DE102006028675A1 - Elektronische Schaltungsanordnung mit einer thermisch an eine Wärmesenke angekoppelten Schaltungsträgerplatte - Google Patents

Elektronische Schaltungsanordnung mit einer thermisch an eine Wärmesenke angekoppelten Schaltungsträgerplatte Download PDF

Info

Publication number
DE102006028675A1
DE102006028675A1 DE102006028675A DE102006028675A DE102006028675A1 DE 102006028675 A1 DE102006028675 A1 DE 102006028675A1 DE 102006028675 A DE102006028675 A DE 102006028675A DE 102006028675 A DE102006028675 A DE 102006028675A DE 102006028675 A1 DE102006028675 A1 DE 102006028675A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit arrangement
flat side
heat sink
arrangement according
coolant passage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102006028675A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102006028675B4 (de
Inventor
Volker Karrer
Bernhard Lichtinger
Johannes Mehler
Folker Dr. Renken
Florian Dr. Schupp
Arnoud Smit
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vitesco Technologies GmbH
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE102006028675A priority Critical patent/DE102006028675B4/de
Priority to KR1020070061150A priority patent/KR101477578B1/ko
Priority to US11/821,154 priority patent/US7542291B2/en
Publication of DE102006028675A1 publication Critical patent/DE102006028675A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102006028675B4 publication Critical patent/DE102006028675B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20218—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating using a liquid coolant without phase change in electronic enclosures
    • H05K7/20254—Cold plates transferring heat from heat source to coolant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

