JP2005538553A - ホール素子を備える磁界センサ - Google Patents

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Abstract

対称縦型ホール素子が、第2の導電型の基板に埋め込まれた第1の導電型のウェルを有しており、該ウェルに、電流および電圧コンタクトとして機能する4つのコンタクトが接触している。電気的な観点からは、4つのコンタクトを有するこのようなホール素子は、ホール素子の4つの抵抗R〜Rで構成される抵抗ブリッジと考えることができる。電気的な観点から、このようなホール素子は、4つの抵抗R〜Rが同じ値を有している場合に、理想的であると考えられる。本発明は、この抵抗ブリッジを電気的に平衡させるための一連の方策を提案する。第1の方策は、追加の抵抗を少なくとも1つ設けることにある。第2の方策は、ウェルの電気導電性を局所的に増減させることによる。第3の方策は、2つのホール素子を、それらのホール電圧が等方向になりそれらのオフセット電圧がおおむね補償されるよう、電気的に並列に接続して設けることによる。

Description

本発明は、請求項1の前段部分に記載した形式の対称縦型ホール素子を有する磁界センサに関する。
ここ数年において、ホール素子を基礎とする磁界センサが多数製造され、産業、家庭用品、および自動車製造において位置スイッチとして使用され、あるいは位置測定のために使用されている。通例のIC技術で製造されるホール素子は、この技術のもつ利点をすべて備えており、とくに比較的低いコストでありながらその磁気および電気特性の再現性が高いという利点を有している。いわゆる横型ホール素子が、チップの表面と垂直に走る磁界の成分を測定するために使用され、一方、いわゆる縦型ホール素子が、チップの表面と平行に走る磁界の成分を測定するために使用される。
通常のホール素子は4つのコンタクトを有しており、すなわち、ホール素子を通過して流れる電流を供給および放出するための2つの電流コンタクト、および測定しようとする磁界の成分によって生じるホール電圧を取り出すための2つの電圧コンタクトを有している。ホール素子の基本的な問題は、磁界がまったく存在していない場合でも、2つの電圧コンタクト間に、いわゆるオフセット電圧と呼ばれる電圧が存在する点にある。このオフセット電圧を低減するため、2つの技法が開発されている。横型ホール素子に適用される一技法においては、2つの横型ホール素子が使用され、これら2つのホール素子を通過して流れる2つの電流が90°の角度を構成している。米国特許第4,037,150号明細書から知られているもう1つの技法は、電流コンタクトと電圧コンタクトを逆にしても電気的に不変である対称ホール素子に適しているが、電流および電圧コンタクトを電気的に切り替えている。米国特許第5,057,890号明細書によれば、横型ホール素子のために開発されたこの技法を縦型ホール素子にも使用することができ、電流および電圧コンタクトの位置および寸法が、対称横型ホール素子を等角写像することによって計算されている。
本発明は、対称縦型ホール素子に関し、これらは、4つのコンタクトすなわち2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクトが、一直線に沿って配置されているホール素子である。通常は、2つの内側コンタクトが同じ寸法であり、2つの外側コンタクトが同じ寸法である。電流は、常に、一方の内側コンタクトからこれと隣接していない外側コンタクトへ、あるいはこの逆に流れる。これら対称縦型ホール素子によれば、その幾何学的対称性のため、ホール素子の電気および磁気特性に変化を生じることなく、電流コンタクトと電圧コンタクトを逆にすることができ、すなわち電気的に入れ替えることができる。
対称縦型ホール素子は、先に引用した米国特許第5,057,890号、およびセンサとアクチュエータ(Sensors and Actuators)誌、A21〜A23号(1990年)、751〜753頁に掲載された記事「対称縦型ホール効果装置(A Symmetrical Vertical Hall‐Effect Device)」から知られているが、それらは、電子スイッチング素子ならびにホール素子を同じ半導体チップ上に統合することができない特殊な技術によってのみ製造されており、今までのところ、ほとんど実用には供されていない。
バイポーラ技術を使用した縦型ホール素子が、米国特許第5,572,058号明細書から知られている。この技法によれば、ホール素子が基板から絶縁されており、電子素子をホール素子から切り離しつつ同じ半導体チップ上に統合できる。しかしながら、この縦型ホール素子は、5つのコンタクトを直線に沿って配置して有し、すなわち、中央のコンタクト、および電流コンタクトとして機能する2つの外側コンタクト、ならびに中央コンタクトと外側コンタクトの一方との間に配置される2つの電圧コンタクトを有しており、電流コンタクトと電圧コンタクトとを逆にするとホール素子の電気特性が変化するため、対称縦型ホール素子の仲間には属さない。
本発明の目的は、CMOS技術のN型ウェルに実現することができる対称縦型ホール素子であって、2つの電圧コンタクトが2つの電流コンタクトの電位の間のおよそ中間にあり、オフセット電圧が可能な限り小さい対称縦型ホール素子を開発することにある。
前記課題は、本発明に従い、請求項1、5、6、7および10の特徴によって解決される。
この課題に関し、一方では、等角写像によって計算された電流および電圧コンタクトの長さが、技術的に可能な最小寸法よりも小さいという問題がある。この理由は、N型ウェルの深さが、外側コンタクトの外縁間の距離に比べてきわめて小さいことによる。電流および電圧コンタクトを、技術上の最小要件に対応して計算上の理想値よりも大きくした場合、電位という点で、もはや2つの電圧コンタクトが2つの電流コンタクトの電位の間の中間に位置せず、オフセット電圧がかなり大きくなり、感度が大きく低下する。電位という点で、2つの電圧コンタクトがもはや2つの電流コンタクトの電位の間の中間に位置しなくなった場合、これはすなわち、電流コンタクトと電圧コンタクトの入れ替えを、もはや実施しても意味がないということである。さらに、N型ウェルのドーピングは均質ではない。これにより、第1には、N型ウェルが数マイクロメートルの拡散深さを有していても、電流の大部分は、通常はわずか1〜2マイクロメートルの厚さの層としてホール素子の表面の直下を流れることになり、第2に、等角写像の理論がもはや適用できない。
