JP6330976B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6330976B2 JP6330976B2 JP2017539889A JP2017539889A JP6330976B2 JP 6330976 B2 JP6330976 B2 JP 6330976B2 JP 2017539889 A JP2017539889 A JP 2017539889A JP 2017539889 A JP2017539889 A JP 2017539889A JP 6330976 B2 JP6330976 B2 JP 6330976B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat dissipation
- dissipation base
- shot
- semiconductor device
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 171
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 105
- 238000005480 shot peening Methods 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明の上記及び他の目的、特徴及び利点は本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
[第1の実施の形態]
まず、半導体装置について、図1を用いて説明する。
半導体装置100は、半導体チップ110と、積層基板120と、放熱ベース140とが積層されてケース150に収納されて、半導体チップ110と、積層基板120と、放熱ベース140のおもて面側とが樹脂(図示を省略)で封止されている。
このような構成を有する半導体装置100は、放熱ベース140の裏面にサーマルコンパウンド160を介して放熱フィン170が設けられている。放熱フィン170は、熱伝導性が高い、例えば、アルミニウム、金、銀、銅等の金属により構成されており、放熱ベース140の裏面にサーマルコンパウンド160を挟んでネジ(図示を省略)で取り付けられている。前記サーマルコンパウンド160は放熱ベース140と放熱フィン170とを密着させ、放熱ベース140と放熱フィン170との間の熱伝導を良好にするために用いられる。そのため、空隙が無いようにすることが重要である。放熱ベース140が反っていたり、放熱ベース140の裏面が平滑でない場合は、放熱ベース140と放熱フィン170との間に隙間が生じる。そのため、サーマルコンパウンドの膜厚が厚くなったり、空隙が生じたりして、熱伝導が低下してしまうため好ましくない。
図2は、第1の実施の形態におけるショットピーニング処理を説明するための図である。
まず、放熱ベース140の裏面にショットピーニング処理を実行するために、例えば、図2(A)に示されるように、放熱ベース140の裏面のマスク200により指定された複数の窪みの加工領域に対して、ショットピーニング処理装置300が設置される。
このようなショットピーニング処理装置300では、超音波振動装置310を駆動させることにより、ショット材320が振動する。振動するショット材320が放熱ベース140の裏面に打ち付けられることにより、放熱ベース140の裏面に複数の窪みが形成される。すると、この複数の窪みが重なり合って形成された領域は、面積が広がって、硬化することで、加工硬化層が形成される。この加工硬化層は放熱ベース140の板厚方向に数ミクロンから数十ミクロンの厚みを持つ層である。そして、このショットピーニング処理された領域には、加工硬化層によって圧縮応力が働き、放熱ベース140として反りが生じる。より具体的には、加工硬化層を下にして、下に凸の形状となる。また、放熱ベース140の裏面に形成される窪みの深さ、幅、数等は、超音波振動の振幅、ショット材の形状、平均粒径等を変化させることで、制御することができる。
このようなショットピーニング処理装置400では、ショット材420を空気圧で吹き飛ばすことにより、ショット材420がショットピーニング処理装置400から(図中実線矢印方向に)飛び出す。飛び出したショット材420が放熱ベース140の裏面に打ち付けられることにより、放熱ベース140の裏面に複数の窪みが形成されて、窪みが複数重なり合う構成が形成される。すると、複数の窪みが形成された領域は、面積が広がって、硬化することで、加工硬化層が形成される。ショットピーニング処理装置400でショットピーニング処理が終了すると図中破線矢印方向にショットピーニング処理装置400を移動させて、再び、ショットピーニング処理を行う。このようにしてマスク200により指定された放熱ベース140の裏面全面にショットピーニング処理を行うことができる。また、放熱ベース140の裏面に形成される窪みの深さ、幅、数等は、ショットピーニング処理装置400による空気圧の圧力、ショット材の形状、平均粒径等に基づき、制御することができる。
図3は、第1の実施の形態におけるショットピーニング処理で用いられるショット材の一例を示す図である。
このようなショット材は、例えば、図3(A)に示されるように、球状(球体)である。
また、別のショット材としては、例えば、図3(C)に示されるように、表面に尖端部を複数備えるブロック片状である。
図4は、第1の実施の形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、図4の各処理は、それぞれ、半導体装置100の製造者並びに製造者により操作される製造装置によって実行される。
[ステップS11] 放熱ベース140上にはんだ板を介して積層基板120を設け、積層基板120の回路板122上にはんだ板を介して半導体チップ110を設けて、各部材をセットする。
[ステップS14] ケース150に端子の取り付けを行う。
[ステップS16] ケース150内の半導体チップ110と積層基板120と放熱ベース140のおもて面とを樹脂で封止する。
[ステップS18] 放熱ベース140の裏面にサーマルコンパウンドを100μmの厚さになるように塗布する。
次に、放熱ベース140の初期反り付けの詳細について、図5及び図6を用いて説明する。
図6は、第1の実施の形態における半導体装置の放熱ベースを示す図である。
