DE19634202C2 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Eine derartige Halbleitervorrich­ tung ist aus der DE 41 30 899 A1 bekannt.
In Fig. 7 ist eine Schnittdarstellung gezeigt, die den Aufbau eines Leistungsmoduls 200 gemäß dem Stand der Technik dar­ stellt. Das Leistungsmodul 200 hat die Funktion, die Leistung mittels einer Halbleiteranordnung 1 zu steuern.
Ein isolierendes Substrat 2 ist mit Kupferplatten 9A und 9B auf einer Oberfläche 2a und mit einer Kupferplatte 9c auf einer Rückseite 2b ausgestattet. Die Halbleiteranordnung 1 ist mit den Kupferplatten 9a und 9b verbunden. Die Kupferplatten 9a bzw. 9b sind mit Schrauben 42a und 42b über Elektrodenlei­ tungsbereiche 5a bzw. 5b verbunden. Die Schrauben 42a und 42b haben die Funktion von Ausgangsklemmen. Die Kupferplatten 9a und 9b sind mit den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b mit einem Lot 8 verbunden. Für die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b wird Kupfer mit hoher Leitfähigkeit verwendet.
Die Kupferplatte 9c ist mit einem Lot 8 an einer Grundplatte 3 befestigt. Die Halbleiteranordnung 1 ist durch das isolie­ rende Substrat 2 elektrisch isoliert, so daß ein sicherer Ge­ brauch gewährleistet werden kann. Zusätzlich wird Wärme von der Halbleiteranordnung 1 durch die Grundplatte 3 oder einen externen Wärmestrahler abgeführt, der an der Grundplatte 3 befestigt ist. Die Grundplatte 3 ist aus Kupfer mit hoher Wärmeleitfähigkeit hergestellt.
Ein isolierendes Gehäuse 6 umschließt zusammen mit der Grund­ platte 3 die Halbleiteranordnung 1, das isolierende Substrat 2 und die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b. Um die Elek­ trodenleitungsbereiche 5a und 5b gegeneinander wirksam elek­ trisch zu isolieren, ist der von dem Gehäuse 6 und der Grund­ platte 3 umschlossene Raum beispielsweise mit einem isolie­ renden Silikongel 7 gefüllt.
Die Grundplatte 3 ist an dem isolierenden Substrat 2 über die Kupferplatte 9c und das Lot 8 befestigt. Aus diesem Grunde tritt an der Grundplatte 3 eine Deformation wegen eines Un­ terschiedes der Ausdehnungskoeffizienten der entsprechenden Materialien bei Raumtemperatur nach dem Löten auf. Dadurch wirkt eine mechanische Spannung auf die Kupferplatte 9c und die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b, so daß die Kupfer­ platte 9c sich ablöst und die Lebensdauer der Elektrodenlei­ tungsbereiche 5a und 5b verkürzt wird.
Um den oben beschriebenen Effekt zu verhindern, ist es mög­ lich, vorher eine Deformation an der Grundplatte 3 durch­ zuführen, und zwar in der entgegengesetzten Richtung zu der Deformation, die im Betrieb verursacht werden kann. Es ist jedoch schwierig, vorher eine Deformation an einer Grund­ platte 3 durchzuführen, die eine im Inneren ausgebildete Was­ serleitung hat und somit als wassergekühlter Kühlkörper ar­ beitet.
Bei dem Leistungsmodul gemäß dem Stand der Technik haben die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b die Form einer U-förmi­ gen Biegung und sind in einer solchen Weise ausgestaltet, daß die auf die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b ausgeübten mechanischen Spannungen aufgefangen werden können oder daß eine unterschiedliche Dimensionierung aufgrund der Bearbei­ tung absorbiert werden kann. Der Bereich der mechanischen Spannungen, die absorbiert werden können, ist jedoch der gleiche wie der innerhalb der Elastizitätsgrenzen eines Mate­ rials, aus dem die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b her­ gestellt sind. In jedem Falle ist der obere Grenzwert der me­ chanischen Spannung, die von den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b absorbiert werden kann, die jeweils einzeln ausge­ bildet sind, nicht immer hoch.
Um eine Verwerfung oder Deformation zu reduzieren, die durch eine Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten der Grund­ platte 3 und des isolierenden Substrates 2 hervorgerufen wird, ist es erwünscht, daß ihre Flächen verkleinert werden. Dementsprechend ist es notwendig, einen Raum zwischen den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b auf dem isolierenden Substrat 2 zu reduzieren. Da die Form einer U-förmigen Bie­ gung verwendet wird, um die mechanische Spannung aufzufangen, ist es schwierig, einen Zwischenraum L0 zwischen den Elektro­ denleitungsbereichen 5a und 5b in der Nähe der Ausgangsklem­ men 42a und 42b größer zu machen als den Zwischenraum zwi­ schen den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b auf dem iso­ lierenden Substrat 2.
