KR20020084175A - 2개의 알루미늄 함유 물체의 상호접합방법과,배킹플레이트물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는방법 및, 알루미늄을 함유한 물리적 증착타겟과배킹플레이트를 포함하는 구조물 - Google Patents

2개의 알루미늄 함유 물체의 상호접합방법과,배킹플레이트물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는방법 및, 알루미늄을 함유한 물리적 증착타겟과배킹플레이트를 포함하는 구조물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 10,000pound/inch2보다 큰 결합강도로 알루미늄 함유 배킹플레이트에 접합된 알루미늄 함유 물리적 증착 타겟를 포함한다. 또한, 본 발명은 알루미늄이 함유된 제1 물체를 알루미늄이 함유된 제2 물체에 접합시키는 방법을 포함한다. 상기 알루미늄이 함유된 제1 물체는 제1 면을 가지며, 상기 알루미늄이 함유된 제2 물체는 제2 면을 갖는다. 상기 제1 면과 제2 면 중 적어도 하나는 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 노출되고, 이어 상기 제1 면이 상기 제2 면에 접촉시킨다. 상기 제1 물체가 상기 제2 물체에 접합되도록, 그 제1 및 제2 물체를 가압한다.
추가적으로, 본 발명은 배킹플레이트 물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는 방법을 포함한다. 상기 타겟 물질과 배킹플레이트물질은 물리적 접촉으로 상호 연결되고, 이어 상기 타겟 물질과 배킹플레이트물질을, (1)적어도 약 20초시간동안 적어도 약 4ksi의 제1 압력으로 유지되는 단계, (2) 적어도 약 0.5ksi만큼 새로운 압력으로 증가되는 단계 및, (3)적어도 약 20초 동안에 그 새로운 압력으로 유지되는 단계에 따라 순차적으로 진행되는 부하로 압축시킨다.

Description

2개의 알루미늄 함유 물체의 상호접합방법과, 배킹플레이트물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는 방법 및, 알루미늄을 함유한 물리적 증착타겟과 배킹플레이트를 포함하는 구조물{METHOD OF BONDING TWO ALUMINUM-COMPRISING MASSES TO ONE ANOTHER, METHOD OF BONDING A PHYSICAL VAPOR DEPSITION TARGET MATERIAL TO BACKING PALTE MATERIAL AND STRUCTURES COMPRISING ALUMINUM-COMPRISING PHYSICAL VAPOR DEPOSITION TARGET AND BACKING PLATES}
최근 물리적 증착 방법의 발전에 따라, 타겟과 배킹 플레이트 간의 견고한 접합이 보다 강하게 요구되어 왔다. 도1은 예시적인 스퍼터 증착 장치의 일부를 도시한다. 상기 장치(10)는 스퍼터링 타겟(14)이 접합된 배킹플레이트(12)를 포함한다. 반도체물질 웨이퍼(16)는 상기 장치(10) 내에 있으며, 상기 타겟(14)으로부터 이격되도록 제공된다. 스퍼터된 물질(18)은 타겟(14)으로부터 방출되며, 그 물질(18)은 상기 웨이퍼(16) 위에 피막(미도시)을 형성하는데 사용된다.
최근 스퍼터 설계의 발전과 함께, 타겟(14)과 반도체 물질 기판(16) 사이의 간격이 증가되고 있다. 이러한 간격의 증가는, 기판(16)에 수직으로 움직이지 않는 원자들을 스퍼터링 챔버의 측벽에 도달하게 함으로써, 타겟(14)이 기판(16)에 근접할 때에 얻을 수 있는 것보다 기판(16) 상에서 더 많은 방향성 스퍼터링(directional sputtering)을 얻을 수 있다. 특히, 상기 기판(16)은 종종 폭의 5배 이상의 깊이를 갖는(즉, 비교적 높은 임계크기를 갖는) 수직 홀 또는 슬롯(비아(via)로 알려져 있음)을 가질 수도 있다. 스퍼터링 타겟과 상기 비아를 갖는 기판 사이에 비교적 긴 간격이 존재하지 않으면, 임계크기를 갖는 비아 내에는 물질이 스퍼터되기 어렵다.
쇼트 쓰로우(short throw)기술에 비해 롱 쓰로우(long throw)기술이 커버리지(coverage)측면에서 장점이 있지만, 이는 복잡한 문제를 초래한다. 이와 같은 문제 중 하나는 롱 쓰로우 기술에 사용되는 추가적인 전력에 의해 야기된다. 이러한 추가적인 전력은 종래의 방법에서 보다 스퍼터링 타겟에 더 큰 열을 발생시킬 수 있다. 이러한 열은 배킹플레이트(12)와 타겟(14) 사이에 형성된 접합을 방해한다. 예를 들어, 타겟(14)이 배킹플레이트(12)에 솔더접합되었다면, 롱 쓰로우 스퍼터링 기술이 적용되는 동안에 발생하는 열은 그 솔더접합을 용융시키는데 충분하며, 실제로 배킹플레이트(12)로부터 타겟(14)을 분리시킬 수도 있다. 따라서, 솔더접합은 롱 쓰로우 스퍼터링 기술에는 적합하지 않을 수 있으며, 배킹플레이트에 물리적 증착 타겟을 접합시키기 위한 방법을 발전시키는 것이 요구된다.
본 발명은 배킹플레이트(backing plate)물질에 물리적 증착 타겟 물질을 접합하는 방법과, 2개의 알루미늄-함유 물체를 상호 접합시키는 방법에 관한 것이며, 나아가, 알루미늄-함유 배킹 플레이트에 접합된 알루미늄-함유 물리적 증착 타겟으로 이루어진 구조물에 관한 것이다.
도1은 종래의 스퍼터 증착 장치의 일부를 나타내는 개략도이다.
도2는 본 발명에 따른 방법을 도시한 흐름도이다.
도3은 타겟 물질에 가공경화를 적용하는 방법을 나타내는 개략도이다.
도4는 도3의 타겟 물질과 예비 접합단계에서 배킹플레이트를 나타내는 개략도이다.
도5는 도4의 단계에 후속되는 접합단계에서의 타겟 물질과 배킹플레이트를 나타내는 개략도이다.
도6은 종래의 방법(종래 공정이라고 표시됨)과 대비하여 본 발명의 방법(본 공정이라고 표시됨)에 따라 형성된 배킹플레이트의 강도를 비교하는 그래프이다.
도7은 타겟물질과 배킹플레이트물질을 압축하기 위한 본 발명의 부하 프로파일을 나타내는 그래프이다.
도8은 종래의 공정에 의해 얻어진 접합도에 대비하여, 본 발명의 방법으로 얻어진 접합도를 비교하는 그래프이다.
도9는 종래의 방법으로 얻어진 RAM 인장강도(종래의 공정이라고 표시됨)에 대비하여, 본 발명의 방법으로 얻어진 RAM 인장강도(본 공정이라고 표시됨)를 비교하는 그래프이다.
도10은 종래의 방법에 따라 형성된 배킹플레이트(종래의 공정이라고 표시됨)와, 본 발명의 방법에 따라 형성된 배킹플레이트(본 공정이라고 표시됨)에 대해서, 온도에 대한 항복강도의 의존성을 비교하는 그래프이다.
일 관점에서는, 본 발명은 10,000pound/inch2보다 큰 결합강도로 알루미늄 함유 배킹플레이트에 접합된 알루미늄 함유 물리적 증착 타겟를 포함한다.
다른 관점에서, 본 발명은 알루미늄이 함유된 제1 물체를 알루미늄이 함유된 제2 물체에 접합시키는 방법을 포함한다. 상기 알루미늄이 함유된 제1 물체는 제1 면을 가지며, 상기 알루미늄이 함유된 제2 물체는 제2 면을 갖는다. 상기 제1 면과 제2 면 중 적어도 하나는 HF 및 HNO3의 혼합물에 노출되고, 이어 상기 제1 면이 상기 제2 면에 접촉시킨다. 상기 제1 물체가 상기 제2 물체에 접합되도록, 그 제1 및 제2 물체를 가압한다.