[ステップS102] 放熱ベース140の裏面に対してショットピーニング処理を行う。これにより、放熱ベース140の裏面に複数の窪みが形成されて、窪みが複数重なった構成に加工される。これにより、放熱ベース140は、図6(A)に示されるように、ショットピーニング処理が行われた裏面側に加工硬化層141が形成されて、圧縮応力が付与されて凹状の初期反りが生じる。
また、めっき処理の前に、放熱ベース140にショットピーニング処理を行っているために、放熱ベース140のめっき層142は損傷を受けることがない。また、ショットピーニング処理により窪みが複数重なり合った構成の形状が形成された放熱ベース140にめっき層142が形成されるため、重なり合った複数の窪みがめっき層142に対してアンカー効果を生じて、放熱ベース140に対するめっき層142の密着性が向上するようになる。また、様々な形状、材質のショット材を用いることができる。
なお、図7では、「ショット材(形状、平均粒径(mm))」、「SP(ショットピーニング)処理種別」、「(ショットピーニング処理が行われた放熱ベースの裏面の)算術平均粗さRa(μm)」、「反り」、「めっき層の密着性」といった項目が示されている。
「SP処理種別」は、ショットピーニング処理を行うために用いられた種別(超音波振動または空気圧)を表す。
「反り」は、ショットピーニング処理が行われた放熱ベース140の反り状態を表す。例えば、ショットピーニング処理により放熱ベース140に適切に反りが発生した場合には、「G(Good)」を、十分な反りが発生しなかった場合には、「NG(Not Good)」を付している。
また、これらのショット材を用いたショットピーニング処理では、ショット材の平均粒径が1mm以下のものは空気圧を利用し、ショット材の平均粒径が1mmを超えるものは超音波振動を利用している。
図7によれば、球状の平均粒径が1mmの場合に、また、ブロック片状の平均粒径が0.2mm以上、5mm以下の場合に、放熱ベース140に十分な反りが生じていることが分かる。これは、めっき処理の前に、放熱ベース140の裏面に直接、ショットピーニング処理を行っているために、放熱ベース140の裏面に応力が均一に入ったことが考えられる。仮に、めっき処理を行った放熱ベース140に対して平均粒径が0.2mm以上、5mm以下程度のショット材によりショットピーニング処理を行うと、めっき層の厚さにはばらつきがあるために、放熱ベース140に対して均一にショット材を打ち込むことができなくなる。
第2の実施の形態では、放熱ベース140にめっき処理を行った後で、ショットピーニング処理を行う場合について説明する。
ここで、第2の実施の形態における、図4のフローチャートのステップS10の放熱ベースの初期反り付け処理について、図8及び図9を用いて説明する。
図9は、第2の実施の形態における半導体装置の放熱ベースを示す図である。
[ステップS112] 放熱ベース140に対してめっき処理を行って、図9(A)に示されるように、放熱ベース140の表面にめっき層143を形成する。なお、めっき層143の厚さは、2μm以上、10μm以下程度である。めっき層143の厚さについては後述する。
なお、図10では、「ショット材(形状、平均粒径(mm))」、「SP(ショットピーニング)処理種別」、「(ショットピーニング処理が行われた放熱ベース140の裏面の)算術平均粗さRa(μm)」、「反り」、「めっき層の密着性」といった項目が示されている。
「算術平均粗さRa(μm)」は、ショットピーニング処理が行われた放熱ベース140の裏面の算術平均粗さを表し、触針式表面粗さ計で測定した。測定条件は、カットオフ長は、2.5mm、測定長さは、12.5mm、測定速度は、0.3mm/s、カットオフの種別はガウシアンとして測定した。
図10によれば、ショット材が球状であって、その平均粒径が0.6mm以上、10mm以下の場合に、(めっき層143に亀裂、剥離等が生じずに)放熱ベース140に適切な反りが生じていることが分かる。これは、めっき処理された放熱ベース140が、めっき層143に亀裂、剥離等が生じずにめっき層143を介して、ショット材が適切に打ち込まれたことが考えられる。
110 半導体チップ
120 積層基板
121 絶縁板
122 回路板
123 金属板
130 はんだ
140 放熱ベース
141 加工硬化層
142 めっき層
150 ケース
160 サーマルコンパウンド
170 放熱フィン
200 マスク
300,400 ショットピーニング処理装置
310 超音波振動装置
320,420 ショット材
Claims (10)
- 放熱ベースを用意する工程と、
前記放熱ベースのおもて面及び裏面を金属材料でめっきするめっき処理工程と、
前記めっき処理工程の前または後に、前記放熱ベースの裏面に対してショットピーニング処理を行う工程と、
前記ショットピーニング処理が行われた前記放熱ベースと、前記放熱ベースのおもて面にはんだを介して配置された、絶縁板と、前記絶縁板のおもて面に設けられた回路板とを有する積層基板と、前記回路板上にはんだを介して配置された半導体チップとを加熱によりはんだ接合する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記めっき処理工程の前に、前記ショットピーニング処理を行う場合には、
前記ショットピーニング処理は、超音波振動または空気圧を用いてショット材を前記放熱ベースの裏面に衝突させる、
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記空気圧を用いる場合には、
前記ショット材は、平均粒径が1mm以下である、
請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記超音波振動を用いる場合には、
前記ショット材は、平均粒径が1mm超である、
請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ショット材の平均粒径は、0.2mm以上、5mm以下である、
請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ショット材の形状は、球状、または、表面に尖端部を複数備えるブロック片状である、
請求項5記載の半導体装置の製造方法。 - 前記めっき処理工程によるめっき層の厚さは、1μm以上、10μm未満である、
請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記めっき処理工程の後に、前記ショットピーニング処理を行う場合には、
前記ショットピーニング処理で用いるショット材は球状である、
