JP2005317890A - アルミニウム接合部材およびその製造方法 - Google Patents

アルミニウム接合部材およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 簡単且つ安価に製造することができるとともに、冷却能力が高い冷却部材として使用することができるアルミニウム接合部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、外部に露出するアルミニウム部材12と、このアルミニウム部材12の材料であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなる管状部材14とから構成され、この管状部材14の両側の開口端部がアルミニウム部材の外部に開口し、これらの開口端部の間の部分がアルミニウム部材12の内部に延びるとともに、そのアルミニウム部材12の内部に延びる部分の外周面がアルミニウム部材12に直接接合している。
【選択図】 図1

Description

本発明は、アルミニウム接合部材およびその製造方法に関し、特に、冷却剤が流れる管状部材が内部に設けられ、金属−セラミックス回路基板などの電子部品の冷却部材として使用されるアルミニウム接合部材およびその製造方法に関する。
従来、セラミックス基板の一方の面に金属回路板が接合するとともに他方の面に放熱用金属板が接合した金属−セラミックス回路基板に放熱フィンなどの冷却部材を取り付ける方法として、半導体チップが半田付けされた金属回路板が接合した1枚または複数枚のセラミックス基板を金属ベース板(放熱板)または複合材に半田付けし、この金属ベース板などの裏面に放熱グリースを介して放熱フィンを取り付ける方法が知られている。また、セラミックス基板にろう材を介して放熱フィンを接合する方法も知られている(例えば、特許文献1参照)。さらに、セラミックスまたは炭素と金属の複合材からなる電子回路用基板と、液体または気体を冷却媒体とする冷却装置とを鋳造により一体化する方法も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開平4−363052号公報(段落番号0006) 特開2001−7265号公報(段落番号0008)
しかし、従来のセラミックス基板を金属ベース板に半田付けする方法では、半田により放熱性が低下し、また、金属ベース板などに放熱フィンを取り付けるために使用する放熱グリースの熱伝導性が数W/mKと極端に小さいために、さらに放熱性が低下するという問題がある。また、半田ボイドにより歩留が低下する場合もある。さらに、Pbを含む半田を使用すると、近年の環境汚染防止のためのPbフリー化の傾向にも反する。
また、特許文献1に開示された方法では、空冷の放熱フィンを使用しているため、一般に水冷の冷却装置と比べて冷却能力が低く、性能を安定させ難いという問題がある。
特許文献2に開示された方法では、上述した半田や放熱グリースによる放熱性の低下の問題や放熱フィンを使用する場合の問題をほぼ解決しているが、セラミックスなどからなる2枚のプリフォーム基板に溝を掘り、その溝に合わせて予め整形したパイプをプリフォーム基板に挟んで仮止めして金型に入れた後、アルミニウムや銅などの溶湯を金型内に注入して高圧で鋳造する必要があるので、金型や製造装置のコストが比較的高く、また、プリフォーム基板の均質化や加工精度を高めることが困難な場合がある。さらに、プリフォーム基板の気孔率は5%以上50%未満であり、その中に金属溶湯を充填して、アンカー効果により機械的に接合を実現することが困難な場合もある。
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、簡単且つ安価に製造することができるとともに、冷却能力が高い冷却部材として使用することができるアルミニウム接合部材およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなる管状部材の両側の開口端部を、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材の外部に開口させ、これらの開口端部の間の部分の外周面をアルミニウム部材に接触させることにより、冷却能力が高い冷却部材として使用可能なアルミニウム接合部材を簡単且つ安価に製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によるアルミニウム接合部材は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材と、このアルミニウム部材の内部に延びるとともに両側の開口端部がアルミニウム部材の外部に開口する管状部材とから構成され、管状部材がアルミニウム部材の材料であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなり、管状部材のアルミニウム部材の内部に延びる部分の外周面の少なくとも一部がアルミニウム部材に接触していることを特徴とする。
このアルミニウム接合部材の管状部材のアルミニウム部材の内部に延びる部分の外周面の少なくとも一部がアルミニウム部材に接触して接合しているのが好ましく、その外周面の全面がアルミニウム部材に接触して接合しているのがさらに好ましい。また、このアルミニウム接合部材の管状部材は、W、Mo、Ti、Zr、Fe、CuおよびNiから選ばれる少なくとも1つの元素を主成分とする金属、あるいはセラミックスまたは炭素材からなるのが好ましい。あるいは、アルミニウム接合部材の管状部材は、ステンレス、SKD、Mo合金、またはMo系焼結材料やW系焼結材料などの高融点金属焼結材料からなるのが好ましい。さらに、このアルミニウム接合部材の一方の面または両面に、金属回路板が接合したセラミックス基板を接合させてもよい。このようなアルミニウム接合部材は、冷却部材として使用することができる。
また、本発明によるアルミニウム接合部材の製造方法は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなる管状部材を、その開口端部が鋳型の外部に開口するように鋳型内に入れ、この鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注入した後に、その溶湯を冷却して固化させることにより、管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させることを特徴とする。
このアルミニウム接合部材の製造方法において、管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合するのが好ましい。この場合、管状部材を鋳型内に入れた後、溶湯を注入する前に、セラミックス基板に金属回路板が接合した金属−セラミックス回路基板を、鋳型の上面に形成された開口部を塞ぐように鋳型上に載せることにより、管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合する際に、金属−セラミックス回路基板をアルミニウム部材に接触させて接合してもよい。あるいは、管状部材を鋳型内に入れた後、溶湯を注入する前に、鋳型内にセラミックス基板を配置させることにより、管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合する際に、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム部材を接触させて接合するとともに、セラミックス基板の他方の面にアルミニウム回路板を接触させて接合してもよい。この場合、セラミックス基板をアルミニウム部材の両面の各々に接触させて接合してもよい。