Bei der Struktur gemäß dem Stand der Technik ist es notwen­ dig, nahezu den ganzen von dem Gehäuse 6 und der Grundplatte 3 umschlossenen Raum mit einem Gel 7 zu füllen, um die Elek­ trodenleitungsbereiche 5a und 5b wirksam gegeneinander zu iso­ lieren.
Das Gel 7 ist jedoch teuer, und sein linearer Ausdehnungs­ koeffizient ist etwa zehnmal so groß wie der von Kupfer. Des­ halb ist es nicht erwünscht, daß eine große Menge des Gels 7 für das Leistungsmodul verwendet wird.
In der DE 41 30 899 A1 ist eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die eine Bodenplatte aufweist, an der eine Lei­ terplatte mit mehreren elektrischen Komponenten befestigt ist. Von der Bodenplatte aus erstrecken sich Seitenwände nach oben, zwischen denen eine obere Abdeckung vorgesehen ist. Die Sei­ tenwände und die Abdeckung sind dabei als separate Teile aus­ gebildet. Eine äußere Klemme ist an der oberen Abdeckung befe­ stigt, während eine innere Klemme an einer Schaltung angelötet ist, die auf der Leiterplatte angebracht ist.
Bei dieser herkömmlichen Halbleitervorrichtung ist zwischen den beiden Klemmen ein Zuführdraht vorgesehen, der sorgfältig an zwei voneinander getrennten Stellen befestigt werden muß. Zu diesem Zweck ist die jeweilige Klemme mit einer Brücke aus­ gebildet, in welche der Zuführdraht hineingepreßt werden muß. Alternativ ist die Klemme mit hochgezogenen Abschnitten verse­ hen, um die Klemme in einen Schlitz hineinzudrücken und den Zuführdraht mit der Klemme zu verbinden. Eine derartige Mon­ tage ist einerseits zeitaufwendig und andererseits nicht sehr zuverlässig. Außerdem ist es im Betrieb bei einer derartigen herkömmlichen Halbleitervorrichtung nicht ohne weiteres mög­ lich, durch einen Blick von außen festzustellen, ob der Zuführdraht einwandfrei angeschlossen ist.
In der JP 5-82693 A ist eine Halbleitervorrichtung angegeben, bei der eine Litze zwischen einem ersten Elektrodenanschluß und einem zweiten Elektrodenanschluß vorgesehen und in einem Silikongel aufgenommen ist. Auf diese Weise können Kräfte, die auf den Elektrodenanschluß wirken, durch eine Deformation der Litze absorbiert werden. Aus diesem Grunde ist es dort nicht erforderlich, den Elektrodenanschluß mit einer S-förmigen Gestalt zu biegen, um mechanische Belastungen zu absorbieren.
Bei der herkömmlichen Anordnung gemäß der JP 5-82693 sind keine Maßnahmen vorhanden, mit denen ein flexibler Leiter in einfacher und zuverlässiger Weise montiert werden kann. Es ist dort auch nicht möglich, im Betrieb mit einem Blick festzustellen, ob ein derartiger Leiter, der als Litze ausgebildet ist, einwandfrei angeschlossen ist.
Die DE 37 34 067 A1 beschreibt eine Halbleitervorrichtung, bei der mehrere Anschlußplatten unter Verwendung von Isolierplat­ ten übereinandergelegt sind, wobei die Anschlußplatten paral­ lel mit den Halbleiterlementen liegen und zueinander verscho­ ben sind. Das Problem, wie mechanische Belastungen von Elek­ trodenpaaren aufgefangen werden können, ist dort nicht behan­ delt. Es geht dort primär um die Zielrichtung, zwischen den Elektroden von Halbleiterpastillen und äußeren Enden der Anschlußleiter die Induktivitäten klein zu machen und auch möglichst gleich große Induktivitäten an den entsprechenden Stellen zu erzeugen.
