CN100388523C - 带有霍尔元件的磁场传感器 - Google Patents

带有霍尔元件的磁场传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN100388523C
CN100388523C CNB028295846A CN02829584A CN100388523C CN 100388523 C CN100388523 C CN 100388523C CN B028295846 A CNB028295846 A CN B028295846A CN 02829584 A CN02829584 A CN 02829584A CN 100388523 C CN100388523 C CN 100388523C
Authority
CN
China
Prior art keywords
trap
contact
hall element
conduction type
magnetic field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB028295846A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1669159A (zh
Inventor
克里斯蒂·思古特
雷迪沃杰·波波维克
皮埃尔-安德烈·贝西
恩瑞克·舒尔格
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Melexis Technologies NV
Original Assignee
Melexis Technologies SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=31983651&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN100388523(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Melexis Technologies SA filed Critical Melexis Technologies SA
Publication of CN1669159A publication Critical patent/CN1669159A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100388523C publication Critical patent/CN100388523C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/077—Vertical Hall-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Abstract

公开了一种对称垂直霍尔元件，它包括一个具有第一种导电类型的阱(2)，其嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，且与用作电流和电压触点的四个触点(4，5，6，7)相接触。从电气角度来看，这样一个具有四个触点的霍尔元件可以视为一个由霍尔元件的四个电阻(R1到R4)组成的电阻桥。从电气角度来看，当四个电阻(R1到R4)的阻值相等时，此霍尔元件可以视为处于理想状态。为了维持电阻桥的电平衡，本发明提出了一系列措施。第一种措施是提供至少一个附加的电阻，而第二种措施是在局部增大或减小阱的导电性。第三种措施是提供两个按如下方式并联连接的霍尔元件：它们的霍尔电压是同向施加的，且其偏移电压大部分都相互抵消了。