또 다른 관점에서, 본 발명은 배킹플레이트 물질에 물리적 증착 타겟물질을 접합하는 방법을 포함한다. 상기 타겟 물질과 배킹플레이트물질은 물리적 접촉으로 상호 연결되고, 이어 상기 타겟 물질과 배킹플레이트물질을, (1)적어도 약 20초시간동안 적어도 약 4ksi의 제1 압력으로 유지되는 단계, (2) 적어도 약 0.5ksi만큼 새로운 압력으로 증가되는 단계 및, (3)적어도 약 20초 동안에 그 새로운 압력으로 유지되는 단계에 따라 순차적으로 진행되는 부하로 압축시킨다.
본 발명은 물질을 상호 접합시키는 방법을 포함하며, 특정 실시형태는 배킹플레이트 물질에 물리적 증착용 타겟 물질을 접합하는 방법을 포함한다.
본 발명에 따른 방법은 도2에서 흐름도로 설명되어 있다. 제1 단계(30)에서는, 타겟 물질에 가공경화(work hardening)가 행해진다. 예를 들어, 타겟 물질이 알루미늄을 함유하고 있다면, 가공경화는 초기 두께에서 제2 두께로 알루미늄을 압축함으로써 도입될 수 있다. 이러한 압축단계는 도3에 도시되어 있다. 여기서는, 압축과정을 나타내기 위해 제공된 화살표(52)와 함께, 압축되기 전, 후의 타겟(50)이 도시된다. 타겟(50)은 압축(52)되기 전에 제1 두께 "X" 를 갖고, 압축된 후 제2 두께 "Y"를 갖는다. 예를 들면, 이러한 압축은 냉간단조(cold forging) 또는 냉간압연(cold rolling)에 의해 이루어 질 수 있다. 예를 들면, 타겟(50)의 최종 두께(Y)는 타겟(50)의 제1 두께의 2% 미만(즉, 98% 압축)일 수 있으며, 일반적으로는 타겟(50)의 제1 두께의 약 40% 이하이다(즉, 60% 압축). 특정 실시형태에서는, 타겟(50)은 95% 압축이 적용될 수 있다(즉, 최종 두께 "Y"는 초기 두께 "X"의 5%가 되도록 압축됨).
예를 들어, 타겟(50)은 저순도 알루미늄에서부터 고순도 알루미늄까지를 함유하거나 그것으로 구성될 수 있다. 일례로, 타겟(50)은 알루미늄으로 구성된 알루미늄-함유 물체로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 타겟(50)은, 0%보다 큰 알루미늄 과, Si,Cu,Ge,Pb,Sn,Ag,Ga,Hf,Mg,Mn,Sc,Zn,B,Ba,Be,C,Ca,Cd,Ce,Co,Cr,Dy,Er,Fe,Gd, Ho,Ir,La,Lu,Mo,Nb,Nd,Ni,P,Pd,Pm,Pr,Pt,Pu,Rh,Ru,S,Sb,Se,Sm,Sr,Ta,Tb,Te,Ti,Tm,V,W,Y,Yb 및 Zr로 구성된 그룹으로 부터 선택된 다른 원소들 10%미만으로 구성된 알루미늄을 이루어질 수도 있다. 상기 소위 "다른 원소"는 단일원소형태일 수 있으며, 복합물 또는 조성물과 같은 다중원소물질의 형태일 수도 있다.
타겟(50)으로 사용될 수 있는 예시적인 물질은 구리 0.5%(중량당) 및 실리콘0.2%(중량당)을 포함한 고순도 알루미늄이다. 다른 예시적인 물질은 0%보다 크고 10%(중량당)미만인 구리와, 10%(중량당)미만인 실리콘을 갖는 알루미늄으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 타겟물질은 구리 0.5%(중량당)를 갖는 알루미늄으로 구성될 수 있다. 적절한 고순도 알루미늄 물질은, 99.995%의 순도,99.9995%의 순도,99.99995%의 순도와 같이, 순도가 99.95%이상인 알루미늄을 포함한다.
상기 타겟(50)의 물질은 직경 15인치미만인, 일반적으로 직경이 약 4인치 내지 9인치인 빌릿(billet)으로 주조될 수 있다. 상기 빌릿은 0.1인치 내지 10인치인, 일반적으로는 약 5인치 내지 10인치인 최초 두께를 갖는다. 타겟(50)의 압축 후, 최종적인 냉간가공된(cold-worked) 블랭크(blank)는 원하는 직경의 라운드 블랭크를 형성하도록 절단될 수 있다.
다시 도 2의 흐름도를 참조하면, 타겟은 배킹플레이트에 결합된다(도2의 단계(32)). 바람직하게는, 상기 타겟과 배킹플레이트는 존재할 수도 있는 오염물질을 제거하기 위해 연결되기 전에 세정된다.
상기 세정공정은 유기 세정 물질에 상기 타겟과 배킹플레이트를 노출시키는 단계로 이루어진다. 바람직하게는, 상기 세정공정은 약 0℃ 내지 100℃의 온도에서, HF와 HNO3로 이루어진 혼합물에 약 1초 내지 약 30분동안, 상기 타겟과 배킹플레이트 중 적어도 하나를 노출시키는 단계를 추가적으로 포함한다. 예를 들어, 약 15초 정도와 같은 약 30초미만 시간으로 거의 실온(즉, 약 15℃ 내지 25℃도의 온도)에서 노출시킬 수 있다.
HF/HNO3용액이 바람직한 짧은 노출시간동안에 알루미늄을 함유한 면 상에 유리한 영향을 주지만, 그 노출시간이 너무 길면, 그 산성용액에 의해 알루미늄 함유 물질이 에칭되거나 알루미늄 함유 물질에 피트(pit)가 형성될 수 있다. 적절한 노출시간의 길이는 HF/HNO3용액에 의해 영향을 받을 수 있다. 보다 상세하게는, 일반적으로 고온에서는 노출시간을 짧게 하며, 저온일수록 노출시간을 보다 길게 한다.
HF와 HNO3를 포함한 세정혼합물은 HF, HNO3와 H2O를 구성될 수 있으며, 특정 실시형태에서는, HF, HNO3와 H2O로만 구성될 수 있다. 이러한 혼합물은 예를 들어, 약 1 내지 10부피부(parts)의 농축 HF용액(여기서, 상기 농축 HF용액은 물에 48% 내지 51%의 불화수소산을 포함하며, "약"이라는 용어는 ±0.5%의 변화량를 나타냄)과, 약 27 내지 49.5부피부의 농축 HNO3(여기서, 상기 농축 HNO3용액은 물에 69% 내지 71%의 질산을 포함하며, "약"이라는 용어는 ±0.5%의 변화량을 나타냄)와, 약 40.5 내지 72부피부의 물을 혼합함으로서 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 농축 HF는 물에 약 48%의 HF를 포함할 수 있으며, 상기 농축 HNO3은 물에 약 70%의 HNO3을 포함할 수 있다. 상기 언급된 "부피부(parts)"는 부피에 의해 정의된다. 상기 혼합물의 여러 성분은 우선 물과 질산을 혼합한 뒤에 HF를 첨가하는 순서와 같이, 임의의 순서로 혼합될 수 있다. HNO3의 양이 0부가 아닌 경우를 제외하고는, HF, HNO3와 H2O의 부피부를 언급할 때에 사용된 "약"이라는 용어는 ±0.5%의 변화량을 나타낸다.
