JP2006059865A - 基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路形成や熱処理によるカール、ねじれ、反り等の発生を抑制でき、しかも、耐熱性、難燃性、寸法安定性、電気的特性等に優れた基板を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面の少なくとも一面に導体層が設けられており、絶縁層の全体の厚みは２５〜５００μｍであるとともにポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の０．０５〜１．０倍であって、絶縁層同士の接着強度は、５．０Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする基板。
【選択図】なし

Description

本発明は、基板及びその製造方法に関し、特に、回路を形成した後にカールやねじれや反り等を生ずることがなく、しかも耐熱性、寸法安定性、電気的特性等に優れた基板及びその製造方法に関するものである。この基板は誘電率が低いので高周波帯域用のプリント回路やアンテナ基板等に用いられるものである。

従来、高周波帯域用のプリント回路やアンテナ等に用いられる基板としては、ガラス繊維やアラミド繊維からなる織物／不織物／紙などの補強材とフッ素樹脂からなる複合シートが知られている（例えば、特許文献１）。これらの基板は補強材とフッ素樹脂との密着性を確保することが難しいため界面に気泡などが出来やすくなり信頼性に欠けるという問題があった。さらにこれらの問題を解決する方法として、特許文献２に開示されているように、フッ素樹脂のみから形成された基板も知られているがこの基板は良好な寸法安定性を得にくいとういう問題があった。

特開２００３−１７１４８０号公報 特開平７−３８２１５号公報

本発明は上記課題を解決し、回路形成や熱処理によるカール、ねじれ、反り等の発生を抑制でき、しかも、耐熱性、難燃性、寸法安定性、電気的特性等に優れた基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者等は上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面に導体層を形成するとともに、該ポリイミド樹脂フィルムとフッ素樹脂フィルムの厚み構成を特定した上で絶縁層同士の接着強度を特定の範囲とすることで上記課題が解決できることを見出し、本発明に至ったものである。

すなわち本発明は、ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面に導体層が設けられており、絶縁層の全体の厚みは２５〜５００μｍであるとともにポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の０．０５〜１．０倍であって、絶縁層同士の接着強度は、５．０Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする基板を要旨とするものである。

また、本発明の基板を製造するに際し、ポリイミド樹脂からなるフィルムであってその両面にフッ素樹脂からなる接着層が形成された第１の絶縁層と、フッ素樹脂フィルムからなる第２の絶縁層とを、第１の絶縁層の両側に第２の絶縁層が配置されるように積層し、さらに第２の絶縁層の少なくとも一方の外側に導体層を積層し、加熱雰囲気下で圧着することを特徴とする基板の製造方法を要旨とするものである。

本発明によれば、ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面に導体層を形成し、絶縁層を構成するポリイミドフィルムとフッ素樹脂フィルムの厚み構成を規定することで、耐熱性、難燃性、電気的特性に優れ、寸法安定性が良い、低誘電率の基板が得られる。また、絶縁層同士の接着性が良いので、寸法安定性やカール特性や繰り返しの屈曲耐性などの機械的特性がさらに向上し、回路形成のためのエッチング処理やその他の加熱処理を施してもカールやねじれや反りなどのない良好な基板が実現できる。
また、本発明の基板の製造方法によると、本発明の基板を容易に実現できる。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の基板は、ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面に導体層が設けられている必要がある。このように接着剤層を介在させることなく導体層に直接に絶縁層を形成することで、耐熱性、難燃性、電気的特性に優れ、高温雰囲気下においても寸法安定性の良い基板が得られ、この基板にエッチングやその他の加熱処理を施しても、カールやねじれや反りの発生を抑制できる。また、ポリイミド樹脂フィルム層とフッ素樹脂フィルム層とを特定の接着層により一体化することで、基板として好適な絶縁層同士の接着強度が得られる。具体的には、絶縁層同士の接着強度は、５．０Ｎ／ｃｍ以上であることが好ましく、１０Ｎ／ｃｍ以上であることがより好ましい。絶縁層同士の接着強度が５．０Ｎ／ｃｍ未満であると、基板としての実用性を欠くものとなる。

また、本発明の基板は、絶縁層の全体の厚みが２５〜５００μｍである必要があり、５０〜３００μｍの範囲であることがより好ましい。絶縁層の全体の厚みが２５μｍ未満であると、電気絶縁性などが不十分となり、基板としての信頼性が損なわれる。また、絶縁層の全体の厚みが５００μｍを超えると、繰り返しの屈曲耐性を含む基板としての機械的特性が損なわれる。