Description

带有霍尔元件的磁场传感器
技术领域
本发明主要涉及一种包含对称垂直霍尔元件的磁场传感器。
背景技术
最近几年中，基于霍尔元件的磁场传感器已经开始大规模生产，并在工业、家用设备和汽车制造中用作为位置开关或用于位置测量。霍尔元件用常规的IC工艺制造，具备该工艺的所有优点，特别是能以相对低的代价获得电磁特性的高再现性。所谓的水平霍尔元件用于测量垂直于芯片表面的磁场分量，而所谓的垂直霍尔元件用于测量平行于芯片表面的磁场分量。
常规的霍尔元件有四个触点，即两个用于对流经霍尔元件的电流进行充电和放电的电流触点，以及两个用于引出由待测磁场分量产生的霍尔电压的电压触点。霍尔元件的主要问题在于：即使磁场不存在，在两个电压触点之间也会存在一个电压，即所谓的偏移电压。已经开发出两种用于降低偏移电压的技术。一种技术应用于水平霍尔元件，采用了两个水平霍尔元件，其中流经两个霍尔元件的电流形成了一个90°角。另一种由US 4 037 150已知的技术适用于对称霍尔元件，所述对称霍尔元件相对于电流触点和电压触点的反转在电气上保持不变，而电流触点和电压触点在电气上方向转换。根据US 5057890，为水平霍尔元件所开发的技术也可以用于垂直霍尔元件，其电流和电压触点的位置和大小可以通过对称水平霍尔元件的保角映射来计算。
本发明涉及对称垂直霍尔元件，这些霍尔元件包含四个触点——即两个内部触点和两个外部触点，这四个触点安排在一条直线上。典型地，两个内部触点大小相同，两个外部触点大小相同。电流总是从一个内部触点流向非相邻的外部触点，或者相反。对这些对称垂直霍尔元件来说，由于其几何上的对称性，电流和电压触点可以颠倒-这意味着电气方向可以转换，而不会改变该霍尔元件的电磁特性。
对称垂直霍尔元件由前面提及的US 5057890中已知，并且由发表在“Sensors and Actuators”杂志，A21-A23(1990)，第751-753页的“A Symmetrical Vertical Hall-Effect Device(对称垂直霍尔效应装置)”中已知，然而这类元件在实际中很少应用，因为目前它们只能通过一种特殊的工艺来制造，这种工艺不允许电子开关元件和霍尔元件集成到相同的半导体芯片上。
一种采用双极工艺的垂直霍尔元件由US 5572058已知。借助于这一工艺，霍尔元件可以与基片隔离，这样除了霍尔元件之外，电子元件也能集成到相同的半导体芯片上。但是，这种垂直霍尔元件具有五个排列在一条直线上的触点，即用作电流触点的一个中心触点和两个外部触点，以及设置在中心触点和一个外部触点之间的两个电压触点，这种霍尔元件不属于对称垂直霍尔元件，因为如果使电流和电压触点颠倒的话，该霍尔元件的电气特性就会改变。
发明内容
本发明的目的是开发一种能够在CMOS工艺的N-型阱中实现的对称垂直霍尔元件，利用这种工艺，对于电势来说，使两个电压触点大致位于两个电流触点的电势之间的中央，并且利用这种工艺使偏移电压尽可能地低。
对于这一任务来说，一方面的问题在于，通过保角映射所计算出的电流和电压触点的长度小于该工艺可能提供的最小尺寸。其原因在于N-型阱的深度与外部触点的外缘之间的距离相比非常小。如果增大电流和电压触点，使之大于根据该工艺的最小值要求计算出的理想值，那么对于电势来说，两个电压触点将不再位于两个电流触点的电势的中央，偏移电压相对来说将变得非常高，且敏感度大大降低。当两个电压触点的电势不再位于两个电流触点电势的中央时，这就意味着电流和电压触点的互换不能再有意义地实现。此外，N-型阱的掺杂是不均匀的，这将产生两个问题：首先，大部分电流将直接在霍尔元件的表面之下流过，即使N-型阱有几微米的扩散深度，电流通常也是在一个只有一到两微米厚的薄层中流过；其次，保角映射的理论不再适用。
本发明从具有四个触点——即两个内部触点和两个外部触点，它们在半导体芯片的表面上排列成一条直线——的对称垂直霍尔元件开始。两个内部触点最好宽度相等，两个外部触点也最好宽度相等，从而沿着所述直线的方向测量这些触点的宽度。
对称垂直霍尔元件包含一个具有第一种导电类型的阱，其嵌在具有另一种导电类型的基片中。四个触点与这个阱相接触。从电气角度来看，这样一个具有四个触点的霍尔元件可以看作为一个由霍尔元件的四个电阻R1到R4组成的电阻桥。当霍尔元件作为磁场传感器工作时，电流总是在两个不相邻的两个触点间流过。从电气角度来看，当四个电阻R1到R4的阻值相等时，此霍尔元件可以看作为处于理想状态。在这种情况下，当经由两个电流触点对霍尔元件供电时，用作电压触点的两个触点处于相同的电势，即电势为供电电压的一半。此外，电压触点之间的电压——即所谓的偏移电压——等于零，即偏移电压消失。当电流和电压触点的角色互换时，该结论同样有效。
根据本发明，建议将霍尔元件的四个触点按如下方式排列：处于几何的原因，四个电阻中有三个电阻R1到R3几乎大小相等。第四个电阻R4——即两个外部触点之间的电阻——比其他三个电阻R1、R2和R3要大。为了平衡电阻桥，根据本发明，进一步建议设置另一个与电阻R4并联的电阻R5，其值被限定为近似有R1＝R2＝R3＝R4||R5。电阻R5例如是一个外部电阻，但是电阻R5最好内嵌在霍尔元件的阱中，或者作为一个独立的N-型阱来实现。在第一种情况下，该电阻具有至少一个与霍尔元件的阱相接触的触点，并且在对着霍尔元件的阱边缘一侧设置在两个外部触点之一的旁边。在这种情况下，其优点在于电阻R5具有与电阻R1、R2、R3和R4相同的温度系数，使得即使在温度改变时此电阻桥仍能保持平衡。