本発明は、4つのコンタクト、すなわち2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクトを半導体チップの表面に一本の直線に沿って配置して備える対称縦型ホール素子から出発する。好ましくは、2つの内側コンタクトが同じ幅であり、好ましくは、2つの外側コンタクトが同じ幅であって、ここでコンタクトの幅は、前記直線の方向において測定される。
対称縦型ホール素子は、第1の導電型のウェルを第2の導電型の基板に埋め込んで備えている。4つのコンタクトが、このウェルに接触している。電気的な観点からは、4つのコンタクトを有するこのようなホール素子は、ホール素子の4つの抵抗R〜Rで構成される抵抗ブリッジと考えることができる。ホール素子が磁気センサとして動作するとき、電流が隣り合っていない2つのコンタクトの間を常に流れている。電気的な観点から、このホール素子は、4つの抵抗R〜Rが同じ値を有している場合に理想的であると考えられる。この場合、2つの電流コンタクトを通じてホール素子に給電すると、電圧コンタクトとして機能する各コンタクトが、同じ電位すなわち供給電圧の半分の電位に位置する。しかも、電圧コンタクト間の電圧すなわちオフセット電圧がゼロに等しく、すなわちオフセット電圧が存在しなくなる。これと同じことが、電流コンタクトと電圧コンタクトの役割を逆にした場合にも当てはまる。
本発明によれば、ホール素子の4つのコンタクトを、形状上の理由で4つの抵抗のうちの3つR〜Rがほぼ同じ寸法になるように構成することが提案される。4つ目の抵抗R、すなわち2つの外側コンタクトの間の電気抵抗は、他の抵抗R〜Rよりも大きい。本発明によれば、抵抗ブリッジを平衡させるため、ほぼR=R=R=R‖Rが成立するように値を定めたもう1つの抵抗Rを抵抗Rと並列に配置することが、さらに提案される。抵抗Rは、例えば外部の抵抗である。しかしながら、抵抗Rがホール素子のウェルに埋め込まれていると好ましく、あるいは別のN型ウェルとして実現されると好ましい。第1の場合においては、抵抗が、少なくとも1つのコンタクトをホール素子のウェルに接触させて有し、このコンタクトは、2つの外側コンタクトのうちの一方の隣かつホール素子のウェルの縁に面する側に配置されている。この場合、抵抗Rが抵抗R、R、RおよびRと同じ温度係数を有し、温度が変化しても抵抗ブリッジが平衡状態に保たれるという利点がある。
さらに、ウェルから電気的に絶縁されている電極を少なくとも1つ、2つのコンタクトの間に配置して設け、抵抗ブリッジを電気的に平衡させることも可能である。この少なくとも1つの電極は、当該電極直下の領域におけるウェルの電気導電性を局所的に増減させるべく機能する。
さらに、イオンの打ち込みを局所的に多く、または少なくすることにより、2つのコンタクト間の領域について電気導電性を局所的に増減させ、抵抗ブリッジを電気的に平衡させることも可能である。
さらに、それぞれが2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクトを一直線に沿って配置して有する第1のホール素子および第2のホール素子を使用し、好ましくは2つの内側コンタクトを同じ幅にするとともに、好ましくは2つの外側コンタクトを同じ幅にし、2つのホール素子の前記直線を平行にするとともに、2つのホール素子のコンタクトを、それらのホール電圧が等方向であってそれらのオフセット電圧がおおむね補償されて結果として全体としてのオフセット電圧が消滅するように導電経路によって接続し、抵抗ブリッジを電気的に平衡させることも可能である。
以下では、本発明の実施の形態を、図面にもとづいてさらに詳細に説明する。これらの図面は比例尺ではない。
図1および2に、対称縦型ホール素子1の断面および平面図が示されている。CMOS技術によって製造されたこのホール素子1は、好ましくは、第1の導電型のウェル2を第2の導電型のシリコンで作られた基板3に埋め込んでなる。ホール素子1は、表面に4つのコンタクト4〜7を有しており、すなわち2つの内側コンタクト5および6、ならびに2つの外側コンタクト4および7である。コンタクト4〜7は、一本の直線8に沿って配置されている(図2)。好ましくは、直線8に沿って眺めたとき、2つの内側コンタクト5および6の幅が同じであり、2つの外側コンタクト4および7の幅が同じである。したがって、ウェル2およびコンタクト4〜7の位置および寸法は、2つの内側コンタクト5および6の間の中央において直線8に直交して広がる平面9に対し、対称である。(技術的理由において、2つの内側コンタクト5および6を同じ幅にし、2つの外側コンタクト4および7を同じ幅にすることが理に適っているが、必ずしもそのようにする必要はない。)
シリコンにおいては電子の移動度が正孔の移動度よりも大きいため、ホール素子1には、P型ウェルではなくN型ウェルを使用したほうが有利である。ホール素子1にP型ウェルを使用することも可能であるが、その場合、磁界センサの感度が目に見えて低くなるであろう。
ウェル2の深さtは、通常は約5μmまで達する。ウェル2のドーピングが均質ではなく、深さが増すにつれてドーピングが指数関数的に少なくなるため、電流の大部分は、ホール素子1の表面の直下で通常は1〜2μmの厚さの薄い層を流れる。したがって、ホール素子1の電気および磁気特性に影響するウェル2の深さteffは、わずか1〜2μm程度である。ホール素子1の長さLは、ウェル2の長さによって与えられる。基本的に、これは外側コンタクト4および7の外側縁10および11の間の距離に相当する。長さLは、深さtまたは実効深さteffと比べて大きい。ホール素子1の電気特性は、4つの抵抗R〜Rから構成される抵抗ブリッジによって表わすことができる。理解を容易にするため、図1においては、2つのコンタクト間に分布する抵抗がそれぞれ、抵抗の記号R〜Rおよび当該抵抗に対応するコンタクト間をつなぐ線によって表わされている。
