JP2005523584A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005523584A5
JP2005523584A5 JP2003586922A JP2003586922A JP2005523584A5 JP 2005523584 A5 JP2005523584 A5 JP 2005523584A5 JP 2003586922 A JP2003586922 A JP 2003586922A JP 2003586922 A JP2003586922 A JP 2003586922A JP 2005523584 A5 JP2005523584 A5 JP 2005523584A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
silicon plate
copper
cut surface
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003586922A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005523584A (ja
JP4837894B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US10/247,722 external-priority patent/US6846726B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2005523584A publication Critical patent/JP2005523584A/ja
Publication of JP2005523584A5 publication Critical patent/JP2005523584A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4837894B2 publication Critical patent/JP4837894B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2003586922A 2002-04-17 2003-03-21 シリコン部品の形成方法 Expired - Fee Related JP4837894B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37348902P 2002-04-17 2002-04-17
US60/373,489 2002-04-17
US10/247,722 2002-09-20
US10/247,722 US6846726B2 (en) 2002-04-17 2002-09-20 Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers
PCT/US2003/008702 WO2003090263A1 (en) 2002-04-17 2003-03-21 Silicon parts for plasma reaction chambers

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010031747A Division JP2010157754A (ja) 2002-04-17 2010-02-16 プラズマ反応チャンバ用シリコン部品

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005523584A JP2005523584A (ja) 2005-08-04
JP2005523584A5 true JP2005523584A5 (enExample) 2006-05-18
JP4837894B2 JP4837894B2 (ja) 2011-12-14

Family

ID=32853019

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003586922A Expired - Fee Related JP4837894B2 (ja) 2002-04-17 2003-03-21 シリコン部品の形成方法
JP2010031747A Pending JP2010157754A (ja) 2002-04-17 2010-02-16 プラズマ反応チャンバ用シリコン部品

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010031747A Pending JP2010157754A (ja) 2002-04-17 2010-02-16 プラズマ反応チャンバ用シリコン部品

Country Status (9)