유익하게도, HF와 HNO3를 포함한 세정혼합물은 유기 및 무기물질을 제거할 수 있고, 결과적으로 알루미늄로 이루어진 표면과 그 위에 일반적인 여러 오염물 또는 불순물을 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 용액은 세정제로 인해 알루미늄으로 이루어진 표면 상에 잔류한 유기 오염물을 제거할 수 있다. 또한, 상기 혼합물은, 알루미늄-함유 물질에 존재하는 실리콘, 마그네슘 및 구리와 같은 일반 불순물뿐만 아니라, 다른 일반적인 불순물도 용해시킬 수 있다.
배킹플레이트에 타겟을 결합하는 방법은 도4 및 도5를 참조하여 설명된다. 도4를 참조하면, 도3에서 가공경화된 타겟(50)이 배킹플레이트(60) 위에 올려진 것으로 도시되어 있다. 도4의 배킹플레이트는 표면에 나선형 패턴으로 형성된 연속 채널(62)을 가진다. 결과적으로, 타겟(50)의 물질이 상기 채널(62)로 가해지도록, 배킹플레이트(60)에 타겟(50)을 가압시킬 것이다.
타겟(50)은 제1면(51)과 그에 대향하는 제2면(53)을 가지며, 배킹플레이트(60)는 제1면(61)과 그에 대향하는 제2면(63)을 갖는다. 결과적으로 타겟(50)의 면(51)은 배킹플레이트의 면(61)에 압축될 것이다.
바람직하게는, 상기 면(51,61)들이 압축되기 전에, 그 면(51,61) 중 적어도 하나는 HF/HNO3를 포함한 혼합물로 세정된다. 보다 바람직하게는, 상기 면들이 압축되기 전에, 그 두 면(51,61) 모두가 HF/HNO3를 포함한 혼합물로 세정된다. 면(51,61)은 동일한 용액으로 세정될 수 있으며, HF/HNO3를 포함한 서로 다른 용액으로도 세정될 수 있다는 것을 유념해야 한다. 또한, 예를 들어 상기 면(51)을 세정하는 공정은 타겟(50)의 면(51)에만 HF/HNO3로 이루어진 용액에 스프레이함으로써 그 면을 노출시킬 수 있다는 것을 유념해야 한다. 이와 달리, 전체 타겟(50)을 두 면(51,53)이 HF/HNO3세정액에 노출되도록 그 용액에 침지시킬 수도 있다. 이와 유사하게, 배킹플레이트(60)의 면(61)도 그 면 상에 HF/HNO3용액을 스프레이하거나, 두 면(61,63)이 HF/HNO3용액에 노출되도록 전체 배킹플레이트(60)를 그 용액에 침지시킴으로써 세정될 수 있다,
HF/HNO3용액이 상기 노출된 타겟(50) 또는 배킹플레이트(60) 중 소정의 면에서는 제거되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 이러한 제거과정은 탈이온수를 그 면에 스프레이함으로써 실행될 수 있다. 이어, 상기 탈이온수는 타겟(50)의 면(51)을 배킹플레이트(60)의 면(61)에 결합시키기 전에 건조시켜 그 표면들로부터 제거한다.
배킹플레이트(60)의 면(61)내에 채널을 형성한 전 또는 후에, 배킹플레이트(60)의 세정과정을 수행할 수 있다.
본 명세서에서는 알루미늄 함유 타겟물질 및 알루미늄 함유 배킹 플레이트를 처리하는 것을 참조하여 본 발명을 설명하고 있으나, 본 발명의 화학적 세정액이 배킹플레이트 및 물리적 증착 타겟 외에도 알루미늄 함유 물체를 세정하는데 사용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
타겟(50)은 고순도 알루미늄을 함유한 실시형태에서는, 배킹플레이트(60)도알루미늄을 함유하고 있으며, 특히, 예를 들어, 2000 시리즈, 5000 시리즈, 6000 시리즈 또는 7000 시리즈의 열처리 가능한 알루미늄 합금을 함유할 수 있다.예를 들어, 배킹플레이트(61)은 알루미늄을 포함하는 알루미늄 함유 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 배킹플레이트(60)는 0%보다 큰 알루미늄 과, Si,Cu,Ge,Pb,Sn,Ag,Ga,Hf,Mg,Mn,Sc,Zn,B,Ba,Be,C,Ca,Cd,Ce,Co,Cr,Dy,Er,Fe,Gd,Ho,Ir,La,Lu,Mo,Nb,Nd,Ni,P,Pd,Pm,Pr,Pt,Pu,Rh,Ru,S,Sb,Se,Sm,Sr,Ta,Tb,Te,Ti,Tm,V,W,Y,Yb 및 Zr로 구성된 그룹으로 부터 선택된, 10%미만의 다른 원소들로 구성된 알루미늄을 이루어질 수도 있다. 상기 소위 "다른 원소"는 단일원소형태일 수 있으며, 복합물 또는 조성물과 같은 다중원소물질의 형태일 수도 있다.
예시적인 응용형태에서는, 배킹플레이트(60)는 약 250 내지 800℉의 온도에서 약 10분 내지 1주동안 처리된 204-T351 알루미늄을 포함한다. 예를 들어, 상기 열처리과정은 약 350℃ 내지 400℃의 온도에 약 6시간 내지 12시간동안 노출시키는 단계를 포함한다. 통상적인 열처리과정은 약 375℉의 온도에 약 8시간동안 노출시키는 단계를 포함한다. 상기 온도처리과정은 2024-T351 알루미늄 물질을 강화시킬 수 있으며, 빌릿에서 배킹플레이트(60)을 성형하기 전 또는 후에 실행될 수 있다.
도6은 후술될 확산접합공정 후에, 종래의 방법(종래 공정이라고 표시됨)과 대비하여, 상기 설명된 온도처리과정(본 공정이라고 표시됨)에 따라 형성된 2024-T351 알루미늄을 포함하는 배킹플레이트의 강도를 비교하는 그래프이다. 상기 "본 공정"의 배킹플레이트는 "종래 공정"의 배킹플레이트보다 실질적으로 강고하다.
일반적으로, 배킹플레이트(60)에 타겟(50)을 접합시키는 제1 공정은, 타겟(50)과 플레이트(60)를 물리적 접촉으로 연결하는 단계이다. 도4의 화살표(54)는 배킹플레이트(60) 위로 타겟(50)이 내려오는 것을 도시함으로써 이러한 연결을 나타낸다. 도5는 배킹플레이트(60)에 접촉된 타겟(50)을 포함하는 어셈블리(70)를 도시한다. 상기 도시된 어셈블리(70)에서, 타겟(50)은 배킹플레이트(60)의 채널(62)(도4)을 덮는다. 배킹플레이트(60)가 타겟(50)보다 휠씬 단단한 실시형태에서는, 후속공정에서 상기 타겟의 연성물질이 단단한 배킹플레이트의 채널로 가압될 수 있다.
상기 어셈블리(70)는 배킹플레이트(60)와 타겟(50)의 물질로부터 산화물형성에 대해 불활성인 분위기에서 형성되거나 배치될 수 있다. 배킹플레이트(60)와 타겟(50)이 고순도 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 함유하는 실시형태에서는, 상기 불활성 분위기는 진공상태(10-2토르 내지 10-7의 적절한 진공상태)이거나, 불활성가스(예를 들어, 질소, 헬륨 및 아르곤 중 하나이상의 가스)로 구성될 수 있다. 이는 불황성가스를 챔버에 불어넣고 그 챔버가 진공되도록 인출시킴으로써 형성할 수 있다. 바람직하게는, 상기 불활성 분위기는 산화력이 있는 성분(예, 산소)을 포함하지 않는다. 이는 상기 산화력이 있는 성분이 반대로 배킹플레이트(60)와 타겟(50) 중의 하나 또는 그 모두의 물질에 바람직하지 않게 산화작용를 일으킬 수 있기 때문이다. 그러나, 상술된 HF/HNO3세정공정의 잇점은 알루미늄 함유 물질의 표면에서 산화성 불순물을 제거할 수 있다는 것이다. 예를 들어, HF/HNO3세정공정은 비교적쉽게 산화가능한 물질인 마그네슘을 알루미늄 함유 물체의 표면으로부터 제거할 수 있다. 특히 표면에 잔류한 물질이 HF/HNO3세정과정에서 제거되는 물질보다 덜 쉽게 산화되면, 비교적 쉽게 산화가능한 물질을 제거함으로써, 미량의 산소의 노출에 대해서도, 보다 견고한 물체를 유지할 수 있다.
