JP2006093193A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 255
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 claims abstract description 79
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 103
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
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- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
- H01L29/0623—Buried supplementary region, e.g. buried guard ring
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/063—Reduced surface field [RESURF] pn-junction structures
- H01L29/0634—Multiple reduced surface field (multi-RESURF) structures, e.g. double RESURF, charge compensation, cool, superjunction (SJ), 3D-RESURF, composite buffer (CB) structures
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Abstract
【解決手段】半導体装置100は,N+ ソース領域31,コンタクトP+ 領域32,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,半導体装置100の上面側の一部を掘り込むことで形成された段差状のゲートトレンチが設けられている。具体的には,開口部の幅が広い上段トレンチ21と,開口部の幅が狭い下段トレンチ25とが一体となってゲートトレンチを構成している。トレンチ21とトレンチ25とはその深さが異なっている。そして,上段トレンチ21の下方にはPフローティング領域52が,下段トレンチ25の下方にはPフローティング領域51がそれぞれ設けられている。
【選択図】 図1
Description
第1の形態に係る半導体装置100は,図1の断面図に示す構造を有している。なお,図1中,図19で示した従来の半導体装置と同一記号の構成要素は,その構成要素と同一機能を有するものである。また,本明細書においては,出発基板と,出発基板上にエピタキシャル成長により形成した単結晶シリコンの部分とを合わせた全体を半導体基板と呼ぶこととする。
図1に示した半導体装置100は,前述した製造プロセスの他,図6に示す製造プロセスによっても作製することができる。本製造プロセスでも図3(a)に示す半導体基板を出発材とする点は前述した製造プロセスと同様である。また,その半導体基板上にHTO等のハードマスク91を形成し,そのハードマスク91上にレジスト92を形成する点も同様である。
第2の形態に係る半導体装置200は,図7の正面断面図に示す構造を有している。本形態の半導体装置200の特徴は,半導体装置200がいわゆるスーパージャンクション構造を有している点である。すなわち,本形態の半導体装置200では,P- ボディ領域41の下方にP- ボディ領域41と繋がっているP型拡散領域が設けられ,そのP型拡散領域とN- ドリフト領域12とが半導体基板の幅方向に交互に繰り返される構造となっている。この点,P- ボディ領域41の下方に位置するP型拡散領域がフローティング領域である第1の形態と異なる。
d1・n1=d2・n2 (1)
条件式(1)中,d1はP拡散領域に挟まれたN- ドリフト領域12の幅(図7の寸法d1)を,n1はN- ドリフト領域12の不純物濃度を,d2はP拡散領域の幅(図7の寸法d2)を,d2はP拡散領域の不純物濃度をそれぞれ意味している。
第3の形態に係る半導体装置300は,図10の正面断面図に示す構造を有している。本形態の半導体装置300の特徴は,ゲート電極が内蔵されているトレンチ(ゲートトレンチ)と,スーパージャンクション構造を構成するP拡散領域を形成するためのトレンチ(P拡散領域用トレンチ)とを別体とし,P拡散領域用トレンチを段差状に設けている点である。この点,ゲートトレンチとP拡散領域用トレンチとが一体である第2の形態と異なる。
12 N- ドリフト領域(ドリフト領域)
21 上段トレンチ(第1トレンチ部)
22 ゲート電極(ゲート電極)
23 堆積絶縁層(堆積絶縁層)
24 ゲート絶縁膜
25 下段トレンチ(第2トレンチ部)
31 N+ ソース領域
41 P- ボディ領域(ボディ領域)
50 P- 拡散層
51 Pフローティング領域(第2フローティング領域)
52 Pフローティング領域(第1フローティング領域)
54 P拡散領域(第2不純物領域)
55 P拡散領域(第1不純物領域)
100 半導体装置
Claims (14)
- 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とを有する半導体装置において,
前記ドリフト領域に挟まれ,少なくとも一部が前記ボディ領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第1不純物領域と,
半導体基板の上面に開口部が設けられ,前記ボディ領域を貫通するとともにその底部が前記第1不純物領域内に位置する第1トレンチ部とを有し,
前記第1不純物領域は,前記ボディ領域と一体の領域であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載する半導体装置において,
前記ドリフト領域に挟まれ,前記第1不純物領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第2不純物領域と,
前記第1トレンチ部の底部に開口部が設けられ,その底部が前記第2不純物領域内に位置する第2トレンチ部とを有し,
前記第2不純物領域は,前記第1不純物領域と一体の領域であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載する半導体装置において,
前記第2トレンチ部の開口部の幅は,前記第1トレンチ部の開口部の幅と比べて狭いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する半導体装置において,
前記第1トレンチ部内には,
絶縁物を堆積してなる堆積絶縁層と,
前記堆積絶縁層上に位置し,前記ボディ領域と対面するゲート電極とが形成されており,
前記堆積絶縁層の上端は,前記ボディ領域の下端よりも下方に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する半導体装置において,
前記ボディ領域を貫通し,ゲート電極を内蔵するゲートトレンチ部を有し,