另一种使电阻桥电气平衡的可能的方法是提供至少一个与阱电气绝缘的电极，且所述至少一个电极被设置在两个触点之间。所述至少一个电极用于局部增大或减小电极下方的区域中所述阱的导电性。
另外一种维持电阻桥的电气平衡的方法是：通过局部注入更多或更少的离子，局部增大或减小两个触点之间的区域中所述阱的导电性。
另一种维持电阻桥的电平衡的方法是：利用一个具有第一霍尔元件和第二霍尔元件的磁场传感器，其中每个霍尔元件都有排列在一条直线上的两个内部触点和两个外部触点，两个内部触点最好宽度相等，两个外部触点也最好宽度相等，且这两个霍尔元件的所述直线相互平行，其中这两个霍尔元件的触点通过导线通路按如下方式相连：其霍尔电压方向相同，且它们的偏移电压被大大补偿，以至于所得到的整个偏移电压几乎消失。
附图说明
下面根据附图详细描述本发明的实施例。这些图不是按比例绘制的。如图所示：
图1对称垂直霍尔元件的剖面图，
图2对称垂直霍尔元件的平面图，
图3对称垂直霍尔元件的等效电路图，
图4集成了一个电阻的对称垂直霍尔元件，
图5集成了两个电阻的对称垂直霍尔元件，
图6带有附加电极的对称垂直霍尔元件，
图7通过注入离子用于构成N-型阱的掩模，
图8，9两个反并联的霍尔元件。
具体实施方式
图1和图2示出了一个对称垂直霍尔元件1的剖面图和平面图。霍尔元件1是利用CMOS工艺制造的，最好包括一个具有第一种导电类型的阱2，它嵌入到一个具有第二种导电类型的由硅制成的基片3中。霍尔元件1在表面上具有四个触点4-7，即两个内部触点5和6，以及两个外部触点4和7。触点4-7沿着一条直线8排列(图2)。两个内部触点5和6最好沿着直线8看去具有相同的宽度，两个外部触点4和7也最好宽度相等。阱2以及触点4-7的位置和大小是关于平面9对称的，平面9与直线8垂直，并位于两个内部触点5和6的中间。(由于工艺方面的原因，使两个内部触点5和6宽度相同、以及使两个外部触点4和7宽度相同是有意义的，但这并非绝对必要的。)
由于采用了硅，电子的移动性大于空穴的移动性，因此在霍尔元件1中使用N-型阱而不使用P-型阱是具有优点的。P-型阱也可以用于霍尔元件1，但是磁场传感器的敏感度将明显降低。
阱2的深度通常在5μm左右。由于阱2的掺杂不是均匀的，而是随着深度增加呈指数减少，因此绝大部分电流在霍尔元件1的表面下方在一个通常只有1-2μm厚的薄层中流动。因此阱2对霍尔元件1的电磁特性起作用的有效深度teff只有大约1-2μm。霍尔元件1的长度L由阱2的长度决定。该长度基本上与外部触点4和7的外缘10和11之间的距离相一致。与深度t或有效深度teff相比，长度L很大。霍尔元件1的电气特性可以通过一个由四个电阻R1到R4组成的电阻桥来表示。为了便于理解，图1中两个触点之间主要的电阻分别通过一个电阻符号R1到R4和一条连接对应于该电阻的触点的连线来表示。
图3示出了由霍尔元件1的四个电阻R1到R4组成的电阻桥的电路图。当霍尔元件1用作磁场传感器时，电流总是在两个不相邻的触点之间流过，例如在触点4和6之间或者触点5和7之间。从电气角度来看，当四个电阻R1到R4的阻值相等时，霍尔元件1被视为处于理想状态。在这种情况下，当经由触点4和6对霍尔元件1供电时，用作电压触点的触点5和7具有相同的电势，即电势为供电电压的一半。此外，电压触点之间的电压等于零，即不存在偏移电压。当经由触点5和7对霍尔元件1供电时，触点4和6用作电压触点，上述结果同样有效。
出于几何的原因，电阻R1到R3的大小相等。电阻R2可通过增大或减小内部触点5和6之间的间距来改变。通过适当选择触点4-7的位置和大小，可以使得R1＝R2＝R3基本成立。而且，电阻R4大于其他电阻R1、R2和R3也是成立的。为了平衡此电阻桥，根据本发明，建议设置另一个与电阻R4并联的电阻R5，其值被限定为使得R1＝R2＝R3＝R4||R5近似有效。电阻R5例如是一个外部电阻，但是电阻R5最好嵌在霍尔元件1的阱2中，或者作为一个独立的N-型阱来实现。在这种情况下，其优点在于电阻R5具有与电阻R1、R2、R3和R4相同的温度系数，从而即使在温度改变时此电阻桥仍然能保持平衡。
图4和图5给出了电阻R5嵌在霍尔元件1的阱2中的两个例子。为了便于理解，两个触点之间的主要的电阻也是通过一个电阻符号和一条连接相应触点的连线来表示。在图4所示的例子中，另一个触点12设置在触点4的旁边，并通过一个完全用示意图表示的导线通路13与触点7相连接。在图5所示的例子中，另一个触点12设置在触点4的旁边，另一个触点14设置在触点7的旁边，其中这两个附加的触点12和14也通过一个仅以示意图表示的导线通路13相连接。因此在这个例子中，电阻R5不是通过单个电阻实现，而是通过两个值为1/2R5的电阻来实现。
对霍尔元件的小型化产生限制的原因在于：必须保持两个内部触点5和6之间的与工艺有关的最小距离。如今，此最小距离大约是0.8μm。因此电阻R2不能低于一个由所使用的工艺决定的特定值。下面，进一步举例说明如何增大或减少电阻R1至R3。