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ショット材の平均粒径は、0.6mm以上、10mm以下である、
請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記めっき処理工程によるめっき層の厚さは、2μm以上、10μm以下である、
請求項8記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015183810 | 2015-09-17 | ||
JP2015183810 | 2015-09-17 | ||
PCT/JP2016/076782 WO2017047544A1 (ja) | 2015-09-17 | 2016-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017047544A1 JPWO2017047544A1 (ja) | 2017-12-21 |
JP6330976B2 true JP6330976B2 (ja) | 2018-05-30 |
Family
ID=58289237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017539889A Active JP6330976B2 (ja) | 2015-09-17 | 2016-09-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10098254B2 (ja) |
JP (1) | JP6330976B2 (ja) |
CN (1) | CN107431053B (ja) |
DE (1) | DE112016000655B4 (ja) |
WO (1) | WO2017047544A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107924889B (zh) * | 2016-03-31 | 2021-02-12 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
TWI786182B (zh) * | 2017-11-07 | 2022-12-11 | 台灣東電化股份有限公司 | 基板結構 |
US11063495B2 (en) | 2019-07-01 | 2021-07-13 | Nidec Motor Corporation | Heatsink clamp for multiple electronic components |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5671960A (en) * | 1979-11-19 | 1981-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and manufacture thereof |
TW445558B (en) * | 2000-04-14 | 2001-07-11 | Via Tech Inc | Manufacturing method for cavity-down plastic ball grid array package substrate |
US6906414B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-06-14 | Broadcom Corporation | Ball grid array package with patterned stiffener layer |
JP3971296B2 (ja) | 2002-12-27 | 2007-09-05 | Dowaホールディングス株式会社 | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
JP4543279B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-15 | Dowaメタルテック株式会社 | アルミニウム接合部材の製造方法 |
JP5103175B2 (ja) * | 2004-11-01 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 照明装置及び表示装置 |
JP2006332084A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
US7511961B2 (en) * | 2006-10-26 | 2009-03-31 | Infineon Technologies Ag | Base plate for a power semiconductor module |
JP5120604B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2013-01-16 | アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 | 半導体モジュール及びインバータ装置 |
JP2009088218A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Dowa Metaltech Kk | 半導体装置 |
US20110163348A1 (en) * | 2008-03-25 | 2011-07-07 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with bump/base heat spreader and inverted cavity in bump |
US20110278638A1 (en) * | 2008-03-25 | 2011-11-17 | Lin Charles W C | Semiconductor chip assembly with post/dielectric/post heat spreader |
JP4797077B2 (ja) | 2009-02-18 | 2011-10-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体パワーモジュール、電力変換装置、および、半導体パワーモジュールの製造方法 |
WO2011024377A1 (en) | 2009-08-25 | 2011-03-03 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor module and heat radiation member |