さらに、本発明によるパワーモジュールは、セラミックス基板の一方の面に金属回路板が接合するとともに、他方の面に上記のアルミニウム接合部材が接合していることを特徴とする。
本発明によれば、冷却能力が高い冷却部材として使用可能なアルミニウム接合部材を簡単且つ安価に製造することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明によるアルミニウム接合部材およびその製造方法の実施の形態について説明する。
[第1の実施の形態]
図1〜図3を参照して、本発明によるアルミニウム接合部材およびその製造方法の第1の実施の形態について説明する。
図1に示すように、この実施の形態のアルミニウム接合部材10は、平面形状が略矩形のアルミニウム部材12と、略円環状の断面を有し且つ略U字形に延びる管状部材14とから構成されている。この管状部材14の両側の開口端部は、アルミニウム部材12の外部に突出して開口し、これらの開口端部の間の部分は、アルミニウム部材12の内部に配置され且つアルミニウム部材12に直接接触して接合している。管状部材14として、例えば、直径約10mmのステンレス製パイプを使用することができるが、後述するアルミニウム溶湯の注入時に溶解し難い材料であれば、モリブデン(Mo)や銅(Cu)などの金属や、アルミナやジルコニアなどのセラミックスからなるパイプを使用してもよい。なお、アルミニウム接合部材10を冷却部材として使用する場合には、管状部材14に気体や液体の冷却剤を流してアルミニウム接合部材10を冷却するので、管状部材14の形状は、必ずしも略U字形である必要はなく、アルミニウム接合部材10の内部に広範囲にわたって延びる形状であれば、どのような形状でもよい。
このようなアルミニウム接合部材10は、例えば、図2および図3に示す鋳型20を使用して製造することができる。鋳型20は、容易且つ安価に形成することができるカーボンなどの材料によって形成され、図2および図3に示すように、下側鋳型部材22と上側鋳型部材24と蓋部材26とから構成されている。
下側鋳型部材22は、平面形状が略矩形の平板状の底面部22aと、この底面部22aの周縁部から垂直方向上方に延びる側壁部22bとからなり、この側壁部22bの上面には、管状部材14の下側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部22cが形成されている。
上側鋳型部材24は、下側鋳型部材22の上に配置されたときに下側鋳型部材22の側壁部22bを垂直方向上方に延長する形状を有する。この上側鋳型部材24の底面には、管状部材14の上側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部24aが形成され、これらの2つの凹部24aは、上側鋳型部材24が下側鋳型部材22の上に配置されたときに下側鋳型部材22の2つの凹部22cに対向して、管状部材14を貫通させる略円形の管状部材貫通穴28を形成する。
蓋部材26は、上側鋳型部材24の略矩形の上側開口部を塞ぐための部材であり、平面形状が下側鋳型部材22および上側鋳型部材24に対応する略矩形の平板状の部材である。蓋部材26の1つの角部には、鋳型20の内部にアルミニウム溶湯を注入するための注入口26aが形成され、この注入口26aが形成された角部に対向する蓋部材26の角部には、鋳型20の内部のガスなどを抜くための抜き穴26bが形成されている。
下側鋳型部材22の上に上側鋳型部材24を載せ、その上に蓋部材26を載せることにより、鋳型20の内部にアルミニウム部材12に対応する形状の空間が形成されるようになっている。なお、蓋部材26を上側鋳型部材24と一体に形成してもよい。また、注入口26aおよび抜き穴26bは必ずしも蓋部材26に形成する必要はなく、適宜設計により他の部分に形成してもよい。
次に、上述した構成の鋳型20を使用してアルミニウム接合部材10を製造する方法について説明する。まず、略U字形の管状部材14をその開口端部が管状部材貫通穴28を介して鋳型20の外部に突出するように下側鋳型部材22内に入れた後、下側鋳型部材22の上に上側鋳型部材24を載せて固定する。
次に、上側鋳型部材24の上側開口部を蓋部材26で塞いで固定した後、鋳型20を酸素濃度100ppm以下の窒素雰囲気の炉に入れて750℃まで加熱し、鋳型20と同じ温度まで加熱溶解した純度99.99%のアルミニウム溶湯を、カーボン製シリンダを用いて注入口26aから鋳型20内に注入する。蓋部材26には抜き穴26bが形成されているので、高圧を加えることなくアルミニウム溶湯を注入することができ、最終的に抜き穴26bからアルミニウム溶湯が溢れるまで注入して鋳型20内にアルミニウム溶湯を充填する。
次に、鋳型20を冷却してアルミニウムを凝固させ、管状部材14に接合した後、室温まで冷却し、得られたアルミニウム接合部材10を鋳型20から取り出す。その後、注入口26aや抜き穴26bの痕などを切削加工によって取り除いてアルミニウム接合部材10の表面を平らにする。
このようにして得られたアルミニウム接合部材10に金属−セラミックス回路基板を放熱グリースを介して密着させ、管状部材14に冷却剤を流せば、金属−セラミックス回路基板の冷却部材として使用することができる。また、アルミニウム接合部材10の所定の部分にNi−P合金めっきを施し、そのめっきした部分に金属−セラミックス回路基板を半田付けすれば、空冷フィンより優れた安定した冷却性能を得ることができる。
[第2の実施の形態]
図4〜図6を参照して、本発明によるアルミニウム接合部材およびその製造方法の第2の実施の形態として、第1の実施の形態のアルミニウム接合部材10と同様のアルミニウム接合部材を銅−セラミックス回路基板に直接接合した実施の形態について説明する。
図4に示すように、この実施の形態のアルミニウム接合部材100は、第1の実施の形態と同様に、平面形状が略矩形のアルミニウム部材102と、略円環状の断面を有し且つ略U字形に延びる管状部材104とから構成されている。この管状部材104の両側の開口端部は、アルミニウム部材102の外部に突出して開口し、これらの開口端部の間の部分は、アルミニウム部材102の内部に配置され且つアルミニウム部材102に直接接触して接合している。
このアルミニウム接合部材100は、セラミックス基板112の一方の面に銅回路板114が接合した銅−セラミックス回路基板110の他方の面に直接接触して接合し、銅−セラミックス回路基板110の冷却部材として使用される。なお、銅−セラミックス回路基板110のセラミックス基板112と銅回路板114との接合は、アルミニウム溶湯による接合によってセラミックス基板112と銅回路板114の間の接合部が溶けなければ、直接接合法やろう接法などのどのような方法によって行ってもよい。
このような銅−セラミックス回路基板110に直接接触して接合したアルミニウム接合部材100は、例えば、図5および図6に示す鋳型120を使用して製造することができる。鋳型120は、容易且つ安価に形成することができるカーボンなどの材料によって形成され、図5および図6に示すように、下側鋳型部材122と上側鋳型部材124と蓋部材126とから構成されている。
下側鋳型部材122は、平面形状が略矩形の平板状の底面部122aと、この底面部122aの周縁部から垂直方向上方に延びる側壁部122bとからなり、この側壁部122bの上面には、管状部材104の下側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部122cが形成されている。
上側鋳型部材124は、下側鋳型部材122の上に配置されたときに下側鋳型部材122の側壁部122bを垂直方向上方に延長する形状を有する。この上側鋳型部材124の底面には、管状部材104の上側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部124aが形成され、これらの2つの凹部124aは、上側鋳型部材124が下側鋳型部材122の上に配置されたときに下側鋳型部材122の2つの凹部122cに対向して、管状部材104を貫通させる略円形の2つの管状部材貫通穴128を形成する。
蓋部材126は、上側鋳型部材124の略矩形の上側開口部の周縁部付近を塞ぐための部材であり、平面形状が下側鋳型部材122および上側鋳型部材124に対応する略矩形の平板状の部材である。蓋部材126の1つの角部には、鋳型120の内部にアルミニウム溶湯を注入するための注入口126aが形成され、この注入口126aが形成された角部に対向する蓋部材126の角部には、鋳型120の内部のガスなどを抜くための抜き穴126bが形成されている。また、蓋部材126の略中央部には、セラミックス基板112よりも僅かに小さい略矩形の開口部126cが形成されている。このように開口部126cがセラミックス基板112より小さいため、銅−セラミックス回路基板110が接合した後のアルミニウム接合部材100を鋳型120から容易に取り出すことができるように、蓋部材126は、互いに分離可能な2つの部材を組み合わせて形成されている。
下側鋳型部材122の上に上側鋳型部材124を載せ、その上に蓋部材126を載せることにより、鋳型120の内部にアルミニウム部材102に対応する形状の空間が形成されるようになっている。なお、注入口126aおよび抜き穴126bは必ずしも蓋部材126に形成する必要はなく、適宜設計により他の部分に形成してもよい。
次に、上述した構成の鋳型120を使用してアルミニウム接合部材100を製造する方法について説明する。まず、略U字形の管状部材104をその開口端部が管状部材貫通穴128を介して鋳型120の外部に突出するように下側鋳型部材122内に入れた後、下側鋳型部材122の上に上側鋳型部材124を載せて固定する。
次に、蓋部材126を上側鋳型部材124の上に載せて上側鋳型部材124の上側開口部の周縁部付近を塞いだ後、蓋部材126の開口部126cを塞ぐように銅−セラミックス回路基板110を蓋部材126の上に載せて固定する。
次に、鋳型120を酸素濃度100ppm以下の窒素雰囲気の炉に入れて750℃まで加熱し、鋳型120と同じ温度まで加熱溶解した純度99.99%のアルミニウム溶湯を、カーボン製シリンダを用いて注入口126aから鋳型120内に注入する。蓋部材126には抜き穴126bが形成されているので、高圧を加えることなくアルミニウム溶湯を注入することができ、最終的に抜き穴126bからアルミニウム溶湯が溢れるまで注入して鋳型120内にアルミニウム溶湯を充填する。
次に、鋳型120を冷却してアルミニウムを凝固させ、管状部材104および銅−セラミックス回路基板110に接合した後、室温まで冷却し、得られたアルミニウム接合部材100を鋳型120から取り出す。なお、蓋部材126が分離可能な2つの部材からなるので、アルミニウム接合部材100を鋳型120から容易に取り出すことができる。その後、注入口126aや抜き穴126bの痕などを切削加工によって取り除いてアルミニウム接合部材100の表面を平らにする。
この実施の形態では、半田や放熱グリースを使用することなく簡単にアルミニウム接合部材と銅−セラミックス回路基板とを一体化することができ、良好な特性を有する安価な冷却装置付き銅−セラミックス回路基板を作製することができる。
また、この実施の形態では、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中でアルミニウム溶湯を鋳型に接触させ、アルミニウム溶湯の表面の酸化皮膜を取り除きながら、アルミニウム部材102と管状部材104との接合が化学的に行われ、さらにアルミニウム部材102とセラミックス基板112との接合も化学的に行われるため、接合のために表面に凹凸を形成してアンカー効果を利用することなく、市販の材料を用いて接合を行うことができる。
また、この実施の形態では、アルミニウム溶湯の注入時に回路板が溶けないように回路板を冷却するなどの特別な措置を取れば、銅−セラミックス回路基板110の代わりにアルミニウム−セラミックス回路基板を使用してもよい。また、セラミックス基板112は、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素などを主成分とするのが好ましい。
[第3の実施の形態]
図7〜図10を参照して、本発明によるアルミニウム接合部材およびその製造方法の第3の実施の形態として、第1の実施の形態のアルミニウム接合部材10と同様のアルミニウム接合部材をアルミニウム−セラミックス回路基板に直接接合した実施の形態について説明する。
図7に示すように、この実施の形態のアルミニウム接合部材200は、第1の実施の形態と同様に、平面形状が略矩形のアルミニウム部材202と、略円環状の断面を有し且つ略U字形に延びる管状部材204とから構成されている。この管状部材204の両側の開口端部は、アルミニウム部材202の外部に突出して開口し、これらの開口端部の間の部分は、アルミニウム部材202の内部に配置され且つアルミニウム部材202に直接接触して接合している。
このアルミニウム接合部材200は、セラミックス基板212の一方の面にアルミニウム回路板214が接合したアルミニウム−セラミックス回路基板210の他方の面に直接接触して接合し、アルミニウム−セラミックス回路基板210の冷却部材として使用される。
このようなアルミニウム−セラミックス回路基板210に直接接触して接合したアルミニウム接合部材100は、例えば、図8〜図10に示す鋳型220を使用して製造することができる。この実施の形態では、予めセラミックス基板112に銅回路板114を接合した銅−セラミックス回路基板110をアルミニウム接合部材100に接合する第2の実施の形態と異なり、回路板の材質がアルミニウムであるため、第2の実施の形態と同様の方法によって予めセラミックス基板212にアルミニウム回路板214を接合したアルミニウム−セラミックス回路基板210をアルミニウム接合部材210に接合すると、アルミニウム回路板214を冷却するなどの特別な措置を取らない限りアルミニウム溶湯の注入時にアルミニウム回路板214が溶けてしまうので、セラミックス基板212へのアルミニウム回路板214の接合をアルミニウム接合部材210の接合と同時に行っている。
鋳型220は、容易且つ安価に形成することができるカーボンなどの材料によって形成され、図8〜図10に示すように、下側鋳型部材222と上側鋳型部材224と蓋部材226とから構成されている。
下側鋳型部材222は、平面形状が略矩形の平板状の底面部222aと、この底面部222aの周縁部から垂直方向上方に延びる側壁部222bとからなり、この側壁部222bの上面には、管状部材204の下側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部222cが形成されている。