在图6所示的例子中，三个电极15-17排列在触点4-7之间，这些电极例如可以像MOSFET的门电极一样由多晶硅制成。电极15-17例如通过一个薄氧化层与N-型阱相隔离，从而与N-型阱2电绝缘。在霍尔元件1工作时，电极15至17中的每一个相对于N-型阱2用一个预定的电压来偏置。电极15和17用相同的电压来偏置，而电极16用极性相反的电压来偏置。电极相对于N-型阱2的偏置有如下影响：电极下方区域中的电荷载流子密度会根据偏压的符号提高或降低。如果要提高电荷载流子密度，电极的偏压就必须和阱2的电荷载流子的类型相反。当阱2是N-型时，则电极的偏压必须相对于阱2的电势来说是正的。如果要降低电荷载流子密度，电极的偏压就必须和阱2的电荷载流子的类型相同。当阱2是N-型时，则电极的偏压必须相对于阱2的电势来说是负的。
也可以只提供一个电极来代替这三个电极15、16和17，即只在内部触点5和6之间提供一个电极16，或者只提供两个电极15和17，它们分别设置在一个内部触点和一个外部触点之间。此外，在图4的例子中也提供一个设置在触点4和12之间的额外的电极，或者在图5的例子中也可以提供两个设置在触点4和12之间及触点7和14之间的两个额外的电极。通过选择施加到各个电极上的偏压的大小和符号，电阻R1至R5可以在一定范围内变化。因此提供了电子电压源，其在同一个半导体芯片中作为霍尔元件1来实现，这样要施加到各个电极上的偏压是在一个校准步骤中一次确定的，从而最优地平衡由电阻R1至R5组成的电阻桥。
另一种增大或减小给定了触点4-7的位置和大小的电阻R1至R3的方法在于：通过局部注入更多或更少的离子来增大或减少电荷载流子密度。图7详细说明了这种可能的方法。触点4-7通过由虚线18限定的区域来表示。在形成N-型阱2时，一个掩模19用于离子注入，其不是具有一个对应于阱2大小的单个开口20，而是具有一个包含局部岛状物21的开口20，这些岛状物覆盖了开口20的一部分，以使N-型阱2的掺杂局部变化。岛状物21的尺寸选得非常小，使得由岛状物21分割开的区域可以在离子注入之后的扩散时连接到N-型阱2。因此，在两个内部触点5和6之间的区域内阱2的掺杂不同于在一个内部触点和一个相邻的外部触点之间的区域内阱2的掺杂。
图8和图9描述了另一种可以在很大程度上平衡由电阻R1至R5组成的电阻桥的方法：即通过两个的霍尔元件1和1’的并联连接，这两个霍尔元件相互平行设置，从而可以测量相同的磁场分量。流经这两个霍尔元件1和1’的电流的方向用箭头来示意性地表示，箭头从供给电流的触点指向放电的触点。第一个霍尔元件1的触点4-7和第二个霍尔元件1’的触点4’-7’通过示意性表示的导线通路13成对连线。配线必须满足如下两个准则：首先，通过磁场产生的两个霍尔元件1和1’的霍尔电压必须同向，否则磁场传感器不能“发现”磁场。当两个电流触点通过一个指示电流方向的箭头连接时，有一个电压触点总是位于该箭头的左边，一个电压触点位于该箭头的右边。此时同向意味着两个霍尔元件1和1’的位于相应箭头左边的两个电压触点必须连接在一起，两个霍尔元件1和1’的位于相应箭头右边的两个电压触点也必须连接在一起。如果两个霍尔元件1和1’没有连线，那么在第一个霍尔元件1中，两个电压触点5和7中的一个将承载高于另一个电压触点的电势，因为电阻R4大于其他电阻R1、R2和R3。同样地，在第二个霍尔元件1’中，两个电压触点4’和6’中的一个将承载高于另一个电压触点的电势，因为这里电阻R4’也大于其他电阻R1’、R2’和R3’。在图8给出的例子中——即根据图8所示的电流方向——第一个霍尔元件1的电压触点7承载的电势高于电压触点5，第二个霍尔元件1’的电压触点4’承载的电势高于电压触点6’。其次，现在这两个霍尔元件1和1’的电压触点7，5，4’和6’将按如下方法配线：第一个霍尔元件1的承载较高电势的电压触点7被连接到第二个霍尔元件1’的承载较低电势的电压触点6’。按照这种配线，流经两个霍尔元件1和1’的电流将按如下方式分布：随着磁场的消失，第一个霍尔元件1的电压触点7和5之间施加的电压，即所谓的偏移电压，将远远小于没有按上述方法连接第二个霍尔元件1’时的情况。在图8所示的例子中，第一个霍尔元件1的触点4-7和第二个霍尔元件1’的触点4’-7’通过如下方式成对连线：触点4与触点7’相连，触点5与触点4’相连，触点6与触点5’相连，触点7与触点6’相连，使得这两个霍尔元件1和1’中的电流总是从一个内部触点流向一个不相邻的外部触点，但方向相反。
在图9给出的例子中，电流沿着相同的方向流动：在第一个霍尔元件1中，电流从一个内部触点流向不相邻的外部触点，而在第二个霍尔元件1’中，电流从一个外部触点流向不相邻的内部触点。第一个霍尔元件1的触点4-7和第二个霍尔元件1’的触点4’-7’通过如下方式成对连线：触点4与触点5’相连，触点5与触点6’相连，触点6与触点7’相连，触点7与触点4’相连，从而满足上面的两个准则。
到目前为止描述的实施例里，对称垂直霍尔元件1内嵌于N-型阱2中，该阱是通过离子注入和后来的扩散在一个P-型基片中生成的。这一工艺通常设计为CMOS工艺。但是，也可以使用双极工艺来取代CMOS工艺，使对称垂直霍尔元件1嵌入到一个外延层的绝缘区域中。这样一个绝缘区域也可以设计成N-型阱。双极工艺产生的N-型阱是由杂质原子均匀掺杂的，而CMOS工艺产生的N-型阱的掺杂是不均匀的。