JP5251791B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-07-31 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2014187088A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パワー半導体装置の製造方法、パワー半導体装置 |
KR102351257B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2022-01-17 | 삼성전자주식회사 | 잔류응력을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
WO2016121159A1 (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-12 WO PCT/JP2016/076782 patent/WO2017047544A1/ja active Application Filing
- 2016-09-12 DE DE112016000655.1T patent/DE112016000655B4/de active Active
- 2016-09-12 JP JP2017539889A patent/JP6330976B2/ja active Active
- 2016-09-12 CN CN201680012709.0A patent/CN107431053B/zh active Active
-
2017
- 2017-08-31 US US15/692,196 patent/US10098254B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10098254B2 (en) | 2018-10-09 |
US20170367213A1 (en) | 2017-12-21 |
DE112016000655B4 (de) | 2023-12-07 |
JPWO2017047544A1 (ja) | 2017-12-21 |
CN107431053A (zh) | 2017-12-01 |
WO2017047544A1 (ja) | 2017-03-23 |
CN107431053B (zh) | 2020-10-13 |
DE112016000655T5 (de) | 2017-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6582783B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6610773B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6330976B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2014187088A (ja) | パワー半導体装置の製造方法、パワー半導体装置 | |
JP7204637B2 (ja) | セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置 | |
WO2018092319A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5407881B2 (ja) | パワーモジュール製造方法およびその方法により製造したパワーモジュール | |
JP2010103311A (ja) | 積層基板 | |
JP7027094B2 (ja) | 放熱部品付きパワーモジュール | |
JP2010040881A (ja) | 位置決め治具および半導体装置の製造方法 | |
US7468554B2 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
JP6090529B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2007281189A (ja) | 金属ベース回路板及びその製造方法、実装部品、モジュール | |
JP2011052240A (ja) | 溶射絶縁膜が備えられる構造体の製造方法 | |
JP6020496B2 (ja) | 接合構造体およびその製造方法 | |
JP2006332084A (ja) | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 | |
EP1729342A1 (en) | Heat sink board and manufacturing method thereof | |
JP2007201036A (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
JP2011198864A (ja) | 電力用半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006140402A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP5391151B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよびその製造方法 | |
JP2020092134A (ja) | 基板の製造方法、電力用半導体装置の製造方法、および基板 | |
JP2003318203A (ja) | ダイボンディング方法 | |
JP2019033132A (ja) | ベース板及びパワーモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170911 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180327 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180409 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6330976 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |