DE10051338A1 - Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul und Verfahren für deren Herstellung - Google Patents

Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul und Verfahren für deren Herstellung

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Abstract

Zusammenfassend offenbart die vorliegende Erfindung eine Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung, bei dem in einem einzigen Prozessschritt ohne das Erfordernis einer Nachbearbeitung ein druckfestes, maßstabiles Gehäuse hergestellt werden kann, die sehr zuverlässig ist. In der erfindungsgemäßen Flüssigkeitskühlvorrichtung erfolgt eine Stabilisierung eines Flüssigkeitsraums durch ein darin eingebrachtes gewelltes Blech 5, das sowohl mit dem Gehäuse 4 der Flüssigkeitskühlvorrichtung als auch mit der Kühlfläche 3, auf der ein Submodul 1 befestigt ist, mittels Hartlöten verbunden ist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungselektronik. Sie betrifft eine Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul, wel­ ches eine Mehrzahl von nebeneinander auf einer Kühlfläche angeordneten, wärme­ erzeugenden Submodulen enthält, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.
Die DE 196 43 717 A1 offenbart eine Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochlei­ stungs-Halbleitermodul, das eine Mehrzahl von nebeneinander auf der Kühlfläche angeordneten, wärmeerzeugenden Submodulen enthält. Jedes der Submodule um­ fasst dabei wenigstens ein auf einem elektrisch isolierenden Keramiksubstrat aufge­ brachtes Leistungshalbleiterbauelement und ist auf der Unterseite des Keramiksub­ strats mit der Kühlfläche stoffschlüssig verbunden. Die Flüssigkeitskühlvorrichtung weist ein Gehäuse auf, das einen von einem Kühlflüssigkeit durchflossenen Flüssig­ keitsraum umschliesst und dessen Oberseite die Kühlfläche bildet. Das Gehäuse besteht zumindest im Bereich der Kühlfläche aus einem Material, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient dem therischen Ausdehnungskoeffizienten der Keramiksub­ strate bzw. der Leistungshalbleiterbauelemente der Submodule angepasst ist. Zu­ sätzlich können im Flüssigkeitsraum eine Mehrzahl von Zapfen ausgebildet sein, die von der Kühlfläche her in den Flüssigkeitsraum hineinragen und den Wärmeüber­ gang zwischen der Kühlfläche und der Kühlflüssigkeit verbessern. Durch die derart aufgebaute Flüssigkeitskühlvorrichtung wird die Lastwechselfestigkeit des Modules wesentlich erhöht.
Jedoch besteht bei dieser herkömmlichen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halb­ leitermodul dahingehend ein Problem, dass das Gehäuse des Kühlers nicht druckfest ist und sich ausbeult, da die obere Kühlfläche nur an den Rändern festgehalten wird. Zudem ist er erforderlich, angepasste thermische Ausdehnungskoeffizienten zwi­ schen Kühlfläche und Submodulen zu verwenden. Dadurch wird die herkömmliche Flüssigkeitskühlvorrichtung instabil und ist aufwendig herzustellen.
Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine druckfeste, masstabile Flüs­ sigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermodul, bei dem eine Verwendung von Mate­ rialien mit thermisch angepassten Ausdehnungskoeffizienten nicht mehr erforderlich ist, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung auszubilden.
Diese Aufgabe wird durch eine Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermodul mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 sowie durch das Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkeitskühlvorrichtung nach Patentanspruch 4 gelöst.
Durch die erfindungsgemässe Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermodul wird das bisher eine Schwachstelle bildende Weichlot als Verbindung zwischen AIN- Halbleiterkeramiken und Aluminium- oder AlSiC(MMC = Metal Matrix Compound)- Kühlern beseitigt. Auf diese Weise wird ein druckfestes, massstabiles Gehäuse bzw. eine Flüssigkeitskühlvorrichtung gebildet.
Die erfindungsgemässe massstabile, druckfeste Flüssigkeitskühlvorrichtung weist durch den Wegfall der Lotschichten unter anderen einen niedrigen thermischen Wi­ derstand Rth auf. Zudem entfällt eine Lotermüdung durch Temperaturzyklen, wie sie bei herkömmlichen Kühlvorrichtungen aufgrund von Lastwechseln auftrat. Daher ist durch die erfindungsgemässe Kühlvorrichtung eine erhöhte Zuverlässigkeit sicherge­ stellt.
Da bei dem erfindungsgemässen Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkeitskühl­ vorrichtung für ein Halbleitermodul die Kühlfläche, der Gehäuseteil und die Stabilisie­ rungseinrichtung in einem Schritt gleichzeitig mittels Hartlöten verbunden werden, vereinfacht sich zudem der Herstellungsprozess und ein Nachbearbeitungsschritt entfällt.
Diese und weitere Aufgaben, Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der nachstehenden Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit der Zeichnung offen­ sichtlich.
Es zeigt:
Fig. 1 eine Querschnittansicht der erfindungsgemässen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul.
Eine erfindungsgemässe Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs- Halbleitermodul wird nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 1, die eine bevorzugte Weiterbildung zeigt, genauer beschrieben.