図3には、ホール素子1の4つの抵抗R〜Rによって形成される抵抗ブリッジの電気回路図が示されている。ホール素子1が磁界センサとして動作するとき、例えばコンタクト4および6の間、またはコンタクト5および7の間であるが、隣接していない2つのコンタクト間を電流が常に流れている。電気的な観点からは、4つの抵抗R〜Rが同じ値であるとき、そのホール素子1は理想的であるといえる。この場合、コンタクト4および6を介してホール素子1に給電するならば、電圧コンタクトとして機能するコンタクト5および7の両者が、同じ電位すなわち供給電圧の半分の電位を有する。しかも、電圧コンタクト間の電圧がゼロに等しいため、すなわちオフセット電圧が存在しない。これと同じことが、ホール素子1がコンタクト5および7を介して給電され、コンタクト4および6が電圧コンタクトとして機能する場合にも当てはまる。
形状上の理由から、抵抗RおよびRは同じ寸法である。抵抗Rは、内側コンタクト5および6の間の間隔を増減させることによって変化させることができる。したがって、コンタクト4〜7の位置および寸法を適切に選択することによって、ほぼR=R=Rを成立させることができる。一方、抵抗Rは間違いなく他の抵抗R、RおよびRよりも大きい。本発明によれば、この抵抗ブリッジを平衡させるため、ほぼR=R=R=R‖Rが成立するように値を定めたさらなる抵抗Rを、抵抗Rと並列に配置することが提案される。この抵抗Rは、例えば外部の抵抗である。しかしながら、抵抗Rは、ホール素子1のN型ウェル2に埋め込まれていることが好ましく、あるいは別のN型ウェルとして実現される。この場合、抵抗Rが抵抗R、R、RおよびRと同じ温度係数を有することになり、温度が変化しても抵抗ブリッジが平衡したままに保たれるという利点がある。
図4および5には、抵抗Rがホール素子1のウェル2に埋め込まれている2つの例が示されている。理解を容易にするため、ここでも、2つのコンタクトの間に分布する抵抗が、当該コンタクト間を接続している抵抗の記号および線によって表わされている。図4による例では、コンタクト4の隣にさらなるコンタクト12が配置され、単に図式的にのみ示されている導電経路13によってコンタクト7に接続されている。図5による例では、コンタクト4の隣にさらなるコンタクト12が配置されるとともに、コンタクト7の隣にさらなるコンタクト42が配置され、これら2つの追加のコンタクト12および14が、やはり単に図式的にのみ示されている導電経路13によって接続されている。したがって、この例では、抵抗Rが1つの抵抗によって実現されるのではなく、値がRの1/2である2つの抵抗によって実現されている。
2つの内側コンタクト5および6の間に技術に起因する最小間隔を維持しなければならないという点で、ホール素子の小型化には限界がある。目下のところ、この最小間隔は0.8μm付近の範囲にある。したがって、抵抗Rを、使用する技術によってあらかじめ決まる或る値よりも小さくすることはできない。以下では、いかにして抵抗R〜Rを増減させることができるかについて、さらなる例を説明する。
図6による例では、3つの電極15〜17がコンタクト4〜7の間に配置されており、これらの電極15〜17は、MOSFETのゲート電極のように多結晶シリコンで実現されている。電極15〜17は、例えば薄い酸化物層によってN型ウェルから分離されており、したがってN型ウェル2から電気的に絶縁されている。ホール素子1の動作時、電極15〜17のそれぞれが、N型ウェル2に対して所定の電圧にバイアスされる。電極15および17が同じ電圧にバイアスされる一方で、電極16は逆極性の電圧にバイアスされる。電極をN型ウェル2に対してバイアスするということは、電極直下の領域の電荷担体の密度をバイアスの符号に応じて増加または低下させるという効果を有する。電荷担体の密度を高めるためには、電極のバイアスがウェル2の電荷担体の型と逆でなければならない。ウェル2がN型であるとき、電極のバイアスはウェル2の電位に対して正でなければならない。電荷担体の密度を低くするためには、電極のバイアスが電荷担体およびウェル2と同じ型でなければならない。ウェル2がN型である場合、電極のバイアスがウェル2の電位に対して負でなければならない。
3つの電極15、16および17の代わりに、ただ1つの電極のみ、すなわち内側電極5および6の間の電極16のみを設けることも可能であり、あるいは、それぞれ内側コンタクトと外側コンタクトとの間に配置される2つの電極15および17のみを設けることも可能である。さらに、図4による例において、コンタクト4および12の間に配置される追加の電極を設けることができ、あるいは図5による例において、コンタクト4および12の間ならびにコンタクト7および14の間に配置される2つの追加の電極を設けることができる。各電極へと加えるバイアスの大きさおよび符号を選択することによって、抵抗R〜Rを或る限界内で変化させることができる。したがって、電子電圧源をホール素子1と同じ半導体チップに実現して設け、この電圧源によって、抵抗R〜Rによって構成される抵抗ブリッジが最適に平衡するよう、各電極へと加えるバイアスを較正手順において一回決定する。
さらに、所与の位置および寸法のコンタクト4〜7における抵抗R〜Rを、イオン打ち込みの量を局所的に増減させることによって電荷単体の密度を増減させて、小さくまたは大きくすることができる可能性がある。この可能性について、図7にもとづいてさらに詳細に説明する。コンタクト4〜7が、破線18で縁取りされた領域によって表わされている。N型ウェル2の形成において、イオン打ち込みのためにマスク19が使用されるが、マスク19は、ウェル2の寸法に一致するただ1つの開口20ではなく、N型ウェル2のドーピングを局所的に変化させるべく自身の一部分を塞ぐように局所島21を備えている開口20を有している。島21の寸法は、島21によって区画された領域が打ち込み後の拡散時にN型ウェル2へとつながるよう、小さな寸法に選択されている。このようにして、2つの内側コンタクト5および6の間の領域におけるウェル2のドーピングが、内側コンタクトと隣の外側コンタクトとの間の領域におけるウェル2のドーピングと相違する。