Um bei einer elektronischen Schaltungsanordnung (10), umfassend wenigstens eine Schaltungsträgerplatte (12), die mit einer Flachseite (22) thermisch an eine wenigstens eine Kühlmittelpassage (24) aufweisende Wärmesenke (26) angekoppelt ist, das Wärmeabfuhrvermögen zu verbessern, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Flachseite (22) unmittelbar an die Kühlmittelpassage (24) angrenzt.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Schaltungsanordnung, umfassend wenigstens eine Schaltungsträgerplatte zur Verdrahtung von Bauelementen der Schaltungsanordnung, die mit einer Flachseite thermisch an eine wenigstens eine Kühlmittelpassage aufweisende Wärmesenke angekoppelt ist.
  • Derartige Schaltungsanordnungen sind in vielfältigen Ausführungen insbesondere in der Leistungselektronik bekannt und besitzen den Vorteil, dass im Betrieb der elektrischen oder elektronischen Bauelemente entstehende Wärme an ein die Kühlmittelpassage durchströmendes Kühlmedium (z. B. Kühlflüssigkeit) abgegeben werden kann.
  • Bei den bekannten Schaltungsanordnungen wird die Schaltungsträgerplatte ("Substrat") auf einer Flachseite (Oberseite) mit Bauelementen bestückt und mit der entgegengesetzten Flachseite (Unterseite) mit Hilfe einer Lotpaste an eine erste, vollmetallische Wärmesenke angebunden. Sowohl die Unterseite des Substrates als auch die vollmetallische erste Wärmesenke bestehen hierbei meist aus einer Kupferlegierung, um den Lötprozess mit einer herkömmlichen Lotpaste realisieren zu können. Diese erste Wärmesenke wird anschließend in einem weiteren Schritt mit Hilfe einer Wärmeleitpaste bzw. einem Wärmeleitkleber an eine zweite, vom Kühlmittel durchströmbare Wärmesenke angebunden.
  • Nachteilig sind bei diesem Stand der Technik der vergleichsweise große Fertigungsaufwand sowie die mehr oder weniger großen Wärmeübergangswiderstände einerseits von der Schaltungsträgerplatte zur ersten Wärmesenke und andererseits von der ersten Wärmesenke zur zweiten (z. B. flüssigkeitsgekühlten) Wärmesenke.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, bei einer Schaltungsanordnung der eingangs erwähnten Art das Wärmeabfuhrvermögen weiter zu verbessern.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Flachseite der Schaltungsträgerplatte unmittelbar an die Kühlmittelpassage angrenzt.
  • Damit ergibt sich vorteilhaft ein direkter Wärmeableitungspfad von der Schaltungsträgerplatte zum Kühlmedium. Somit kann in der Praxis eine besonders rasche und effiziente Kühlung der Schaltungsträgerplatte bzw. der Bauelemente durch eine Wärmesenke mit "integriertem Kühler" erfolgen. Bei der Erfindung gibt es eine Versagungsstelle weniger, nämlich die bislang vollflächige Auflötung einer separaten Wärmesenkeplatte. Der oder die festen Bestandteile der "Wärmesenke" im Sinne der Erfindung dienen in erster Linie als Begrenzung eines im Betrieb Wärme aufnehmenden Kühlmediums. Diese Bestandteile können selbst eine Wärmesenkenfunktion besitzen. Dies ist jedoch nicht zwingend.
  • Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass die thermisch an die Wärmesenke angekoppelte Flachseite, nachfolgend als auch "Unterseite" bezeichnet, in vielfältiger Weise für einen optimalen Wärmeübergang ausgebildet bzw. modifiziert werden kann. Im Gegensatz zu der aus dem Stand der Technik bekannten vollflächigen Verlötung der Unterseite ergibt sich bei der erfindungsgemäßen Gestaltung eine größere Freiheit sowohl hinsichtlich des Materials der Unterseite als auch hinsichtlich der Formgebung. Ferner wird durch die Erfindung bei vorgegebenem Wärmeabfuhrvermögen vorteilhaft sowohl der Fertigungsaufwand als auch der Bauraum (orthogonal zur Ebene der Schaltungsträgerplatte) verringert.
  • Eine bevorzugte Verwendung der Schaltungsanordnung besteht für den Bereich der Automobilelektronik, insbesondere der dortigen Leistungselektronik, wie sie z. B. in so genannten Steuergeräten (z. B. Motorsteuergerät etc.) benötigt wird.
  • Bei dem Kühlmedium handelt es sich bevorzugt um eine Kühlflüssigkeit. Bei einer Verwendung in der Elektronik eines Kraftfahrzeugs kann die Wärmesenke beispielsweise mit dem ohnehin vorhandenen Kühlwasser des Kühlkreislaufes für eine Brennkraftmaschine versorgt werden. Alternativ oder zusätzlich ist die Anbindung der Wärmesenke an einen eigens hierfür vorgesehenen Kühlmediumkreislauf möglich.
  • Für die Ausbildung der Schaltungsträgerplatte bzw. des Substrates kann auf im Bereich der Leistungselektronik gängige Technologien zurückgegriffen werden. Ganz allgemein eignet sich ein Lagenaufbau aus einer oder mehreren Leiterbahnschichten, die wenigstens teilweise zur Ausbildung von Leiterbahnen strukturiert (und gegebenenfalls "durchkontaktiert") sind, und einer oder mehreren Isolationsschichten (Dielektrisches Substrat) zumindest zwischen einander benachbarten Leiterbahnschichten. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform besitzt die Schaltungsträgerplatte ein keramisches Substratmaterial und eine oder mehrere Leiterbahnschichten aus metallischem Material. Eine hierbei besonders bevorzugte Ausführung stellt ein so genanntes DCB-Substrat (DCB = "Direct Copper Bonding") dar. Gängige und im Rahmen der Erfindung gut geeignete DCB-Substrate bestehen aus einem keramischen Isolator, zumeist Al2O3 (Aluminiumoxid) oder AlN (Aluminiumnitrid), auf dem in einem Hochtemperaturschmelz- und Diffusionsprozess mehr oder weniger reines Kupfer aufgebracht und haftfest mit der Keramik verbunden wird. Derartige Substrate besitzen vorteilhaft eine hohe Wärmeleitfähigkeit und bei entsprechend dicker Kupferbeschichtung (z. B. 100 bis 800 μm) auch eine hohe Wärmekapazität durch die Leiterbahnschichten. Zudem ergibt sich vorteilhaft z. B. eine vergleichsweise geringe Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten des Keramikmaterials und des für die Leistungselektronik vorteilhaften Siliziummaterials von beispielsweise ungehäust aufgebrachten Siliziumchips.