上側鋳型部材224は、平面形状が下側鋳型部材222と同じ形状および大きさの略矩形の平板状の上面部224aと、この上面部224aの周縁部から垂直方向下方に延びて、下側鋳型部材222の側壁部222bに上に配置されたときにその側壁部222bを延長する形状の側壁部224bとからなる。上側鋳型部材224の側壁部224bの底面には、管状部材204の上側半分に対応する形状の略半円形の2つの凹部224cが形成され、これらの2つの凹部224cは、上側鋳型部材224が下側鋳型部材222の上に配置されたときに下側鋳型部材222の2つの凹部222cに対向して、管状部材204を貫通させる略円形の2つの管状部材貫通穴228を形成する。また、上側鋳型部材224の上面部224aの1つの角部には、下側鋳型部材222と上側鋳型部材224によって画定された空間内にアルミニウム溶湯を注入するための流路224dが形成され、この流路224dが形成された角部に対向する上側鋳型部材224の上面部224aの角部には、下側鋳型部材222と上側鋳型部材224によって画定された空間内のガスなどを抜くための流路224eが形成されている。さらに、上側鋳型部材224の上面部224aの略中央部には、セラミックス基板212よりも僅かに小さい略矩形の開口部224fが形成されている。このように開口部224fがセラミックス基板212より小さいため、アルミニウム−セラミックス回路基板210が接合した後のアルミニウム接合部材200を鋳型220から容易に取り出すことができるように、上側鋳型部材224は、互いに分離可能な2つの部材を組み合わせて形成されている。
蓋部材226は、平面形状が上側鋳型部材224と同じ形状および大きさの略矩形の部材からなる。図10に示すように、この蓋部材226の底面の略中央部には、セラミックス基板収容部として、セラミックス基板212と略同一の形状でセラミックス基板212より僅かに大きい凹部が形成されている。このセラミックス基板収容部の底面(図10において上側の面)には、セラミックス基板212の上面にアルミニウム回路板214を形成するためのアルミニウム回路板形成部として、アルミニウム回路板214と略同一の形状および大きさの2つの凹部が形成されている。また、図8〜図10に示すように、蓋部材226の上面の1つの角部には、上側鋳型部材224の流路224dに連通して、下側鋳型部材222と上側鋳型部材224によって画定された空間内にアルミニウム溶湯を注入するための注入口226aが形成され、この注入口226aが形成された角部に対向する蓋部材226の角部には、上側鋳型部材224の流路224eに連通して、下側鋳型部材222と上側鋳型部材224によって画定された空間内のガスなどを抜くための抜き穴226bが形成されている。さらに、蓋部材226には、各々のアルミニウム回路板形成部内にアルミニウム溶湯を注入するための注入口226cと、各々のアルミニウム回路板形成部内のガスなどを抜くための抜き穴226dが形成されている。
次に、上述した構成の鋳型220を使用してアルミニウム接合部材200を製造する方法について説明する。まず、略U字形の管状部材204をその開口端部が管状部材貫通穴228を介して鋳型220の外部に突出するように下側鋳型部材222内に入れた後、下側鋳型部材222の上に上側鋳型部材224を載せて固定する。
次に、上側鋳型部材224の開口部224fを塞ぐようにセラミックス基板212を上側鋳型部材224の上に載せた後、蓋部材226を上側鋳型部材224の上に載せて固定する。
次に、鋳型220を酸素濃度100ppm以下の窒素雰囲気の炉に入れて750℃まで加熱し、鋳型220と同じ温度まで加熱溶解した純度99.99%のアルミニウム溶湯を、カーボン製シリンダを用いて注入口226aおよび226cから鋳型220内に注入する。蓋部材226には抜き穴226bおよび226dが形成されているので、高圧を加えることなくアルミニウム溶湯を注入することができ、最終的に抜き穴226bおよび226dからアルミニウム溶湯が溢れるまで注入して鋳型220内にアルミニウム溶湯を充填する。
次に、鋳型220を冷却してアルミニウムを凝固させ、管状部材204およびセラミックス基板212に接合した後、室温まで冷却し、得られたアルミニウム接合部材200を鋳型220から取り出す。なお、上側鋳型部材224が分離可能な2つの部材からなるので、アルミニウム接合部材200を鋳型220から容易に取り出すことができる。その後、注入口226aおよび226cや抜き穴226bおよび226dの痕などを切削加工によって取り除いてアルミニウム接合部材200の表面を平らにする。
上述したように、この実施の形態では、セラミックス基板212を鋳型220内に設置してアルミニウム溶湯を注入するだけで、冷却部材付きアルミニウム−セラミックス回路基板を簡単に作製することができる。また、複雑な形状の回路板を形成する場合には、アルミニウム回路板を接合した後にエッチングなどの方法によって精密なパターンを作製することもできる。
なお、鋳型に充填する金属は、アルミニウムまたはアルミニウム合金であるのが好ましく、ビッカース硬度が40以下であるのがさらに好ましい。これは、セラミックスと金属の熱膨張差による応力を低減するためであり、ビッカース硬度が40を超えると、接合時やヒートサイクル時などにセラミックス基板にクラックが発生する場合があるからである。
なお、本実施の形態では、図11に示すように、アルミニウム接合部材200の両面にそれぞれアルミニウム−セラミックス回路基板210を直接接触させて接合してもよい。このようにアルミニウム−セラミックス回路基板210が両面に直接接触して接合したアルミニウム部材200は、図12に示すように、図10の下側鋳型部材222の代わりに下側鋳型部材230および底部鋳型部材232を使用することにより製造することができる。この場合、鋳型内に注入されたアルミニウム溶湯は、底部鋳型部材232とその中に配置されたセラミックス基板212と間の(図示しない)間隙を通ってセラミックス基板212の反対側の面にアルミニウム回路板214を直接接触させて接合することができるようになっている。このようにアルミニウム−セラミックス回路基板210をアルミニウム部材200の両面に接合することによりパワーモジュールをコンパクトにすることができる。
本発明によるアルミニウム接合部材の第1の実施の形態を示す斜視図である。 図1のアルミニウム接合部材を製造するために使用する鋳型の斜視図である。 図2の鋳型を分解して示す斜視図である。 本発明によるアルミニウム接合部材の第2の実施の形態として、銅−セラミックス回路基板を直接接合したアルミニウム接合部材を示す斜視図である。 図4のアルミニウム接合部材を製造するために使用する鋳型の斜視図である。 図5の鋳型を分解して示す斜視図である。 本発明によるアルミニウム接合部材の第3の実施の形態として、アルミニウム−セラミックス回路基板を直接接合したアルミニウム接合部材を示す斜視図である。 図7のアルミニウム接合部材を製造するために使用する鋳型の斜視図である。 図8の鋳型を分解して示す斜視図であり、蓋部材の底面に形成されたアルミニウム回路板形成部を点線で示している。 図8の鋳型の断面図であり、鋳型内に管状部材およびセラミックス基板を入れた状態を示し、アルミニウム溶湯を注入するための注入口および流路と、ガスなどを抜くための抜き穴および流路とを点線で示している。 本発明によるアルミニウム接合部材の第3の実施の形態の変形例として、アルミニウム−セラミックス回路基板を両面に直接接合したアルミニウム接合部材の側面図である。 図11のアルミニウム接合部材を製造するために使用する鋳型の断面図である。