図8および9は、抵抗R〜Rによって構成される抵抗ブリッジをおおむね平衡させることが他にも可能であり、すなわち2つのホール素子1および1’を磁界の同一成分を測定するよう互いに並べて並列接続することによって、抵抗R〜Rによって構成される抵抗ブリッジをおおむね平衡させることができることを示している。2つのホール素子1および1’を通過して流れる電流の向きが、電流が供給されるコンタクトから電流が放出されるコンタクトへと向けられた矢印によって象徴的に示されている。第1のホール素子1のコンタクト4〜7と、第2のホール素子1’のコンタクト4’〜7’とが、図式的に示されている導電経路13によって、対をなすように配線されている。配線は、以下に述べる2つの条件を満足しなければならない。まず第1に、磁界によって生じる2つのホール素子1および1’のホール電圧が、等方向でなければならず、そうでない場合、その磁界センサは決して磁界を「見つける」ことがない。2つの電流コンタクトが、電流の方向を示す矢印に従って接続されたとき、1つの電圧コンタクトが常に矢印の左手側に位置し、1つの電圧コンタクトが矢印の右手側に位置する。ここで、等方向とは、2つのホール素子1および1’のそれぞれの矢印の左手側にある2つの電圧コンタクトが接続されなければならず、2つのホール素子1および1’のそれぞれの矢印の右手側にある2つの電圧コンタクトが接続されなければならないということを意味している。仮に2つのホール素子1および1’が配線されないならば、抵抗Rが他の抵抗R、RおよびRよりも大きいため、第1のホール素子1において、2つの電圧コンタクト5および7の一方が他方の電圧コンタクトよりも高い電位を持つであろう。同様に、第2のホール素子1’において、ここでも抵抗R’が他の抵抗R’、R’およびR’よりも大きいため、2つの電圧コンタクト4’および6’の一方が他方の電圧コンタクトよりも高い電位を持つであろう。図8の例では、図8に示した電流の方向においては、第1のホール素子1の電圧コンタクト7が、電圧コンタクト5よりも高い電位を持つ。第2のホール素子1’においては、電圧コンタクト4’が電圧コンタクト6’よりも高い電位を持つ。第2に、2つのホール素子1および1’のコンタクト7、5、4’および6’が、高い電位を持っている第1のホール素子1の電圧コンタクト7が、低い電位を持っている第2のホール素子1’の電圧コンタクト6’に接続されるように、今や接続される。この配線によって、2つのホール素子1および1’を通過して流れる電流が、磁界が消滅したときに第1のホール素子1の電圧コンタクト7および5の間に加わる電圧が、前記したような第2のホール素子1’の接続を行わなかった場合よりもはるかに小さくなるように分配される。図8に示した例では、第1のホール素子1のコンタクト4〜7および第2のホール素子1’のコンタクト4’〜7’が、以下のとおりに対をなして配線される。すなわち、コンタクト4がコンタクト7’と、コンタクト5がコンタクト4’と、コンタクト6がコンタクト5’と、コンタクト7がコンタクト6’と対をなして配線され、これによりホール素子1および1’の両者における電流は、どちらも内側コンタクトからこれと隣接していない方の外側コンタクトへと、しかしながら互いに逆の方向に常に流れる。
図9に示した例では、電流が同じ方向に流れており、第1のホール素子1においては、内側コンタクトからこれと隣り合っていない方の外側コンタクトへと電流が流れているが、第2のホール素子1’においては、外側コンタクトからこれと隣り合っていない方の内側コンタクトへと電流が流れている。第1のホール素子1のコンタクト4〜7および第2のホール素子1’のコンタクト4’〜7’が、以下のとおりに対をなして配線されている。すなわち、コンタクト4がコンタクト5’と、コンタクト5がコンタクト6’と、コンタクト6がコンタクト7’と、コンタクト7がコンタクト4’と対をなすように配線され、前記2つの条件が満足されている。
ここまで述べてきた実施の形態では、対称縦型ホール素子1が、イオンの打ち込みとその後の拡散によってP型基板に生成されたN型ウェル2に埋め込まれていた。このような技法は、一般にCMOS技法と称されている。しかしながら、CMOS技法の代わりに、対称縦型ホール素子1がエピタキシャル層の絶縁領域に埋め込まれるバイポーラ技法を使用することも可能である。そのような絶縁領域を、N型ウェルとして指定することもできる。バイポーラ技法によって生成されたN型ウェルが不純物原子で均質にドープされている一方で、CMOS技法によって生成されたN型ウェルのドーピングは、均質ではない。
対称縦型ホール素子の断面図である。 対称縦型ホール素子の平面図である。 対称縦型ホール素子の等価回路図である。 抵抗を統合して備える対称縦型ホール素子を示した図である。 2つの抵抗を統合して備える対称縦型ホール素子を示した図である。 追加の電極を備える対称縦型ホール素子を示した図である。 N型ウェルの形成のためイオンの打ち込みにおいて使用するマスクを示した図である。 反平行接続された2つのホール素子を示した図である。 反平行接続された2つのホール素子を示した図である。

Claims (11)

  1. 2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクト(4〜7)を一直線(8)に沿って配置して有するホール素子(1)を備えた磁界センサであって、
    前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置され、前記2つの外側コンタクト(4、7)が、抵抗によって接続されていることを特徴とする磁界センサ。
  2. 前記抵抗が、第1の導電型のウェルに接する2つのコンタクトを有していることを特徴とする請求項1に記載の磁界センサ。
  3. 前記抵抗が、前記ホール素子(1)の前記ウェル(2)に接するコンタクト(12)を有し、該コンタクト(12)が、前記2つの外側コンタクトのうちの一方(4)の隣かつ前記ウェル(2)の縁に面する側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の磁界センサ。
  4. 前記抵抗が、前記ホール素子(1)の前記ウェル(2)に接する2つのコンタクト(12、14)を有し、該コンタクト(12、14)がそれぞれ、前記2つの外側コンタクト(4、7)のうちの一方の隣かつ前記ウェル(2)の各縁に面する側に配置されており、これら2つのコンタクト(12、14)が導電経路(13)で接続されていることを特徴とする請求項1に記載の磁界センサ。
