JPH06108241A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH06108241A JPH06108241A JP26206692A JP26206692A JPH06108241A JP H06108241 A JPH06108241 A JP H06108241A JP 26206692 A JP26206692 A JP 26206692A JP 26206692 A JP26206692 A JP 26206692A JP H06108241 A JPH06108241 A JP H06108241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- convex portion
- concave portion
- sputtering apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲットがバッキングプレートに対して正
確な位置に容易に位置決めできるようにし、これによ
り、ターゲットがアノードに近付き、これらがショート
する虞れを殆どなくすスパッタリング装置を提供するこ
とにある。 【構成】 ターゲットのバッキングプレート側の面の中
央には、第１の凹部又は凸部が形成されていると共に、
バッキングプレートのターゲット側の面の中央にも、こ
の第１の凹部又は凸部に嵌合する第２の凸部又は凹部形
成されていることを特徴としている。
確な位置に容易に位置決めできるようにし、これによ
り、ターゲットがアノードに近付き、これらがショート
する虞れを殆どなくすスパッタリング装置を提供するこ
とにある。 【構成】 ターゲットのバッキングプレート側の面の中
央には、第１の凹部又は凸部が形成されていると共に、
バッキングプレートのターゲット側の面の中央にも、こ
の第１の凹部又は凸部に嵌合する第２の凸部又は凹部形
成されていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ターゲットがバッキン
グプレートに対して正確な位置に容易に位置決めできる
ようにしたスパッタリング装置に関する。
グプレートに対して正確な位置に容易に位置決めできる
ようにしたスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリング装置、例えば、プレーナ
マグネトロンスパッタリング装置では、放電中において
アルゴンイオンが陰極であるターゲットに衝突し、そこ
からスパッタされる粒子が対向して配置されたウェハな
どのサブストレート（陽極）上に堆積する現象を利用し
て成膜している。概念的には、図８に示すように、真空
容器１内にバルブ２を介してアルゴンガスが導入され常
時排気されており、真空容器１の下部には、陰極である
ベース３が設けられており、このベース３上に絶縁物４
を介して、陽極であるアノード５が設けられている。ベ
ース３の中央の上には、バッキングプレート６が配置さ
れており、このバッキングプレート６内には、冷却水を
流すための流路７が形成されている。このバッキングプ
レート６の上にターゲット８が固定されており、このタ
ーゲット８とアノード５との間には、放電不可能な間隔
が設けられている。ベース３の下方には、ターゲット８
の上方に磁界を形成するように磁石９が設けられてい
る。さらに、ターゲット８に対向するようにして、ウェ
ハなどのサブストレート１０が配置されており、このサ
ブストレート１０は、サブストレートホルダー１１に保
持されている。
マグネトロンスパッタリング装置では、放電中において
アルゴンイオンが陰極であるターゲットに衝突し、そこ
からスパッタされる粒子が対向して配置されたウェハな
どのサブストレート（陽極）上に堆積する現象を利用し
て成膜している。概念的には、図８に示すように、真空
容器１内にバルブ２を介してアルゴンガスが導入され常
時排気されており、真空容器１の下部には、陰極である
ベース３が設けられており、このベース３上に絶縁物４
を介して、陽極であるアノード５が設けられている。ベ
ース３の中央の上には、バッキングプレート６が配置さ
れており、このバッキングプレート６内には、冷却水を
流すための流路７が形成されている。このバッキングプ
レート６の上にターゲット８が固定されており、このタ
ーゲット８とアノード５との間には、放電不可能な間隔
が設けられている。ベース３の下方には、ターゲット８
の上方に磁界を形成するように磁石９が設けられてい
る。さらに、ターゲット８に対向するようにして、ウェ
ハなどのサブストレート１０が配置されており、このサ
ブストレート１０は、サブストレートホルダー１１に保
持されている。
【０００３】ベース３に所定の高電圧が印加されると、
放電されてアルゴンガスがイオン化し、磁石９による磁
界がターゲット８の上方に形成されて、プラズマＰが発
生する。このプラズマＰは、磁界の影響により、ターゲ
ット８の上方でレーストラック状に形成されると共に、
イオンはこのレーストラック内を紙面に垂直な方向に走
り、ターゲット８に衝突する。これにより、ターゲット
８からスパッタされる粒子が放出されて、陽極となって
いるサブストレート１０に堆積される。
放電されてアルゴンガスがイオン化し、磁石９による磁
界がターゲット８の上方に形成されて、プラズマＰが発
生する。このプラズマＰは、磁界の影響により、ターゲ
ット８の上方でレーストラック状に形成されると共に、
イオンはこのレーストラック内を紙面に垂直な方向に走