  • Wenngleich bei der Erfindung eine doppelseitige Bestückung der Schaltungsträgerplatte mit Bauelementen nicht prinzipiell ausgeschlossen ist, so ist diese Bestückung bevorzugt einseitig an einer der Kühlmittelpassage entgegengesetzten Flachseite vorgesehen.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform ist die an die Kühlmittelpassage angrenzende Flachseite von einer Metallschicht, z. B. einer sich über die volle Fläche der Schaltungsträgerplatte erstreckenden Metallschicht (z. B. Kupferschicht) gebildet.
  • Ein Randbereich der Unterseite der Schaltungsträgerplatte kann z. B. ringförmig geschlossen umlaufend an einem korrespondierend ringförmig umlaufenden Randbereich der Wärmesenke kühlmediumdicht angebunden, z. B. verklebt oder verlötet sein. Für diese Gestaltung kann z. B. ein herkömmliches DCB-Substrat (mit unterseitig vollflächiger Kupferbeschichtung) verwendet werden, welches mit seiner Unterseite in einem Randbereich ringsherum an einer ringförmig geschlossen verlaufenden, ebenen Anbindungsoberfläche der Wärmesenke verlötet wird. Die dichtende Anbindung der Unterseite der Schaltungsträgerplatte an der die Kühlmittelpassage aufweisenden Wärmesenke kann alternativ auch durch eine zwischengefügte Dichtung realisiert werden. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die Schaltungsträgerplatte ein DCB-Substrat mit einer oder mehreren Leiterbahnschichten, beispielsweise mit einer oberen strukturierten und mit Bauelementen bestückten Kupferschicht und einer unteren teilweise mit dem Kühlmedium und teilweise mit einer Anbindungsfläche der Wärmesenke in Verbindung stehenden Kupferschicht.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung ist die an die Kühlmittelpassage angrenzende Flachseite der Schaltungsträgerplatte mit einer kühloberflächenvergrößernden Struktur ausgebildet. Die Struktur kann z. B. wenigstens einen flächig ausgedehnt von der Flachseite weg in die Kühlmittelpassage hineinragen den Strukturkörper umfassen, der z. B. von einem wärmeleitenden Blech (z. B. Metallblech) gebildet sein kann.
  • Mit einem oder mehreren der vorstehend erwähnten Strukturkörper kann nicht nur vorteilhaft die für den Wärmeübergang maßgebliche Oberfläche vergrößert werden, sondern je nach konkreter Gestaltung auch vorteilhaft eine mechanisch stabilisierende Wirkung für die betreffende Schaltungsträgerplatte erzielt werden. Dies ist insbesondere im Hinblick auf etwaige Strömungs- und/oder Druckfluktuationen in der Kühlmittelpassage von großer praktischer Bedeutung. Gängige und somit zu bevorzugende Kühlmittelpumpen, die im Rahmen der Erfindung zur Versorgung der Kühlmittelpassage mit einem Kühlmedium verwendet werden (z. B. Zahnradpumpen, Kolbenpumpen etc.) erzeugen oftmals Pulsstöße, welche das Substrat durchbiegen lassen könnten. Dieses Problem kann durch geeignete Anordnung (z. B. Anbringung) von Stabilisierungsteilen zwischen Schaltungsträgerplatte und einer die Kühlmittelpassage begrenzenden Innenwand der Wärmesenke beseitigt werden. Besonders vorteilhaft können solche Stabilisierungsteile als die oben erwähnten Strukturkörper ausgebildet gleichzeitig das Wärmeabfuhrvermögen des Systems verbessern.
  • Für die Bereitstellung von Strukturkörpern (zur Verbesserung der Wärmeabfuhr und/oder zur mechanischen Stabilisierung) gibt es vielfältige Möglichkeiten.
  • In einer Variante ist vorgesehen, dass der Strukturkörper direkt als abgebogener Metallabschnitt einer die Flachseite ausbildenden Metallschicht der Schaltungsträgerplatte ausgebildet ist.
  • In einer anderen Variante ist vorgesehen, dass der Strukturkörper an einer die Flachseite ausbildenden Metallschicht der Schaltungsträgerplatte befestigt ist.
  • Für beide Varianten, die auch miteinander kombinierbar sind, ist es insbesondere zur Erzielung einer mechanischen Stabili sierung von Vorteil, wenn ein von der Flachseite beabstandeter Abschnitt des Strukturkörpers an einer die Kühlmittelpassage begrenzenden Innenwand der Wärmesenke befestigt ist.
  • Für die Befestigung eines oder mehrerer Strukturkörper an der Unterseite des Substrates und/oder an einem Innenwandabschnitt der Wärmesenke eignet sich insbesondere eine Verlötung. Der oder die Strukturkörper sind bevorzugt als Blech e) ausgebildet. In einer bevorzugten Ausführungsform erstreckt sich ein solches Stabilisierungs- und/oder Kühlblech "zickzackartig" zwischen der Substratunterseite und einer ebenfalls an die Kühlmittelpassage angrenzenden, gegenüberliegenden Innenwand der Wärmesenke. Diese Innenwand kann sich z. B. im Wesentlichen parallel zur Substratunterseite (Flachseite) erstrecken.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen weiter beschrieben. Es stellen dar:
  • 1 eine schematische Seitenansicht einer Schaltungsanordnung gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels,
  • 2 eine schematische Seitenansicht einer Schaltungsanordnung gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels,
  • 3 eine schematische Seitenansicht einer Schaltungsanordnung gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels,
  • 4 eine schematische Draufsicht einer Schaltungsanordnung gemäß eines vierten Ausführungsbeispiels,
  • 5 einen Teilbereich einer Schnittansicht längs der Linie V-V in 4,
  • 6 eine Schnittansicht längs der Linie VI-VI in 4.
  • 1 veranschaulicht eine elektronische Schaltungsanordnung 10, umfassend eine Schaltungsträgerplatte in Form eines DCB-Substrates 12 bestehend aus einer oberen Kupferschicht 14, einer Keramik 16 und einer unteren Kupferschicht 18, zur Verdrahtung von Bauelementen der Schaltungsanordnung, von denen der Einfachheit halber lediglich eines eingezeichnet und mit 20 bezeichnet ist.
  • Die obere leitfähige Schicht 14 des Substrates 12 ist in an sich bekannter Weise zur Ausbildung von Leiterbahnen (nicht dargestellt) strukturiert. Bei dem dargestellten Bauelement 20 handelt es sich um einen ungehäusten Chip ("bare die") einer von der Schaltungsanordnung 10 ausgebildeten Leistungselektronik.