In der Zeichnung bezeichnet Bezugszeichen 1 eine AlN-Submodul-Keramik, 2 eine Aluminium-Beschichtung, 3 eine Kühlfläche aus Aluminium (Al) oder Aluminium- Siliziumkarbid (AlSiC) (MMC), 4 ein Gehäuseteil aus Aluminium oder Aluminium- Siliziumkarbid, 5 einen Stabilisationseinrichtung und 6 eine dielektrische Aussparung bzw. Rille (bzw. dielectric groove).
Im Gegensatz zur herkömmlichen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs­ halbleitermodul kann in dieser bevorzugten Weiterbildung, die in Fig. 1 gezeigt der erfindungsgemässen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs- Halbleitermodul die dielektrische Aussparung bzw. Rille 6 im Bereich um das Sub­ modul 1 herum, benachbart zu der Aluminiumbeschichtung 2 ausgebildet sein, auf der wiederum das Submodul 1 ausgebildet ist. Diese dielektrische Aussparung bzw. Rille 6 kann ausgebildet sein, um Teilentladungen zu verhindern bzw. die Gefahr von Teilentladungen zu verringern, die zu einer Bauteilbeschädigung oder Zerstörung führen könnten, jedoch ist für die Funktion der vorliegenden Erfindung nicht erforder­ lich. Durch diese dielektrische Aussparung bzw. Rille 6 wird die Kühlfläche 3 in die­ sem Bereich in der Dicke reduziert, wodurch die Stabilität der Kühlfläche 3 zunächst verringert wird. Aufgrund der erfindungsgemässen Ausgestaltung wirkt sich dies je­ doch nicht nachteilig auf die Stabilität der Flüssigkeitskühlvorrichtung aus.
Um die bei einer herkömmlichen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermodul fehlende Druckfestigkeit und Massstabilität zu erreichen, wird in der erfindungsge­ mässen Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermodul nämlich im Flüssigkeits­ raum, der durch die Kühlplatte 3 und den Gehäuseteil 4 gebildet ist, zusätzlich eine Stabilisationseinrichtung 5 ausgebildet, die beispielsweise aus einem gewellten Blech besteht. Diese Stabilisationseinrichtung kann hierbei aus Al, AlSiC oder einem ande­ ren Metall bestehen, das durch die Korrosion in der Kühleinrichtung definiert ist. Be­ züglich der Form der Stabilisationseinrichtung ist es für den Fachmann offensichtlich, dass auch andere Gestaltungen der Blechform der Stabiliationseinrichtung 5 möglich sind, solange sie die Stabilisationsfunktion erfüllen.
Die Stabilisationseinrichtung 5 dient zur Stabilisierung des Gehäuses, das aus dem Gehäuseteil 4 und der Kühlfläche 3 gebildet ist, und auch der Kühlfläche 3 an sich und ist an allen Kontaktpunkten mit der Kühlfläche 3 und dem Gehäuseteil 4 mittels Hartlöten verbunden. Auf diese Weise wird die in der herkömmlichen Flüssigkeits­ kühlvorrichtung vorhandene Schwachstelle Weichlot, das eine Verbindung zwischen AlN-Halbleiterkeramiken und Aluminium- oder Aluminium-Siliziumnitrid-Kühlern bildet und aufgrund von Ermüdung durch durchlaufene Temperaturzyklen brechen kann, sowie die Verformung des Gehäuses, bestehend aus dem Gehäuseteil 4 und der Kühlfläche 3, der erfindungsgemässen Flüssigkeitskühlvorrichtung zuverlässig ver­ hindert. Darüber hinaus dient die Stabilisationseinrichtung 5 gleichzeitig der Erhö­ hung der Wärmeübertragung und dadurch der Erhöhung der Kühleffizienz, da auf­ grund der durch die Stabilisierungseinrichtung 5 vergrösserten Oberfläche eine bes­ sere Wärmeableitung in die Kühlflüssigkeit erreicht wird. Durch den Wegfall der her­ kömmlichen Weichlotschichten wird ausserdem der thermische Widerstand Rth be­ deutend verringert, was ebenfalls zu einer verbesserten Kühlung führt.
Die Herstellung der erfindungsgemässen Flüssigkeitskühlvorrichtung erfolgt folgen­ dermassen. Zunächst wird in das Gehäuseteil 4 eine Stabilisationseinrichtung 5 ein­ gebracht. Anschliessend wird die Kühlfläche 3 mit einer darauf über eine Aluminium- Beschichtung 2 befestigten AlN-Submodul-Keramik 1, die wiederum auf ihrer Ober­ fläche mit einer Aluminium-Beschichtung 2 versehen ist bzw. dort Leistungshalblei­ terbauelemente ausgebildet sind, wobei im Bereich auf der Kühlfläche 3 um die AlN- Submodul-Keramik 1 herum eine dielektrische Aussparung 6 ausgebildet ist, als Ab­ deckung auf das Gehäuseteil 4 aufgebracht. Dann erfolgt ein Verbinden der Kühlflä­ che 3, der Stabilisierungseinrichtung 5 und des Gehäuseteils 4 an allen Berührung­ stellen mittels Hartlöten, wodurch ein massstabiles, druckfestes Gehäuse bzw. eine Flüssigkeitskühlvorrichtung erhalten wird.
Dadurch, dass im erfindungsgemässen Verfahren die Verbindung der Kühlfläche 3, der Stabilisierungseinrichtung 5 und des Gehäuseteils 4 in einem einzigen Prozess­ schritt erfolgt, wird der Herstellungsprozess vereinfacht und die Herstellungszeit im Vergleich zur Herstellung einer herkömmlichen Flüssigkeitskühlvorrichtung wesent­ lich verkürzt. Ausserdem entfällt beim erfindungsgemässen Verfahren jeglicher Nachbearbeitungsschritt.
Zusammenfassend offenbart die vorliegende Erfindung eine Flüssigkeitskühlvorrich­ tung sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung, bei dem in einen einzigen Prozess­ schritt ohne das Erfordernis einer Nachbearbeitung ein druckfestes, massstabiles Gehäuse hergestellt werden kann, die sehr zuverlässig ist. In der erfindungsgemä­ ssen Flüssigkeitskühlvorrichtung erfolgt eine Stabilisierung eines Flüssigkeitsraums durch ein darin eingebrachtes gewelltes Blech, das sowohl mit dem Gehäuse der Flüssigkeitskühlvorrichtung als auch mit der Kühlfläche mittels Hartlöten verbunden ist.