り、ターゲット８に衝突する。これにより、ターゲット
８からスパッタされる粒子が放出されて、陽極となって
いるサブストレート１０に堆積される。
【０００４】ところで、ターゲット８がバッキングプレ
ート６に固定されている構造の詳細は図９に示すように
構成されている。ターゲット８の両側には、段部１３，
１３が形成されており、断面Ｌ字状て長尺物のターゲッ
トクランプ１４がこの段部１３，１３の上を押圧するよ
うに設けられている。このターゲットクランプ１４は、
これに形成されたボルト孔１５にボルトが通挿されてバ
ッキングプレート６に固定されている。また、図１０に
示すように、ターゲット８は、図９の紙面に垂直な方向
にストライプ状に順次並設されており、例えば、モリブ
デン、タンタルの合金被膜を形成する場合には、モリブ
デンのターゲット８とタンタルのターゲット８が順次並
設される。
ート６に固定されている構造の詳細は図９に示すように
構成されている。ターゲット８の両側には、段部１３，
１３が形成されており、断面Ｌ字状て長尺物のターゲッ
トクランプ１４がこの段部１３，１３の上を押圧するよ
うに設けられている。このターゲットクランプ１４は、
これに形成されたボルト孔１５にボルトが通挿されてバ
ッキングプレート６に固定されている。また、図１０に
示すように、ターゲット８は、図９の紙面に垂直な方向
にストライプ状に順次並設されており、例えば、モリブ
デン、タンタルの合金被膜を形成する場合には、モリブ
デンのターゲット８とタンタルのターゲット８が順次並
設される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ターゲ
ット８を図９に示すように固定しようとする際、ターゲ
ット８が取付誤差などによって所定の位置に取付けられ
ないことがある。また、スパッタリング中、ターゲット
８は非常に高温になり、熱膨脹することがある。このよ
うな場合には、ターゲット８がバッキングプレート６か
ら剥がれることがあり、また、ターゲット８に曲げ応力
が発生するが、ターゲット８はターゲットクランプ１４
により押圧されているため、ターゲット８にストレスが
蓄積されることがある。さらに、上記のように、合金被
膜を形成する場合には、異種金属のターゲット８が並設
られているが、これらの金属の熱膨脹率の違いから、図
１０に示すように、隣位のターゲット８が相互に位置ず
れすることがある。
ット８を図９に示すように固定しようとする際、ターゲ
ット８が取付誤差などによって所定の位置に取付けられ
ないことがある。また、スパッタリング中、ターゲット
８は非常に高温になり、熱膨脹することがある。このよ
うな場合には、ターゲット８がバッキングプレート６か
ら剥がれることがあり、また、ターゲット８に曲げ応力
が発生するが、ターゲット８はターゲットクランプ１４
により押圧されているため、ターゲット８にストレスが
蓄積されることがある。さらに、上記のように、合金被
膜を形成する場合には、異種金属のターゲット８が並設
られているが、これらの金属の熱膨脹率の違いから、図
１０に示すように、隣位のターゲット８が相互に位置ず
れすることがある。
【０００６】このように、ターゲット８が取付誤差、熱
膨脹などにより位置ずれする場合、ターゲット８がアノ
ード５に近付き、これらがショートする虞れがあり、非
常に好ましくない事態が発生する虞れがある。
膨脹などにより位置ずれする場合、ターゲット８がアノ
ード５に近付き、これらがショートする虞れがあり、非
常に好ましくない事態が発生する虞れがある。
【０００７】本発明の目的は、このような事情に鑑みて
なされたものであって、ターゲットがバッキングプレー
トに対して正確な位置に容易に位置決めできるようにし
たスパッタリング装置を提供することにある。
なされたものであって、ターゲットがバッキングプレー
トに対して正確な位置に容易に位置決めできるようにし
たスパッタリング装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、所定のガスが導入された真空容器内にお
いて、ターゲットの端部がアノードに対して所定の間隙
をおくように、ターゲットがターゲットクランプにより
バッキングプレートに固定されており、放電中にイオン
がターゲットに衝突し、そこからスパッタされる粒子が
対向して配置されたサブストレート上に堆積するスパッ
タリング装置において、ターゲットのバッキングプレー
ト側の面の中央には、第１の凹部又は凸部が形成されて
いると共に、バッキングプレートのターゲット側の面の
中央にも、この第１の凹部又は凸部に嵌合する第２の凸
部又は凹部形成されていることを特徴としている。
め、本発明は、所定のガスが導入された真空容器内にお
いて、ターゲットの端部がアノードに対して所定の間隙
をおくように、ターゲットがターゲットクランプにより
バッキングプレートに固定されており、放電中にイオン
がターゲットに衝突し、そこからスパッタされる粒子が
対向して配置されたサブストレート上に堆積するスパッ
タリング装置において、ターゲットのバッキングプレー
ト側の面の中央には、第１の凹部又は凸部が形成されて
いると共に、バッキングプレートのターゲット側の面の
中央にも、この第１の凹部又は凸部に嵌合する第２の凸
部又は凹部形成されていることを特徴としている。
【０００９】
【作用】このように、ターゲットおよびバッキングプレ
ートの互いに対向する面の中央に、相互に嵌合する第１
の凹部又は凸部および第２の凸部又は凹部が形成されて
いる。そのため、ターゲットをバッキングプレートに固
定する際、ターゲットの位置をセンター基準で容易に位
置決めすることができる。そのため、取付誤差などに基
づくターゲットの位置ずれが殆どないと共に、スパッタ
リング中、ターゲットが熱膨脹したとしても、ターゲッ
トは、センターを基準として両側に分散されて熱膨脹
し、従来のように、片側にのみ伸びるといったことがな
い。これにより、ターゲットがアノードに近付き、これ
らがショートする虞れを殆どなくすことができる。
ートの互いに対向する面の中央に、相互に嵌合する第１
の凹部又は凸部および第２の凸部又は凹部が形成されて
いる。そのため、ターゲットをバッキングプレートに固
定する際、ターゲットの位置をセンター基準で容易に位
置決めすることができる。そのため、取付誤差などに基
づくターゲットの位置ずれが殆どないと共に、スパッタ
リング中、ターゲットが熱膨脹したとしても、ターゲッ
トは、センターを基準として両側に分散されて熱膨脹
し、従来のように、片側にのみ伸びるといったことがな
い。これにより、ターゲットがアノードに近付き、これ
らがショートする虞れを殆どなくすことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例によるスパッタリン
グ装置を図面を参照しつつ説明する。
グ装置を図面を参照しつつ説明する。
【００１１】本実施例は、スパッタリング装置の一例と
してのプレーナマグネトロンスパッタリング装置に係
り、図１に示すように、ターゲット８の両側には、段部
１３，１３が形成されており、断面Ｌ字状て長尺物のタ
ーゲットクランプ１４がこの段部１３，１３の上を押圧
するように設けられている。このターゲットクランプ１
４は、これに形成されたボルト孔１５にボルトが通挿さ
れてバッキングプレート６に固定されている。ターゲッ
ト８は、例えば、モリブデン、タンタルなどの単体金属
からなっている。なお、その他の符号も、図９に示す従
来例と同様である。
してのプレーナマグネトロンスパッタリング装置に係
り、図１に示すように、ターゲット８の両側には、段部
１３，１３が形成されており、断面Ｌ字状て長尺物のタ
ーゲットクランプ１４がこの段部１３，１３の上を押圧
するように設けられている。このターゲットクランプ１
４は、これに形成されたボルト孔１５にボルトが通挿さ
れてバッキングプレート６に固定されている。ターゲッ
ト８は、例えば、モリブデン、タンタルなどの単体金属
からなっている。なお、その他の符号も、図９に示す従
来例と同様である。
【００１２】本実施例では、ターゲット８のバッキング
プレート６側の面の中心に、断面四角形の第１の凹部２
１が形成されている一方、バッキングプレート６のター
ゲット８側の面の中心にも、この第１の凹部２１に嵌合
する断面四角形の第２の凸部２２が形成されており、相
互に位置決めできるように構成されている。これら第１
の凹部２１および第２の凸部２２は、互いに嵌合できる
ような形状であれば如何なる形状であってもよい。例え
ば、特に図示しないが、円形、三角形、台形などであっ
てもよい。さらに、図示した例では、ターゲット８に凹
部が形成されており、バッキングプレート６に凸部が形
成されているが、ターゲット８に凸部が形成されてお
り、バッキングプレート６に凹部が形成されていてもよ
い。
プレート６側の面の中心に、断面四角形の第１の凹部２
１が形成されている一方、バッキングプレート６のター
ゲット８側の面の中心にも、この第１の凹部２１に嵌合
する断面四角形の第２の凸部２２が形成されており、相
互に位置決めできるように構成されている。これら第１
の凹部２１および第２の凸部２２は、互いに嵌合できる
ような形状であれば如何なる形状であってもよい。例え
ば、特に図示しないが、円形、三角形、台形などであっ
てもよい。さらに、図示した例では、ターゲット８に凹
部が形成されており、バッキングプレート６に凸部が形
成されているが、ターゲット８に凸部が形成されてお
り、バッキングプレート６に凹部が形成されていてもよ
い。
【００１３】このように構成されているため、ターゲッ
ト８をバッキングプレート６に固定する際、ターゲット
８の位置をセンター基準で容易に位置決めすることがで
きる。そのため、取付誤差などに基づくターゲット８の
位置ずれが殆どないと共に、スパッタリング中、ターゲ
ット８が熱膨脹したとしても、ターゲット８は、センタ
ーを基準として両側に分散されて熱膨脹し、片側にのみ
伸びるといったことがない。
ト８をバッキングプレート６に固定する際、ターゲット
８の位置をセンター基準で容易に位置決めすることがで
きる。そのため、取付誤差などに基づくターゲット８の
位置ずれが殆どないと共に、スパッタリング中、ターゲ
ット８が熱膨脹したとしても、ターゲット８は、センタ
ーを基準として両側に分散されて熱膨脹し、片側にのみ
伸びるといったことがない。
【００１４】以下、図２乃至図７に本実施例の変形例を
示す。
示す。
【００１５】図２の変形例では、ターゲット８は、円形
状に形成されており、第１の凹部２１及び第２の凸部２
２は、各々、断面四角形であるが、その中心位置におい
てドット状に形成されている。これにより、ターゲット
８とバッキングプレート６とが相互に容易に位置決めで
きるようにされている。
状に形成されており、第１の凹部２１及び第２の凸部２
２は、各々、断面四角形であるが、その中心位置におい
てドット状に形成されている。これにより、ターゲット
８とバッキングプレート６とが相互に容易に位置決めで
きるようにされている。
【００１６】図３の変形例では、ターゲット８は、正四