  • Bei der dargestellten Elektronikeinheit kann es sich z. B. um ein motornah in einem Kraftfahrzeug zu verbauendes Steuergerät handeln, welches in dieser Installationsumgebung einer erhöhten Umgebungstemperatur ausgesetzt ist.
  • Das Substrat 12 besitzt eine einheitliche Dicke und ein rechteckiges Format und ist mit einer unteren Flachseite 22 thermisch an eine wenigstens eine Kühlwasserpassage 24 aufweisende Wärmesenke 26 angekoppelt, indem die Flachseite 22 unmittelbar an die Kühlwasserpassage 24 angrenzt. Mit anderen Worten bildet ein in 1 mittlerer Abschnitt der unteren Flachseite 22 eine obere Begrenzung der Kühlwasserpassage 24, die zur Seite und nach unten hin durch das Material der Wärmesenke (hier: Kupfer) begrenzt wird.
  • Durch diese unmittelbare thermische Anbindung des Substrates 12 kann im Betrieb der Schaltungsanordnung 10 eine sehr rasche und effiziente Wärmeabfuhr von den Bauelementen zum Kühlwasser erfolgen.
  • Die Abdichtung der Kühlwasserpassage 24 im Übergangsbereich zwischen Substrat 12 und Wärmesenke 26 ist im dargestellten Ausführungsbeispiel durch eine an der unteren Flachseite 22 in deren Randbereich ringsherum umlaufende Verlötung realisiert (Lotschicht 28).
  • In einer besonders einfachen, nicht dargestellten Ausführungsform wird die obere Begrenzung der Kühlwasserpassage 24 durch den mittleren Abschnitt einer vollflächigen unterseitigen Kupferschicht des Substrates 12 gebildet. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel wurde bei der Herstellung des DCB-Substrates 12 jedoch eine Modifikation dergestalt vorgenommen, dass die zur Ausbildung der unteren Flachseite 22 verwendete Kupferschicht 18 zunächst gestanzt und strukturiert (gebogen) wurde, so dass am fertigen Substrat 12 mehrere von der Flachseite 22 weg nach unten ragende Kupferblechfahnen 30 vorhanden sind.
  • An der fertigen Schaltungsanordnung 10 bewirkt diese Modifikation eine Vergrößerung der für die Kühlwirkung maßgeblichen Oberfläche, da das Kupferblechmaterial 30 beidseitig mit dem Kühlwasser in Kontakt steht. Zudem steht das Kühlwasser in jedem ausgesparten Bereich 32 vorteilhaft unmittelbar in Kontakt mit der Keramik 16 des DCB-Substrates 12.
  • Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Kupferblechfahnen 30 "doppelt-rechtwinklig" nach unten abgeknickt bzw. abgebogen und besitzen jeweils einen flachen Fahnenabschnitt 34, welcher sich parallel zu einer die Kühlmittelpassage 24 nach unten hin begrenzenden Innenwand 36 der Wärmesenke 26 erstreckt und an dieser befestigt ist. Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist diese Befestigung der von der Flachseite 22 beabstandeten Fahnenabschnitte 34 jeweils durch eine Verlötung (Lotschicht 38) realisiert. Durch diese Befestigung wird erreicht, dass die Kupferblechfahnen 30 auch eine mechanisch stabilisierende Wirkung für das Substrat 12 im Hinblick auf Strömungs- und/oder Druckfluktuationen in der Kühlwasserpassage 24 besitzen, was die ganze Anordnung für eine mehr oder weniger pulsierende Kühlwasserversorgung geeignet macht (ohne dass die Gefahr einer im Takt der Druckpulse erfolgenden Durchbiegung des Substrates 12 bzw. einer übermäßigen Belastung der abdichtenden Verlötung 28 besteht).
  • Bei der nachfolgenden Beschreibung von weiteren Ausführungsbeispielen werden für gleichwirkende Komponenten die gleichen Bezugszahlen verwendet, jeweils ergänzt durch einen kleinen Buchstaben zur Unterscheidung der Ausführungsform. Dabei wird im Wesentlichen nur auf die Unterschiede zu dem bzw. den bereits beschriebenen Ausführungsbeispielen eingegangen und im Übrigen hiermit ausdrücklich auf die Beschreibung vorangegangener Ausführungsbeispiele verwiesen.
  • 2 veranschaulicht eine Modifikation der mit Bezug auf 1 beschriebenen Ausführungsform. Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform sind Kupferblechfahnen 30a nicht direkt als abgebogener Metallabschnitt einer unterseitigen Metallschicht eines Substrates (Dielektrikum) 12a ausgebildet sondern als einzelne zusätzliche Kupferblechfahnen, die nach Fertigung des DCB-Substrates 12a an dessen Unterseite nachträglich befestigt wurden.
  • Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist diese Befestigung durch eine Verlötung (Lotschicht 40a) realisiert. Auch bei der in 2 dargestellten Ausführungsform sind die Kupferblechfahnen 30a wieder mit einem Abschnitt 34a an einer Innenwand 36a der Wärmesenke 26a angebunden, so dass neben einer verbesserten Kühlwirkung auch die vorteilhafte mechanische Stabilisierung des Substrates 12a erreicht wird.
  • 3 zeigt eine Modifikation der mit Bezug auf 2 beschriebenen Ausführungsform. Bei der in 3 dargestellten Ausführungsform enthält eine Kühlwasserpassage 24b einer Wärmesenke 26b ein im Querschnitt betrachtet "zickzackförmig" gebogenes Kupferblech 30b, von welchem streifenförmige Abschnitte in dargestellter Weise alternierend durch Lotschichten 40b bzw. 38b an einer unteren Flachseite 22b eines Sub strates 12b und an einer davon beabstandeten Innenwand 36b der Wärmesenke 26b thermisch und mechanisch angebunden sind. Mit einem derartigen Strukturkörper 30b kann in einfacher Weise z. B. eine mäanderförmig verlaufende Kühlmittelströmung an der Unterseite des Substrates 12b realisiert werden, wie dies in 3 durch zwei Pfeilsymbole angedeutet ist.
  • Ein weiterer Unterschied zu den vorstehend bereits beschriebenen Ausführungsformen besteht darin, dass das Substrat 12b seitliche Begrenzungsabschnitte der Wärmesenke 26b nicht seitlich überlappt und mit diesen abdichtend verbunden ist sondern vollständig innerhalb eines Raumes angeordnet ist, welcher einerseits durch das Material der Wärmesenke 26b und andererseits durch das Material (Metall) einer Abdeckung 42b begrenzt wird. Die Abdeckung 42b ist hierbei in nicht dargestellter Weise flüssigkeitsdicht ringsherum umlaufend mit der Wärmesenke 26b verbunden.