また、絶縁層を構成するポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の０．０５〜１．０倍であることが好ましい。ポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の０．０５倍未満であると、絶縁層の剛性が低下し、また、絶縁層の線膨張係数（ＣＴＥ）が増加する傾向となり、基板としての剛性および寸法安定性が低下する。ポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の１．０倍を超えると、基板としての剛性や寸法安定性は向上するものの、誘電率が増加するため好ましくない。

なお、ポリイミド樹脂フィルムの両面に設けられるフッ素樹脂フィルムの厚みは、全体として上記の範囲であれば特に限定されるものではないが、同じ厚みであることがカールやねじれや反りなどをより低減するために好ましい。

このように、絶縁層を形成するポリイミド樹脂フィルムとフッ素樹脂フィルムの厚みが特定の厚み構成を有することで、電気特性や、繰り返しの屈曲耐性を含む機械的特性がより一層高まるだけでなく、寸法安定性が優れるため、導体層に回路形成のためのエッチング処理を施したり、回路形成後の後工程における各種の加熱処理を施しても、カールやねじれや反りなどの発生をより一層抑制することができる。

絶縁層を構成するポリイミド樹脂からなるフィルムは、特に限定されるものではないが熱機械特性分析装置（ＴＭＡ）で測定したガラス転移温度が３００℃以上の非熱可塑性芳香族ポリイミドからなるフィルムが好ましく用いられる。このような熱特性を有する芳香族ポリイミドとしては、下記構造式（１）で示す構造を有するものがあげられる。

ここで、Ｒ₁は４価の芳香族残基を表し、Ｒ₂は２価の芳香族残基を表す。

このようなフィルムは、ステンレス箔などの基材にポリイミド前駆体溶液を塗工したのち、乾燥、熱硬化後基材から剥離することにより製造することができる。ここで、ポリイミド前駆体とは、熱硬化したのち、上記した構造式（１）となるものであり、そのような化合物であれば如何なるものも用いることができる。

ポリイミド前駆体としては、例えば、下記構造式（２）で示すポリアミック酸が挙げられる。ポリイミド前駆体溶液は、通常、ポリアミック酸と溶媒とからなる。

ここで、Ｒ₃は水素原子又はアルキル基である。

次に、ポリイミド前駆体の製造方法について説明する。
まず、ポリアミック酸からなる溶液は、下記構造式（３）で示す芳香族テトラカルボン酸二無水物と、下記構造式（４）で示す芳香族ジアミンとを溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに代表される非プロトン性極性溶媒中で反応させることにより製造できる。

ここで、Ｒ₁は４価の芳香族残基を表し、Ｒ₂は２価の芳香族残基を表す。

上記反応において、芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの割合は、芳香族ジアミン１モルに対して芳香族テトラカルボン酸二無水物が１．０３〜０．９７モルの範囲であることが好ましく、より好ましくは芳香族ジアミン１モルに対し芳香族テトラカルボン酸二無水物が１．０１〜０．９９モルである。また、反応温度は、−３０〜６０℃が好ましく、−２０〜４０℃がより好ましい。

上記反応において、モノマー及び溶媒の混合順序は特に制限はなく、いかなる順序でもよい。溶媒として混合溶媒を用いる場合は、個々の溶媒に別々のモノマーを溶解又は懸濁させておき、それらを混合し、撹拌下、所定の温度と時間で反応させることによっても、ポリアミック酸からなる溶液が得られる。このポリイミド樹脂前駆体の溶液は、２種類以上混合して用いることもできる。

上記構造式（３）で示す芳香族テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸、２，３，３′，４′−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、２，３，３′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸、３，３′，４，４′−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンの二無水物等が挙げられる。これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物は、２種類以上を混合して用いることもできる。本発明においては、ピロメリット酸または３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸またはこれらの混合物が特に好適に使用できる。

上記構造式（４）で示す芳香族ジアミンの具体例としては、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，２−ビス（アニリノ）エタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエート、ジアミノジフェニルスルフィド、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，５−ジアミノナフタレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，４−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニル、ジアミノアントラキノン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）ジフェニルスルホン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサフルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロヘプタン等が挙げられる。これらの芳香族ジアミンは、２種類以上を混合して用いることもできる。本発明においては、ｐ−フェニレンジアミン、または４，４′−ジアミノジフェニルエーテルまたはこれらの混合物が特に好ましい。