符号の説明
10、100、200 アルミニウム接合部材
12、102、202 アルミニウム部材
14、104、204 管状部材
20、120、220 鋳型
22、122、222、230 下側鋳型部材
24、124、224 上側鋳型部材
26、126、226 蓋部材
26a、126a、226a 注入口
26b、126b、226b 抜き穴
28、128、228 管状部材貫通穴
110 銅−セラミックス回路基板
112 セラミックス基板
114 銅回路板
210 アルミニウム−セラミックス回路基板
212 セラミックス基板
214 アルミニウム回路板
232 底部鋳型部材

Claims (17)

  1. アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム部材と、このアルミニウム部材の内部に延びるとともに両側の開口端部がアルミニウム部材の外部に開口する管状部材とから構成され、前記管状部材が前記アルミニウム部材の材料であるアルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなり、前記管状部材のアルミニウム部材の内部に延びる部分の外周面の少なくとも一部が前記アルミニウム部材に接触していることを特徴とする、アルミニウム接合部材。
  2. 前記管状部材のアルミニウム部材の内部に延びる部分の外周面の少なくとも一部が前記アルミニウム部材に接触して接合していることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム接合部材。
  3. 前記管状部材のアルミニウム部材の内部に延びる部分の外周面の全面が前記アルミニウム部材に接触して接合していることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム接合部材。
  4. 前記管状部材が、W、Mo、Ti、Zr、Fe、CuおよびNiから選ばれる少なくとも1つの元素を主成分とする金属からなることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  5. 前記管状部材が、セラミックスまたは炭素材からなることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  6. 前記管状部材が、ステンレス、SKDまたはMo合金からなることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  7. 前記管状部材が、高融点金属焼結材料からなることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  8. 前記高融点金属焼結材料が、Mo系焼結材料またはW系焼結材料であることを特徴とする、請求項7に記載のアルミニウム接合部材。
  9. 前記アルミニウム接合部材の一方の面に、金属回路板が接合したセラミックス基板が接合していることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  10. 前記アルミニウム接合部材の両面の各々に、金属回路板が接合したセラミックス基板が接合していることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  11. 前記アルミニウム接合部材が冷却部材として使用されることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれかに記載のアルミニウム接合部材。
  12. アルミニウムまたはアルミニウム合金の融点付近の温度で溶解しない材料からなる管状部材を、その開口端部が鋳型の外部に開口するように鋳型内に入れ、この鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注入した後に、その溶湯を冷却して固化させることにより、前記管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させることを特徴とする、アルミニウム接合部材の製造方法。
  13. 前記管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合することを特徴とする、請求項12に記載のアルミニウム接合部材の製造方法。
  14. 前記管状部材を鋳型内に入れた後、前記溶湯を注入する前に、セラミックス基板に金属回路板が接合した金属−セラミックス回路基板を、前記鋳型の上面に形成された開口部を塞ぐように前記鋳型上に載せることにより、前記管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合する際に、前記金属−セラミックス回路基板を前記アルミニウム部材に接触させて接合することを特徴とする、請求項13に記載のアルミニウム接合部材の製造方法。
  15. 前記管状部材を鋳型内に入れた後、前記溶湯を注入する前に、前記鋳型内にセラミックス基板を配置させることにより、前記管状部材の鋳型内の部分をアルミニウム部材に接触させて接合する際に、前記セラミックス基板の一方の面に前記アルミニウム部材を接触させて接合するとともに、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム回路板を接触させて接合することを特徴とする、請求項13に記載のアルミニウム接合部材の製造方法。
  16. 前記セラミックス基板を前記アルミニウム部材の両面の各々に接触させて接合することを特徴とする、請求項15に記載のアルミニウム接合部材の製造方法。
  17. セラミックス基板の一方の面に金属回路板が接合するとともに、他方の面に請求項1乃至11のいずれかに記載のアルミニウム接合部材が接合していることを特徴とする、パワーモジュール。

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011073194A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2011189354A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2015009260A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 株式会社クリスタルシステム 管状部材鋳込み板の製造方法
JP2020050548A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
WO2023204167A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 株式会社 東芝 セラミックス回路基板、半導体装置、及び半導体装置の使用方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294891A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Dowa Metaltech Kk 放熱器
KR20150036793A (ko) * 2007-04-26 2015-04-07 세람테크 게엠베하 부품용 또는 회로용 냉각 박스