  • Der Raum zwischen dem Substrat 12b und der Abdeckung 42b kann mit einem Gel gefüllt sein, welches in an sich bekannter Weise einen Schutz für die Bauelemente bieten kann. Im Rahmen der Erfindung ergibt sich bei Verwendung eines Gels der zusätzliche Vorteil einer mechanischen Stabilisierung des Substrates 12b im Hinblick auf auf Strömungs- und/oder Druckfluktuationen in der Kühlmittelpassage 24b.
  • 4 ist eine schematische Draufsicht einer Schaltungsanordnung 10c, bei welcher ein modulartiger Aufbau aus mehreren gestapelten Schaltungsanordnungsmodulen vorgesehen ist.
  • In 4 ist die Anordnung eines für alle gestapelten Module gemeinsamen Kühlwasserzulaufkanals 50c und eines für alle Module gemeinsamen Kühlwasserablaufkanals 52c ersichtlich. Die Stapelrichtung der Module verläuft orthogonal zur Zeichenebene von 4. Ferner sind in dieser Figur ein zentraler Kühlpassagenbereich 54c, ein Stegbereich 56c, ein Wandungsbereich 58c und ein Außenabdichtungsbereich 60c (umlaufende Dichtung) eingezeichnet.
  • Die 5 und 6 sind Schnittansichten längs der Linien V-V bzw. VI-VI in 4, wobei der Einfachheit der Darstellung halber in 5 lediglich ein von insgesamt zwei Schaltungsanordnungsmodulen dargestellt ist.
  • Ähnlich wie bei den oben bereits beschriebenen Ausführungsformen erkennt man in den 5 und 6 wieder Substrate 12c, die jeweils mit ihrer unteren Flachseite 22c in direktem Kontakt mit Kühlwasser in einer Kühlwasserpassage 24c stehen.
  • Eine für alle Module gemeinsame Wärmesenke 26c besitzt hierbei mehrere (hier: zwei) Kühlwasserpassagen 24c und ist, wie es gut in 6 zu erkennen ist, modulartig aufgebaut: Der Boden der Wärmesenke 26c wird von einer ersten Metallplatte 62c gebildet, von welcher im mittleren Bereich eine erste der beiden Kühlmittelpassagen 24c begrenzt wird. Seitlich davon, im Wandungsbereich 58c (vgl. 4) schließt sich daran ein erstes Umrandungsteil 64c nach oben hin an, welches einen Aufnahmeraum zur Ausbildung der Kühlwasserpassage 24c und des in 6 unteren Substrates 12c bildet. Dieser Raum wird nach oben hin durch eine zweite Metallplatte 66c abgeschlossen, welche gleichzeitig eine Bodenplatte für das in 6 obere Schaltungsanordnungsmodul bildet. Der Raum des oberen Schaltungsanordnungsmoduls, welcher die obere Kühlwasserpassage 24c und das obere Substrat 12c enthält, ist im Wesentlichen identisch zu dem unteren Modul aufgebaut und umfasst ferner ein zweites Umrandungsteil 68c und eine nach oben hin den Raum abschließende dritte Metallplatte 70c, überhalb welcher schließlich noch eine Abdeckung 72c angeordnet ist.
  • An den unteren Flachseiten 22c der Substrate 12c ist jeweils ein "Turbolatorblech" 30c angelötet.
  • Die Abdeckung 72c ist im dargestellten Beispiel ebenfalls kühlflüssigkeitsdurchströmt.
  • Eine Besonderheit bei der Anordnung der Substrate 12c besteht darin, dass diese auf ihrer Unterseite 22c in einem umlaufenden Randbereich jeweils an der Oberseite eines aus dem jeweiligen Umrandungsteil 64c bzw. 68c ragenden Steg 74c bzw. 76c angelötet sind.
  • Die Umrandungsteile 64c und 68c können z. B. aus Kunststoffmaterial gebildet sein, in welchem bei der Herstellung die Stege Steg 74c bzw. 76c (z. B. als Einlegeteile in einem Umspritzungsprozess) integriert wurden.
  • Seitlich außerhalb des Wandungsbereichs 58c gemäß 4 sind in dem Außenabdichtungsbereich 60c jeweilige Dichtungsanordnungen 78c bzw. 80c vorgesehen, um etwaig über die Stegbereiche leckendes Kühlwasser an einem Austritt zu hindern.
  • In 6 erkennt man ferner durch die Umrandungs- und Außenabdichtungsbereiche hindurchgeführte elektrische Kontaktierungen 82c zur elektrischen Weiterverbindung der Substrate 12c.
  • Seitlich außerhalb des Außenabdichtungsbereiches gemäß 4 sind schließlich, wie in 5 erkennbar, die Kühlwasserzulauf- und Kühlwasserablaufkanäle 50c, 52c angeordnet, welche sich jeweils von Modul zu Modul in abgedichteter Weise erstrecken und mit geeigneten seitwärts verlaufenden Wasserkanälen in den Metallplatten 62c, 66c und 70c in Verbindung stehen, um Kühlwasser zu den Kühlwasserpassagen 24c zuzuführen und von diesen abzuführen (vgl. Pfeile in den 5 und 6).
  • Mit den oben beschriebenen Ausführungsformen wird eine verbesserte Anbindung eines Substrates, z. B. eines DCB-Substrates beim Einsatz in der Leistungselektronik an eine flüssigkeitsgekühlte Wärmesenke realisiert. Die Grundidee der Neuerung besteht in einer direkteren Anbindung eines oder mehrerer plattenförmiger Substrate an ein Kühlmedium, wobei bevorzugt entweder direkt integrierte oder zusätzlich aufge brachte Kühlstrukturkörper vorgesehen sind, welche sowohl zur Vergrößerung der Kühloberfläche als auch zur mechanischen Stabilisierung des Substrates gegen mögliche Verformungen bei einer Pulsation des Kühlmedium genutzt werden können. Damit können in einfacher Weise höhere Verlustleistungen im Betrieb der betreffenden Schaltungsanordnungen abgeführt werden und darüber hinaus eine Bauraumersparnis erzielt werden. Die erwähnten und in den Ausführungsbeispielen beschriebenen Strukturkörper sind bevorzugt als gebogene bzw. abgewinkelte Bleche vorgesehen und werden vorzugsweise zumindest in der Nachbarschaft desjenigen oder derjenigen Bauteile der Schaltungsanordnung mit der größten Verlustleistung angeordnet, um eine möglichst kurze thermische Anbindung zur Wärmesenke zu haben.
  • Durch die unterschiedliche Anbringung bzw. Anordnung der Kühlbleche bzw. "Turbolatoren" kann zudem eine gezielt turbulente und nicht laminare Strömung in der oder den Kühlpassagen bewerkstelligt werden, welche wiederum zur besseren Kühlung beiträgt.
  • Insbesondere bei den Ausführungsformen, bei welchen ein das Substrat aufnehmender Raum abgeschlossen ist, z. B. durch die erwähnten Abdeckungen, ist es von besonderem Vorteil, diesen Raum mit einem Gel auszufüllen, da dieses Gel alternativ oder zusätzlich zu den erwähnten Strukturkörpern ebenfalls zur mechanischen Stabilisierung des Substrates beitragen kann.