Die DE 43 30 070 A1 gibt ein Halbleitermodul an, das Kühlplatten und eine Isolierplatte aufweist, welche unter Halbleiterchips laminiert sind. Die Dicke der Trägerbasisplatte soll dabei eine bestimmte Mindestdicke im Verhältnis zur Isolierplatte aufweisen. Dabei geht es um das Problem, die Wärmeermüdungs-Lebensdauer von Lötschichten auszugleichen und die Lebensdauer des gesamten Halbleitermoduls zu verlängern. Die Frage der einfachen, aber dennoch zuverlässigen Montage von Elektrodenpaaren, welche starken mechanischen Belastungen ausgesetzt sind, ist dort nicht behandelt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleitervor­ richtung der eingangs genannten Art anzugeben, bei der sich die flexiblen Leiter bei Elektrodenpaaren, die starken mecha­ nischen Belastungen ausgesetzt sind, in einfacher, aber zuver­ lässiger Weise montieren lassen, wobei der Verbindungszustand dieser Leiter im Betrieb in einfacher Weise überprüfbar ist.
Die erfindungsgemäße Lösung besteht darin, eine Halbleitervor­ richtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 auszubilden. Vor­ teilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Halbleitervor­ richtung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Mit der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung wird die Auf­ gabe in zufriedenstellender Weise gelöst. Durch die spezielle Anordnung der horizontalen Bereiche der ersten Elektroden und der zweiten Elektroden können diese in einfacher Weise über die flexiblen Leitern miteinander verbunden werden, und zwar durch die Öffnung in dem Deckel des Gehäuses. Ferner kann ggf. eine mit der Zeit auftretende Verbindungsfehlfunktion durch die Öffnung hindurch leicht von der Außenseite her festge­ stellt werden.
Mit den Merkmalen des Anspruchs 2 wird erreicht, daß die Halb­ leitervorrichtung widerstandsfähig gegenüber Stößen oder einem Aufprall beim Drahtbonden ist, das durchgeführt wird, wenn die ersten und zweiten Elektroden mit dem Leiter miteinander ver­ bunden werden. Das Verstärkungsteil bildet dabei eine Abstüt­ zung, so daß horizontale Bereiche erhalten werden, die sich mit einer guten Produktivität herstellen lassen und die wider­ standsfähig gegenüber Stößen sind.
Mit den Merkmalen des Anspruchs 3 wird in vorteilhafter Weise erreicht, daß der Abstand hinsichtlich der Isolierung der Elektrodenleitungsbereiche voneinander wesentlich vergrößert werden kann. Wenn für die Isolierung ein Gel verwendet wird, so ist eine kleine Menge eines derartigen Gels ausreichend.
Mit den Merkmalen des Anspruchs 4 wird in vorteilhafter Weise erreicht, daß der Zwischenraum zwischen den zweiten Elektroden vergrößert wird, was sich vorteilhaft auf die Isolierung zwi­ schen ihnen auswirkt. Ein Gel ist zur Überdeckung dieses Bereiches nicht erforderlich. Da der Zwischenraum zwischen den ersten Elektroden reduziert werden kann, läßt sich die Größe des isolierenden Substrates ebenfalls verringern. Daher können mechanische Spannungen in ihrer Entstehung unterbunden werden, die sonst durch die Deformation hervorgerufen werden, welche auf der Differenz von Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem isolierenden Substrat und der wärmeabstrahlenden Platte ent­ stehen können.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegen­ den Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in
Fig. 1 eine Schnittansicht der Struktur einer Halbleitervor­ richtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung zur Erläuterung der Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 eine Vorderansicht zur Erläuterung der Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungs­ form der Erfindung;
Fig. 4 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungs­ form der Erfindung;
Fig. 5 eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Teils der Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh­ rungsform der Erfindung;
Fig. 6 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur ei­ ner Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausfüh­ rungsform der Erfindung; und in Fig. 7 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur ei­ nes Leistungsmoduls gemäß dem Stand der Technik.
Erste Ausführungsform
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur eines Leistungsmoduls 101, wobei es sich um eine Halbleiter­ vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung handelt. Das Leistungsmodul 101 hat die Funktion, die Lei­ stung mit einer Halbleiteranordnung 1 zu steuern. Fig. 2 zeigt eine perspektivische Darstellung zur Erläuterung der Struktur des Leistungsmoduls 101, teilweise mit Wegbrechungen und wobei die Grundplatte 3 weggelassen ist.
Kupferplatten 9a und 9b sind auf einer Oberfläche 2a eines isolierenden Substrates 2 ausgebildet. Beispielsweise wird Kupfer durch Ätzen oder dergleichen in ein Muster oder eine Konfiguration gebracht, so daß die Kupferplatten 9a und 9b gebildet werden. Eine Kupferplatte 9c ist an einer Rückseite 2b des isolierenden Substrates 2 vorgesehen.