JP5070014B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-07 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP2009130060A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyota Industries Corp 放熱装置
JP5343574B2 (ja) * 2009-01-20 2013-11-13 トヨタ自動車株式会社 ヒートシンクのろう付け方法
JP5686606B2 (ja) * 2010-01-12 2015-03-18 日本軽金属株式会社 フィン一体型基板の製造方法およびフィン一体型基板
WO2011127931A1 (en) * 2010-04-13 2011-10-20 Danfoss Silicon Power Gmbh A flow distributor
TW201231908A (en) * 2011-01-27 2012-08-01 Asia Vital Components Co Ltd Heat-dissipation structure and manufacturing method thereof
JP5837754B2 (ja) * 2011-03-23 2015-12-24 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
TWI541488B (zh) * 2011-08-29 2016-07-11 奇鋐科技股份有限公司 散熱裝置及其製造方法
JP5423998B2 (ja) * 2011-08-31 2014-02-19 株式会社安川電機 電子部品冷却ユニット及び電力変換装置
US8987892B2 (en) * 2013-05-10 2015-03-24 Raytheon Company Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system
CN105081273B (zh) * 2014-04-25 2019-11-29 富准精密电子(鹤壁)有限公司 金属件及金属件成型方法
WO2016071324A1 (en) * 2014-11-03 2016-05-12 At & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft Hermetically sealed heat pipe structure synthesized with support structure and method for producing it
US11240943B2 (en) * 2015-08-17 2022-02-01 Eaton Intelligent Power Limited Ceramic coated flow channels for electrical isolation and thermal transfer
JP6330976B2 (ja) * 2015-09-17 2018-05-30 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
EP3608951A4 (en) * 2017-03-23 2020-12-16 Kabushiki Kaisha Toshiba CERAMIC-METAL CIRCUIT BOARD AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH USE THEREOF
US11015872B2 (en) * 2018-06-29 2021-05-25 The Boeing Company Additively manufactured heat transfer device
CN110523956A (zh) * 2019-09-04 2019-12-03 马鞍山海华耐磨材料科技有限公司 一种高强度耐磨抗腐蚀衬板的制备工艺
KR102236758B1 (ko) * 2019-11-19 2021-04-07 엠에이치기술개발 주식회사 히트파이프를 이용한 냉각장치 제조방법
JP2022048812A (ja) * 2020-09-15 2022-03-28 Dowaメタルテック株式会社 放熱部材およびその製造方法
US11856728B2 (en) * 2020-10-29 2023-12-26 Auras Technology Co., Ltd. Liquid cooling device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5180778A (ja) * 1975-01-10 1976-07-14 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Handotaireikyakufuin
JPS61260660A (ja) * 1985-05-15 1986-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子冷却用ヒ−トシンク
JP2001007265A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Sentan Zairyo:Kk 冷却装置付基板及びその製法
JP2002057256A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Toyota Industries Corp 複合材料

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3766440A (en) * 1972-08-11 1973-10-16 Gen Motors Corp Ceramic integrated circuit convector assembly
DE2643072C2 (de) * 1976-09-24 1982-06-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kühldose für Thyristoren
US4196775A (en) * 1977-09-19 1980-04-08 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Shock-mounted, liquid cooled cold plate assembly
JPS60121045A (ja) * 1983-12-05 1985-06-28 Kuroki Kogyosho:Kk 熱交換体及びその制造方法
US4700273A (en) * 1986-06-03 1987-10-13 Kaufman Lance R Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path
US4788627A (en) * 1986-06-06 1988-11-29 Tektronix, Inc. Heat sink device using composite metal alloy
US4724514A (en) * 1986-07-18 1988-02-09 Kaufman Lance R Low cost compressively clamped circuit and heat sink assembly