Claims (10)

  1. Elektronische Schaltungsanordnung, umfassend wenigstens eine Schaltungsträgerplatte (12) zur Verdrahtung von Bauelementen (20) der Schaltungsanordnung, die mit einer Flachseite (22) thermisch an eine wenigstens eine Kühlmittelpassage (24) aufweisende Wärmesenke (26) angekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Flachseite (22) unmittelbar an die Kühlmittelpassage (24) angrenzt.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, wobei die an die Kühlmittelpassage (24) angrenzende Flachseite (22) von einer Metallschicht (18), insbesondere Kupferschicht, gebildet ist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, wobei die Schaltungsträgerplatte (12) ein DCB-Substrat ist.
  4. Schaltungsanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die an die Kühlmittelpassage (24) angrenzende Flachseite (22) mit einer kühloberflächenvergrößernden Struktur ausgebildet ist.
  5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, wobei die Struktur wenigstens einen flächig ausgedehnt von der Flachseite (22) weg in die Kühlmittelpassage (24) hineinragenden Strukturkörper (30) umfasst.
  6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, wobei der Strukturkörper (30) von einem wärmeleitenden Blech gebildet ist.
  7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5 oder 6, wobei der Strukturkörper (30) eine mechanisch stabilisierende Wirkung für die Schaltungsträgerplatte (12) im Hinblick auf Strömungs- und/oder Druckfluktuationen in der Kühlmittel passage (24) besitzt.
  8. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der Strukturkörper (30) direkt als abgebogener Metallabschnitt einer die Flachseite (22) ausbildenden Metallschicht (18) der Schaltungsträgerplatte (12) ausgebildet ist.
  9. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei der Strukturkörper (30) an einer die Flachseite (22) ausbildenden Metallschicht (18) der Schaltungsträgerplatte (12) befestigt ist.
  10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8 oder 9, wobei ein von der Flachseite (22) beabstandeter Abschnitt (34) des Strukturkörpers (30) an einer die Kühlmittelpassage (24) begrenzenden Innenwand (36) der Wärmesenke (26) befestigt ist.
DE102006028675A 2006-06-22 2006-06-22 Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente Active DE102006028675B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006028675A DE102006028675B4 (de) 2006-06-22 2006-06-22 Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente
KR1020070061150A KR101477578B1 (ko) 2006-06-22 2007-06-21 열 싱크에 열적으로 커플링된 인쇄회로기판을 구비한전자식 회로 장치
US11/821,154 US7542291B2 (en) 2006-06-22 2007-06-22 Electronic circuit configuration having a printed circuit board thermally coupled to a heat sink

