裾広がり状となったフィレットが形成される。

この第１の実施形態に係る半導体装置３０によれば以下の効果を奏する。
（３）水平部３１Ａと傾斜部３１Ｂとを備えた上部電極３１を、水平部３１Ａの下面３１Ｄは第２電極１４と平行となるよう配置する共に、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅは下面３１Ｅと第２電極１４との隙間距離ｄが水平部３１Ａから離間するに従い隙間距離ｄが大きくなるように配置することにより、傾斜部１５Ｂの先端側の下面３１Ｅと半導体素子１２の第２電極１４間に供給された溶融半田は、下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間を隙間距離ｄの大きいところから小さい水平部３１Ａ側に向けてぬれ広がり、上部電極３１と第２電極１４間の隙間に半田を確実に充填することが可能となる。従って、上部電極３１と第２電極１４間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ上部電極３１と半導体素子１２間の接合強度を高めることが可能である。また、隙間を毛細管現象の発生する隙間とする必要が無いので、設計の自由度を向上させることが可能である。
（４）上部電極３１の傾斜部１５Ｂの先端側の上方で、かつ、第２電極１４の傾斜部３１Ｂの先端部と対向する部分より制御用電極１８側の部分に半田が滴下されるように上部電極３１より少し離して半田供給装置２０を配置する。したがって、上部電極３１と第２電極１４間の隙間距離ｄの最も広い領域（ｄ＝ｄ４）に半田を簡単に供給することができる。また、上部電極３１に半田供給用の貫通孔を設けなくても良いので、製造工数を削減可能である。
（５）上部電極３１に傾斜部３１Ｂを設けることにより、全体を水平部３１Ａだけで形成する場合と比較して、上部電極３１と第２電極１４との接合面積を拡張することができ、上部電極３１と半導体素子１２間の接合強度を更に高めることが可能となる。

なお、本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく発明の趣旨の範囲内で種々の変更が可能であり、例えば、次のように変更しても良い。
○ 第１の実施形態において、上部電極１５の水平部１５Ａに半田供給用の貫通孔１５Ｃを設けるとして説明したが、半田供給用の貫通孔１５Ｃを設けないで水平部１５Ａ上に溶融半田を滴下させても良い。この場合には、上部電極１５の水平部１５Ａに滴下された溶融半田は、水平部１５Ａの上面を伝わって両サイドより下面１５Ｄ側に回り込み、上部電極１５と第２電極１４間における隙間距離ｄの最も大きい領域（ｄ＝ｄ１）に供給される。また、半田を側方より上部電極１５と第２電極１４間の隙間に直接供給し、隙間距離ｄの大きいところから小さいところへぬれ広がらせても良い。
○ 第１の実施形態において、上部電極１５の水平部１５Ａに半田供給用の貫通孔１５Ｃを設けるとして説明したが、傾斜部１５Ｂの水平部１５Ａ側の隙間距離ｄの大きいところに貫通孔を設けても良い。
○ 第２の実施形態において、上部電極３１の傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間距離ｄが大きい傾斜部３１Ｂの先端部に半田供給用の貫通孔を設け、貫通孔を介して下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間に半田を供給しても良い。なお、貫通孔を設ける位置は、隙間距離ｄが大きい傾斜部３１Ｂの先端部に限定されるものではなくて、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間距離ｄが最も小さい部分（ｄ＝ｄ３）よりも下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間距離ｄが少しでも大きい部分であればどこでも構わない。
○ 第１及び第２の実施形態では、上部電極は、水平部と水平部に対して直線状に折れ曲がった傾斜部とで形成されるとして説明したが、傾斜部が湾曲形成（Ｒ形状）されていても良いし、水平部と直線状に折れ曲がった傾斜部との間に湾曲部が形成されていても良い。また、上部電極が傾斜部だけで形成されていても良い。更に、傾斜部を挟んで両側に水平部が形成されていても良いし、水平部を挟んで両側に傾斜部が形成されていても良い。○ 第２の実施形態では、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅ及び水平部３１Ａの下面３１Ｄと第２電極１４との間に第２半田層３２が形成されているとして説明したが、図７に示すように、水平部３１Ａの下面３１Ｄと第２電極１４との間に第２半田層４１が形成されていても良い。この場合には、上部電極３１の傾斜部３１Ｂの先端側に供給された溶融半田は、傾斜部３１Ｂの下面３１Ｅと第２電極１４間の隙間を隙間距離ｄの大きいところから小さい水平部３１Ａ側に向けてぬれ広がり、水平部３１Ａの下面３１Ｄと第２電極１４との間にのみ第２半田層４１が形成される。
○ 第１及び第２の実施形態では、被接合部材を半導体素子１２として説明したが、半導体素子１２を介さずに基部１１上に上部電極１５、３１を直接半田付けしても良い。この場合には、基部１１が被接合部材となる。
○ 第１及び第２の実施形態では、上部電極の水平部及び傾斜部と半導体素子の第２電極とが隙間を空けて対向して配置されているとして説明したが、水平部及び傾斜部の一部が第２電極と接触していても構わない。例えば、第１の実施形態において、傾斜部１５Ｂの先端側の下面１５Ｅの第２電極１４との隙間距離ｄが最も小さい部分が第２電極１４と当接するように配置（ｄ２＝０）されていても良い。

１１ 基部
１２ 半導体素子
１３ 第１電極
１４ 第２電極
１５ 上部電極
１５Ａ 水平部
１５Ｂ 傾斜部
１５Ｃ 貫通孔
１５Ｄ 下面
１５Ｅ 下面（傾斜面）
１６ 第１半田層
１７ 第２半田層
ｄ 上部電極と第２電極間の隙間距離

Claims (4)

1. 平面状の被接合面を有する被接合部材と、少なくとも一部が該被接合部材と隙間を空けて対向配置される板状の電極とを備えた電子部品における電極の接続構造であって、
   前記電極は、水平に延びる水平部と、該水平部の端部から該水平部に対して傾斜して延びる傾斜面とを有し、
   前記被接合部材の被接合面と前記電極とは半田により接合されることを特徴とする電子部品における電極の接続構造。
2. 前記電極は、前記傾斜面が前記被接合部材の被接合面と対向するとともに、前記水平部から離間するに従い前記傾斜面と前記被接合部材の被接合面との隙間距離が小さくなるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品における電極の接続構造。
3. 前記電極は、前記水平部及び前記傾斜面が前記被接合部材の被接合面と対向するとともに、前記傾斜面が、前記水平部から離間するに従い前記傾斜面と前記被接合部材との隙間距離が大きくなるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品における電極の接続構造。
4. 前記電極には、前記傾斜面と前記被接合部材の隙間距離が最も小さい部分より前記傾斜面と前記被接合部材の隙間距離が大きい部分に半田供給用の貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品における電極の接続構造。

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