  5. 2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクト(4〜7)を一直線(8)に沿って配置して有するホール素子(1)を備えた磁界センサであって、
    前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置されるとともに、少なくとも1つの電極(15、16、17)が、前記ウェル(2)から電気的に絶縁されて存在し、該少なくとも1つの電極(15;16、17)が、2つのコンタクト(4〜7)の間に配置されていることを特徴とする磁界センサ。
  6. 2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクト(4〜7)を一直線(8)に沿って配置して有するホール素子(1)を備えた磁界センサであって、
    前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置されるとともに、前記2つの内側コンタクト(5、6)の間の領域における前記ウェル(2)のドーピングが、内側コンタクト(5、6)と外側コンタクト(4、7)との間の領域における前記ウェル(2)のドーピングと相違していることを特徴とする磁界センサ。
  7. それぞれが2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクト(4〜7)を一直線(8)に沿って配置して有している第1のホール素子(1)および第2のホール素子(1’)を備えた磁界センサであって、
    前記第1のホール素子(1)の前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置され、前記第2のホール素子(1’)の前記コンタクト(4’〜7’)が、前記基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置され、
    前記2つのホール素子(1、1’)の前記直線(8)が平行に走っており、
    前記2つのホール素子(1、1’)の前記コンタクト(4〜7;4’〜7’)が、前記2つのホール素子(1、1’)のホール電圧が等方向であって、かつ前記第1のホール素子(1)の2つの電圧コンタクトのうち、一切の接続がなく磁界も存在しない状態で所与の電流を流した場合に他方の電圧コンタクトよりも高い電位を持つであろう電圧コンタクトが、前記第2のホール素子(1’)の電圧コンタクトのうち、一切の接続がなく磁界も存在しない状態で所与の電流を流した場合により低い電位を持つであろう電圧コンタクトに接続されるように、導電経路(13)によって接続されていることを特徴とする磁界センサ。
  8. 少なくとも1つの電極(15;16、17)が、前記ウェル(2)から電気的に絶縁されて存在し、該少なくとも1つの電極(15;16、17)が、2つのコンタクト(4〜7)の間に配置されていることを特徴とする請求項1〜4に記載の磁界センサ。
  9. 前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置されるとともに、前記2つの内側コンタクト(5、6)の間の領域における前記ウェル(2)のドーピングが、内側コンタクト(5、6)と外側コンタクト(4、7)との間の領域における前記ウェル(2)のドーピングと相違していることを特徴とする請求項1〜4または8に記載の磁界センサ。
  10. それぞれが2つの内側コンタクトおよび2つの外側コンタクト(4〜7)を一直線(8)に沿って配置して有している第1のホール素子(1)および第2のホール素子(1’)を備えた磁界センサであって、
    前記第1のホール素子(1)の前記コンタクト(4〜7)が、第2の導電型の基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置されるとともに、該第1のホール素子(1)の2つの外側コンタクト(4、7)が、抵抗によって接続され、
    前記第2のホール素子(1’)の前記コンタクト(4’〜7’)が、前記基板(3)に埋め込まれた第1の導電型のウェル(2)の表面に配置されるとともに、該第2のホール素子(1)の2つの外側コンタクト(4’、7’)が、第2の抵抗によって接続され、
    前記両ホール素子(1、1’)の前記直線(8)が平行に走っており、
    前記2つのホール素子(1、1’)の前記コンタクト(4〜7;4’〜7’)が、前記2つのホール素子(1、1’)のホール電圧が等方向であって、かつ前記第1のホール素子(1)の2つの電圧コンタクトのうち、一切の接続がなく磁界も存在しない状態で所与の電流を流した場合に他方の電圧コンタクトよりも高い電位を持つであろう電圧コンタクトが、前記第2のホール素子(1’)の電圧コンタクトのうち、一切の接続がなく磁界も存在しない状態で所与の電流を流した場合により低い電位を持つであろう電圧コンタクトに接続されるように、導電経路(13)によって接続されていることを特徴とする磁界センサ。
  11. 前記2つの内側コンタクト(5、6)が同じ幅であり、前記2つの外側コンタクト(4、7)が同じ幅であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の磁界センサ。

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DE (1) DE50215023D1 (ja)
WO (1) WO2004025742A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010127940A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Melexis Technologies Sa 垂直ホールセンサ
JP2019169683A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 エイブリック株式会社 半導体装置