本発明においては、ポリイミド前駆体溶液を製造する際、重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体を添加して、熱硬化時に橋かけ構造を形成させることができる。具体的には、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロフタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。

なお、ポリイミド樹脂前駆体の合成条件、乾燥条件、その他の理由等により、ポリイミド樹脂前駆体中に部分的にイミド化されたものが存在していても特に支障はない。

また、これらのポリイミド樹脂前駆体の溶液を製造する際、上記溶媒に可溶なポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等、他の耐熱性樹脂を混合してもよい。さらに、接着性（密着性）向上やフィルム物性を向上させるため、シランカップリン剤や各種界面活性剤を微量添加することもできる。なお、これらのポリイミドフィルムは市販品として入手することができる。

絶縁層を構成するフッ素樹脂からなるフィルムとしては、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥ、ＰＣＴＦＥ、などのフッ素樹脂からなるフィルムが挙げられる。

ポリイミド樹脂フィルム層とフッ素樹脂フィルム層とを接着するための接着層としては特定の化学構造を有するフッ素樹脂が好ましい。特定の化学構造を有するフッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン〜ヘキサフルオロプロピレン共重合体樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン〜パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体の変性樹脂（商品名；ネオフロン^TMＰＦＡフィルムＲＡＦ：ダイキン工業社製）が好適に使用できる。このようなフッ素樹脂を接着層として用いることで、上述のように絶縁層同士の接着強度として５．０Ｎ／ｃｍ以上の接着強度が得られる。

接着層の厚みは特に限定されるものではないが、２μｍ以上あることが好ましい。接着層の厚みが２μｍ未満であると、充分な接着強度を確保することが難しくなり、また、部分的な接着不良を生じる傾向にある。

本発明の基板の導体層を構成する導体としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はそれらの合金等の導電性材料からなる金属箔が挙げられ、銅箔が最も適している。

導体層における絶縁層の形成面には、絶縁層との接着性を向上させるために化学的あるいは機械的な表面処理が施されていてもよい。化学的な表面処理としては、ニッケルメッキ、銅−亜鉛合金メッキ等のメッキ処理、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等の表面処理剤による処理などが挙げられ、中でも、シランカップリング剤による表面処理が好ましい。シランカップリング剤としては、アミノ基を有するシランカップリング剤が好適に使用できる。一方、機械的な表面処理としては、粗面化処理などが挙げられる。

導体層の厚みは特に限定されるものではないが、５μｍ以上３０μｍ以下のものが好ましい。

導体層は片面板として使用する場合、片側に設けておけば良く、両面板として使用する場合、両側に配置する。

上記のように構成された本発明の基板は、本発明の製造方法により得ることができる。

本発明における製造方法を説明する。
ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面に、前記した特定の化学構造を有するフッ素樹脂からなる接着層が形成された第１の絶縁層と、フッ素樹脂フィルムからなる第２の絶縁層とを用いる。第１の絶縁層の接着層は該フッ素樹脂のエマルジョンを塗布して形成するかもしくは該フッ素樹脂からなるフィルムを積層して得られる。そして、第１の絶縁層の両面に第２の絶縁層を積層し、さらに第２の絶縁層の片側もしくは両外面に導体層を積層し、加熱雰囲気下で圧着して一体化するものである。

この方法においては、第１の絶縁層と第２の絶縁層との厚み構成は、全体としての厚みが２５〜５００μｍであればよく、第１の絶縁層の両面に配置する第２の絶縁層および導体層の厚みは同じであっても異なっていてもよい。また、各絶縁層の厚みは、乾燥後に得られる接着層の厚みに対して絶縁層全体の厚みが０．５〜１０倍となるものであれば、特に限定されるものではない。

加熱雰囲気下で圧着一体化するには公知の加熱プレス装置を用いればよく、例えば、単段バッチプレス機、多段バッチプレス機、または、連続でプレスできるロール式ラミネータ、ベルトプレス装置などを用いればよい。