前記第1トレンチ部内は,絶縁物で充填されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とを有する半導体装置において,
前記ドリフト領域に囲まれ,少なくとも一部が前記ボディ領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第1フローティング領域と,
半導体基板の上面に開口部が設けられ,前記ボディ領域を貫通するとともにその底部が前記第1フローティング領域内に位置する第1トレンチ部と,
前記ドリフト領域に囲まれ,前記第1フローティング領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第2不純物領域と,
前記第1トレンチ部の底部に開口部が設けられ,その底部が前記第2フローティング領域領域内に位置する第2トレンチ部とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6に記載する半導体装置において,
前記第2トレンチ部の開口部の幅は,前記第1トレンチ部の開口部の幅と比べて狭いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項6または請求項7に記載する半導体装置において,
前記第1トレンチ部内には,
絶縁物を堆積してなる堆積絶縁層と,
前記堆積絶縁層上に位置し,前記ボディ領域と対面するゲート電極とが形成されており,
前記堆積絶縁層の上端は,前記ボディ領域の下端よりも下方に位置するとともに前記第1フローティング領域の上端よりも上方に位置することを特徴とする半導体装置。 - 請求項6または請求項7に記載する半導体装置において,
前記ボディ領域を貫通し,ゲート電極を内蔵するゲートトレンチ部を有し,
前記第1トレンチ部内は,絶縁物で充填されていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とを有する半導体装置において,
前記ドリフト領域に挟まれ,少なくとも一部が前記ボディ領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第1不純物領域と,
前記ドリフト領域に挟まれ,前記第1不純物領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第2不純物領域と,
半導体基板の上面に開口部を有し,その壁面に段差が設けられ,その段差部が前記第1不純物領域内に位置するとともにその底部が前記第2不純物領域内に位置し,その開口部の幅が底部の幅より広いトレンチ部とを有し,
前記ボディ領域,前記第1不純物領域,および前記第2不純物領域は,一体の領域であることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とを有する半導体装置において,
前記ドリフト領域に囲まれ,少なくとも一部が前記ボディ領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第1フローティング領域と,
前記ドリフト領域に囲まれ,前記第1不純物領域の下方に位置し,第2導電型半導体である第2フローティング領域と,
半導体基板の上面に開口部を有し,その壁面に段差が設けられ,その段差部が前記第1フローティング領域内に位置するとともにその底部が前記第2フローティング領域内に位置し,その開口部の幅が底部の幅より広いトレンチ部とを有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とが設けられている半導体装置の製造方法において,
半導体基板の上面にマスク材を形成するマスク形成工程と,
前記マスク材を第1の溝幅でパターニングする第1パターニング工程と,
第1パターニング工程の後,半導体基板の一部を厚さ方向に掘り下げることによりトレンチ部を形成する第1トレンチ部形成工程と,
第1トレンチ部形成工程の後,前記マスク材の溝幅を第1の溝幅よりも広い第2の溝幅に広げる第2パターニング工程と,
第2パターニング工程の後,半導体基板の一部を厚さ方向に掘り下げることにより段差状のトレンチ部を形成する第2トレンチ部形成工程と,
第2トレンチ部形成工程にて形成された段差状のトレンチ部に対して半導体基板の厚さ方向から不純物を注入する不純物注入工程と,
不純物注入工程の後,熱拡散処理を行うことで不純物領域を形成する不純物領域形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の主表面側に位置し第1導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域の上面側に位置し第2導電型半導体であるボディ領域とが設けられている半導体装置の製造方法において,
半導体基板の上面にマスク材を形成するマスク形成工程と,
前記マスク材をパターニングするパターニング工程と,
パターニング工程の後,半導体基板を厚さ方向に掘り下げることによりトレンチ部を形成する第1トレンチ部形成工程と,
第1トレンチ部形成工程の後,前記トレンチ部の表面上に,そのトレンチ部の幅の半分の長さよりも薄い膜厚の絶縁膜を形成するする絶縁膜形成工程と,
絶縁膜形成工程の後,前記絶縁膜の一部を除去し,前記トレンチ部の底部の半導体層を露出させる絶縁膜エッチング工程と,
絶縁膜エッチング工程の後,残った絶縁膜をマスク材としてドライエッチングにて半導体基板を厚さ方向に掘り下げる第2トレンチ形成工程と,
第2トレンチ形成工程の後,マスク材として利用した絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と,
絶縁膜除去工程の後,形成された段差状のトレンチ部に対して不純物を注入する不純物注入工程と,
不純物注入工程の後,熱拡散処理を行うことで不純物領域を形成する不純物領域形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12または請求項13に記載する半導体装置の製造方法において,
マスク形成工程前に,ゲート電極を内蔵するゲートトレンチ部を形成するゲートトレンチ形成工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004273095A JP4491307B2 (ja) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2004273095A JP4491307B2 (ja) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006093193A true JP2006093193A (ja) | 2006-04-06 |
JP4491307B2 JP4491307B2 (ja) | 2010-06-30 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004273095A Expired - Fee Related JP4491307B2 (ja) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4491307B2 (ja) |
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