JPH02251094A (ja) 1989-03-23 1990-10-08 Matsushita Refrig Co Ltd 熱交換器
JP3063299B2 (ja) 1991-03-20 2000-07-12 三菱マテリアル株式会社 半導体装置実装用基板
WO2004074210A1 (ja) * 1992-07-03 2004-09-02 Masanori Hirano セラミックス-金属複合体およびその製造方法
US5602720A (en) * 1993-06-25 1997-02-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Mounting structure for semiconductor device having low thermal resistance
US5829516A (en) * 1993-12-15 1998-11-03 Aavid Thermal Products, Inc. Liquid cooled heat sink for cooling electronic components
JPH07211832A (ja) * 1994-01-03 1995-08-11 Motorola Inc 電力放散装置とその製造方法
ATE249300T1 (de) * 1994-01-21 2003-09-15 Sprayform Holdings Ltd Mit waermeaustauschkanaelen versehene metallische werkstuecke
US5480727A (en) * 1994-02-03 1996-01-02 Motorola, Inc. Electronic device assembly and method for making
JP2918191B2 (ja) * 1994-04-11 1999-07-12 同和鉱業株式会社 金属−セラミックス複合部材の製造方法
US5533257A (en) * 1994-05-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a heat dissipation apparatus
US5876859A (en) * 1994-11-10 1999-03-02 Vlt Corporation Direct metal bonding
JP4077888B2 (ja) * 1995-07-21 2008-04-23 株式会社東芝 セラミックス回路基板
EP0874399A1 (en) * 1996-08-20 1998-10-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board and semiconductor module
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
US5944097A (en) * 1997-05-06 1999-08-31 Northrop Grumman Corporation Composite substrate carrier for high power electronic devices
US6245442B1 (en) * 1997-05-28 2001-06-12 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Metal matrix composite casting and manufacturing method thereof
JP3468358B2 (ja) * 1998-11-12 2003-11-17 電気化学工業株式会社 炭化珪素質複合体及びその製造方法とそれを用いた放熱部品
JP2000208682A (ja) 1999-01-12 2000-07-28 Mitsubishi Materials Corp パワ―モジュ―ル用基板及びこの基板を用いた半導体装置
JP2001148451A (ja) * 1999-03-24 2001-05-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板
EP1056321B1 (en) * 1999-05-28 2007-11-14 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ceramic substrate circuit and its manufacturing process
US6424026B1 (en) * 1999-08-02 2002-07-23 International Rectifier Corporation Power module with closely spaced printed circuit board and substrate
US6257310B1 (en) * 1999-08-19 2001-07-10 Reliance Electric Technolgies, Llc Method for making heat sink vacuum
JP4649027B2 (ja) * 1999-09-28 2011-03-09 株式会社東芝 セラミックス回路基板
DE19956565B4 (de) * 1999-11-24 2006-03-30 Laserline Gesellschaft für Entwicklung und Vertrieb von Diodenlasern mbH Verfahren zum Herstellen einer Wärmesenke für elektrische Bauelemente
EP1122780A3 (en) * 2000-01-31 2004-01-02 Ngk Insulators, Ltd. Laminated radiation member, power semiconductor apparatus and method for producing the same
JP4756200B2 (ja) * 2000-09-04 2011-08-24 Dowaメタルテック株式会社 金属セラミックス回路基板
JP5038565B2 (ja) * 2000-09-22 2012-10-03 株式会社東芝 セラミックス回路基板およびその製造方法
DE10051338A1 (de) * 2000-10-17 2002-04-18 Daimlerchrysler Rail Systems Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul und Verfahren für deren Herstellung
US6578626B1 (en) * 2000-11-21 2003-06-17 Thermal Corp. Liquid cooled heat exchanger with enhanced flow
US6460598B1 (en) * 2000-11-27 2002-10-08 Ceramic Process Systems Corporation Heat exchanger cast in metal matrix composite and method of making the same
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP4623835B2 (ja) 2001-01-16 2011-02-02 アイカ工業株式会社 曲げ加工品及びその製造方法
