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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7737519B2 (en) * 2004-05-06 2010-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
JP4496866B2 (ja) * 2004-07-08 2010-07-07 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP4646577B2 (ja) 2004-09-01 2011-03-09 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム
JP4618786B2 (ja) * 2005-01-28 2011-01-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2007242697A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Canon Inc 撮像装置および撮像システム
JP5305622B2 (ja) * 2006-08-31 2013-10-02 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP4315457B2 (ja) * 2006-08-31 2009-08-19 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5159120B2 (ja) * 2007-02-23 2013-03-06 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
JP2008244021A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ
JP5366396B2 (ja) * 2007-12-28 2013-12-11 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム
JP4798205B2 (ja) 2008-10-23 2011-10-19 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置
JP5302644B2 (ja) * 2008-12-03 2013-10-02 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像システム
JP2010161236A (ja) 2009-01-08 2010-07-22 Canon Inc 光電変換装置の製造方法
JP5558916B2 (ja) * 2009-06-26 2014-07-23 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
JP5563257B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-30 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法
US20110169991A1 (en) * 2010-01-08 2011-07-14 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with epitaxially self-aligned photo sensors
JP6529221B2 (ja) 2014-05-14 2019-06-12 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JP6541361B2 (ja) * 2015-02-05 2019-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2901328B2 (ja) * 1990-09-20 1999-06-07 日本電気株式会社 固体撮像素子
JPH04326874A (ja) * 1991-04-26 1992-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ストロボ付ムービーカメラ
JPH0694978A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Nikon Corp 視線検出装置
JP2557192Y2 (ja) * 1993-04-19 1997-12-08 マックス株式会社 鉄筋等の結束機用のワイヤリール
JPH07161958A (ja) * 1993-12-09 1995-06-23 Nec Corp 固体撮像装置
JPH11126893A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Nikon Corp 固体撮像素子とその製造方法
US6023081A (en) * 1997-11-14 2000-02-08 Motorola, Inc. Semiconductor image sensor
US6051857A (en) * 1998-01-07 2000-04-18 Innovision, Inc. Solid-state imaging device and method of detecting optical signals using the same
JPH11274454A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Canon Inc 固体撮像装置及びその形成方法
JP3592107B2 (ja) * 1998-11-27 2004-11-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US6850278B1 (en) 1998-11-27 2005-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus
JP4604296B2 (ja) * 1999-02-09 2011-01-05 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
JP3934827B2 (ja) 1999-06-30 2007-06-20 株式会社東芝 固体撮像装置
US6504194B1 (en) * 1999-12-01 2003-01-07 Innotech Corporation Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system
JP2001196572A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Canon Inc 光電変換装置
JP2001284568A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Sharp Corp 固体撮像装置
US20020047174A1 (en) * 2000-10-06 2002-04-25 Piet De Pauw Photodiode and methods for design optimization and generating fast signal current
JP4270742B2 (ja) * 2000-11-30 2009-06-03 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP2004039671A (ja) 2002-06-28 2004-02-05 Canon Inc 光電変換装置及びその制御方法
JP3840214B2 (ja) 2003-01-06 2006-11-01 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ
US7323731B2 (en) * 2003-12-12 2008-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and image pickup system
JP4646577B2 (ja) * 2004-09-01 2011-03-09 キヤノン株式会社 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム
JP4618786B2 (ja) 2005-01-28 2011-01-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2006261597A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ

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