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4553714B2 (ja) * 2004-12-14 2010-09-29 Ntn株式会社 回転検出装置および回転検出装置付き軸受
EP2905581B1 (en) * 2004-12-14 2017-10-25 NTN Corporation Sensor circuit for processing an output of a magnetic sensor array and a rotation detection apparatus comprising the sensor circuit and the sensor array
US20070161888A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-12 Sherman Jason T System and method for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
US8862200B2 (en) * 2005-12-30 2014-10-14 DePuy Synthes Products, LLC Method for determining a position of a magnetic source
US20070167741A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-19 Sherman Jason T Apparatus and method for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
US7525309B2 (en) 2005-12-30 2009-04-28 Depuy Products, Inc. Magnetic sensor array
US8068648B2 (en) * 2006-12-21 2011-11-29 Depuy Products, Inc. Method and system for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
CN101290946B (zh) * 2007-04-19 2011-12-28 无锡博赛半导体技术有限公司 减小霍尔集成电路失调电压方法及其装置
EP2000813A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-10 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Magnetic field sensor for measuring a direction of a magnetic field in a plane
GB0724240D0 (en) * 2007-12-12 2008-01-30 Melexis Nv Twin vertical hall sensor
EP2108966A1 (en) 2008-04-08 2009-10-14 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Current sensor and assembly group for current measurement
US7936029B2 (en) * 2009-02-19 2011-05-03 Allegro Microsystems, Inc. Hall effect element having a hall plate with a perimeter having indented regions
US8093891B2 (en) * 2009-03-02 2012-01-10 Robert Bosch Gmbh Vertical Hall Effect sensor
EP2234185B1 (en) * 2009-03-24 2012-10-10 austriamicrosystems AG Vertical Hall sensor and method of producing a vertical Hall sensor
EP2402779A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-04 Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. Hall sensor system
JP5679906B2 (ja) * 2010-07-05 2015-03-04 セイコーインスツル株式会社 ホールセンサ
JP5815986B2 (ja) * 2010-07-05 2015-11-17 セイコーインスツル株式会社 ホールセンサ
JP5411818B2 (ja) * 2010-08-26 2014-02-12 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
US9062990B2 (en) 2011-02-25 2015-06-23 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall magnetic field sensing element and method with a plurality of continuous output signals
US8786279B2 (en) 2011-02-25 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Circuit and method for processing signals generated by a plurality of sensors
CH704689B1 (de) 2011-03-24 2016-02-29 X Fab Semiconductor Foundries Vertikaler Hallsensor und Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Hallsensors.
