JP2006019735A - ストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メモリセルアレイ領域、及びメモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子であり、ストラップ領域では、メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、ワードライン及びソースラインのそれぞれには、ワードラインコンタクト及びソースラインコンタクトが形成されている。これにより、本発明は、ワードライン間に発生するブリッジ現象を防止でき、容易にストラップ領域を形成できる。
【選択図】 図5
Description
また、本発明が解決しようとする他の課題は、前記ブリッジ現象を防止でき、容易にストラップ領域を形成できる不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法を提供するところにある。
図5は、本発明の第1実施形態によるストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子の平面図である。
図10は、本発明の第2実施形態によるストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子の平面図である。図10において、図6と同一な参照番号は、同一な部材を表す。
図12は、本発明の第3実施形態によるストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子の平面図であり、図13は、図12のXIII−XIIIによる断面図である。図12において、図6と同一な参照番号は同一な部材を表し、図13において、図9Nと同一な参照番号は同一な部材を表す。
図14は、本発明の第4実施形態によるストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子の平面図であり、図15は、図14のXV−XVによる断面図である。図14において、図6と同一な参照番号は同一な部材を表し、図15において、図9Nと同一な参照番号は同一な部材を表す。
図16は、本発明の第5実施形態によるストラップ領域を有する不揮発性の半導体メモリ素子の平面図である。図16において、図6及び図14と同一な参照番号は同一な部材を表す。
17 活性領域
24 ストラップ領域
28 ワードラインストラップセル
29 ソースラインストラップセル
57 ソースライン
69 ワードライン
86 ビットラインコンタクト
98 メモリセルアレイ領域
102,104 コンタクト
Claims (19)
- メモリセルアレイ領域、及び前記メモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子において、
前記メモリセルアレイ領域では、ロー方向に複数個のワードライン及びソースラインが形成されていると共に、前記二つのワードライン間に一つのソースラインが形成されており、
前記ストラップ領域では、前記メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、前記ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、前記ワードライン及びソースラインのそれぞれには、ワードラインコンタクト及びソースラインコンタクトが形成されていることを特徴とする不揮発性の半導体メモリ素子。 - 前記メモリセルアレイ領域のカラム方向に、活性領域及び分離領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- 前記ソースラインコンタクトは、前記ストラップ領域の中央に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- 前記ストラップ領域のソースラインコンタクトの下部には、カラム方向にダミー活性領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- 前記ダミー活性領域は、カラム方向に一つのソースラインコンタクトを単位として形成されるか、または4個のソースラインコンタクトを単位として形成されていることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- メモリセルアレイ領域、及び前記メモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子において、
前記メモリセルアレイ領域では、ロー方向に複数個のワードライン及びソースラインが形成されていると共に、前記二つのワードライン間に一つのソースラインが形成されており、
前記ストラップ領域では、前記メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、前記ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、前記ワードライン及びソースラインのそれぞれには、ワードラインコンタクト及びソースラインコンタクトが形成されていると共に、前記ソースラインコンタクトが形成される部分のソースラインの幅が、前記メモリセルアレイ領域のソースラインの幅より広くなっていることを特徴とする不揮発性の半導体メモリ素子。 - 前記メモリセルアレイ領域のカラム方向に、活性領域及び分離領域が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- 前記ソースラインコンタクトは、前記ストラップ領域の中央に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- メモリセルアレイ領域、及び前記メモリセルアレイ領域に均一電圧を提供するストラップ領域を備える不揮発性の半導体メモリ素子において、
前記メモリセルアレイ領域では、ロー方向に複数個のワードライン及びソースラインが形成されていると共に、前記二つのワードライン間に一つのソースラインが形成されており、
前記ストラップ領域では、前記メモリセルアレイ領域のワードライン及びソースラインと分離されないように、前記ワードライン及びソースラインがロー方向に延びて、かつ一字型に形成されており、前記ストラップ領域は、前記メモリセルアレイ領域のワードラインと連結されるワードラインコンタクトを含むワードラインストラップセル、及び前記メモリセルアレイ領域のソースラインと連結されるソースラインコンタクトを含むソースラインストラップセルから構成されることを特徴とする不揮発性の半導体メモリ素子。 - 前記メモリセルアレイ領域のカラム方向に、活性領域及び分離領域が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- 前記ソースラインコンタクトは、前記ストラップ領域の中央に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性の半導体メモリ素子。
- メモリセルアレイ領域とストラップ領域とを備える不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法において、
前記メモリセルアレイ領域及びストラップ領域の半導体基板上に、絶縁層を形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域及びストラップ領域の絶縁層をパターニングして、第1トレンチを形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域の第1トレンチにソースラインを形成し、前記ストラップ領域の第1トレンチにも、前記メモリセルアレイ領域のソースラインを延ばす工程と、
前記メモリセルアレイ領域のソースラインの周囲の第2トレンチに、ワードラインを形成し、前記ストラップ領域のソースラインの周囲の第2トレンチにも、前記メモリセルアレイ領域のワードラインを延ばす工程と、
前記ストラップ領域のソースライン及びワードラインのそれぞれに、ソースラインコンタクト及びワードラインコンタクトを形成する工程と、を含むことを特徴とする不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。 - 前記絶縁層を写真エッチング工程でパターニングして、第1トレンチを形成する時に使われるマスクは、露光時に光が透過される部分であって、一字状の開口部を備えることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記絶縁層を写真エッチング工程でパターニングして、第1トレンチを形成する時に使われるマスクは、露光時に光が透過される部分であって、一字状であり、中央部分が外部に突出された突出部を有する開口部を備えることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記ソースラインコンタクトは、前記ストラップ領域の中央に形成することを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記ソースラインコンタクトが形成される部分のソースラインの幅を、前記メモリセルアレイ領域のソースラインの幅より広くすることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記ストラップ領域のソースラインコンタクトは、ダミー活性領域上に形成されることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記ストラップ領域は、前記メモリセルアレイ領域のワードラインと連結されるワードラインコンタクトを含むワードラインストラップセルと、前記メモリセルアレイ領域のソースラインと連結されるソースラインコンタクトを含むソースラインストラップセルとに分けられることを特徴とする請求項12に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
- 前記絶縁層を写真エッチング工程でパターニングして、第1トレンチを形成する時に使われるマスクは、ワードラインストラップセルを定義する第1マスク領域、前記ソースラインストラップセルを定義する第2マスク領域、及びメモリセルアレイ領域を定義する第3マスク領域に区分されることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性の半導体メモリ素子の製造方法。
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