결과적으로, 알루미늄 산화물과 용이하게 산화되는 물질을 제거하여, 알루미늄 함유 접합판에 알루미늄 함유 타겟 물질을 접합시키는 공정을 향상시킬 수 있다. 보다 상세하게, 알루미늄 함유 타겟과 알루미늄 함유 배킹플레이트 중 하나 또는 둘 모두의 표면에서 용이하게 산화되는 물질과 알루미늄산화물를 제거하여 접합공정에서 그 표면 사이에 보다 양호한 상호작용(예를 들어, 확산작용을 강화시킬 수 있음)을 허용할 수 있다.
도2의 흐름도를 다시 참조하면, 제3 단계에서는, 상기 연결된 배킹플레이트와 타겟을 열처리하여 그 배킹플레이트에 타겟을 접합시킨다. 타겟(50)과 배킹플레이트(60)가 고순도의 알루미늄을 함유한다면, 예를 들어 상기 열처리단계는 230℃ 내지 400℃(바람직하게는 300℃ 내지 350℃)의 온도로 상기 연결된 타겟과 배킹플레이트에 가열하고, 그 온도를 약 2분 내지 10시간 동안 유지하는 단계로 이루어질 수 있다. 상기 온도가 유지되는 시간 동안에, 타겟(50)과 배킹플레이트(60)는 약 4000 lbs/inch2(즉 4ksi)의 압력으로, 바람직하게는 약 8ksi을 초과하는 압력으로 단조장치(forge)에서 압축될 수 있다. 상기 타겟(50)과 배킹플레이트(60)의 압축과정은 도7에 개략적으로 도시된 부하프로파일에 따라 수행되는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는, 시점(T0)에서, 타겟과 배킹플레이트는 실질적으로 비가압상태에 해당하는 압력(P0)에 노출된다. 이어, 시점(T1)에서, 압축과정은 제1 압력(P1)에서 시작하여 램핑(ramping)된다. 상기 압력(P1)은 바람직하게는 약 4 ksi이며, 보다 바람직하게는 적어도 약 8 ksi이다. 압력(P1)은 보다 높은 압력(P2)으로 증가되는 시점(T2)까지 시간동안에 유지된다. 상기 압력(P2)은 바람직하게는 상기 압력(P1)보다 약 1 ksi정도 크며, 예를 들어, 상기 압력(P1)보다 적어도 약 2 ksi 크거나, 적어도 약 5ksi 클 수도 있다. 압력(P2)은 시점(T3)까지 유지되며, 그 시점(T3)에서 압력은 완화되어 시점(T4)까지 압력(P3)로 점차 감소하게 된다. T1과 T2사이의 시간은 바람직하게는 적어도 약 20초이며, 일반적으로는 약 1분정도이다. T2과 T3사이의 시간은 바람직하게는 적어도 약 20초이며, 일반적으로는 약 1분정도이다. T3과 T4사이의 시간은 바람직하게는 적어도 약 1분이며, 예를 들어, 약 2 내지 4분이고, 일반적으로는 약 2 또는 3분이다. 상기 압력(P3)은 일반적으로 압력(P1)보다 크며, 그 압력(P1)보다는 적어도 0.5 ksi가 크거나, 적어도 1 ksi가 크다. 시점(T4)에서, 상기 타겟과 배킹플레이트 상의 압력은 감소되어 P0로 복귀하게 된다.
P1,P2및 P3에 대한 바람직한 값은 타겟의 처리특성에 의존하여 변화하며, 도7의 부하프로파일은 직경 6인치인 타겟, 직경 8인치인 타겟, 직경 10인치인 타겟및 직경 12인치인 타겟을 포함하는 소정의 타겟 크기에 적용될 수 있다. 예를 들어, P1은 약 4 ksi 내지 10 ksi일 수 있으며, P2는 약 4 ksi 내지 30 ksi일 수 있고, P3은 약 4 ksi 내지 25 ksi일 수 있다. 특정 응용형태에서는, 예를 들어 P1은 약 8 ksi 내지 10 ksi일 수 있으며, P2는 약 12 ksi 내지 20 ksi일 수 있고, P3은 약 10 ksi 내지 15 ksi일 수 있다.
도7의 부하프로파일은 시점(T1과 T2)에서 발생하는 2단계 압력램핑(pressure ramping)에서 종래의 부하프로파일과 상이하다. 종래의 부하프로파일에서는, 타겟/배킹 플레이트 구조물 상의 압력은 원하는 압력으로 램핑되고, 이러한 압력은 그 타겟/배킹플레이트가 압축되는 시간동안에 유지되거나, 약간 감소된다.
알루미늄을 함유한 타겟에 접합된 배킹플레이트를 형성하는 구조물을 처리하기 위한 열처리 과정의 일례는 다음과 같다. 우선, 배킹플레이트에 연결된 타겟을 포함하는 어셈블리를 약 280℃ 내지 약 400℃(바람직하게는 약 300℃ 내지 약 350℃)의 온도로 가열하며, 상기 온도를 2 내지 10시간 동안 유지한다. 이어, 역시약 280℃ 내지 약 400℃의 온도가 유지되는 단조장치로 상기 어셈블리를 이송시킨다. 상기 단조장치는 도7을 참조하여 상기 설명된 바람직한 부하절차를 이용하여 8톤/in2를 초과하는 압력으로 타겟(50)과 배킹플레이트(60)를 압착하는데 사용된다. 타겟과 배킹플레이트를 압착한 후, 상기 어셈블리를 다시 약 280℃ 내지 약 400℃의 온도를 갖는 가열로로 이송하고, 그 온도에서 약 2분 내지 약 10시간동안 유지한다.
상기 설명된 예시적인 방법은 확산접합(타겟(50)과 배킹플레이트(60) 사이의 고체상태의 알루미늄 확산)뿐만 아니라, 타겟(50)에서 평균 50마이크론의 입경을 갖는 입자를 형성할 수 있다. 이러한 입자는 도3의 압착동안 타겟에 인가되는 냉간가공에 의해 형성된다. 일반적으로, 상기 입자의 형성과정은 세가지 구별되는 단계를 포함한다. 상기 입자형성과정의 제1 단계는, 가장 심하게 변형된 부분에서 스트레스가 해소되는 복구과정이다. 상기 입자형성과정의 제2 단계는, 타겟(50)에서, 압력을 받지 않는(strain-free), 작고 새로운 입자를 형성하는 냉간가공된 입자 재결정과정이다. 마지막으로, 제3 단계는, 온도와 그 온도에서의 노출시간에 따라서, 새로운 입자의 입자성장 과정이다. 바람직하게는, 타겟(50)은 도3의 단계에서 가공경화되는 시간부터 열처리에 노출될 때까지 약 200℃이상의 온도에 노출되지 않는다. 따라서, 타겟(50)의 실질적인 전체 입자형성과정은 타겟(50)과 배킹플레이트(60)를 열처리과정에서 발생된다. 열처리 동안 발생하는 재결정화 및 결정 성장을 언급할 때에는, 열처리 이전의 과정 및 타겟(50)을 세정하는 동안에 230℃ 미만의 온도에서 발생할 수도 있는, 작으면서 영향이 있는 미량의 재결정화 및 입자성장을 나타내기 위해, "전체(entirety)"의 재결정화 및 입자성장이라는 문구보다는, "실질적인 전체(substantial entirety)"라는 문구를 사용한다.