US8729890B2 (en) 2011-04-12 2014-05-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic angle and rotation speed sensor with continuous and discontinuous modes of operation based on rotation speed of a target object
US8860410B2 (en) 2011-05-23 2014-10-14 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing a signal generated by a plurality of measuring devices
US8890518B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for self-testing a circular vertical hall (CVH) sensing element and/or for self-testing a magnetic field sensor that uses a circular vertical hall (CVH) sensing element
US9007060B2 (en) 2011-07-21 2015-04-14 Infineon Technologies Ag Electronic device with ring-connected hall effect regions
US8988072B2 (en) 2011-07-21 2015-03-24 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor with high electrical symmetry
US8357983B1 (en) 2011-08-04 2013-01-22 Allegro Microsystems, Inc. Hall effect element having a wide cross shape with dimensions selected to result in improved performance characteristics
US8793085B2 (en) 2011-08-19 2014-07-29 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for automatically adjusting a magnetic field sensor in accordance with a speed of rotation sensed by the magnetic field sensor
US8922206B2 (en) 2011-09-07 2014-12-30 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensing element combining a circular vertical hall magnetic field sensing element with a planar hall element
US9103868B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensors
DE102012216388A1 (de) 2011-09-16 2013-03-21 Infineon Technologies Ag Hall-sensoren mit erfassungsknoten mit signaleinprägung
US9285438B2 (en) 2011-09-28 2016-03-15 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing signals generated by a plurality of magnetic field sensing elements
DE102011115566A1 (de) 2011-10-10 2013-04-11 Austriamicrosystems Ag Hall-Sensor
US8922207B2 (en) * 2011-11-17 2014-12-30 Infineon Technologies Ag Electronic device comprising hall effect region with three contacts
US9046383B2 (en) 2012-01-09 2015-06-02 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods that use magnetic field sensors to identify positions of a gear shift lever
US9312472B2 (en) * 2012-02-20 2016-04-12 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with electrical 180 degree symmetry
US9182456B2 (en) 2012-03-06 2015-11-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing rotation of an object
US10215550B2 (en) 2012-05-01 2019-02-26 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields
US9484525B2 (en) 2012-05-15 2016-11-01 Infineon Technologies Ag Hall effect device
US20130314075A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Udo Ausserlechner Offset error compensation systems and methods in sensors
US9274183B2 (en) 2012-06-22 2016-03-01 Infineon Technologies Ag Vertical hall device comprising first and second contact interconnections
US8981504B2 (en) 2012-06-22 2015-03-17 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor with series-connected hall effect regions
US8723515B2 (en) 2012-07-05 2014-05-13 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor circuit comprising stress compensation circuit
US9018948B2 (en) 2012-07-26 2015-04-28 Infineon Technologies Ag Hall sensors and sensing methods
US9170307B2 (en) 2012-09-26 2015-10-27 Infineon Technologies Ag Hall sensors and sensing methods
US9417295B2 (en) 2012-12-21 2016-08-16 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing signals generated by a circular vertical hall (CVH) sensing element in the presence of a multi-pole magnet
US9606190B2 (en) 2012-12-21 2017-03-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor arrangements and associated methods
US8749005B1 (en) 2012-12-21 2014-06-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and method of fabricating a magnetic field sensor having a plurality of vertical hall elements arranged in at least a portion of a polygonal shape
US9164155B2 (en) 2013-01-29 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Systems and methods for offset reduction in sensor devices and systems
US9252354B2 (en) 2013-01-29 2016-02-02 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with highly conductive opposite face node for electrically connecting first and second hall effect regions
US9548443B2 (en) 2013-01-29 2017-01-17 Allegro Microsystems, Llc Vertical Hall Effect element with improved sensitivity
US9377285B2 (en) 2013-02-13 2016-06-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide varying current spinning phase sequences of a magnetic field sensing element
US9389060B2 (en) 2013-02-13 2016-07-12 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide an angle error correction module
US9362485B2 (en) * 2013-03-14 2016-06-07 Robert Bosch Gmbh Vertical hall effect sensor with offset reduction using depletion regions
US9099638B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect element with structures to improve sensitivity
US9400164B2 (en) 2013-07-22 2016-07-26 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide an angle correction module
CN106164691B (zh) * 2013-09-06 2020-04-07 罗伯特·博世有限公司 低偏移和高灵敏度垂直霍尔效应传感器
US9312473B2 (en) 2013-09-30 2016-04-12 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect sensor
US10120042B2 (en) 2013-12-23 2018-11-06 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that inject a synthesized error correction signal into a signal channel to result in reduced error
US9574867B2 (en) 2013-12-23 2017-02-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that inject an error correction signal into a signal channel to result in reduced error
US9547048B2 (en) 2014-01-14 2017-01-17 Allegro Micosystems, LLC Circuit and method for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in a circle
US10649043B2 (en) 2014-04-28 2020-05-12 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor device configured to sense with high precision and low jitter
US9753097B2 (en) 2014-05-05 2017-09-05 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and associated methods with reduced offset and improved accuracy
US9425385B2 (en) 2014-05-09 2016-08-23 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect device