Claims (15)

1.具有一个霍尔元件(1)的磁场传感器，所述霍尔元件具有沿着一条直线(8)排列的两个内部触点(5，6)和两个外部触点(4，7)，其中两个内部触点(5，6)具有相同的宽度，两个外部触点(4，7)具有相同的宽度，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，所述的阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且两个外部触点(4，7)通过电阻相连接。
2.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述电阻由具有第一种导电类型的阱构成。
3.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述电阻在霍尔元件(1)的阱(2)中形成，并具有在对着阱(2)的相邻边缘的一侧设置在霍尔元件(1)的两个外部触点之一(4)的旁边的触点(12)。
4.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述电阻在霍尔元件(1)的阱(2)中形成，并具有分别在对着阱(2)的相邻边缘的一侧位于霍尔元件(1)的两个外部触点之一(4，7)的旁边的两个触点(12，14)，所述电阻的这两个触点(12，14)通过一个导线通路(13)相连接。
5.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，在两个触点之间设置了至少一个与阱(2)电绝缘的电极(15，16，17)。
6.根据权利要求2所述的磁场传感器，其特征在于，在两个触点之间设置了至少一个与阱(2)电绝缘的电极(15，16，17)。
7.根据权利要求3所述的磁场传感器，其特征在于，在两个触点之间设置了至少一个与阱(2)电绝缘的电极(15，16，17)。
8.根据权利要求4所述的磁场传感器，其特征在于，在两个触点之间设置了至少一个与阱(2)电绝缘的电极(15，16，17)。
9.根据权利要求1所述的磁场传感器，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，该阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且在两个内部触点(5，6)之间的区域内的阱(2)的掺杂不同于在一个内部触点和一个外部触点之间的区域内的阱(2)的掺杂。
10.根据权利要求2所述的磁场传感器，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，该阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且在两个内部触点(5，6)之间的区域内的阱(2)的掺杂不同于在一个内部触点和一个外部触点之间的区域内的阱(2)的掺杂。
11.根据权利要求3所述的磁场传感器，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，该阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且在两个内部触点(5，6)之间的区域内的阱(2)的掺杂不同于在一个内部触点和一个外部触点之间的区域内的阱(2)的掺杂。
12.根据权利要求4所述的磁场传感器，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，该阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且在两个内部触点(5，6)之间的区域内的阱(2)的掺杂不同于在一个内部触点和一个外部触点之间的区域内的阱(2)的掺杂。
13.具有一个霍尔元件(1)的磁场传感器，所述霍尔元件具有沿着一条直线(8)排列的两个内部触点(5，6)和两个外部触点(4，7)，其中两个内部触点(5，6)具有相同的宽度，两个外部触点(4，7)具有相同的宽度，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，所述的阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，并存在至少一个电极(15，16，17)，所述电极和阱(2)是电绝缘的，其中所述至少一个电极(15，16，17)设置在两个触点之间。
14.具有一个霍尔元件(1)的磁场传感器，所述霍尔元件具有沿着一条直线(8)排列的两个内部触点(5，6)和两个外部触点(4，7)，其中两个内部触点(5，6)具有相同的宽度，两个外部触点(4，7)具有相同的宽度，其特征在于，所述触点排列在一个具有第一种导电类型的阱(2)的表面上，所述的阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，而且在两个内部触点(5，6)之间的区域内阱(2)的掺杂不同于在一个内部触点和一个外部触点之间的区域内阱(2)的掺杂。
15.具有第一个霍尔元件和第二个霍尔元件的磁场传感器，其中每个霍尔元件分别具有沿着各自的直线排列的两个内部触点和两个外部触点，其中两个内部触点具有相同的宽度，两个外部触点具有相同的宽度，其特征在于，第一个霍尔元件的触点排列在具有第一种导电类型的第一个阱的表面上，该阱嵌在一个具有第二种导电类型的基片(3)中，第一个霍尔元件的两个外部触点通过一个电阻相连接；第二个霍尔元件的触点排列在具有第一种导电类型的第二个阱的表面上，该阱嵌在所述基片(3)中，第二个霍尔元件的两个外部触点通过另一个电阻相连接；这两个霍尔元件的所述直线相互平行，并且这两个霍尔元件的触点通过导线通路(13)按如下方式来连线：这两个霍尔元件的霍尔电压是同向的。
CNB028295846A 2002-09-10 2002-09-10 带有霍尔元件的磁场传感器 Expired - Lifetime CN100388523C (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CH2002/000497 WO2004025742A1 (de) 2002-09-10 2002-09-10 Magnetfeldsensor mit einem hallelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1669159A CN1669159A (zh) 2005-09-14
CN100388523C true CN100388523C (zh) 2008-05-14

Family

ID=31983651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028295846A Expired - Lifetime CN100388523C (zh) 2002-09-10 2002-09-10 带有霍尔元件的磁场传感器

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7872322B2 (zh)
EP (1) EP1540748B9 (zh)
JP (1) JP4624787B2 (zh)
KR (1) KR101016836B1 (zh)
CN (1) CN100388523C (zh)
AT (1) ATE506705T1 (zh)
AU (1) AU2002322971A1 (zh)
DE (1) DE50215023D1 (zh)
WO (1) WO2004025742A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750591B (zh) * 2008-11-28 2014-07-23 迈来芯科技有限公司 垂直霍尔传感器
CN105261697A (zh) * 2014-07-11 2016-01-20 塞尼斯公司 垂直霍尔器件