상기 열처리 방법을 수행하기 위한 특정 방법은 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리를 캔(예를 들어, 얇은 알루미늄으로 제조된 캔) 속에 배치하고, 확산접합과 관련된 가열 및 단조(즉, 압축)가 진행되는 동안 상기 어셈블리를 그 캔 내에 유지하는 것이다. 바람직하게, 상기 캔은 두 개의 부분과 그 캔 내에 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리를 밀봉하기 위해 후속되는 용접공정을 고려한 넓은 프랜지(flange)를 포함한다. 또한, 상기 캔은 그 캔 상에 용접 밀봉에 대한 진공 점검뿐만 아니라, 캔 내부에 진공 또는 불활성 분위기를 제공하기 위해 작은 직경의 튜브를 구비하는 것이 바람직하다. 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리가 캔 내에 제공되면, 그 캔을 용접밀봉한다. 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리의 산화를 완화시키기 위해, 용접이 진행되는 동안에 불활성 기체 또는 진공을 사용한다. 상기 작은 직경의 튜브를 사용하여 유출 점검(leak test)을 수행함으로써 용접의 무결성을 판단할 수 있다. 최종 용접은, 상기 캔 내부에 진공 또는 불활성 기체 분위기를 유지되도록 상기 작은 직경의 튜브에서 수행될 수 있다. 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리에 대한 확산접합이 이루어지는 동안에, 상기 어셈블리의 온도는, 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리와 동일한 크기를 가지면서 상기 어셈블리와 동일한 가열로 또는 이상적인 가열로에서 가열되는 소위 더미(dummy)부의 온도를 모니터링함으로써 간접적으로 모니터링될 수 있다.
상기 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리의 열처리 후에, 냉각시킨다. 냉각과정은 액체(예를 들면, 물) 또는 기체(예를 들면, 공기)에 상기 어셈블리를 노출시킴으로써 이루어질 수 있다.
상기한 방법은 1,000psi보다 큰 인장강도를 갖는 타겟(50)과 배킹플레이트(60)의 강력한 확산접합을 갖는 타겟과 배킹플레이트의 어셈블리(70)를 형성한다.
상기 어셈블리(70)의 타겟(50)과 배킹플레이트(60) 사이에 형성된 강력한 접합에 추가하여, 확산접합 후 타겟(50)의 평균입경는 바람직하게 100마이크론미만이며, 보다 바람직하게는 약 50마이크론미만일 수 있다. 특히, 타겟(50)에서 대부분의 입자(즉, 50% 초과)는 바람직하게 100마이크론 미만의 최대 크기가 가질 것이며, 보다 바람직하게는 약 50마이크론미만의 최대크기를 가질 수 있다. 상기 작은 입자 크기는 냉연가공되지만 형성되는 입자를 갖지 않는 타겟으로부터 시작하여 이루어진다. 따라서, 재결정화 과정은 입자가 성장하기 전에 타겟 물질에서 발생될 것이다. PVD 타겟 알루미늄의 경우에는, 이러한 재결정화 과정은 일반적으로 도펀트의 형태와 농도에 따라서, 200℃ 내지 약 450℃의 온도에서 약 20분 내지 30분이 소요된다. 알루미늄 입자는 고순도 알루미늄(원소 알루미늄)과 알루미늄 합금을 포함한 타겟에서 비교적 작을 것(즉, 평균크기가 100마이크론 미만이고, 바람직하게는 50마이크론 미만일 것)이 요구된다. 입자가 작은 경우에, 보다 큰 입자가 갖는 타겟물질로부터 발생하는 스퍼터링에 비해, 알루미늄이 타겟물질로부터 스퍼터되는 스퍼터링공정을 향상시킬 수 있다.
도7의 부하프로파일의 2단계 가압공정은, 상기 HF/HNO3세정공정과 조합하여 종래의 타겟/배킹플레이트 결합형태에 비해 월등히 향상된 타겟/배킹플레이트 결합형태를 형성할 수 있다. 도8-10에서는 종래의 방법에 따라 형성된 타겟/배킹플레이트의 결합형태와 함께 본 발명의 방법에 따라 형성된 타겟/배킹플레이트의 결합형태를 비교한다. 도8-10에 도시된, 본 발명의 타겟/배킹플레이트 조합형태는 알루미늄으로 형성된 타겟과, 약 375℉의 온도에서 약 8시간동안 처리함으로써 강화된 2024 알루미늄으로 형성된 배킹 플레이트로 이루어진다. 상기 타겟과 2024 배킹플레이트는 서로 접합되기 전에 본 발명의 HF/HNO3세정과정으로 처리되며, 도7을 참조하여 상기 설명된 형태의 부하프로파일에 따라 결합된다.
도8은 종래의 공정으로 형성된 타겟/배킹플레이트 구조물에 대비하여, 본 발명의 방법으로 형성된 타겟/배킹플레이트 구조물의 퍼센트 접합도(percentage bond)를 예시하는 그래프이다. 상기 접합도는 접합된 타겟과 배킹플레이트 구조물의 다양한 영역에서 판단된다. 도8은, 종래공정으로 얻어진 접합의 접합도가, 타겟 및 배킹 플레이트의 접합계면에 걸쳐 일부영역에서는 85%미만이며 다른 영역에서는 95%이상의 접합도를 갖는 것으로, 확연히 다르다는 것을 나타내고 있다. 반면에, 본 발명의방법에 따라 형성된 타겟/배킹플레이트 구조물은 그 구조물의 타겟/배킹플레이트 계면에 걸쳐 균일하게 분포된 95%보다 큰 접합도를 갖는다. 도8의 접합도는 초음파 접합 스캔 분석법(ultrasonic bond scan analysis)에 의해 판단되었다(C스캔 접합도). 상기 분석법의 경우에는, 전체 타겟이 스캐닝된다. 종래의 방법으로부터 평균 C스캔접합도는 약 92%인 것으로 나타나는 반면에, 본 발명의 방법에 따른 C스캔 접합은 약 95%보다 크게 나타난다.
도9는 종래의 타겟/배킹플레이트 구조물(종래의 공정이라고 표시됨)에 대비하여, 본 발명의 타겟/배킹플레이트 구조물(본 공정이라고 표시됨)의 RAM인장강도실험 결과를 나타낸다. 상기 인장강도 실험은, 타겟과 배킹플레이트구조물의 4개의분리된 위치에서 타겟과 배킹플레이트 물질 사이의 결합에 대한 인장강도를 측정함으로써 판단되었다. 그 결과는 본 발명의 물질이 10,000파운드/in2를 초과하는 인장강도를 가지며, 심지어 16,000파운드/in2를 초과한다. 이는 종래의 타겟/배킹 플레이트 구조물에 대해 본 발명의 타겟/배킹플레이트 구조물의 인장강도에서 실질적으로 향상되었다는 것을 입증한다.
도10은 종래의 배킹플레이트(종래의 공정이라고 표시됨)에 대비하여, 본 발명의 방법에 따라 처리된 배킹플레이트(본 공정이라고 표시됨)의 항복강도 의존성을 나타낸다. 본 발명의 방법에 따라 처리된 배킹플레이트는 약 20℃ 내지 320℃의 소정의 온도에서 월등히 향상된 항복강도를 갖는 것으로 나타난다.
상기한 결과들은 종래의 방법과 대비하여 본 발명에 따른 방법이 접합강도와, 타겟/배킹플레이트접합전반의 접합 균일도 및, 배킹플레이트의 기계적 특성을 탁월하게 향상시켰다는 것을 입증한다. 상기 접합강도 및 배킹플레이트의 향상은 종래의 구조물에 비해 본 발명의 타겟/배킹플레이트 구조물의 향상된 워페이지(warpage)저항을 견인할 수 있다. 추가적으로, 종래의 배킹플레이트에 대비하여, 본 발명의 방법에 따라 형성된 배킹플레이트의 향상은 본 발명에 따라 형성된 배킹플레이트의 미세구조와 조직이 열적 안정성을 가지며, 심지어 300℃에서 72시간동안의 노출에서도 열적 안정성을 갖는다는 것이다.