US9316705B2 (en) 2014-05-09 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect-device
US9448288B2 (en) 2014-05-20 2016-09-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy resulting from a digital potentiometer
US9605983B2 (en) 2014-06-09 2017-03-28 Infineon Technologies Ag Sensor device and sensor arrangement
US9823168B2 (en) 2014-06-27 2017-11-21 Infineon Technologies Ag Auto tire localization systems and methods utilizing a TPMS angular position index
EP2966462B1 (en) * 2014-07-11 2022-04-20 Senis AG Vertical hall device
GB2531536A (en) * 2014-10-21 2016-04-27 Melexis Technologies Nv Vertical hall sensors with reduced offset error
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US9766303B2 (en) * 2014-11-18 2017-09-19 Infineon Technologies Ag Systems and arrangements of three-contact hall-effect devices and related methods
US9638766B2 (en) 2014-11-24 2017-05-02 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy resulting from a variable potentiometer and a gain circuit
US9684042B2 (en) 2015-02-27 2017-06-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy and method of obtaining improved accuracy with a magnetic field sensor
US9638764B2 (en) 2015-04-08 2017-05-02 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for driving a hall effect element with a current compensated for substrate stress
US11163022B2 (en) 2015-06-12 2021-11-02 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for angle detection with a phase-locked loop
US10481220B2 (en) 2016-02-01 2019-11-19 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with signal processing and arctangent function
US9739848B1 (en) 2016-02-01 2017-08-22 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with sliding integration
US9739847B1 (en) 2016-02-01 2017-08-22 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with signal processing
US10107873B2 (en) 2016-03-10 2018-10-23 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress
US10385964B2 (en) 2016-06-08 2019-08-20 Allegro Microsystems, Llc Enhanced neutral gear sensor
US10585147B2 (en) 2016-06-14 2020-03-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having error correction
US10162017B2 (en) 2016-07-12 2018-12-25 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for reducing high order hall plate sensitivity temperature coefficients
US10739164B2 (en) 2017-01-27 2020-08-11 Allegro Microsystems, Llc Circuit for detecting motion of an object
US10495701B2 (en) 2017-03-02 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with DC offset removal
JP6841692B2 (ja) * 2017-03-13 2021-03-10 エイブリック株式会社 磁気センサ回路
US10520559B2 (en) 2017-08-14 2019-12-31 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for Hall effect elements and vertical epi resistors upon a substrate
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11802922B2 (en) 2021-01-13 2023-10-31 Allegro Microsystems, Llc Circuit for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in one or more circles
US11473935B1 (en) 2021-04-16 2022-10-18 Allegro Microsystems, Llc System and related techniques that provide an angle sensor for sensing an angle of rotation of a ferromagnetic screw

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60187072A (ja) * 1983-12-19 1985-09-24 エルゲ−ツエツト・ランデイス・ウント・ギ−ル・ツ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト ホ−ル素子
JPS62502927A (ja) * 1985-05-22 1987-11-19 エルゲ−ツェット・ランディス・ウント・ギ−ル・ツ−ク・アクチエンゲゼルシャフト 集積回路に集積可能なホール素子
JPH0294580A (ja) * 1988-09-21 1990-04-05 Lgz Landis & Gyr Zug Ag ホール素子
JPH0311679A (ja) * 1989-06-08 1991-01-18 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ホールデバイス
JPH0439973A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Nissan Motor Co Ltd 半導体磁気センサ
JPH0621530A (ja) * 1992-03-30 1994-01-28 Motorola Inc 磁界センサ
JPH07193297A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Toshiba Corp ホール素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037150A (en) 1973-05-30 1977-07-19 Sergei Glebovich Taranov Method of and apparatus for eliminating the effect of non-equipotentiality voltage on the hall voltage
CH669068A5 (de) * 1986-04-29 1989-02-15 Landis & Gyr Ag Integrierbares hallelement.
EP0590222A1 (en) * 1992-09-30 1994-04-06 STMicroelectronics S.r.l. Magnetic position sensor
US5548151A (en) * 1994-03-09 1996-08-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Hall element for detecting a magnetic field perpendicular to a substrate
US5572058A (en) 1995-07-17 1996-11-05 Honeywell Inc. Hall effect device formed in an epitaxial layer of silicon for sensing magnetic fields parallel to the epitaxial layer
JP3624597B2 (ja) * 1996-12-10 2005-03-02 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
US6492697B1 (en) * 2000-04-04 2002-12-10 Honeywell International Inc. Hall-effect element with integrated offset control and method for operating hall-effect element to reduce null offset
JP4936299B2 (ja) * 2000-08-21 2012-05-23 メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ 磁場方向検出センサ
DE10150955C1 (de) 2001-10-16 2003-06-12 Fraunhofer Ges Forschung Vertikaler Hall-Sensor
US6903429B2 (en) * 2003-04-15 2005-06-07 Honeywell International, Inc. Magnetic sensor integrated with CMOS

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60187072A (ja) * 1983-12-19 1985-09-24 エルゲ−ツエツト・ランデイス・ウント・ギ−ル・ツ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト ホ−ル素子
JPS62502927A (ja) * 1985-05-22 1987-11-19 エルゲ−ツェット・ランディス・ウント・ギ−ル・ツ−ク・アクチエンゲゼルシャフト 集積回路に集積可能なホール素子
JPH0294580A (ja) * 1988-09-21 1990-04-05 Lgz Landis & Gyr Zug Ag ホール素子
JPH0311679A (ja) * 1989-06-08 1991-01-18 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ホールデバイス
JPH0439973A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Nissan Motor Co Ltd 半導体磁気センサ
JPH0621530A (ja) * 1992-03-30 1994-01-28 Motorola Inc 磁界センサ
JPH07193297A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Toshiba Corp ホール素子

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010127940A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Melexis Technologies Sa 垂直ホールセンサ
JP2019169683A (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 エイブリック株式会社 半導体装置
JP7072416B2 (ja) 2018-03-26 2022-05-20 エイブリック株式会社 半導体装置

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