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4553714B2 (ja) * 2004-12-14 2010-09-29 Ｎｔｎ株式会社 回転検出装置および回転検出装置付き軸受
WO2006064687A1 (ja) * 2004-12-14 2006-06-22 Ntn Corporation 回転検出装置およびこれを備えた軸受
US7525309B2 (en) * 2005-12-30 2009-04-28 Depuy Products, Inc. Magnetic sensor array
US8862200B2 (en) * 2005-12-30 2014-10-14 DePuy Synthes Products, LLC Method for determining a position of a magnetic source
US20070161888A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-12 Sherman Jason T System and method for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
US20070167741A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-19 Sherman Jason T Apparatus and method for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
US8068648B2 (en) * 2006-12-21 2011-11-29 Depuy Products, Inc. Method and system for registering a bone of a patient with a computer assisted orthopaedic surgery system
CN101290946B (zh) * 2007-04-19 2011-12-28 无锡博赛半导体技术有限公司 减小霍尔集成电路失调电压方法及其装置
EP2000813A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-10 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne Magnetic field sensor for measuring a direction of a magnetic field in a plane
GB0724240D0 (en) 2007-12-12 2008-01-30 Melexis Nv Twin vertical hall sensor
EP2108966A1 (en) 2008-04-08 2009-10-14 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Current sensor and assembly group for current measurement
US7936029B2 (en) * 2009-02-19 2011-05-03 Allegro Microsystems, Inc. Hall effect element having a hall plate with a perimeter having indented regions
US8093891B2 (en) * 2009-03-02 2012-01-10 Robert Bosch Gmbh Vertical Hall Effect sensor
EP2234185B1 (en) 2009-03-24 2012-10-10 austriamicrosystems AG Vertical Hall sensor and method of producing a vertical Hall sensor
EP2402779A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-04 Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. Hall sensor system
JP5815986B2 (ja) * 2010-07-05 2015-11-17 セイコーインスツル株式会社 ホールセンサ
JP5679906B2 (ja) * 2010-07-05 2015-03-04 セイコーインスツル株式会社 ホールセンサ
JP5411818B2 (ja) * 2010-08-26 2014-02-12 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
US8786279B2 (en) 2011-02-25 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Circuit and method for processing signals generated by a plurality of sensors
US9062990B2 (en) 2011-02-25 2015-06-23 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall magnetic field sensing element and method with a plurality of continuous output signals
CH704689B1 (de) 2011-03-24 2016-02-29 X Fab Semiconductor Foundries Vertikaler Hallsensor und Verfahren zur Herstellung eines vertikalen Hallsensors.
US8729890B2 (en) 2011-04-12 2014-05-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic angle and rotation speed sensor with continuous and discontinuous modes of operation based on rotation speed of a target object
US8860410B2 (en) 2011-05-23 2014-10-14 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing a signal generated by a plurality of measuring devices
US8890518B2 (en) 2011-06-08 2014-11-18 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for self-testing a circular vertical hall (CVH) sensing element and/or for self-testing a magnetic field sensor that uses a circular vertical hall (CVH) sensing element
US8988072B2 (en) * 2011-07-21 2015-03-24 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor with high electrical symmetry
US9007060B2 (en) 2011-07-21 2015-04-14 Infineon Technologies Ag Electronic device with ring-connected hall effect regions
US8357983B1 (en) 2011-08-04 2013-01-22 Allegro Microsystems, Inc. Hall effect element having a wide cross shape with dimensions selected to result in improved performance characteristics
US8793085B2 (en) 2011-08-19 2014-07-29 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for automatically adjusting a magnetic field sensor in accordance with a speed of rotation sensed by the magnetic field sensor
US8922206B2 (en) 2011-09-07 2014-12-30 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensing element combining a circular vertical hall magnetic field sensing element with a planar hall element
US9103868B2 (en) 2011-09-15 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensors
DE102012216388A1 (de) 2011-09-16 2013-03-21 Infineon Technologies Ag Hall-sensoren mit erfassungsknoten mit signaleinprägung
US9285438B2 (en) 2011-09-28 2016-03-15 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing signals generated by a plurality of magnetic field sensing elements
DE102011115566A1 (de) 2011-10-10 2013-04-11 Austriamicrosystems Ag Hall-Sensor
US8922207B2 (en) 2011-11-17 2014-12-30 Infineon Technologies Ag Electronic device comprising hall effect region with three contacts
US9046383B2 (en) 2012-01-09 2015-06-02 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods that use magnetic field sensors to identify positions of a gear shift lever
US9312472B2 (en) 2012-02-20 2016-04-12 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with electrical 180 degree symmetry
US9182456B2 (en) 2012-03-06 2015-11-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for sensing rotation of an object
US10215550B2 (en) 2012-05-01 2019-02-26 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensors having highly uniform magnetic fields
US9484525B2 (en) 2012-05-15 2016-11-01 Infineon Technologies Ag Hall effect device
US20130314075A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Udo Ausserlechner Offset error compensation systems and methods in sensors
US9274183B2 (en) 2012-06-22 2016-03-01 Infineon Technologies Ag Vertical hall device comprising first and second contact interconnections
US8981504B2 (en) 2012-06-22 2015-03-17 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor with series-connected hall effect regions
US8723515B2 (en) 2012-07-05 2014-05-13 Infineon Technologies Ag Vertical hall sensor circuit comprising stress compensation circuit
US9018948B2 (en) 2012-07-26 2015-04-28 Infineon Technologies Ag Hall sensors and sensing methods
US9170307B2 (en) 2012-09-26 2015-10-27 Infineon Technologies Ag Hall sensors and sensing methods
US9417295B2 (en) 2012-12-21 2016-08-16 Allegro Microsystems, Llc Circuits and methods for processing signals generated by a circular vertical hall (CVH) sensing element in the presence of a multi-pole magnet
