JP2005502159A5

JP2005502159A5 -

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Publication number: JP2005502159A5
Application number: JP2002586371A
Authority: JP
Filing date: 2002-04-16
Publication date: 2007-02-01

Claims

電子供給源（１０）と、
陰極層（１４）と、および
前記電子供給源と前記陰極層との間に配置されたトンネル層（２０）であって、前記トンネル層（２０）が、ＴｉＯ _ｘ、ＴａＯ _ｘ、ＷＳｉＮ、ＴａＡｌＯ _ｘＮ _ｙ、ＴａＡｌＯ _ｘ、およびＡｌＯ _ｘＮ _ｙからなるグループから選択される金属クラスタ誘電体である、トンネル層（２０）とを含む放出器（５０、１００）を製造する製造方法において、
前記放出器（５０、１００）が、製作後に、約４００℃〜約６００℃の温度でアニーリング（１２０、１２２）される、製造方法。
前記放出器が、平方センチメートル当たり１×１０^−２アンペアより大きな放出電流を与えるように動作可能である、請求項１に記載の製造方法。
前記トンネル層（２０）が、約５ｎｍ〜約２５ｎｍ（５０〜２５０オングストローム）の範囲内の厚みを有する、請求項１に記載の製造方法。
集積回路（５２）であって、
基板（１０）と、
前記基板上に配置されている、請求項１に記載の製造方法により形成された放出器（５０、１００）と、および
前記放出器を有する前記基板上に形成された、前記放出器を動作させるための回路（７２）とを含む、集積回路（５２）。
電子装置であって、
エネルギー（２２）を放出することができる、請求項１に記載の製造方法により形成された放出器（５０、１００）と、および
前記放出されたエネルギーを受け取ることができ、前記放出されたエネルギーを受け取ることに応じて少なくとも第１の作用を生じさせ、前記放出されたエネルギーを受け取らないことに応じて第２の作用を生じさせることができる陽極構造（７６、４０、５８）とを含む、電子装置。
前記電子装置が大容量記憶装置（図７）であり、前記陽極構造が記憶媒体（５８）であり、前記電子装置が、前記陽極構造において生じた作用を検出するための読出し回路（６２）をさらに含む、請求項５に記載の電子装置。
前記電子装置がディスプレイ装置（図６）であり、前記陽極構造が前記放出されたエネルギーを受け取ることに応じて視認可能な作用を生じさせるディスプレイ画面（４０）である、請求項５に記載の電子装置。
前記ディスプレイ画面（４０）が、前記放出されたエネルギー（２２）を受け取ることに応じて光子（１８）を放出するために動作可能な１つまたは複数の燐光体（４２）を含む、請求項７に記載の電子装置。
電子供給層（１０）と、
前記電子供給層上に形成され、その中に画定された開口部を有する絶縁体層（７８）と、
前記開口部内の前記電子供給層上に形成されたトンネル層（２０）であって、前記トンネル層（２０）が、ＴｉＯ _ｘ、ＴａＯ _ｘ、ＷＳｉＮ、ＴａＡｌＯ _ｘＮ _ｙ、ＴａＡｌＯ _ｘ、およびＡｌＯ _ｘＮ _ｙからなるグループから選択される金属クラスタ誘電体である、トンネル層（２０）と、および
前記トンネル層上に形成された陰極層（１４）とを含む放出器（５０、１００）を製造する製造方法において、
前記放出器が、製作後に、約４００℃〜約６００℃の温度でアニーリング（１２０、１２２）されて、エネルギー放出（２２）のために前記電子供給層から前記陰極層に突き抜ける電子の供給量が増加されている、製造方法。
前記放出器が、前記電子（１６）の放出に加えて、光子（１８）を放出することができる、請求項９に記載の製造方法。
前記陰極層（１４）が、平方センチメートル当たり約０．０１アンペアより大きな放出率を有する、請求項９に記載の製造方法。
前記トンネル層（２０）が、約５ｎｍ〜約２５ｎｍ（５０〜２５０オングストローム）の厚みを有する、請求項９に記載の製造方法。
電子供給源（１０）上に放出器（５０、１００）を形成するための方法であって、
前記電子供給源（１０）上に配置された絶縁体層（７８）に接着するために導電層（８０、８２）を付着するステップであって、前記絶縁体層が前記電子供給源への開口部を画定する、ステップと、
前記導電層上にパターニング層（１０４）を付着するステップと、
前記パターニング層および前記導電層内に前記電子供給源への開口部（１０８）を形成するステップと、
前記パターニング層および前記開口部上にトンネル層（２０）を付着するステップであって、前記トンネル層（２０）が、ＴｉＯ _ｘ、ＴａＯ _ｘ、ＷＳｉＮ、ＴａＡｌＯ _ｘＮ _ｙ、ＴａＡｌＯ _ｘ、およびＡｌＯ _ｘＮ _ｙからなるグループから選択される金属クラスタ誘電体である、ステップと、および
前記トンネル層の下から前記パターニング層を除去するために前記パターニング層（図１１Ｉ）をエッチングするステップであって、前記導電層からリフトオフすることにより前記開口部内に配置されていない前記トンネル層を除去する、ステップと、
前記トンネル層上に陰極層（１４）を付着するステップと、
トンネル電流を増加させるために、処理された放出器を約４００℃〜約６００℃の温度でアニールするステップ（１２０、１２２）を含む、方法。
前記付着されたトンネル層（２０）が、約５０ｎｍ（５００オングストローム）未満の厚みを有する、請求項１３に記載の方法。