JP2006073734A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006073734A5 JP2006073734A5 JP2004254359A JP2004254359A JP2006073734A5 JP 2006073734 A5 JP2006073734 A5 JP 2006073734A5 JP 2004254359 A JP2004254359 A JP 2004254359A JP 2004254359 A JP2004254359 A JP 2004254359A JP 2006073734 A5 JP2006073734 A5 JP 2006073734A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- impurity
- impurity region
- photoelectric conversion
- mos transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (7)
- 第１導電型の半導体基板と、
当該第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１の不純物領域内に設けられた第１導電型の第２の不純物領域及び当該第２の不純物領域に隣接して形成された第２導電型の第３の不純物領域を備える光電変換素子と、
前記第１の不純物領域に隣接して配置され、前記第２の不純物領域に蓄積された電荷を転送するための転送ＭＯＳトランジスタと、を備える光電変換装置において、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域の下部に配された第１領域と、前記第１領域と前記第２の不純物領域との間に配された第２領域と、前記第２領域と前記第２の不純物領域との間に配された第３領域と、を少なくとも含み、
前記第１領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３は、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たしており、
前記第２の不純物領域は、少なくとも第４領域と第５領域と、を含み、
前記第４領域と第５領域のうち少なくとも１つの領域の一部は前記転送ＭＯＳトランジスタの下部に配されていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記転送ＭＯＳトランジスタのチャネル不純物濃度が１Ｅ１５ｃｍ -3 から５Ｅ１７ｃｍ -3 の範囲であり、
前記第２の不純物領域は、深さが０.２μｍから２.０μｍであり、かつ、不純物濃度は１Ｅ１６ｃｍ -3 から１Ｅ１８ｃｍ -3 の範囲であり、かつ、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下にゲート電極端部から０μｍから０.６μｍの範囲に存在し、
前記第３の不純物領域は、深さが０.０５μｍから１.０μｍの範囲であり、かつ、不純物濃度は５Ｅ１６ｃｍ -3 から１Ｅ１９ｃｍ -3 の範囲であり、かつ、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極からの距離は０μｍから０.５μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。 - 前記第４領域は、深さが０.５μｍから２.０μｍであり、かつ、不純物濃度は、１Ｅ１６ｃｍ -3 から２Ｅ１７ｃｍ-3の範囲であり、かつ、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下にゲート電極端部から０μｍから０.４μｍの範囲で存在し、
前記第５領域は、深さが０.２μｍから１.０μｍであり、かつ、不純物濃度は１Ｅ１６ｃｍ -3 から１Ｅ１８ｃｍ-3の範囲であり、かつ、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下に０.１μｍから０.６μｍの範囲で存在することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の光電変換装置。 - 第１導電型の半導体基板と、
前記第１導電型と反対導電型の第２導電型の複数の不純物濃度ピークを有する第１の不純物領域内に設けられた第１導電型の第２の不純物領域及び前記第２の不純物領域に接して形成された第１導電型の第３の不純物領域を備える光電変換素子と、
前記第２の不純物領域に隣接して配置し、該第２の不純物領域に蓄積された電荷を転送するための転送ＭＯＳトランジスタと、を備える光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の不純物領域の複数の不純物濃度ピークは、前記第２の不純物領域の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に配された、少なくとも第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１、第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３と、を有し、
前記複数の不純物濃度ピークはＣ２＜Ｃ１＜Ｃ３の関係を満たしており、
前記第２の不純物領域は複数の工程により形成され、当該複数の工程のうち、少なくとも一つの工程で形成された領域は、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下に存在するように形成され、
前記第３の不純物領域はイオン注入により、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極に重ならないように形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第３の不純物領域は、前記半導体基板の法線方向に対して２０から３０度の角度の方向からイオン注入されることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記第２の不純物領域が少なくとも二つの異なるプロファイルを有する第４及び第５の不純物領域を備え、
当該第４の不純物領域は、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下に存在するように、前記半導体基板の法線方向から０から７度の角度の方向からイオン注入して形成され、
前記第５の不純物領域は、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極下に存在するように、前記半導体基板の法線方向から０から４５度の角度の方向からイオン注入して形成されることを特徴とする請求項４あるいは５に記載の光電変換装置の製造方法。 - 請求項１から３のいずれかに記載の光電変換装置と、当該光電変換装置へ光を結像する光学系と、当該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路と、を備えることを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004254359A JP4646577B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
| US11/214,846 US7365380B2 (en) | 2004-09-01 | 2005-08-31 | Photoelectric conversion device, method for manufacturing the same and image pickup system |
| US12/041,738 US7994552B2 (en) | 2004-09-01 | 2008-03-04 | Photoelectric conversion device, method for manufacturing the same and image pickup system |
| US13/173,007 US8309997B2 (en) | 2004-09-01 | 2011-06-30 | Photoelectric conversion device, method for manufacturing the same and image pickup system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004254359A JP4646577B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010191389A Division JP5295188B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006073734A JP2006073734A (ja) | 2006-03-16 |
| JP2006073734A5 true JP2006073734A5 (ja) | 2007-10-18 |
| JP4646577B2 JP4646577B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=35941827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004254359A Expired - Fee Related JP4646577B2 (ja) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7365380B2 (ja) |
| JP (1) | JP4646577B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005109512A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| JP4496866B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-07-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4646577B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
| JP4618786B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2007242697A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Canon Inc | 撮像装置および撮像システム |
| JP5305622B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP4315457B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP5159120B2 (ja) * | 2007-02-23 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