US8749005B1 (en) 2012-12-21 2014-06-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and method of fabricating a magnetic field sensor having a plurality of vertical hall elements arranged in at least a portion of a polygonal shape
US9606190B2 (en) 2012-12-21 2017-03-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor arrangements and associated methods
US9252354B2 (en) 2013-01-29 2016-02-02 Infineon Technologies Ag Vertical hall device with highly conductive opposite face node for electrically connecting first and second hall effect regions
US9548443B2 (en) 2013-01-29 2017-01-17 Allegro Microsystems, Llc Vertical Hall Effect element with improved sensitivity
US9164155B2 (en) 2013-01-29 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Systems and methods for offset reduction in sensor devices and systems
US9389060B2 (en) 2013-02-13 2016-07-12 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide an angle error correction module
US9377285B2 (en) 2013-02-13 2016-06-28 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide varying current spinning phase sequences of a magnetic field sensing element
US9362485B2 (en) * 2013-03-14 2016-06-07 Robert Bosch Gmbh Vertical hall effect sensor with offset reduction using depletion regions
US9099638B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect element with structures to improve sensitivity
US9400164B2 (en) 2013-07-22 2016-07-26 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that provide an angle correction module
US9252355B2 (en) 2013-09-06 2016-02-02 Robert Bosch Gmbh Low offset and high sensitivity vertical hall effect sensor
US9312473B2 (en) 2013-09-30 2016-04-12 Allegro Microsystems, Llc Vertical hall effect sensor
US9574867B2 (en) 2013-12-23 2017-02-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that inject an error correction signal into a signal channel to result in reduced error
US10120042B2 (en) 2013-12-23 2018-11-06 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor and related techniques that inject a synthesized error correction signal into a signal channel to result in reduced error
US9547048B2 (en) 2014-01-14 2017-01-17 Allegro Micosystems, LLC Circuit and method for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in a circle
US10649043B2 (en) 2014-04-28 2020-05-12 Infineon Technologies Ag Magnetic field sensor device configured to sense with high precision and low jitter
US9753097B2 (en) 2014-05-05 2017-09-05 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and associated methods with reduced offset and improved accuracy
US9316705B2 (en) 2014-05-09 2016-04-19 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect-device
US9425385B2 (en) 2014-05-09 2016-08-23 Infineon Technologies Ag Vertical hall effect device
US9448288B2 (en) 2014-05-20 2016-09-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy resulting from a digital potentiometer
US9605983B2 (en) 2014-06-09 2017-03-28 Infineon Technologies Ag Sensor device and sensor arrangement
US9823168B2 (en) 2014-06-27 2017-11-21 Infineon Technologies Ag Auto tire localization systems and methods utilizing a TPMS angular position index
GB2531536A (en) * 2014-10-21 2016-04-27 Melexis Technologies Nv Vertical hall sensors with reduced offset error
US9823092B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor providing a movement detector
US9766303B2 (en) * 2014-11-18 2017-09-19 Infineon Technologies Ag Systems and arrangements of three-contact hall-effect devices and related methods
US9638766B2 (en) 2014-11-24 2017-05-02 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy resulting from a variable potentiometer and a gain circuit
US9684042B2 (en) 2015-02-27 2017-06-20 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor with improved accuracy and method of obtaining improved accuracy with a magnetic field sensor
US9638764B2 (en) 2015-04-08 2017-05-02 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for driving a hall effect element with a current compensated for substrate stress
US11163022B2 (en) 2015-06-12 2021-11-02 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor for angle detection with a phase-locked loop
US10481220B2 (en) 2016-02-01 2019-11-19 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with signal processing and arctangent function
US9739847B1 (en) 2016-02-01 2017-08-22 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with signal processing
US9739848B1 (en) 2016-02-01 2017-08-22 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with sliding integration
US10107873B2 (en) 2016-03-10 2018-10-23 Allegro Microsystems, Llc Electronic circuit for compensating a sensitivity drift of a hall effect element due to stress
US10385964B2 (en) 2016-06-08 2019-08-20 Allegro Microsystems, Llc Enhanced neutral gear sensor
US10585147B2 (en) 2016-06-14 2020-03-10 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having error correction
US10162017B2 (en) 2016-07-12 2018-12-25 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for reducing high order hall plate sensitivity temperature coefficients
US10739164B2 (en) 2017-01-27 2020-08-11 Allegro Microsystems, Llc Circuit for detecting motion of an object
US10495701B2 (en) 2017-03-02 2019-12-03 Allegro Microsystems, Llc Circular vertical hall (CVH) sensing element with DC offset removal
JP6841692B2 (ja) * 2017-03-13 2021-03-10 エイブリック株式会社 磁気センサ回路
US10520559B2 (en) 2017-08-14 2019-12-31 Allegro Microsystems, Llc Arrangements for Hall effect elements and vertical epi resistors upon a substrate
JP7072416B2 (ja) * 2018-03-26 2022-05-20 エイブリック株式会社 半導体装置
US10823586B2 (en) 2018-12-26 2020-11-03 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having unequally spaced magnetic field sensing elements
US11280637B2 (en) 2019-11-14 2022-03-22 Allegro Microsystems, Llc High performance magnetic angle sensor
US11237020B2 (en) 2019-11-14 2022-02-01 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor having two rows of magnetic field sensing elements for measuring an angle of rotation of a magnet
US11802922B2 (en) 2021-01-13 2023-10-31 Allegro Microsystems, Llc Circuit for reducing an offset component of a plurality of vertical hall elements arranged in one or more circles
US11473935B1 (en) 2021-04-16 2022-10-18 Allegro Microsystems, Llc System and related techniques that provide an angle sensor for sensing an angle of rotation of a ferromagnetic screw