EP1363325B1 (en) * 2001-02-22 2013-02-20 NGK Insulators, Ltd. Member for electronic circuit, method for manufacturing the member
JP4434545B2 (ja) * 2001-03-01 2010-03-17 Dowaホールディングス株式会社 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール
JP2002283440A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Ube Nitto Kasei Co Ltd 合成樹脂製棒状物の製造方法および製造装置
US6711017B2 (en) * 2001-07-17 2004-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. Cooling apparatus for electronic unit
US6670216B2 (en) * 2001-10-31 2003-12-30 Ixys Corporation Method for manufacturing a power semiconductor device and direct bonded substrate thereof
US6819561B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-16 Satcon Technology Corporation Finned-tube heat exchangers and cold plates, self-cooling electronic component systems using same, and methods for cooling electronic components using same
JP4324704B2 (ja) * 2002-09-13 2009-09-02 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス複合部材の製造装置、製造用鋳型、並びに製造方法
JP4133170B2 (ja) * 2002-09-27 2008-08-13 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合体
JP3935037B2 (ja) * 2002-09-30 2007-06-20 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法
US20040149689A1 (en) * 2002-12-03 2004-08-05 Xiao-Shan Ning Method for producing metal/ceramic bonding substrate
JP3971296B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-05 Dowaホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4028452B2 (ja) * 2003-08-27 2007-12-26 Dowaホールディングス株式会社 電子部品搭載基板およびその製造方法
JP4441671B2 (ja) * 2003-09-22 2010-03-31 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法
EP1518847B1 (en) * 2003-09-29 2013-08-28 Dowa Metaltech Co., Ltd. Aluminum/ceramic bonding substrate and method for producing same
JP4496404B2 (ja) * 2003-10-10 2010-07-07 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4806803B2 (ja) * 2003-10-21 2011-11-02 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
US7673389B2 (en) * 2005-07-19 2010-03-09 International Business Machines Corporation Cold plate apparatus and method of fabrication thereof with a controlled heat transfer characteristic between a metallurgically bonded tube and heat sink for facilitating cooling of an electronics component

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5180778A (ja) * 1975-01-10 1976-07-14 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Handotaireikyakufuin
JPS61260660A (ja) * 1985-05-15 1986-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子冷却用ヒ−トシンク
JP2001007265A (ja) * 1999-06-22 2001-01-12 Sentan Zairyo:Kk 冷却装置付基板及びその製法
JP2002057256A (ja) * 2000-08-11 2002-02-22 Toyota Industries Corp 複合材料

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011073194A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2011189354A (ja) * 2010-03-12 2011-09-29 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2015009260A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 株式会社クリスタルシステム 管状部材鋳込み板の製造方法
JP2020050548A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP7157609B2 (ja) 2018-09-27 2022-10-20 Dowaメタルテック株式会社 金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
WO2023204167A1 (ja) * 2022-04-20 2023-10-26 株式会社 東芝 セラミックス回路基板、半導体装置、及び半導体装置の使用方法

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