角形状に形成されており、図２の場合と同様に、第１の
凹部２１及び第２の凸部２２は、各々、断面四角形であ
るが、その中心位置においてドット状に形成されてい
る。これにより、ターゲット８とバッキングプレート６
とが相互に容易に位置決めできるようにされている。
角形状に形成されており、図２の場合と同様に、第１の
凹部２１及び第２の凸部２２は、各々、断面四角形であ
るが、その中心位置においてドット状に形成されてい
る。これにより、ターゲット８とバッキングプレート６
とが相互に容易に位置決めできるようにされている。
【００１７】図４の変形例では、長方形状のターゲット
８が、ストライプ状に順次並設されており、これらのタ
ーゲット８は、同種の金属であってもよいが、たとえ
ば、モリブデン、タンタルの異種金属からなるものが交
互に並設されていてもよい。この場合には、モリブデ
ン、タンタルの合金被膜を形成することができる。
８が、ストライプ状に順次並設されており、これらのタ
ーゲット８は、同種の金属であってもよいが、たとえ
ば、モリブデン、タンタルの異種金属からなるものが交
互に並設されていてもよい。この場合には、モリブデ
ン、タンタルの合金被膜を形成することができる。
【００１８】この変形例でも、第１の凹部２１及び第２
の凸部２２は、各ターゲット８の中心となる位置に、ド
ット状に形成されている。この場合には、ターゲットク
ランプの方向にも位置決めできることは勿論であるが、
ターゲット８の並設方向にも位置決めすることができ
る。
の凸部２２は、各ターゲット８の中心となる位置に、ド
ット状に形成されている。この場合には、ターゲットク
ランプの方向にも位置決めできることは勿論であるが、
ターゲット８の並設方向にも位置決めすることができ
る。
【００１９】図５の変形例では、図４の場合と同様に、
長方形状のターゲット８がストライプ状に順次並設され
ているが、第１の凹部２１及び第２の凸部２２は、この
並設方向に延びて形成されている。これにより、ターゲ
ット８とバッキングプレート６とは、ターゲットクラン
プの方向に相互に容易に位置決めできる。
長方形状のターゲット８がストライプ状に順次並設され
ているが、第１の凹部２１及び第２の凸部２２は、この
並設方向に延びて形成されている。これにより、ターゲ
ット８とバッキングプレート６とは、ターゲットクラン
プの方向に相互に容易に位置決めできる。
【００２０】図６及び図７の変形例でも、図４及び図５
の場合と同様に、長方形状のターゲット８がストライプ
状に順次並設されている。この変形例では、ストライプ
状に順次並設されたターゲット８上方においてレースト
ラック状のプラズマＰが発生されたときにこれに対応し
てエロージョンされるターゲット８の部位以外のバッキ
ングプレート６側の面に、第１の凹部２１及び第２の凸
部２２が形成されている。すなわち、図６及び図７に示
すように、レーストラック状のプラズマＰの内部では、
第１の凹部２１及び第２の凸部２２は、エロージョンさ
れないターゲット８の中心部位に位置するように、ター
ゲット８の並設方向に延びるように形成されている一
方、レーストラック状のプラズマＰの外部でも、第１の
凹部２１及び第２の凸部２２は、エロージョンされない
ターゲット８の端部に形成されている。これにより、タ
ーゲットクランプの方向にも位置決めできることは勿論
であるが、ターゲット８の並設方向にも位置決めするこ
とができる。
の場合と同様に、長方形状のターゲット８がストライプ
状に順次並設されている。この変形例では、ストライプ
状に順次並設されたターゲット８上方においてレースト
ラック状のプラズマＰが発生されたときにこれに対応し
てエロージョンされるターゲット８の部位以外のバッキ
ングプレート６側の面に、第１の凹部２１及び第２の凸
部２２が形成されている。すなわち、図６及び図７に示
すように、レーストラック状のプラズマＰの内部では、
第１の凹部２１及び第２の凸部２２は、エロージョンさ
れないターゲット８の中心部位に位置するように、ター
ゲット８の並設方向に延びるように形成されている一
方、レーストラック状のプラズマＰの外部でも、第１の
凹部２１及び第２の凸部２２は、エロージョンされない
ターゲット８の端部に形成されている。これにより、タ
ーゲットクランプの方向にも位置決めできることは勿論
であるが、ターゲット８の並設方向にも位置決めするこ
とができる。
【００２１】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れないのは勿論である。特に、上述したように、第１の
凹部及び第２の凸部の形状は、如何であってもよく、タ
ーゲットに凸部が形成されており、バッキングプレート
に凹部が形成されていてもよい。
れないのは勿論である。特に、上述したように、第１の
凹部及び第２の凸部の形状は、如何であってもよく、タ
ーゲットに凸部が形成されており、バッキングプレート
に凹部が形成されていてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、ターゲ
ットをバッキングプレートに固定する際、ターゲットの
位置をセンター基準で容易に位置決めすることができる
ように構成されているため、取付誤差などに基づくター
ゲットの位置ずれが殆どないと共に、スパッタリング
中、ターゲットが熱膨脹したとしても、ターゲットは、
センターを基準として両側に分散されて熱膨脹し、従来
のように、片側にのみ伸びるといったことがない。これ
により、ターゲットがアノードに近付き、これらがショ
ートする虞れを殆どなくすことができる。