본 발명의 방법에 따라 제조된 타겟/배킹플레이트구조과 종래의 타겟/배킹플레이트 구조물의 다른 비교에서는, 본 발명의 타겟/배킹플레이트 구조물이 종래의타겟/배킹플레이트구조물과 거의 동일한 입자크기와, 석출물농도 및, 평면밀도(즉, (111),(200),(220)및 (113)과 같은 평면의 상대적인 강도)를 갖는 것으로 나타났다. 따라서, 본 발명의 공정은 입자크기, 석출물형성 또는 평면밀도비에 유해한 영향을 주지 않는다.
상기 압력 및 온도의 설명에서, "약"이라는 용어는 기재된 압력 또는 온도의 ±10%의 변화량을 나타낸다.
본 발명은 구조적인 형태 및 방법적인 형태에 대해 다소 특정된 언어로 설명되었으나, 여기에 기재된 수단은 본 발명을 실행할 수 있는 바람직한 실시형태를 구성하는 것이므로, 본 발명은 기재되고 도시된 특정형태에 한정되지 않는다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구범위의 합당한 범위 내에 있는 임의의 형태 또는 개조된 형태를 포함한다.

Claims (37)

  1. 알루미늄을 함유한 제1 물체를 알루미늄을 함유한 제2 물체에 접합하는 방법에 있어서,
    제1 면을 갖는, 상기 알루미늄을 함유한 제1 물체와, 제2면을 갖는, 상기 알루미늄을 함유한 제2 물체를 제공하는 단계;
    상기 제1 면과 상기 제2 면 중 적어도 하나를 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 노출시키는 단계;
    상기 노출시키는 단계 후에, 상기 제1면을 상기 제2면으로 물리적으로 접촉시키는 단계; 및
    상기 제2 물체에 상기 제1 물체가 접합되도록, 상기 제1 및 제2 물체를 함께 가압시키는 단계를 포함하는 접합방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는, 상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 상기 제1 및 제2면 모두를 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는, 상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 상기 제1 및제2면 중 적어도 하나를 약 0℃ 내지 약 100℃온도에서 약 1초 내지 약 30분동안 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는, HF 및 HNO3를 포함한 제1 혼합물에 상기 제1 및 제2면 중 하나를 노출시키는 단계와, HF 및 HNO3를 포함한 제2 혼합물에 상기 제1 및 제2면 중 다른 하나를 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물은, HF와 HNO3및 H2O를 구성됨을 특징으로 하는 접합방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는, 상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 상기 제1 및 제2면 중 적어도 하나를 약 0℃ 내지 약 100℃온도에서 약 1초 내지 약 30분동안 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물은, HF와 HNO3및 H2O으로 구성되며,
    상기 방법은, 약 1 내지 약 10 부피부의 농축 HF용액(여기서, 상기 농축 HF용액은 물에 48% 내지 51%의 불화수소산을 포함함)과, 약 27 내지 약 49.5부피부의 농축 HNO3(여기서, 상기 농축 HNO3용액은 물에 69% 내지 71%의 질산을 포함함)및, 약 40.5 내지 약 72부피부의 물을 혼합함으로써 상기 혼합물을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 질산과 물은 먼저 혼합한 후에, 이어 상기 HF를 그 질산과 물의 혼합물에 첨가함을 특징으로 하는 접합방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 노출시키는 단계는, 상기 HF 및 HNO3를 포함한 혼합물에 상기 제1 및 제2면 중 적어도 하나를 약 0℃ 내지 약 100℃온도에서 약 1초 내지 약 30분동안 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 및 제2 물체는 각각 배킹플레이트와 물리적 증착 타겟임을 특징으로 하는 접합방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 물체는 알루미늄으로 구성되거나, Si,Cu,Ge,Pb,Sn,Ag,Ga,Hf,Mg,Mn,Sc,Zn,B,Ba,Be,C,Ca,Cd,Ce,Co,Cr,Dy,Er,Fe,Gd,Ho, Ir,La,Lu,Mo,Nb,Nd,Ni,P,Pd,Pm,Pr,Pt,Pu,Rh,Ru,S,Sb,Se,Sm,Sr,Ta,Tb,Te,Ti,Tm,V,W,Y,Yb 및 Zr로 구성된 그룹으로부터 선택된, 10%미만의 하나이상의 원소를 갖는 알루미늄을 주성분으로 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제2 물체는 알루미늄으로 구성되거나, Si,Cu,Ge,Pb,Sn,Ag,Ga,Hf,Mg,Mn,Sc,Zn,B,Ba,Be,C,Ca,Cd,Ce,Co,Cr,Dy,Er,Fe,Gd,Ho, Ir,La,Lu,Mo,Nb,Nd,Ni,P,Pd,Pm,Pr,Pt,Pu,Rh,Ru,S,Sb,Se,Sm,Sr,Ta,Tb,Te,Ti,Tm,V,W,Y,Yb 및 Zr로 구성된 그룹으로부터 선택된, 10%미만의 하나이상의 원소를 갖는 알루미늄을 주성분으로 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 물체는 2000시리즈, 3000시리즈, 4000시리즈, 5000시리즈, 6000시리즈 및 7000시리즈 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 접합방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 물체는 상기 노출시키는 단계 전에, 약 250℃ 내지 약 800℃의 온도에서 약 10분 내지 약 1주동안 열처리된 2000시리즈 알루미늄임을 특징으로 하는 접합방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 물체는 상기 노출시키는 단계 전에, 약 350℃ 내지 약 400℃의 온도에서 약 6시간 내지 약 12시간 동안 열처리된 2000시리즈 알루미늄임을 특징으로 하는 접합방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제2 물체는, 구리와 실리콘 중 하나 이상을 갖는 알루미늄으로 구성되고, 상기 구리는 상기 물체 중량의 0% 보다 크고 10% 미만이며, 상기 실리콘은 상기 물체 중량의 10% 미만임을 특징으로 하는 접합방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 및 제2 물체는 각각 배킹플레이트 및 물리적 증착 타겟이며, 상기 가압하는 단계는,
    상기 타겟과 배킹플레이트를 물리적 접촉으로 서로 연결하는 단계; 및,
    상기 타겟 물질과 배킹플레이트를,
    (1)적어도 약 20초시간동안 적어도 약 4ksi의 제1 압력으로 유지되고,
    (2)적어도 약 0.5ksi만큼 제2 압력으로 증가되며,
    (3)상기 제2 압력에서 적어도 약 20초 동안에 유지되는 순서로 진행되는 부하로 압축시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 접합 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 압력에서 상기 부하를 유지한 후 적어도 약 2분이 경과하고나서, 상기 제1 압력보다 크고 상기 제2 압력보다는 작은 제3 압력으로 상기 부하를 감소시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 8 ksi 내지 약 10ksi이고, 상기 제2 압력은 약 12ksi 내지 약 20 ksi이며, 상기 제3 압력은 약 10 ksi 내지 약 15 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 4 ksi 내지 약 10 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  21. 제17항에 있어서,
    상기 제1 압력은 적어도 약 4 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 4 ksi 내지 약 10 ksi이고, 상기 제2 압력은 약 4ksi보다 크고 약 30 ksi이하임을 특징으로 하는 접합방법.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 8 ksi 내지 약 10 ksi이고, 상기 제2 압력은 약 12 ksi 내지 약 20 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  24. 배킹플레이트물질에 물리적 증착 타겟을 접합하는 방법에 있어서,
    상기 타겟과 배킹플레이트를 물리적 접촉으로 서로 연결하는 단계; 및,
    상기 타겟 물질과 배킹플레이트를,
    (1)적어도 약 20초시간동안 적어도 약 4ksi의 제1 압력으로 유지되고,
    (2)적어도 약 0.5ksi만큼 제2 압력으로 증가되며,
    (3)상기 제2 압력에서 적어도 약 20초 동안에 유지되는 순서로 진행되는 부하로 압축하는 단계를 포함하고,
    상기 압축하는 단계는 상기 배킹플레이트물질에 타겟물질을 접합함을 특징으로 하는 접합방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제2 압력에서 상기 부하를 유지한 후 적어도 약 2분이 경과하고나서, 상기 제1 압력보다 크고 상기 제2 압력보다는 작은 제3 압력으로 상기 부하를 감소시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 접합방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 8 ksi 내지 약 10ksi이고, 상기 제2 압력은 약 12 ksi 내지 약 20 ksi이며, 상기 제3 압력은 약 10 ksi 내지 약 15 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  27. 제24항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 4 ksi 내지 약 10 ksi임을 특징으로 하는 접합 방법.