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057890A (en) * 1988-09-21 1991-10-15 Lgz Landis & Gyr Zug Ag Hall element
CN1343889A (zh) * 2000-08-21 2002-04-10 桑特隆股份公司 检测磁场方向用的传感器

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037150A (en) * 1973-05-30 1977-07-19 Sergei Glebovich Taranov Method of and apparatus for eliminating the effect of non-equipotentiality voltage on the hall voltage
CH662905A5 (de) * 1983-12-19 1987-10-30 Landis & Gyr Ag Integrierbares hallelement.
CH668146A5 (de) 1985-05-22 1988-11-30 Landis & Gyr Ag Einrichtung mit einem hallelement in integrierter halbleitertechnologie.
CH669068A5 (de) 1986-04-29 1989-02-15 Landis & Gyr Ag Integrierbares hallelement.
JPH0311679A (ja) 1989-06-08 1991-01-18 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ホールデバイス
JPH0439973A (ja) * 1990-06-05 1992-02-10 Nissan Motor Co Ltd 半導体磁気センサ
US5179429A (en) * 1992-03-30 1993-01-12 Motorola, Inc. Magnetic field sensor with split collector contacts for high sensitivity
EP0590222A1 (en) * 1992-09-30 1994-04-06 STMicroelectronics S.r.l. Magnetic position sensor
JPH07193297A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Toshiba Corp ホール素子
US5548151A (en) * 1994-03-09 1996-08-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Hall element for detecting a magnetic field perpendicular to a substrate
US5572058A (en) * 1995-07-17 1996-11-05 Honeywell Inc. Hall effect device formed in an epitaxial layer of silicon for sensing magnetic fields parallel to the epitaxial layer
JP3624597B2 (ja) * 1996-12-10 2005-03-02 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
US6492697B1 (en) * 2000-04-04 2002-12-10 Honeywell International Inc. Hall-effect element with integrated offset control and method for operating hall-effect element to reduce null offset
DE10150955C1 (de) † 2001-10-16 2003-06-12 Fraunhofer Ges Forschung Vertikaler Hall-Sensor
US6903429B2 (en) * 2003-04-15 2005-06-07 Honeywell International, Inc. Magnetic sensor integrated with CMOS

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057890A (en) * 1988-09-21 1991-10-15 Lgz Landis & Gyr Zug Ag Hall element
CN1343889A (zh) * 2000-08-21 2002-04-10 桑特隆股份公司 检测磁场方向用的传感器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750591B (zh) * 2008-11-28 2014-07-23 迈来芯科技有限公司 垂直霍尔传感器
CN105261697A (zh) * 2014-07-11 2016-01-20 塞尼斯公司 垂直霍尔器件
CN105261697B (zh) * 2014-07-11 2019-08-06 塞尼斯公司 垂直霍尔器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN1669159A (zh) 2005-09-14
WO2004025742A1 (de) 2004-03-25
KR101016836B1 (ko) 2011-02-22
EP1540748B2 (de) 2016-01-20
DE50215023D1 (de) 2011-06-01
JP2005538553A (ja) 2005-12-15
KR20050088278A (ko) 2005-09-05
EP1540748A1 (de) 2005-06-15
US20060011999A1 (en) 2006-01-19
ATE506705T1 (de) 2011-05-15
EP1540748B1 (de) 2011-04-20
AU2002322971A1 (en) 2004-04-30
JP4624787B2 (ja) 2011-02-02
US7872322B2 (en) 2011-01-18
EP1540748B9 (de) 2018-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100388523C (zh) 带有霍尔元件的磁场传感器
US9784801B2 (en) Vertical hall sensor with high electrical symmetry
US4782375A (en) Integratable hall element
KR940001298B1 (ko) 집적회로에 집적가능한 홀소자를 구비한 장치
US11205748B2 (en) 3-contact vertical hall sensor elements connected in a ring and related devices, systems, and methods
US8766394B2 (en) System and method for manufacturing a temperature difference sensor
US7772661B2 (en) Hall-effect magnetic sensors with improved magnetic responsivity and methods for manufacturing the same
KR100583688B1 (ko) 반자성 콘택을 구비한 반도체 소자
GB2126009A (en) Magnetic field sensors
US7205622B2 (en) Vertical hall effect device
US6727563B1 (en) Offset-reduced hall element
JP2822951B2 (ja) 絶縁ゲート電界効果トランジスタの評価素子とそれを用いた評価回路および評価方法
US6744250B2 (en) Device for measuring the strength of a vector component of a magnetic field, current-measuring device and use of a field-effect transistor
US20020024109A1 (en) Integrated circuit and method for magnetic sensor testing
KR960000763Y1 (ko) 자기검출장치
EP3690467A1 (en) Semiconductor device
US11372061B2 (en) Hall effect sensor devices and methods of forming hall effect sensor devices
JP2004296469A (ja) ホール素子
WO2019073185A1 (en) MAGNETIC SENSORS
JP3583458B2 (ja) ホール素子
Choi et al. Design parameter optimization for Hall sensor application
CN107452811B (zh) 用于magfet传感器的自旋电流方法
Tikhonov An integrated magnetotransistor sensor
RU2097873C1 (ru) Двухстоковый моп-магнитотранзистор
JP3588476B2 (ja) ホール素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MELEC RAUXES TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SENTRON AG

Effective date: 20070615

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20070615

Address after: Swiss Bo Wei

Applicant after: Melexis Technologies S.A.

Address before: Swiss Swiss

Applicant before: Sun Chuo Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: MAILAIXIN TESENDELUO CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MEILAIKE SAISI TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20101009

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: SWITZERLAND BOWEI TO: TESSENDERLO, BELGIUM

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20101009

Address after: Patterson deleau Belgium

Patentee after: Core Co.,Ltd.

Address before: Berbere, Switzerland

Patentee before: Melexis Technologies S.A.

C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: MELEXIS TECHNOLOGIES SA

Free format text: FORMER NAME: MELEXIS TESSENDERLO NV

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Patterson deleau Belgium

Patentee after: MELEXIS TECHNOLOGIES N.V.

Address before: Patterson deleau Belgium

Patentee before: Core Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20080514

CX01 Expiry of patent term