JP4579259B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力用半導体装置を示す断面図である。例えば銅からなるヒートスプレッダ11が、例えばエポキシ樹脂からなる絶縁シート12を介して、ヒートシンク13上に搭載されている。ヒートスプレッダ11上に、IGBT等の電力用半導体素子14が半田接合されている。電力用半導体素子14は、アルミニウムワイヤ15によりリードフレーム16と接続されている。これらのヒートスプレッダ11等は、トランスファーモールド法を用いて、例えばエポキシ樹脂からなるモールド樹脂17で封止されている。
図2は、本発明の実施の形態2に係る電力用半導体装置を示す断面図である。実施の形態1と同様の構成については説明を省略し、実施の形態1と異なる構成について説明する。
図3は、本発明の実施の形態3に係る電力用半導体装置を示す断面図であり、図4は、本発明の実施の形態3に係る遮断機構を示す平面図である。実施の形態1と同様の構成については説明を省略し、実施の形態1と異なる構成について説明する。
図5は、本発明の実施の形態4に係る電力用半導体装置を示す断面図である。図示のように、電力用半導体素子14、ヒーター26及び遮断導体23がモールド樹脂34で一括封止されている。即ち、樹脂封止型パワーモジュールの一部に遮断機構及びヒーターを内蔵している。その他の構成は実施の形態2又は3と同様である。これにより、実施の形態2又は3と同様の効果を奏する他、電力用半導体装置の組み立て性が向上し、小型・軽量・低コスト化することができる。特に、図示のようにモールド樹脂34がヒーター26の下に回りこむことで、基板が不要となり低コストとなる。
14 電力用半導体素子
21 第1配線導体
22 第2配線導体
23 遮断導体
26 ヒーター
27 冷媒供給手段
28 制御手段
31,34 モールド樹脂
32 凹部
Claims (4)
- 電力用半導体素子と、
前記電力用半導体素子に接続された第1配線導体と、
電力を供給する第2配線導体と、
前記第1配線導体と前記第2配線導体とを連結し、所定以上の温度で溶断する遮断導体と、
前記遮断導体に熱を供給するヒーターと、
前記遮断導体を冷却するヒートシンクと、
前記ヒートシンクに冷媒を供給する冷媒供給手段と、
前記ヒーターへの通電を制御し、前記冷媒供給手段による冷媒の供給量を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電力用半導体装置。 - 前記ヒーター及び前記遮断導体は樹脂で一括封止されており、前記遮断導体は樹脂の表面から露出しているか又は表面に近接して配置されていることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体装置。
- 前記ヒーター及び前記遮断導体は樹脂で一括封止されており、前記遮断導体と前記ヒートシンクとの間の前記樹脂の厚さは0.3mm以上1mm以下であり、前記樹脂には前記遮断導体上に凹部が設けられていることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体装置。
- 前記電力用半導体素子、前記ヒーター及び前記遮断導体が前記樹脂で一括封止されていることを特徴とする請求項2又は3に記載の電力用半導体装置。
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