  28. 제24항에 있어서,
    상기 제1 압력은 적어도 약 4 ksi임을 특징으로 하는 접합방법.
  29. 제24항에 있어서,
    상기 제1 압력은 약 4 ksi 내지 약 10 ksi이고, 상기 제2 압력은 약 4ksi보다 크고 약 30 ksi이하임을 특징으로 하는 접합방법.
  30. 제24항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제1 물체는 2000시리즈, 3000시리즈, 4000시리즈, 5000시리즈, 6000시리즈 및 7000시리즈 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 접합방법.
  31. 제24항에 있어서,
    상기 알루미늄을 함유한 제2 물체는, 구리와 실리콘 중 하나 이상을 갖는 알루미늄으로 구성되고, 상기 구리는 상기 물체 중량의 0% 보다 크고 10% 미만이며, 상기 실리콘은 상기 물체 중량의 10% 미만임을 특징으로 하는 접합방법.
  32. 10,000 lbs/in2보다 큰 접합강도로, 알루미늄을 함유한 배킹플레이트에 접합된 알루미늄을 함유한 물리적 증착 타겟을 포함하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 타겟은 10,500 lbs/in2보다 큰 접합강도로 상기 배킹플레이트에 접합됨을 특징으로 하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
  34. 제32항에 있어서,
    상기 타겟은 14,000 lbs/in2보다 큰 접합강도로 상기 배킹플레이트에 접합됨을 특징으로 하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
  35. 제32항에 있어서,
    상기 타겟은 16,000 lbs/in2보다 큰 접합강도로 상기 배킹플레이트에 접합됨을 특징으로 하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
  36. 제32항에 있어서,
    상기 배킹플레이트는 2000시리즈 알루미늄을 포함함을 특징으로 하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
  37. 제32항에 있어서,
    상기 타겟은 99.95%보다 큰 순도를 갖는 알루미늄을 포함하며,
    상기 배킹플레이트는 2000시리즈, 3000시리즈, 4000시리즈, 5000시리즈, 6000시리즈 및 7000시리즈 알루미늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 알루미늄을 포함함을 특징으로 하는 타겟/배킹플레이트 구조물.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6780794B2 (en) 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US20060005763A1 (en) * 2001-12-24 2006-01-12 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
US7638346B2 (en) * 2001-12-24 2009-12-29 Crystal Is, Inc. Nitride semiconductor heterostructures and related methods
WO2005007920A2 (en) * 2003-07-14 2005-01-27 Tosoh Smd, Inc. Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same
JP2006144119A (ja) * 2004-10-19 2006-06-08 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ−Ｎｄ合金スパッタリング用積層体
US20060081464A1 (en) 2004-10-19 2006-04-20 Kobelco Research Institute, Inc. Backing plates for sputtering targets
US20060081465A1 (en) * 2004-10-19 2006-04-20 Kobelco Research Institute, Inc. Assembly for sputtering aluminum-neodymium alloys
CN101331249B (zh) 2005-12-02 2012-12-19 晶体公司 掺杂的氮化铝晶体及其制造方法
US9034103B2 (en) * 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
EP2918708B1 (en) * 2006-03-30 2019-10-30 Crystal Is, Inc. Method for annealing of aluminium nitride wafer
WO2008088838A1 (en) 2007-01-17 2008-07-24 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
JP5730484B2 (ja) * 2007-01-26 2015-06-10 クリスタル アイエス インコーポレイテッド 厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層
US8080833B2 (en) * 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US8088220B2 (en) * 2007-05-24 2012-01-03 Crystal Is, Inc. Deep-eutectic melt growth of nitride crystals
US7624906B2 (en) * 2007-07-20 2009-12-01 Harbin Institute Of Technology Ultrasonic brazing of aluminum alloy and aluminum matrix composite
DE102007054071B4 (de) * 2007-11-13 2010-06-10 Eisfink Max Maier Gmbh & Co. Kg Verbundmetallgegenstand und Verfahren zur Herstellung eines Verbundmetallgegenstands
US20100314551A1 (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Bettles Timothy J In-line Fluid Treatment by UV Radiation
CN105951177B (zh) 2010-06-30 2018-11-02 晶体公司 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US8651361B1 (en) * 2013-02-13 2014-02-18 The Boeing Company Method for angular oscillation friction welding to an axially symmetric weld surface
CN108511567A (zh) 2013-03-15 2018-09-07 晶体公司 与赝配电子和光电器件的平面接触
JP7021069B2 (ja) 2015-08-03 2022-02-16 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 向上した特性を有する無摩擦鍛造アルミニウム合金スパッタリングターゲット
JP6277309B2 (ja) 2016-07-13 2018-02-07 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット
JP6271798B2 (ja) 2016-07-13 2018-01-31 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
US10900102B2 (en) * 2016-09-30 2021-01-26 Honeywell International Inc. High strength aluminum alloy backing plate and methods of making
CN113649773B (zh) * 2021-08-25 2022-09-27 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种大尺寸面板铝靶的制备方法

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB224914A (en) 1923-11-16 1925-04-28 Pierre Jauvert Fluid tight device for shafts rotating in a bath of lubricant
US3622470A (en) * 1969-05-21 1971-11-23 Wire & Strip Platers Inc Continuous plating method
JPS4918536B1 (ko) * 1970-07-25 1974-05-10
US4029253A (en) 1972-04-22 1977-06-14 Walter Cartossi S.P.A. Method of heat and pressure bonding of plates of heat conductive metal onto stainless steel surfaces
US3758741A (en) 1972-09-14 1973-09-11 Nasa Enhanced diffusion welding
GB1532628A (en) * 1974-11-15 1978-11-15 Ass Eng Ltd Metal bonding method
US4025036A (en) * 1976-05-12 1977-05-24 Trw Inc. Process for fabrication of high impact strength composites
US4119262A (en) * 1977-07-05 1978-10-10 Ford Motor Company Method of joining metal, particularly aluminum or aluminum alloys, using bromine fluxing agent
FR2399299A1 (fr) 1977-08-05 1979-03-02 Tocco Stel Procede et dispositif de soudage bout a bout par induction de pieces metalliques, notamment de section irreguliere
US4352450A (en) * 1980-09-19 1982-10-05 Edgington Robert E Method for soldering aluminum
US4405427A (en) 1981-11-02 1983-09-20 Mcdonnell Douglas Corporation Electrodeposition of coatings on metals to enhance adhesive bonding
US4469757A (en) * 1982-05-20 1984-09-04 Rockwell International Corporation Structural metal matrix composite and method for making same
US4485429A (en) 1982-06-09 1984-11-27 Sperry Corporation Apparatus for cooling integrated circuit chips
US4496095A (en) 1983-04-12 1985-01-29 Fairchild Industries, Inc. Progressive ultrasonic welding system
US4420385A (en) * 1983-04-15 1983-12-13 Gryphon Products Apparatus and process for sputter deposition of reacted thin films
US4685987A (en) 1983-09-02 1987-08-11 The Bergquist Company Method of preparing interfacings of heat sinks with electrical devices
US4459332A (en) 1983-09-12 1984-07-10 American Cyanamid Company Flocked fabric laminate for protection against chemical agents
US4603731A (en) 1984-11-21 1986-08-05 Ga Technologies Inc. Graphite fiber thermal radiator
US5014161A (en) 1985-07-22 1991-05-07 Digital Equipment Corporation System for detachably mounting semiconductors on conductor substrate
US4732312A (en) * 1986-11-10 1988-03-22 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of alloys having low solubility oxides
JPS63216966A (ja) 1987-03-06 1988-09-09 Toshiba Corp スパツタタ−ゲツト
JPS63220987A (ja) * 1987-03-06 1988-09-14 Natl Res Inst For Metals アルミニウム及びアルミナセラミツクスの拡散接合法