Claims (6)

1. Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul, welches eine Mehrzahl von nebeneinander auf einer Kühlfläche (3) angeordneten, wärmeer­ zeugenden Submodulen enthält, wobei jeder der Submodule wenigstens ein auf einem elektrisch isolierenden Keramiksubstrat (1) aufgebrachtes Halbleiterbau­ element umfassen kann und auf der Unterseite des Keramiksubstrate mit der Kühlfläche (3) formschlüssig verbunden ist, mit:
einem Gehäuse (3, 4), welches einen von einer Kühlflüssigkeit durchflossenen Flüssigkeitsraum umschliesst und dessen Oberfläche die Kühlfläche bildet,
dadurch gekennzeichnet, dass
das Gehäuse (3, 4) durch einen wannenförmigen Gehäuseteil (4) und als Deck­ fläche die Kühlfläche (3) gebildet ist;
in den Gehäuseteil (4) eine Stabilisierungseinrichtung (5) eingebracht ist, die mit­ tels von Hartlötverbindungen an jedem Kontaktpunkt mit dem Gehäuse (3, 4) ver­ bunden ist, und
die Kühlfläche (3) ebenfalls mittels von Hartlötverbindungen an dem Gehäuseteil (4) befestigt ist.
2. Flüssigkeitskühlvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Stabilisierungseinrichtung (5) ein gewelltes Blech ist.
3. Flüssigkeitskühlvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlfläche (3) und/oder der Gehäuseteil (4) aus Aluminium oder Aluminium- Siliziumkarbid gebildet sind.
4. Flüssigkeitskühlvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Oberseite der Kühlfläche (3) im Bereich um das Keramiksubstrat (1) her­ um eine Aussparung (6) ausgebildet ist.
5. Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkeitskühlvorrichtung für ein Halbleitermo­ dul, mit den Schritten:
Einbringen einer Stabilisationseinrichtung (5) in ein wannenförmiges Gehäuseteil (4) einer Flüssigkeitskühlvorrichtung,
Aufbringen einer Kühlfläche (3) mit einer darauf über eine Aluminium­ beschichtung (2) befestigten AlN-Submodul-Keramik (1), die wiederum auf ihrer Oberfläche mit einer Aluminium-Beschichtung (2) sowie Leistungshalbleiterbau­ elementen versehen ist, auf den Gehäuseteil (4) als Deckplatte,
Verbinden der Kühlfläche (3), der Stabilisierungseinrichtung und des Gehäuse­ teils (4) an allen Berührungsstellen mittels Hartlöten, wodurch ein massstabiles, druckfestes Gehäuse erhalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt:
Ausbilden einer Aussparung (6) in der Kühlfläche (3) im Bereich und die AlN- Submodul-Keramik (1) herum.
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