ットをバッキングプレートに固定する際、ターゲットの
位置をセンター基準で容易に位置決めすることができる
ように構成されているため、取付誤差などに基づくター
ゲットの位置ずれが殆どないと共に、スパッタリング
中、ターゲットが熱膨脹したとしても、ターゲットは、
センターを基準として両側に分散されて熱膨脹し、従来
のように、片側にのみ伸びるといったことがない。これ
により、ターゲットがアノードに近付き、これらがショ
ートする虞れを殆どなくすことができる。
【図１】本発明の一実施例によるプレーナマグネトロン
スパッタリング装置の要部の断面図、
スパッタリング装置の要部の断面図、
【図２】図２（ａ）は本発明の一実施例の第１の変形例
によるターゲットの平面図、図２（ｂ）は本発明の一実
施例の第１の変形例によるプレーナマグネトロンスパッ
タリング装置の要部の断面図、
によるターゲットの平面図、図２（ｂ）は本発明の一実
施例の第１の変形例によるプレーナマグネトロンスパッ
タリング装置の要部の断面図、
【図３】図３（ａ）は本発明の一実施例の第２の変形例
によるターゲットの平面図、図３（ｂ）は本発明の一実
施例の第２の変形例によるプレーナマグネトロンスパッ
タリング装置の要部の断面図、
によるターゲットの平面図、図３（ｂ）は本発明の一実
施例の第２の変形例によるプレーナマグネトロンスパッ
タリング装置の要部の断面図、
【図４】本発明の一実施例の第３の変形例によるターゲ
ットの平面図、
ットの平面図、
【図５】本発明の一実施例の第４の変形例によるターゲ
ットの平面図、
ットの平面図、
【図６】本発明の一実施例の第５の変形例によるターゲ
ットの平面図、
ットの平面図、
【図７】図６の［Ｇ］−［Ｇ］線に沿う断面図、
【図８】従来のプレーナマグネトロンスパッタリング装
置の模式的断面図、
置の模式的断面図、
【図９】従来のプレーナマグネトロンスパッタリング装
置の要部の断面図、
置の要部の断面図、
【図１０】従来のターゲットの平面図である。
５ アノード ６ バッキングプレート ８ ターゲット ９ 磁石 ２１ 第１の凹部又は凸部 ２２ 第２の凸部又は凹部
Claims (4)
- 【請求項１】所定のガスが導入された真空容器内におい
て、ターゲットの端部がアノードに対して所定の間隙を
おくように、ターゲットがターゲットクランプによりバ
ッキングプレートに固定されており、放電中にイオンが
ターゲットに衝突し、そこからスパッタされる粒子が対
向して配置されたサブストレート上に堆積するスパッタ
リング装置において、 ターゲットのバッキングプレート側の面の中央には、第
１の凹部又は凸部が形成されていると共に、バッキング
プレートのターゲット側の面の中央にも、この第１の凹
部又は凸部に嵌合する第２の凸部又は凹部が形成されて
いることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】第１の凹部又は凸部および第２の凸部又は
凹部は、ドット状に形成されていることを特徴とする請
求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】ターゲットがストライプ状に順次並設さ
れ、第１の凹部又は凸部および第２の凸部又は凹部は、
この並設する方向に延ばされて形成されていることを特
徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。 - 【請求項４】ターゲットがストライプ状に順次並設さ
れ、これらの上方においてレーストラック状のプラズマ
が発生されたときにこれに対応してエロージョンされる
ターゲットの部位以外のバッキングプレート側の面に、
第１の凹部又は凸部が形成されていることを特徴とする
請求項１に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26206692A JPH06108241A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26206692A JPH06108241A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108241A true JPH06108241A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17370560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26206692A Pending JPH06108241A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06108241A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551470B1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-04-22 | Academy Precision Materials | Clamp and target assembly |
| WO2006043343A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Showa Shinku Co., Ltd. | 薄膜形成装置及びその方法 |
| JP2009144186A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Takeuchi Kogyo:Kk | スパッタリング用ターゲット部材およびその製造法 |