Die Halbleiteranordnung 1 hat eine Rückseite, die mittels ei­ nes Lotes 8 an der Kupferplatte 9a befestigt ist, und eine Oberfläche, die mit der Kupferplatte 9b elektrisch verbunden ist.
Erste Elektroden 51a und 51b sind mit Lot 8 an den Kupfer­ platten 9a bzw. 9b befestigt und elektrisch mit ihnen verbun­ den.
Die Grundplatte 3 ist an der Rückseite 2b des isolierenden Substrates 2 über die Kupferplatte 9c mit Lot 8 befestigt. Die elektrische Isolierung kann für die Halbleiteranordnung 1 mit dem isolierenden Substrat 2 gewährleistet werden, während Wärme von der Halbleiteranordnung 1 über die Grundplatte 3 abgestrahlt werden kann.
Fig. 3 zeigt eine Vorderansicht zur Erläuterung der Struktur eines wassergekühlten Kühlkörpers 31, der als Grundplatte 3 verwendet werden kann. Fig. 4 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Schnittes längs der Linie IV-IV in Fig. 3. Ein Wasserkanal 32 ist in dem wassergekühlten Kühlkörper 31 vorgesehen. Die bevorzugten Ausführungsformen, die nachste­ hend beschrieben sind, haben eine derartige Struktur, die auch in einem Falle Verwendung finden kann, in welchem eine Verwindung oder Deformation schwer zu verarbeiten ist.
Ein Gehäuse 6 weist einen Deckel 6a, welcher der Grundplatte 3 gegenüberliegt, und eine Seitenwand 6b auf und besitzt Iso­ liereigenschaften. Außerdem umschließt das Gehäuse 6 zusammen mit der Grundplatte 3 die Halbleiteranordnung 1, das isolie­ rende Substrat 2 und die ersten Elektroden 51a und 51b.
Zweite Elektroden 52a und 52b sind an dem Deckel 6a des Gehäu­ ses 6 mit Muttern 41a und 41b sowie Schrauben 42a und 42b be­ festigt. Die Schrauben 42a und 42b haben die Funktion von Ausgangsklemmen. Die Muttern 41a und 41b sind an einem kon­ vexen Bereich 63 befestigt, der an dem Deckel 6a vorgesehen ist. Beispielsweise sind Löcher in dem konvexen Bereich 63 vorgesehen, in welche die Muttern 41a und 41b eingesetzt wer­ den, so daß die oben beschriebene Befestigung durchgeführt werden kann.
Gemäß der Erfindung ist jeder der Elektrodenleitungsbereiche zur Verbindung der Kupferplatten 9a und 9b mit den Schrauben 42a und 42b als Ausgangsklemmen nicht als einteilige Struktur ausgebildet, sondern hat jeweils drei Teile. Beispielsweise ist die Schraube 42a mit der Kupferplatte 9a über die erste Elektrode 51a, die zweite Elektrode 52a und einen Draht 10a verbunden, um die erste Elektrode 51a und zweite Elektrode 52a miteinander zu verbinden. In gleicher Weise ist die Schraube 42b mit der Kupferplatte 9b über die erste Elektrode 51b, die zweite Elektrode 52b und einen Draht 10b verbunden, um die erste Elektrode 51b und zweite Elektrode 52b miteinan­ der zu verbinden. Die Drähte 10a und 10b sind flexibel und bestehen beispielsweise aus Aluminium. Die Drähte 10a und 10b üben die oben beschriebene Verbindung beispielsweise über Drahtbondinganschlüsse oder dergleichen aus.
Somit weist der Elektrodenleitungsbereich eine Vielzahl von Elementen auf. Insbesondere werden flexible Drähte verwendet. Infolgedessen kann die elektrische Verbindung gewährleistet werden, und der obere Grenzwert der Absorption von mechani­ schen Beanspruchungen, die zwischen den Schrauben 42a, 42b und den Kupferplatten 9a, 9b wirken, kann erhöht werden. Ge­ nauer gesagt, auch wenn eine Verwerfung oder Deformation der Grundplatte 3 hervorgerufen wird durch eine Differenz der Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Grundplatte 3 und dem isolierenden Substrat 2, so treten, verglichen mit dem Stand der Technik, selten Risse oder Brüche im Lot 8 oder dem iso­ lierenden Substrat 2 auf.
