JP6760788B2 - 半導体パッケージ、および半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージを用いた半導体装置を示す概観斜視図である。図2は、図1に示す半導体パッケージの斜視図である。図3は、図2に示す半導体パッケージの下面斜視図である。図4は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの上面図である。図5は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの下面図である。図6は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの側面図である。図7は、本発明の他の実施形態に係る半導体パッケージの側面図である。図8は、本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの分解斜視図である。図9は、図4および図5に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのA−A線での断面図である。図10は、図4および図5に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのB−B線での断面図である。図11は、図4および図5に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのC−C線での断面図である。図12は、図4および図5に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのX−X線での断面図である。図13は、図4および図5に示した本発明の一実施形態に係る半導体パッケージのY−Y線での断面図である。図6、図7、図9、図10および図11の二点鎖線は仮想線を示している。また、図10および図11の実線(斜線なし)は、断面視における溝部の奥にある基板の端面を示している。
メタライズ金属層36が形成された立壁部32を圧着して、両者を同時に焼成する。このようにして、入出力端子3を作製することができる。
はコバルト等の金属材料から成る固定部材41が枠体4の外周面に固定されたり、挿入固定されたりしてもよい。固定部材41は、枠体4の外部から光ファイバ42の先端を近づけて、貫通孔Hに保持することができる。
部Uの四隅に生じる応力を起点とした入出力端子3や基板2と入出力端子3、枠体4とを接合するろう材へのクラックの発生を抑制することができ、半導体パッケージ1および半導体装置10の封止性を向上させることができる。
る枠体4の側壁部43と重なる位置に設けられてもよい。この結果、平面視において、基板2と入出力端子3と側壁部43とが重なる位置で生じる、熱膨張係数差に起因した熱応力を小さくすることができる。
ここで、図1に示す半導体装置の製造方法を説明する。まず、基板2、入出力端子3および枠体4のそれぞれを準備する。基板2および枠体4のそれぞれは、溶融した金属材料を型枠に鋳込んだ固化させたインゴットに対して、金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。
および第1金属層34が形成される。また、立壁部32となるセラミックグリーンシートに、例えばスクリーン印刷法を用いて、モリブデンやマンガンを含有した有機溶剤を塗布した金属ペーストからなる第2金属層35が形成される。そして、入出力端子3は、平板部31となるセラミックグリーンシート上に立壁部32が形成されたセラミックグリーンシートを積層して焼結するとともに、所望の形状に個片に切断することで形成される。さらに、スクリーン印刷法を用いて枠体4との接合面となる入出力端子3の端面に第2メタライズ層36を形成する。このようにして、入出力端子3を作製することができる。また、準備した枠体4は、枠体4の開口部Oに、固定部材41がろう材を介して挿入固定される。
2 基板
21 実装領域
22 周辺領域
3 入出力端子
31 平板部
32 立壁部
33 メタライズ層
34 第1金属層
35 第2金属層
36 第2のメタライズ層
4 枠体
41 固定部材
42 光ファイバ
43 側壁部
5 半導体素子
6 蓋体
10 半導体装置
O 開口部
U 切欠き部
D 溝部
H 貫通孔
L 中心軸
Claims (6)
- 上面に半導体素子を実装する実装領域と、前記実装領域を取り囲む周辺領域とを有するとともに、金属材料から成る基板と、
前記周辺領域に位置した、セラミック材料から成る入出力端子と、
前記実装領域を取り囲むとともに、側面に前記入出力端子が接合された開口部を有する枠体と、を備えており、
前記基板は、前記基板の前記周辺領域の前記入出力端子と重なる位置に、並行に切り欠かれた複数の切欠き部を有しており、
前記基板の下面は、前記入出力端子と重なる位置に、前記複数の切欠き部の切り欠かれた方向と交差する方向に延びた溝部を有することを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記入出力端子は、前記基板と接合された平板部と、前記平板部の上面であって、前記枠体と接合された立壁部とから構成されており、
側面視において、前記溝部は前記立壁部の外縁と重なる位置にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 前記入出力端子は、前記基板と接合された平板部と、前記平板部の上面であって、前記枠体と接合された立壁部とから構成されており、
側面視において、前記溝部は前記立壁部の外縁よりも内側にあることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。 - 断面視において、前記溝部は、前記入出力端子の内縁よりも内側に位置することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。
- 前記入出力端子は下面に、メタライズ層を有しており、
下面視において、前記メタライズ層の外縁は、前記基板の外縁よりも外側に位置することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の半導体パッケージ。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載の半導体パッケージと、
前記実装領域に実装された、前記入出力端子と電気的に接続された半導体素子と、
前記枠体の上端に接合された蓋体とを備えていることを特徴とする半導体装置。
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