| WO2012140798A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 株式会社アルバック | ターゲット及びターゲットの製造方法 |
| US20130056349A1 (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Eiji Kitagawa | Sputtering target and method of manufacturing magnetic memory using the same |
| WO2013088600A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、ターゲットおよびシールド |
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
| US20130302535A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Yun-Mo CHUNG | Sputter device and method for depositing thin film using the same |
| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
| JP2021017617A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ターゲット構造体及び成膜装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26206692A patent/JPH06108241A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6551470B1 (en) * | 1999-06-15 | 2003-04-22 | Academy Precision Materials | Clamp and target assembly |
| WO2006043343A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Showa Shinku Co., Ltd. | 薄膜形成装置及びその方法 |
| JP2006118008A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Showa Shinku:Kk | 薄膜形成装置及びその方法 |
| JP4665155B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2011-04-06 | 株式会社昭和真空 | 薄膜形成装置及びその方法 |
| JP2009144186A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Takeuchi Kogyo:Kk | スパッタリング用ターゲット部材およびその製造法 |
| CN103282542A (zh) * | 2011-04-12 | 2013-09-04 | 株式会社爱发科 | 靶及靶的制造方法 |
| WO2012140798A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 株式会社アルバック | ターゲット及びターゲットの製造方法 |
| JP5721815B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-05-20 | 株式会社アルバック | ターゲット及びターゲットの製造方法 |
| US20130056349A1 (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Eiji Kitagawa | Sputtering target and method of manufacturing magnetic memory using the same |
| KR20140108263A (ko) * | 2011-12-12 | 2014-09-05 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 스퍼터링 장치 및 실드 |
| CN103987873A (zh) * | 2011-12-12 | 2014-08-13 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅镀装置、靶材及护罩 |
| CN103987873B (zh) * | 2011-12-12 | 2016-10-05 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅镀装置、靶材及护罩 |
| JPWO2013088600A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2015-04-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | パッタリング装置およびシールド |
| WO2013088600A1 (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、ターゲットおよびシールド |