加熱条件は、接着層が融解する温度であればよく、例えば本説明で例示した接着層を用いた場合、３００〜３５０℃である。圧着力は５０〜５００Ｎ／ｃｍ²の範囲で設定すればよい。５０Ｎ／ｃｍ²未満であると加圧力不足により接着層での接着にむらが生じる傾向にあり、５００Ｎ／ｃｍ²を超えると接着層や第２の絶縁層が圧着時に流れて均一な厚みの絶縁層を確保することが困難になり、また、目的の絶縁層厚みを維持することが難しい傾向にある。

本発明の基板はこのように構成されているので、耐熱性、難燃性、電気的特性に優れ寸法安定性が良く、耐屈曲性や電気的特性、特に誘電特性が要求される基板材料として好適である。また、本発明の基板はフレキシブルである特徴も有しており、フレキシブル基板として使用することもできる。このような用途としては、例えば高周波基板用途が挙げられる。

次に実施例に基づき本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例において、各種物性値の測定方法および原料は、次のとおりである。

[１]測定方法

（１）接着強度（Ｎ/ｃｍ）：基板におけるポリイミドフィルム層とフッ素樹脂フィルム層界面すなわち接着層界面の接着力を、テンシロンテスター（インテスコ社製、精密万能材料試験機２０２０型）を用いて測定した。測定に際しては、基板を幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍに切断して試験片を作製し、粘着剤が両面に塗布された両面粘着テープを用いて、試験片の一方の導体層面をアルミニウム板に固定した。そして、アルミニウム板に固定されていない側のポリイミドフィルム層とフッ素樹脂フィルム層の界面を手で２〜３ｃｍ剥離させた試料を上記装置にて１８０°方向に５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で剥離部を引っ張り、接着層界面の接着強度を求めた。

（２）引張り強度特性：導体層である銅箔を塩化第二鉄水溶液によって全面エッチングした基板を幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍに切断して測定試料を得た。得られた試料の引張り応力をテンシロンテスター（インテスコ社製、精密万能材料試験機２０２０型）にて測定した。引張り速度は１０ｍｍ／ｍｉｎで行った。得られた引張り応力−ひずみ曲線より、引張り強度（ＭＰａ）、引張り破壊伸度（％）、引張り弾性率（ＭＰａ）を求めた。

（３）線膨張係数［ＣＴＥ］（ｐｐｍ/℃）：作製した基板を塩化第二鉄水溶液中に浸漬し、導体層である銅箔を全面エッチングし、基板から導体層を全て除去した。エッチング後に得られた絶縁層の２５〜２００℃における平均線膨張係数をサーモメカニカルアナライザー（ＴＭＡ：ＴＡインスツルメント社製、ＴＭＡ２９４０型）を用いて求めた。

（４）吸水率（％）：作成した基板を１００ｍｍ×１００ｍｍに切断し、塩化第二鉄水溶液中に浸漬し、導体層である銅箔を全面エッチングし、基板から導体層を全て除去した。得られた試料を８０℃にて３時間かけて乾燥後測定した重量と、２３℃の純水中に２４時間浸漬した後、表面に付着した水分を清浄な布巾で払拭した直後に測定した重量から吸水率を算出した。

（５）寸法変化率（％）：幅１０ｍｍ、長さ２００ｍｍの試験片を作成し、この試験片を塩化第二鉄水溶液中に浸漬して導体層である銅箔を全面エッチングし、基板から導体層を全て除去した。そして、エッチング前に測定した試験片の寸法と、エッチング後およびエッチングした後に２５０℃×３０分の加熱処理を行った後の試験片の寸法とから、寸法変化率を求めた。なお、試験片の寸法測定は、デジタル読取顕微鏡（日本光器社製、ＮＲＭ−Ｄ−２ＸＺ型）を用いて行った。

（６）カール特性：縦１００ｍｍ、横１００ｍｍの大きさの試験片を作製し、エッチング処理を施していない試験片、塩化第二鉄水溶液中に浸漬して導体層である銅箔を全面エッチングして基板から導体層を全て除去した試験片、前記のエッチング処理後に１５０℃×３０分の加熱処理を行った試験片について、それぞれ２３℃、６０％ＲＨの雰囲気中に２４時間放置した後、曲率半径を測定し、以下のように評価した。
◎：８０ｍｍ以上
○：５０ｍｍ以上８０ｍｍ未満
△：２０ｍｍ以上５０ｍｍ未満
×：２０ｍｍ未満

（７）誘電特性：塩化第二鉄水溶液中に浸漬して余分な銅箔をエッチングし、片面に円盤共振器(もう片面はベタ面によるアースとする)を作成し、ネットワークアナライザ(アジレントテクノロジー社製）を用いて３ＧＨｚにて測定を行い、比誘電率と誘電正接の測定を行った。測定は同じ試料に対して３回行い、その平均値をもって測定値とした。

〔２〕ポリイミド樹脂フィルム
ポリイミド樹脂フィルムａとして厚み２５μｍのカプトンＨ（商標；東レ・デュポン社製）を用いた。また、ポリイミド樹脂フィルムｂとして厚み２５μｍのユーピレックスＳ（商標；宇部興産社製）を用いた。

〔３〕フッ素樹脂フィルム
フッ素樹脂フィルムとして、厚み７０μｍのヨドフロンＰＴＦＥフィルム（淀川ヒューテック社製）を用いた。

〔４〕接着層
接着層として、厚み１２μｍのフッ素樹脂フィルムＲＡＦ−００１２（ダイキン工業社製）を用いた。

実施例１
ポリイミドフィルムａの両面に接着層を積層し、さらにその両面にフッ素樹脂フィルムを積層し、さらに最外層両面に電気分解によって得られた厚み１８μｍの銅箔を積層した。次いで、この積層物を１５０℃で３０分常圧下加熱処理により乾燥し、高温真空プレスにて下記条件で接着一体化した。
（１）圧力 ５０Ｎ/ｃｍ² ２００℃×３０分
（２）圧力３００Ｎ/ｃｍ² ２００℃→３５０℃/２０分
（３）圧力３００Ｎ/ｃｍ² ３５０℃×３０分
（４）圧力３００Ｎ/ｃｍ² １５０℃以下の温度で取り出し
得られた導体層／絶縁層／接着層／絶縁層／接着層／絶縁層／導体層の積層フィルムは導体層の厚みが各１８μｍ、接着層を含む絶縁層の全体の厚みが１８５μｍであり、全体の厚みが２２１μｍであった。
得られた基板について測定した物性などを表１に示す。

実施例２
実施例１で用いたポリイミドフィルムａに代えてポリイミドフィルムｂを用いた。そしてそれ以外は実施例１と同様にして、導体層の厚みが各１８μｍ、接着層を含む絶縁層の全体の厚みが１８４μｍであり、全体の厚みが２２０μｍである基板を得た。
得られた基板について測定した物性などを表１に示す。

比較例１
実施例１において、ポリイミドフィルムａを積層しない以外は同様にして導体層の厚みが各１８μｍ、接着層を含む絶縁層の全体の厚みが１６０μｍであり、全体の厚みが１９６μｍである基板を得た。
得られた基板について測定した物性などを表１に示す。

比較例２
絶縁層として厚さが５０μｍの接着性ポリイミドフィルム（商品名 ユーピレックス−ＶＴ；宇部興産社製）を用い、両面に実施例１で用いた銅箔を配置して実施例１同様にして銅箔を貼り合せて絶縁層の厚みが５０μｍ、全体の厚みが８６μｍの基板を得た。
得られた基板について測定した物性などを表１に示す。

比較例１は、絶縁層にポリイミド樹脂フィルムが配置されていないため、線膨張係数が大きく、また寸法変化率も大きく基板としては不十分なものであった。また、比較例２では絶縁層がポリイミド樹脂フィルムのみからなり、強度特性や寸法安定性には優れていたものの、吸水率が大きく、また、比誘電率および誘電正接の値が大きく、高周波基板としては劣るものであった。

Claims (2)

1. ポリイミド樹脂からなるフィルムの両面にフッ素樹脂からなるフィルムがそれぞれ積層された絶縁層の外表面の少なくとも一面に導体層が設けられており、絶縁層の全体の厚みは２５〜５００μｍであるとともにポリイミド樹脂からなるフィルムの厚さがフッ素樹脂からなるフィルム厚み合計の０．０５〜１．０倍であって、絶縁層同士の接着強度は、５．０Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする基板。
2. 請求項１の基板を製造するに際し、ポリイミド樹脂からなるフィルムであってその両面にフッ素樹脂からなる接着層が形成された第１の絶縁層と、フッ素樹脂フィルムからなる第２の絶縁層とを、第１の絶縁層の両側に第２の絶縁層が配置されるように積層し、さらに第２の絶縁層の少なくとも一方の外側に導体層を積層し、加熱雰囲気下で圧着することを特徴とする基板の製造方法。