Country Link
EP (1) EP1497849B1 (enExample)
JP (2) JP4837894B2 (enExample)
KR (1) KR100954711B1 (enExample)
CN (1) CN100382230C (enExample)
AT (1) ATE472172T1 (enExample)
AU (1) AU2003220446A1 (enExample)
DE (1) DE60333088D1 (enExample)
IL (2) IL164439A0 (enExample)
TW (1) TWI279857B (enExample)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7482550B2 (en) * 2006-10-16 2009-01-27 Lam Research Corporation Quartz guard ring
JP2010519763A (ja) * 2007-02-22 2010-06-03 ハナ シリコン アイエヌシー プラズマ処理装置用シリコン素材の製造方法
US7942965B2 (en) * 2007-03-19 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method of fabricating plasma reactor parts
KR100922620B1 (ko) * 2007-08-24 2009-10-21 하나실리콘(주) 플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법
KR100922621B1 (ko) * 2007-08-24 2009-10-21 하나실리콘(주) 플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법
KR100918076B1 (ko) * 2007-08-24 2009-09-22 하나실리콘(주) 플라즈마 처리 장치용 실리콘 소재의 제조 방법
JP5567494B2 (ja) 2007-12-19 2014-08-06 ラム リサーチ コーポレーション 半導体真空処理装置用のコンポーネント・アセンブリ、アセンブリを結合する方法、及び、半導体基板を処理する方法
JP5265700B2 (ja) * 2007-12-19 2013-08-14 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理装置用の複合シャワーヘッド電極組立体
KR101485830B1 (ko) * 2013-12-30 2015-01-22 하나머티리얼즈(주) 내구성이 향상된 플라즈마 처리 장비용 단결정 실리콘 부품 및 이의 제조 방법
US9406534B2 (en) * 2014-09-17 2016-08-02 Lam Research Corporation Wet clean process for cleaning plasma processing chamber components
KR101984223B1 (ko) * 2014-10-22 2019-09-03 하나머티리얼즈(주) 반도체 공정용 플라즈마 장치의 일체형 상부 전극 및 이의 제조 방법
US9947558B2 (en) * 2016-08-12 2018-04-17 Lam Research Corporation Method for conditioning silicon part
KR102681928B1 (ko) * 2017-10-05 2024-07-04 램 리써치 코포레이션 실리콘 튜브들을 생성하기 위한 퍼니스들 (furnace) 및 몰드들 (mold) 을 포함하는 전자기 주조 시스템들
CN111900071A (zh) * 2020-07-17 2020-11-06 上海富乐德智能科技发展有限公司 半导体设备蚀刻装置硅电极部件的再生方法
KR102468583B1 (ko) * 2021-04-14 2022-11-22 주식회사 케이엔제이 에지링 내경 가공장치 및 방법
KR102494678B1 (ko) * 2021-04-14 2023-02-06 주식회사 케이엔제이 에지링 가공 시스템 및 방법
KR102498344B1 (ko) * 2021-04-14 2023-02-10 주식회사 케이엔제이 에지링 외경 가공장치 및 방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4666555A (en) * 1985-08-23 1987-05-19 Intel Corporation Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures
JPH033244A (ja) * 1989-05-30 1991-01-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体シリコン基板の熱処理方法
US5516730A (en) * 1994-08-26 1996-05-14 Memc Electronic Materials, Inc. Pre-thermal treatment cleaning process of wafers
US5643639A (en) * 1994-12-22 1997-07-01 Research Triangle Institute Plasma treatment method for treatment of a large-area work surface apparatus and methods
JPH08236505A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Sumitomo Sitix Corp プラズマエッチング装置用シリコン電極
JPH08274069A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Sumitomo Sitix Corp プラズマエッチング装置用シリコン電極装置
JPH08274068A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Sumitomo Sitix Corp プラズマエッチング装置用シリコン電極
JP2742247B2 (ja) * 1995-04-27 1998-04-22 信越半導体株式会社 シリコン単結晶基板の製造方法および品質管理方法
US5569356A (en) * 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
JP3789586B2 (ja) * 1996-03-04 2006-06-28 信越化学工業株式会社 静電チャック
JP3172671B2 (ja) * 1996-03-19 2001-06-04 信越化学工業株式会社 静電チャック
JPH1098015A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Komatsu Ltd ワイヤーソーのエンドレス接合方法
JP3298467B2 (ja) * 1997-07-18 2002-07-02 信越半導体株式会社 エピタキシャルウェーハの製造方法
JPH1154488A (ja) * 1997-08-04 1999-02-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 電極板
JPH1199463A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Hitachi Ltd 切断方法および装置
JP2000021852A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Hitachi Chem Co Ltd プラズマエッチング電極及びプラズマエッチング装置
US6073577A (en) * 1998-06-30 2000-06-13 Lam Research Corporation Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
JP2000135663A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Tottori Univ 被加工物自転型ワイヤソー及びウェハ製造方法
JP4367587B2 (ja) * 1998-12-01 2009-11-18 財団法人国際科学振興財団 洗浄方法
JP3744726B2 (ja) * 1999-06-08 2006-02-15 信越化学工業株式会社 シリコン電極板
US6451157B1 (en) * 1999-09-23 2002-09-17 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6890861B1 (en) * 2000-06-30 2005-05-10 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved particle performance
JP2002093777A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Nisshinbo Ind Inc ドライエッチング装置
JP2002068885A (ja) * 2000-08-28 2002-03-08 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコン製部品およびその表面金属不純物量の測定方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005523584A5 (enExample)
TWI360529B (en) Methods of finishing quartz glass surfaces and com
US6846726B2 (en) Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers
TW200910448A (en) Ashing apparatus
TWI279857B (en) Silicon parts having reduced metallic impurity concentration for plasma reaction chambers
KR20020084175A (ko) 2개의 알루미늄 함유 물체의 상호접합방법과,배킹플레이트물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는방법 및, 알루미늄을 함유한 물리적 증착타겟과배킹플레이트를 포함하는 구조물
TW201207916A (en) Method of cleaning support plate
TW200944331A (en) Surface treatment method, showerhead, treatment container, and treatment apparatus using same
CN106835054A (zh) 金刚石单晶表面金属化处理的方法
CN102652350A (zh) 从用于等离子体室内的上部电极清除金属污染物的方法
JP2003293126A (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JPH05230628A (ja) 金属膜形成装置、金属膜形成装置における金属材回収方法
JPH07180091A (ja) アルミニウム板、その製造方法及び該アルミニウム板を用いた防着カバー
RU2562185C1 (ru) Способ модификации поверхности изделий из титановых сплавов в вакууме
JP7087765B2 (ja) タンタル酸リチウム基板の製造方法
JP4113406B2 (ja) プラズマ処理装置内部品の製造方法及びプラズマ処理装置内部品
CN1638052A (zh) 衬底表面清洗方法、薄膜制造方法、半导体装置及其制法
JPH0878375A (ja) 炭化珪素製治具の洗浄方法
JP2007530788A (ja) 半導体被覆基板の製造方法
JPH0478030B2 (enExample)
JP2002270565A (ja) 実装基板表面処理方法と装置
JP2007109858A (ja) 配線基板及びその作製方法
RU2562187C1 (ru) Способ модификации поверхности изделий из титановых сплавов в тлеющем разряде
JP2000109989A (ja) プラズマ処理装置の内壁保護部材
JP2736771B2 (ja) 金 型