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006028675A DE102006028675B4 (de) 2006-06-22 2006-06-22 Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102006028675A1 true DE102006028675A1 (de) 2007-12-27
DE102006028675B4 DE102006028675B4 (de) 2008-08-21

Family

ID=38721095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006028675A Active DE102006028675B4 (de) 2006-06-22 2006-06-22 Kühlanordnung für auf einer Trägerplatte angeordnete elektrische Bauelemente

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7542291B2 (de)
KR (1) KR101477578B1 (de)
DE (1) DE102006028675B4 (de)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009010257A1 (de) * 2009-02-24 2010-08-26 Jungheinrich Aktiengesellschaft Leistungsteil für eine Motorsteuerung in einem Flurförderzeug
DE102009010256A1 (de) * 2009-02-24 2010-08-26 Jungheinrich Aktiengesellschaft Leiterplatte mit Kühlkörper
DE102010001565A1 (de) 2010-02-04 2011-08-04 Robert Bosch GmbH, 70469 Leistungsmodul mit einer Schaltungsanordnung, elektrische/elektronische Schaltungsanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls
DE102010040582A1 (de) 2010-09-10 2012-03-15 Continental Automotive Gmbh Gehäuse für eine elektronische Schaltung mit integrierter Kühlmittelpassage und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011089891A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Continental Automotive Gmbh Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger
DE102014214209A1 (de) * 2014-07-22 2016-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung zur zielgerichteten Kühlung von elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen
DE102014111786A1 (de) * 2014-08-19 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Kühlplatte, Bauelement, das eine Kühlplatte umfasst, und Verfahren zum Herstellen einer Kühlplatte
DE102016211967B3 (de) * 2016-06-30 2017-09-07 Schweizer Electronic Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5070014B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-07 株式会社豊田自動織機 放熱装置
JP2009130060A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyota Industries Corp 放熱装置
JP5065202B2 (ja) * 2008-08-28 2012-10-31 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US20120069524A1 (en) * 2009-05-27 2012-03-22 Schulz-Harder Juergen Cooled electric unit
DE102010010097A1 (de) * 2010-03-01 2011-09-01 Esw Gmbh Kompakter Laser-Entfernungsmesser
WO2011113867A1 (de) 2010-03-18 2011-09-22 Continental Automotive Gmbh Schaltungseinheit mit stromschiene zur strom- und wärmeübertragung sowie ein verfahren zur herstellung dieser schaltungseinheit
TW201228583A (en) * 2010-12-30 2012-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electronic device
US8804340B2 (en) * 2011-06-08 2014-08-12 International Rectifier Corporation Power semiconductor package with double-sided cooling
US8992324B2 (en) * 2012-07-16 2015-03-31 Wms Gaming Inc. Position sensing gesture hand attachment
JP2014060211A (ja) * 2012-09-14 2014-04-03 Omron Corp 基板構造、半導体チップの実装方法及びソリッドステートリレー
EP3081683A1 (de) * 2015-04-16 2016-10-19 NV Michel van de Wiele Tuftingmaschine
DE102016112427B4 (de) * 2016-07-06 2019-11-28 4Activesystems Gmbh Leistungsstarke und witterungsbeständige Plattform für ein Testsystem zum Testen von Kollisionen oder kollisionsnahen Situationen
JP6649854B2 (ja) * 2016-07-21 2020-02-19 レノボ・シンガポール・プライベート・リミテッド 電子機器
DE102016226262A1 (de) * 2016-12-28 2018-06-28 Robert Bosch Gmbh Elektronikmodul, Verfahren
JP6939596B2 (ja) * 2018-01-24 2021-09-22 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板の製造方法及びセラミックス‐銅接合体
EP3843512A1 (de) * 2019-12-23 2021-06-30 Aptiv Technologies Limited Kühlsystem zur kühlung einer elektronischen komponente, verfahren zur montage eines kühlsystems, elektronische steuerungseinheit und fahrzeug

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3913161A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-31 Schulz Harder Juergen Aus kupfer- und keramikschichten bestehendes mehrschichtiges substrat fuer leiterplatten elektrischer schaltungen
DE4012100A1 (de) * 1990-04-14 1991-10-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Leiterplatte mit einer kuehlvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE19514548C1 (de) * 1995-04-20 1996-10-02 Daimler Benz Ag Verfahren zur Herstellung einer Mikrokühleinrichtung
JPH09121557A (ja) * 1995-10-23 1997-05-06 Hitachi Ltd 回転機器の電子部品冷却構造及びその製作方法
JPH11163572A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Denso Corp 液冷回路装置
DE10102621A1 (de) * 2001-01-20 2002-08-01 Conti Temic Microelectronic Leistungsmodul
US6799628B1 (en) * 2000-07-20 2004-10-05 Honeywell International Inc. Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components
DE69821779T2 (de) * 1997-09-17 2004-12-09 Advanced Energy's Voorhees Operations Kühlmodul für elektronische bauelemente
DE102005034367A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Aisin AW Co., Ltd., Anjo Elektronische Steuerungsvorrichtung für ein Automatikgetriebe
DE102005040453A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Heidelberger Druckmaschinen Ag Kühlanordnung für Strahlungsquellen bei der Herstellung einer Druckform

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4010193C3 (de) * 1990-03-30 1998-03-26 Rheinmetall Ind Ag Leiterkarte für eine Leistungs-Elektronikschaltung
US5455458A (en) * 1993-08-09 1995-10-03 Hughes Aircraft Company Phase change cooling of semiconductor power modules
US5763951A (en) * 1996-07-22 1998-06-09 Northrop Grumman Corporation Non-mechanical magnetic pump for liquid cooling
US6232657B1 (en) * 1996-08-20 2001-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board and semiconductor module
US5870823A (en) * 1996-11-27 1999-02-16 International Business Machines Corporation Method of forming a multilayer electronic packaging substrate with integral cooling channels
US5901037A (en) * 1997-06-18 1999-05-04 Northrop Grumman Corporation Closed loop liquid cooling for semiconductor RF amplifier modules
US6055154A (en) * 1998-07-17 2000-04-25 Lucent Technologies Inc. In-board chip cooling system
US6016007A (en) * 1998-10-16 2000-01-18 Northrop Grumman Corp. Power electronics cooling apparatus
DE10006215A1 (de) * 2000-02-11 2001-08-16 Abb Semiconductors Ag Baden Kühlvorrichtung für ein Hochleistungs-Halbleitermodul
JP3946018B2 (ja) * 2001-09-18 2007-07-18 株式会社日立製作所 液冷却式回路装置
US6987670B2 (en) * 2003-05-16 2006-01-17 Ballard Power Systems Corporation Dual power module power system architecture
US6992887B2 (en) * 2003-10-15 2006-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. Liquid cooled semiconductor device
US7215547B2 (en) * 2004-08-16 2007-05-08 Delphi Technologies, Inc. Integrated cooling system for electronic devices
US20060067373A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Heidelberger Druckmaschinen Ag Cooling device for radiation sources provided during production of a printing form