Es ist erwünscht, daß die Bereiche der ersten Elektroden 51a, 51b und der zweiten Elektroden 52a, 52b, die über die Drähte 10a und 10b miteinander verbunden sind, horizontal, d. h. par­ allel zu der Grundplatte 3 verlaufen. Es ist weiterhin er­ wünscht, daß der Bereich des Deckels 6a des Gehäuses 6, der oberhalb der horizontalen Bereiche vorgesehen ist, eine Öff­ nung 61 besitzt. Der Grund ist der, daß es möglich ist, die zweiten Elektroden 52a und 52b am Deckel 6a des Gehäuses 6 vorher zu befestigen und das Gehäuse 6 auf die Grundplatte 3 zu setzen, an der die ersten Elektroden 51a und 51b bereits befestigt worden sind, um durch die Öffnung 61 hindurch die Drahtbonding-Verbindung herzustellen, so daß die Montagear­ beiten in effizienter Weise durchgeführt werden können.
Außerdem macht die Installation der Öffnung 61 es möglich, die Verbindungszustände zwischen den ersten Elektroden 51a, 51b, den zweiten Elektroden 52a, 52b und den Drähten 10a, 10b von außen zu erkennen, so daß eine mit der Zeit auftretende Fehlfunktion, wie zum Beispiel ein Ablösen von Drähten, ein Durchschmelzen oder dergleichen leicht festgestellt werden kann.
Es ist wünschenswert, daß die erste Elektroden 51a und 51b Rücken an Rücken zueinander angeordnet sind, wie es in Fig. 1 dargestellt ist. Es ist nicht erforderlich, eine U-Gestalt zu verwenden, um wie beim Stand der Technik eine Entlastung von mechanischen Spannungen zu erzielen. Infolgedessen ist eine gefaltete Formgebung oder Konfiguration nicht erforderlich, so daß ein Abstand L1 zwischen den zweiten Elektroden 52a und 52b größer gewählt werden kann als ein Abstand zwischen den ersten Elektroden 51a und 51b an dem isolierenden Substrat 2. Mit anderen Worten, die ersten Elektroden 51a und 51b können besser gegeneinander isoliert werden, während zugleich die Fläche reduziert wird, die für das isolierende Substrat 2 er­ forderlich ist.
Dementsprechend können Verwerfungen und Deformationen der Grundplatte 3 reduziert werden, und auch die Menge des erfor­ derlichen Gels 7 kann verringert werden. Eine Menge an Gel 7 ist erforderlich, um die horizontalen Bereiche der zweiten Elektroden 52a und 52b darin einzubetten oder einzutauchen. Die Verwendung einer kleinen Menge von Gel 7 ist ausreichend, so daß verhindert werden kann, daß mechanische Beanspruchun­ gen und Spannungen auftreten, wobei zugleich die Herstel­ lungskosten reduziert werden können.
Zweite Ausführungsform
Fig. 5 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung der Umgebung eines verbesserten Leistungsmoduls 101 als Halbleitervorrich­ tung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Die horizontalen Bereiche der ersten Elektrode 51a und der zwei­ ten Elektrode 52a, die mit einem Draht 10a miteinander ver­ bunden sind, sind mit Abstützungsbereichen 53a bzw. 54a ver­ stärkt. Infolgedessen kann die Widerstandsfähigkeit gegenüber stoßartigen Belastungen vergrößert werden, welche bei dem Bonden des Drahtes 10a auftreten. Somit kann eine automati­ sche Verbindung mit einem Drahtbonder hergestellt werden.
Es ist erwünscht, daß der Abstützungsbereich 54a mit einem Gehäuse 6 integriert ist, wie es in Fig. 5 dargestellt ist. Der Grund ist der, daß die Produktivität gesteigert werden kann, wenn man es mit einem Fall vergleicht, in welchem ein Abstützungsmaterial separat angebracht wird. Aus dem gleichen Grunde ist es erwünscht, daß der Abstützungsbereich 53a aus einem Formharz gebildet ist, das mit der ersten Elektrode 51a integriert ist.
Es versteht sich von selbst, daß es erwünscht ist, daß derar­ tige Abstützungsbereiche auch an der ersten Elektrode 51b und der zweiten Elektrode 52b vorgesehen sind.
Dritte Ausführungsform
Fig. 6 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur eines Leistungsmoduls 102, die eine Halbleitervorrichtung ge­ mäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung ist. Vergli­ chen mit dem Leistungsmodul 101 ist das Leistungsmodul 102 dahingehend verbessert, daß ein Vorsprung 62 an dem Deckel 6a des Gehäuses 6 vorgesehen ist.