| US9502223B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-11-22 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, target and shield |
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
| US20130302535A1 (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-14 | Yun-Mo CHUNG | Sputter device and method for depositing thin film using the same |
| JP2016003388A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 板状部材の固定機構、ｐｖｄ処理装置及び板状部材の固定方法 |
| JP2021017617A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | ターゲット構造体及び成膜装置 |
| US11823880B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-11-21 | Tokyo Electron Limited | Target structure and film forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0634500B1 (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
| US4871433A (en) | Method and apparatus for improving the uniformity ion bombardment in a magnetron sputtering system | |
| US7618520B2 (en) | Physical vapor deposition target constructions | |
| US4472259A (en) | Focusing magnetron sputtering apparatus | |
| US5269899A (en) | Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus | |
| US20090308739A1 (en) | Wafer processing deposition shielding components | |
| US20070295598A1 (en) | Backing plate assembly | |
| KR101929971B1 (ko) | 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 부품 | |
| JPH06108241A (ja) | スパッタリング装置 | |
| EP0451642B1 (en) | Sputtering system | |
| EP3880862B1 (en) | Tilted magnetron in a pvd sputtering deposition chamber | |
| EP1087033A1 (en) | Extended life sputter targets | |
| JP2008025031A (ja) | マルチカソード設計用冷却暗部シールド | |
| US20080017501A1 (en) | Cooled dark space shield for multi-cathode design | |
| JPH09125242A (ja) | マグネトロンスパッタ用カソード電極 | |
| JPH05311419A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| US8052852B2 (en) | Magnetron sputtering cathode mechanism | |
| KR100483585B1 (ko) | 할로우 캐소드 마그네트론 타겟 및 할로우 캐소드마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| EP0474348B1 (en) | Sputtering apparatus and method for producing thin films of material | |
| JPS6277477A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100205682B1 (ko) | 피복두께의 균일성, 스텝 커버리지 및 스텝 커버리지의 균일성을 만드는 평탄 마그네트론 스퍼터링 공급원 | |
| KR20140126519A (ko) | 스퍼터링 장치 | |
| JPH0243825B2 (ja) | ||
| JPS61177367A (ja) | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 | |
| EP1801846A1 (en) | Target arrangement for mounting/dismouting and method of manufacturing |