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3913161A1 (de) * 1989-04-21 1990-10-31 Schulz Harder Juergen Aus kupfer- und keramikschichten bestehendes mehrschichtiges substrat fuer leiterplatten elektrischer schaltungen
DE4012100A1 (de) * 1990-04-14 1991-10-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Leiterplatte mit einer kuehlvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE19514548C1 (de) * 1995-04-20 1996-10-02 Daimler Benz Ag Verfahren zur Herstellung einer Mikrokühleinrichtung
JPH09121557A (ja) * 1995-10-23 1997-05-06 Hitachi Ltd 回転機器の電子部品冷却構造及びその製作方法
DE69821779T2 (de) * 1997-09-17 2004-12-09 Advanced Energy's Voorhees Operations Kühlmodul für elektronische bauelemente
JPH11163572A (ja) * 1997-11-25 1999-06-18 Denso Corp 液冷回路装置
US6799628B1 (en) * 2000-07-20 2004-10-05 Honeywell International Inc. Heat exchanger having silicon nitride substrate for mounting high power electronic components
DE10102621A1 (de) * 2001-01-20 2002-08-01 Conti Temic Microelectronic Leistungsmodul
DE102005034367A1 (de) * 2004-07-29 2006-03-23 Aisin AW Co., Ltd., Anjo Elektronische Steuerungsvorrichtung für ein Automatikgetriebe
DE102005040453A1 (de) * 2004-09-30 2006-04-06 Heidelberger Druckmaschinen Ag Kühlanordnung für Strahlungsquellen bei der Herstellung einer Druckform

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009010257A1 (de) * 2009-02-24 2010-08-26 Jungheinrich Aktiengesellschaft Leistungsteil für eine Motorsteuerung in einem Flurförderzeug
DE102009010256A1 (de) * 2009-02-24 2010-08-26 Jungheinrich Aktiengesellschaft Leiterplatte mit Kühlkörper
DE102010001565A1 (de) 2010-02-04 2011-08-04 Robert Bosch GmbH, 70469 Leistungsmodul mit einer Schaltungsanordnung, elektrische/elektronische Schaltungsanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls
WO2011095406A1 (de) 2010-02-04 2011-08-11 Robert Bosch Gmbh Leistungsmodul mit einer schaltungsanordnung, elektrische/elektronische schaltungsanordnung, verfahren zur herstellung eines leistungsmoduls
DE102010040582A1 (de) 2010-09-10 2012-03-15 Continental Automotive Gmbh Gehäuse für eine elektronische Schaltung mit integrierter Kühlmittelpassage und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102011089891A1 (de) * 2011-12-23 2013-06-27 Continental Automotive Gmbh Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger
DE102011089891B4 (de) 2011-12-23 2022-08-11 Vitesco Technologies GmbH Schaltungsträger und Verfahren zur Herstellung von einem Schaltungsträger, Schaltungsanordnung mit einem Schaltungsträger
DE102014214209A1 (de) * 2014-07-22 2016-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung zur zielgerichteten Kühlung von elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen
DE102014214209B4 (de) * 2014-07-22 2016-05-04 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung zur zielgerichteten Kühlung von elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen, Umrichter mit einer derartigen Kühlvorrichtung sowie Elektro- oder Hybridfahrzeug mit einem derartigen Umrichter
DE102014111786A1 (de) * 2014-08-19 2016-02-25 Infineon Technologies Ag Kühlplatte, Bauelement, das eine Kühlplatte umfasst, und Verfahren zum Herstellen einer Kühlplatte
DE102016211967B3 (de) * 2016-06-30 2017-09-07 Schweizer Electronic Ag Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils
US10212802B2 (en) 2016-06-30 2019-02-19 Schweizer Electronic Ag Electronic device and method for producing an electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US20070297145A1 (en) 2007-12-27
DE102006028675B4 (de) 2008-08-21
US7542291B2 (en) 2009-06-02
KR20070121579A (ko) 2007-12-27
KR101477578B1 (ko) 2014-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006028675A1 (de) Elektronische Schaltungsanordnung mit einer thermisch an eine Wärmesenke angekoppelten Schaltungsträgerplatte
DE69821779T2 (de) Kühlmodul für elektronische bauelemente
EP0811262B1 (de) Diodenlaserbauelement mit kühlelement
DE102017217537B4 (de) Leistungsmodul mit integrierter Kühleinrichtung
DE102005048492B4 (de) Elektrisches Modul
EP2308274B1 (de) Leiterplatine mit elektronischem bauelement
DE102012106244B4 (de) Metall-Keramik-Substrat
WO2010136017A1 (de) Gekühlte elektrische baueinheit
DE3300693A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP1887847A1 (de) Elektronikeinheit mit abgedichteter Kühlmittelpassage
DE3538933A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102010003533B4 (de) Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Substratanordnung, Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE19634202C2 (de) Halbleitervorrichtung
DE102007005233A1 (de) Leistungsmodul
DE102011083218A1 (de) Halbleitermodul mit einem Einsatz und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit einem Einsatz
DE60038526T2 (de) Elektronische Baugruppe
DE10229712B4 (de) Halbleitermodul
DE102006011995B3 (de) Leistungshalbleitermodul mit segmentierter Grundplatte
EP0844808B1 (de) Leiterplattenanordnung
EP2108190B1 (de) Elektronisches bauelementmodul und verfahren zu dessen herstellung
DE19527867A1 (de) Metall-Substrat für elektrische und/oder elektronische Schaltkreise
DE102006037540B4 (de) Thermoelektrische Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE19506091B4 (de) Kühlelement
DE102009022877B4 (de) Gekühlte elektrische Baueinheit
DE102004058806A1 (de) Schaltungsstruktur auf einem Kühlkörper und Verfahren zur Herstellung derartiger Schaltungsstrukturen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH, 30165 HANNOVER, DE

8364 No opposition during term of opposition
R084 Declaration of willingness to licence
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VITESCO TECHNOLOGIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: CONTINENTAL AUTOMOTIVE GMBH, 30165 HANNOVER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: VITESCO TECHNOLOGIES GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: VITESCO TECHNOLOGIES GMBH, 30165 HANNOVER, DE