| JP2008244021A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびそれを用いたカメラ |
| JP5366396B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-12-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム |
| JP4798205B2 (ja) | 2008-10-23 | 2011-10-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び撮像装置 |
| JP5302644B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
| JP2010161236A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
| JP5558916B2 (ja) | 2009-06-26 | 2014-07-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP5563257B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-07-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
| US20110169991A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with epitaxially self-aligned photo sensors |
| JP6529221B2 (ja) | 2014-05-14 | 2019-06-12 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
| JP6541361B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2901328B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1999-06-07 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH04326874A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | ストロボ付ムービーカメラ |
| JPH0694978A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 視線検出装置 |
| JP2557192Y2 (ja) * | 1993-04-19 | 1997-12-08 | マックス株式会社 | 鉄筋等の結束機用のワイヤリール |
| JPH07161958A (ja) * | 1993-12-09 | 1995-06-23 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH11126893A (ja) * | 1997-10-23 | 1999-05-11 | Nikon Corp | 固体撮像素子とその製造方法 |
| US6023081A (en) * | 1997-11-14 | 2000-02-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor image sensor |
| US6051857A (en) * | 1998-01-07 | 2000-04-18 | Innovision, Inc. | Solid-state imaging device and method of detecting optical signals using the same |
| JPH11274454A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
| JP3592107B2 (ja) * | 1998-11-27 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
| JP4604296B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3934827B2 (ja) | 1999-06-30 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| TW494574B (en) * | 1999-12-01 | 2002-07-11 | Innotech Corp | Solid state imaging device, method of manufacturing the same, and solid state imaging system |
| JP2001196572A (ja) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JP2001284568A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| US20020047174A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-25 | Piet De Pauw | Photodiode and methods for design optimization and generating fast signal current |
| JP4270742B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2009-06-03 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2004039671A (ja) | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Canon Inc | 光電変換装置及びその制御方法 |
| JP3840214B2 (ja) | 2003-01-06 | 2006-11-01 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法及び同光電変換装置を用いたカメラ |
| US7323731B2 (en) * | 2003-12-12 | 2008-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and image pickup system |
| JP4646577B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
| JP4618786B2 (ja) | 2005-01-28 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2006261597A (ja) | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Canon Inc | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
-
2004
- 2004-09-01 JP JP2004254359A patent/JP4646577B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-31 US US11/214,846 patent/US7365380B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-04 US US12/041,738 patent/US7994552B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-30 US US13/173,007 patent/US8309997B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006073734A5 (ja) | ||
| JP5219346B2 (ja) | イメージセンサ | |
| JP3177514B2 (ja) | 固体イメージセンサ | |
| US8093089B2 (en) | Methods of manufacturing image sensors including gettering regions | |
| US7154137B2 (en) | Image sensor and pixel having a non-convex photodiode | |
| US7408211B2 (en) | Transfer transistor of CMOS image sensor | |
| JP2008041726A5 (ja) | ||
| JP2018014409A5 (ja) | ||
| TW201012212A (en) | Solid-state imaging device and solid-state imaging device designing method | |
| EP2924464A3 (en) | Back-illuminated distance measuring sensor and distance measuring device | |
| JP2012124462A5 (ja) | ||
| US20140239360A1 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same | |
| US8773559B2 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same, and imaging apparatus | |
| KR101997539B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 형성 방법 | |
| US20070145425A1 (en) | Cmos image sensor | |
| JP6445799B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2005268814A5 (ja) | ||
| JP2008263227A5 (ja) | ||
| KR970067917A (ko) | 증폭형 고체촬상소자 및 그의 제조방법 | |
| CN207834299U (zh) | 背照式图像传感器 | |
| JP6161454B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法及びカメラ | |
| JP2006073609A5 (ja) | ||
| KR20030052635A (ko) | 시모스 이미지센서 및 제조방법 | |
| US20160093660A1 (en) | Semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus | |
| KR20020045450A (ko) | 씨모스이미지센서 및 그 제조방법 |