US4848647A (en) * 1988-03-24 1989-07-18 Aluminum Company Of America Aluminum base copper-lithium-magnesium welding alloy for welding aluminum lithium alloys
US4905886A (en) * 1988-07-20 1990-03-06 Grumman Aerospace Corporation Method for diffusion bonding of metals and alloys using thermal spray deposition
US5268236A (en) 1988-11-25 1993-12-07 Vereinigte Aluminum-Werke Ag Composite aluminum plate for physical coating processes and methods for producing composite aluminum plate and target
DE3839775C2 (de) * 1988-11-25 1998-12-24 Vaw Ver Aluminium Werke Ag Kathoden-Zerstäubungstarget und Verfahren zu seiner Herstellung
US5077637A (en) 1989-09-25 1991-12-31 The Charles Stark Draper Lab., Inc. Solid state directional thermal cable
GB2241914B (en) * 1990-03-16 1993-10-13 Secr Defence Diffusion bonding process for aluminium-lithium alloys
US5009765A (en) * 1990-05-17 1991-04-23 Tosoh Smd, Inc. Sputter target design
US5150748A (en) 1990-06-18 1992-09-29 Mcdonnell Douglas Corporation Advanced survivable radiator
US4978054A (en) * 1990-07-03 1990-12-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Diffusion bonding process for aluminum and aluminum alloys
US5102033A (en) * 1991-04-16 1992-04-07 Kaiser Aluminum & Chemical Corporation Method for improving the fillet-forming capability of aluminum vacuum brazing sheet products
US5143590A (en) * 1991-07-10 1992-09-01 Johnson Matthey Inc. Method of manufacturing sputtering target assembly
US5230459A (en) 1992-03-18 1993-07-27 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby
KR100348437B1 (ko) 1992-06-16 2002-10-30 죤슨매트히일렉트로닉스인코오퍼레이티드 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리
TW234767B (ko) 1992-09-29 1994-11-21 Nippon En Kk
US5693203A (en) * 1992-09-29 1997-12-02 Japan Energy Corporation Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface
US5402006A (en) 1992-11-10 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with enhanced adhesion between heat spreader and leads and plastic mold compound
JPH06226455A (ja) 1993-01-20 1994-08-16 Arishiumu:Kk Ａｌ−Ｌｉ合金の抵抗スポット溶接方法
US5342496A (en) * 1993-05-18 1994-08-30 Tosoh Smd, Inc. Method of welding sputtering target/backing plate assemblies
US5455458A (en) 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
JPH0780663A (ja) * 1993-09-13 1995-03-28 Kinzoku Giken Kk 金属接合体の製造方法
US5542471A (en) 1993-11-16 1996-08-06 Loral Vought System Corporation Heat transfer element having the thermally conductive fibers
US5599467A (en) * 1993-11-19 1997-02-04 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Aluminum weldment and method of welding aluminum workpieces
US6199259B1 (en) 1993-11-24 2001-03-13 Applied Komatsu Technology, Inc. Autoclave bonding of sputtering target assembly
US5852548A (en) 1994-09-09 1998-12-22 Northrop Grumman Corporation Enhanced heat transfer in printed circuit boards and electronic components thereof
US5590389A (en) 1994-12-23 1996-12-31 Johnson Matthey Electronics, Inc. Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same
US5873973A (en) 1995-04-13 1999-02-23 Northrop Grumman Corporation Method for single filament transverse reinforcement in composite prepreg material
US5836506A (en) * 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
US6073830A (en) * 1995-04-21 2000-06-13 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same
EP0778750B1 (en) 1995-06-02 2003-10-01 Surgical Design Corporation Phacoemulsification handpiece, sleeve, and tip
US5799860A (en) 1995-08-07 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Preparation and bonding of workpieces to form sputtering targets and other assemblies
US5807430A (en) 1995-11-06 1998-09-15 Chemat Technology, Inc. Method and composition useful treating metal surfaces
US5674585A (en) 1995-11-15 1997-10-07 United Technologies Corporation Composite thermal insulation structure
JPH09143704A (ja) 1995-11-27 1997-06-03 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
US5807443A (en) * 1995-11-30 1998-09-15 Hitachi Metals, Ltd. Sputtering titanium target assembly and producing method thereof
US5725494A (en) 1995-11-30 1998-03-10 Pharmasonics, Inc. Apparatus and methods for ultrasonically enhanced intraluminal therapy
IL121863A (en) 1996-01-30 2001-09-13 Raytheon Co Carbon fiber flocking for thermal management of compact missile electronics
US5695847A (en) 1996-07-10 1997-12-09 Browne; James M. Thermally conductive joining film
JPH1046327A (ja) * 1996-07-31 1998-02-17 Sumitomo Chem Co Ltd スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JPH10158829A (ja) * 1996-12-04 1998-06-16 Sony Corp スパッタリングターゲット組立体の製造方法
US6274015B1 (en) * 1996-12-13 2001-08-14 Honeywell International, Inc. Diffusion bonded sputtering target assembly with precipitation hardened backing plate and method of making same
CN1211287A (zh) * 1996-12-13 1999-03-17 约翰逊·马太电子公司 具有析出相强化背板的扩散连接溅射靶组件及其制造方法
KR20010005546A (ko) 1997-03-19 2001-01-15 존슨매테이일렉트로닉스, 인코퍼레이티드 후면에 확산 니켈 플레이트된 타겟과 그의 생성방법
US5938103A (en) 1997-04-15 1999-08-17 Abb Power T&D Company Inc. Method and apparatus for minimizing the distortion in cold pressure welding
JPH10330929A (ja) * 1997-05-28 1998-12-15 Japan Energy Corp スパッタリングタ−ゲット用バッキングプレ−ト及びスパッタリングタ−ゲット／バッキングプレ−ト組立体
JPH10330928A (ja) 1997-06-05 1998-12-15 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲット材およびその製造方法
JPH1150241A (ja) * 1997-08-05 1999-02-23 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲット
JPH11106904A (ja) * 1997-09-29 1999-04-20 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲットの製造方法
US6071389A (en) * 1998-08-21 2000-06-06 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making
US6227432B1 (en) * 1999-02-18 2001-05-08 Showa Aluminum Corporation Friction agitation jointing method of metal workpieces
GB9914801D0 (en) 1999-06-25 1999-08-25 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
US6164519A (en) 1999-07-08 2000-12-26 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of bonding a sputtering target to a backing plate
DE19934295A1 (de) 1999-07-21 2001-01-25 Bayer Ag Kristallmodifikation III von N-(4-(5-Dimethylamino-naphthalin-1-sulfonyl-amino)-phenyl)-3-hydroxy-2,2-dimethyl-propionamid
US6780794B2 (en) 2000-01-20 2004-08-24 Honeywell International Inc. Methods of bonding physical vapor deposition target materials to backing plate materials
US20010047838A1 (en) * 2000-03-28 2001-12-06 Segal Vladimir M. Methods of forming aluminum-comprising physical vapor deposition targets; sputtered films; and target constructions

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