Der Vorsprung 62 ist zwischen den ersten Elektroden 51a und 51b eingesetzt, die einander benachbart vorgesehen sind. Aus diesem Grunde können die Abstände zwischen den ersten und zweiten Elektroden 51a, 52a sowie den ersten und zweiten Elektroden 51b, 52b unter dem Aspekt der elektrischen Isolie­ rung bis zu der Spitze des Vorsprunges 62 effektiv größer ge­ macht werden.
Demensprechend ist eine gewisse Menge des Gels 7 erforder­ lich, um die Spitze des Vorsprunges 62 einzutauchen. Hin­ sichtlich der Menge des Gels 7 können bessere Wirkungen er­ zielt werden als im Zusammenhang mit der ersten Ausführungs­ form.

Claims (4)

1. Halbleitervorrichtung, die folgendes aufweist:
eine Wärme abstrahlende Platte (3), die als Grundplatte dient;
eine Halbleiteranordnung (1), deren Wärme von der Wärme abstrahlenden Platte (3) aus abgestrahlt wird;
ein isolierendes Substrat (2), das eine erste Seite (2a) mit einem Schaltungsmuster, auf dem die Halb­ leiteranordnung (1) angeordnet ist, und eine zweite Seite (2b) aufweist, die mit der die Wärme abstrah­ lenden Platte (3) in Kontakt steht;
ein isolierendes Gehäuse (6), das die Halbleiteranordnung (1) zusammen mit der Wärme abstrahlenden Platte (3) umschließt; und
mindestens einen Elektrodenleitungsbereich, der mit der Halbleiteranordnung (1) über das Schaltungs­ muster verbunden ist und das Gehäuse (6) durch­ setzt, wobei der mindestens eine Elektrodenleitungs­ bereich jeweils
eine erste Elektrode (51a, 51b), die an dem Schal­ tungsmuster befestigt und elektrisch mit diesem ver­ bunden ist;
eine zweite Elektrode (52a, 52b), die an dem Deckel (6a) des Gehäuses (6) befestigt ist; und
einen Leiter (10a, 10b) aufweist, der flexibel ist und die jeweilige erste Elektrode (51a, 51b) mit der jeweiligen zweiten Elektrode (52a, 52b) elektrisch verbindet,
wobei die erste Elektrode (51a, 51b) und die zweite Elektrode (52a, 52b) jeweils einen horizontalen Bereich in der Nähe des Leiters (10a, 10b) aufwei­ sen,
dadurch gekennzeichnet,
daß die horizontalen Bereiche der ersten Elektroden (51a, 51b) und der zweiten Elektroden (52a, 52b) etwa in gleicher Höhe nebeneinander mit einem Abstand von dem isolierenden Substrat (2) angeordnet sind
und daß oberhalb der horizontalen Bereiche der ersten und zweiten Elektroden (51a, 51b; 52a, 52b) eine Öffnung (61) in dem Deckel (6a) des Gehäuses (6) ausgebildet ist, durch die hindurch die flexi­ blen Leiter (10a, 10b) auf den horizontalen Berei­ chen der einander gegenüberliegenden ersten und zweiten Elektroden (51a, 51b; 52a, 52b) montiert sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die horizontalen Bereiche der ersten und zweiten Elek­ troden (51a, 51b; 52a, 52b) mit einem Verstärkungsteil (53a, 54a) an der der Öffnung (61) gegenüberliegenden Seite abgestützt sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der mindestens eine Elektrodenleitungsbereich eine Vielzahl von Elektrodenleitungsbereichen aufweist
und daß das Gehäuse (6) einen isolierenden Vorsprung (62) aufweist, der sich von dem Deckel (6a) des Gehäuses (6) zu der Wärme abstrahlenden Platte (3) hin zwischen der Viel­ zahl von Elektrodenleitungsbereichen erstreckt, die einan­ der benachbart vorgesehen sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß der mindestens eine Elektrodenleitungsbereich eine Vielzahl von Elektrodenleitungsbereichen aufweist,
daß die ersten Elektroden (51a, 51b), die einander benach­ bart vorgesehen sind, mit ihren einander gegenüberliegenden Rücken relativ zueinander angeordnet sind
und daß ein Zwischenraum zwischen den zweiten Elektroden (52a, 52b), welche den jeweiligen ersten Elektroden (51a, 51b) entsprechen, größer ist als ein Zwischenraum zwischen den ersten Elektroden (51a, 51b).
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