JP2006118008A5 - - Google Patents

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  1. 真空室、ターゲット材料を保持するスパッタカソード、スパッタされた該ターゲット材料を堆積する基板を搭載する搭載手段、および該搭載手段の搬送機構を備えた薄膜形成装置であって、
    該搬送機構において、該基板が該ターゲット材料の前面を通過するよう搬送経路が設けられ、
    該搭載手段が、複数の該基板を連接して保持する基板トレーからなり、
    該基板トレーが該スパッタカソード前面を往復動作により複数回通過するように該搬送機構が構成され、
    該真空室内に該基板トレーが折り返すときに位置する折り返しスペースが設けられ、
    該折り返しスペースにおける該搬送経路に垂直な断面の面積が、該真空室の該折り返しスペースでない部分における該搬送経路に垂直な断面の面積よりも小さいことを特徴とする薄膜形成装置。
  2. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該折り返しスペースにおける該搬送経路に垂直な断面の形状が、該基板および該基板トレーで画定される形状に略相似していることを特徴とする薄膜形成装置。
  3. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該基板トレーに板歯車が形成され、
    該搬送機構が該板歯車に係合する平歯車、および該平歯車を駆動する駆動手段を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  4. 請求項記載の薄膜形成装置であって、
    該基板トレーの搬送経路に該平歯車を複数設け、
    該平歯車に接続されたプーリー、該プーリー間に張られた少なくとも1つ以上のタイミングベルト、および該プーリーの少なくとも1つを駆動する駆動モーターを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  5. 請求項記載の薄膜形成装置であって、
    該搬送機構は、該基板トレーの搬送経路を形成するガイド、該基板トレーに配設した板歯車、該基板トレーに配設され該基板トレーの荷重を受けながら該ガイド上を移動するローラ、および移動する該基板を支持するベアリングにより構成されることを特徴とする薄膜形成装置。
  6. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該スパッタカソードを、該基板トレーの搬送経路を挟んで対向する位置に設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
  7. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該スパッタカソードを該真空室の外側から固定するクランプを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
  8. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該真空室が仕込取出室および成膜室からなり、
    該仕込取出室に該基板トレーの昇降機構を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
  9. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該真空室が仕込取出室および成膜室からなり、
    該仕込取出室に粗引き用ポンプを、該成膜室にメインポンプを接続し、
    排気系を1系統としたことを特徴とする薄膜形成装置。
  10. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    該基板に複数の圧電素子が搭載されたことを特徴とする薄膜形成装置。
  11. 請求項1記載の薄膜形成装置であって、
    少なくとも1つの該ターゲット材料が、Au又はAgであることを特徴とする薄膜形成装置。
  12. 真空室に配したターゲット材料の成膜領域に基板を通過させる搬送機構を備えた薄膜形成装置において該基板に成膜を行う薄膜形成方法であって、
    該ターゲット材料をスパッタカソードによりスパッタ放電させて成膜領域を形成するステップ、及び
    該搬送機構によって、該基板が該成膜領域を少なくとも1往復通過するように、該基板を搭載する基板トレーを搬送するステップ
    からなり、
    該搬送するステップが、さらに、該往復の折り返し時に該基板トレーを待機スペースに待機させるステップを含み、該待機スペースにおける搬送経路に垂直な断面の面積が該真空室の該待機スペースでない部分における該搬送経路に垂直な断面の面積よりも小さいスペースであることを特徴とする方法。
  13. 請求項12記載の薄膜形成方法であって、
    前記スパッタカソードが該基板の搬送経路に沿ってかつ該搬送経路を挟んで2列に配設され、
    前記搬送するステップが、さらに、該基板と基板の間にスパッタ放電された該ターゲット材料を通過させないように該複数の基板を基板トレー上に保持して搬送するステップからなることを特徴とする方法。
  14. 請求項12記載の薄膜形成方法であって、
    該搬送するステップにおいて、該基板トレーに備えられた板歯車と該搬送機構に備えられた平歯車を係合させ、該平歯車を回転させることにより該基板トレーを搬送することを特徴とする薄膜形成方法。
  15. 請求項12記載の薄膜形成方法において、
    スパッタ放電が安定した時点で該搬送するステップを開始して、該基板に該ターゲット材料を堆積させ
    連接した該基板の最後尾が該ターゲット材料のスパッタ放電領域から抜けた時点で該スパッタカソードへの通電を停止することを特徴とする薄膜形成方法。
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