DE19634202A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungsmodul, das eine
Halbleiterleistungsanordnung verwendet.
In Fig. 7 ist eine Schnittdarstellung abgebildet, die den
Aufbau eines Leistungsmoduls 200 gemäß dem Stand der Technik
darstellt. Das Leistungsmodul 200 hat die Funktion, die Lei
stung mittels einer Halbleiteranordnung 1 zu steuern.
Ein isolierendes Substrat 2 ist mit Kupferplatten 9a und 9b
auf einer Oberfläche 2a und mit einer Kupferplatte 9c auf ei
ner Rückseite 2b ausgestattet. Die Halbleiteranordnung 1 ist
mit den Kupferplatten 9a und 9b verbunden. Die Kupferplatten
9a bzw. 9b sind mit Schrauben 42a und 42b über Elektrodenlei
tungsbereiche 5a bzw. 5b verbunden. Die Schrauben 42a und 42b
haben die Funktion von Ausgangsklemmen. Die Kupferplatten 9a
und 9b sind mit den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b mit
einem Lot 8 verbunden. Für die Elektrodenleitungsbereiche 5a
und 5b wird Kupfer mit hoher Leitfähigkeit verwendet.
Die Kupferplatte 9c ist mit einem Lot 8 an einer Grundplatte
3 befestigt. Die Halbleiteranordnung 1 ist durch das isolie
rende Substrat 2 elektrisch isoliert, so daß ein sicherer Ge
brauch gewährleistet werden kann. Zusätzlich wird Wärme von
der Halbleiteranordnung 1 durch die Grundplatte 3 oder einen
externen Wärmestrahler abgeführt, der an der Grundplatte 3
befestigt ist. Die Grundplatte 3 ist aus Kupfer mit hoher
Wärmeleitfähigkeit hergestellt.
Ein isolierendes Gehäuse 6 umschließt zusammen mit der Grund
platte 3 die Halbleiteranordnung 1, das isolierende Substrat
2 und die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b. Um die Elek
trodenleitungsbereiche 5a und 5b gegeneinander wirksam elek
trisch zu isolieren, ist der von dem Gehäuse 6 und der Grund
platte 3 umschlossene Raum beispielsweise mit einem isolie
renden Silikongel 7 gefüllt.
Die Grundplatte 3 ist an dem isolierenden Substrat 2 über die
Kupferplatte 9c und das Lot 8 befestigt. Aus diesem Grunde
tritt an der Grundplatte 3 eine Deformation wegen eines Un
terschiedes der Ausdehnungskoeffizienten der entsprechenden
Materialien bei Raumtemperatur nach dem Löten auf. Dadurch
wirkt eine mechanische Spannung auf die Kupferplatte 9c und
die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b, so daß die Kupfer
platte 9c sich ablöst und die Lebensdauer der Elektrodenlei
tungsbereiche 5a und 5b verkürzt wird.
Um den oben beschriebenen Effekt zu verhindern, ist es mög
lich, vorher eine Deformation an der Grundplatte 3 durch
zuführen, und zwar in der entgegengesetzten Richtung zu der
Deformation, die im Betrieb verursacht werden kann. Es ist
jedoch schwierig, vorher eine Deformation an einer Grund
platte 3 durchzuführen, die eine im Inneren ausgebildete Was
serleitung hat und somit als wassergekühlter Kühlkörper ar
beitet.
Bei dem Leistungsmodul gemäß dem Stand der Technik haben die
Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b die Form einer U-formi
gen Biegung und sind in einer solchen Weise ausgestaltet, daß
die auf die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b ausgeübten
mechanischen Spannungen aufgefangen werden können oder daß
eine unterschiedliche Dimensionierung aufgrund der Bearbei
tung absorbiert werden kann. Der Bereich der mechanischen
Spannungen, die absorbiert werden können, ist jedoch der
gleiche wie der innerhalb der Elastizitätsgrenzen eines Mate
rials, aus dem die Elektrodenleitungsbereiche 5a und 5b her
gestellt sind. In jedem Falle ist der obere Grenzwert der me
chanischen Spannung, die von den Elektrodenleitungsbereichen
5a und 5b absorbiert werden kann, die jeweils einzeln ausge
bildet sind, nicht immer hoch.
Um eine Verwerfung oder Deformation zu reduzieren, die durch
eine Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten der Grund
platte 3 und des isolierenden Substrates 2 hervorgerufen
wird, ist es erwünscht, daß ihre Flächen verkleinert werden.
Dementsprechend ist es notwendig, einen Raum zwischen den
Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b auf dem isolierenden
Substrat 2 zu reduzieren. Da die Form einer U-förmigen Bie
gung verwendet wird, um die mechanische Spannung aufzufangen,
ist es schwierig, einen Zwischenraum L0 zwischen den Elektro
denleitungsbereichen 5a und 5b in der Nähe der Ausgangsklem
men 42a und 42b größer zu machen als den Zwischenraum zwi
schen den Elektrodenleitungsbereichen 5a und 5b auf dem iso
lierenden Substrat 2.
Bei der Struktur gemäß dem Stand der Technik ist es notwen
dig, nahezu den ganzen von dem Gehäuse 6 und der Grundplatte
3 umschlossenen Raum mit einem Gel 7 zu füllen, um die Elek
trodenleitungsbereiche 5a und 5b wirksam gegeneinander zu
isolieren.
Das Gel 7 ist jedoch teuer, und sein linearer Ausdehnungsko
effizient ist etwa zehnmal so groß wie der von Kupfer. Des
halb ist es nicht erwünscht, daß eine große Menge des Gels 7
für das Leistungsmodul verwendet wird.
Zur Lösung der obigen Probleme liegt der Erfindung die Auf
gabe zugrunde, eine Technologie bereitzustellen, bei der der
obere Grenzwert einer mechanischen Spannung, die aufgefangen
werden kann, erhöht wird und bei der die Menge des benötigten
isolierenden Gels vermindert wird.
Ein erster Aspekt der Erfindung richtet sich auf eine Halb
leitervorrichtung, die folgendes aufweist: eine Wärme ab
strahlende Platte, eine Halbleiteranordnung, deren Wärme von
der Wärme abstrahlenden Platte abgeführt wird, ein isolieren
des Substrat mit einer ersten Seite mit einem Schaltungsmu
ster, auf dem sich die Halbleiteranordnung befindet, und mit
einer zweiten Seite, mit der die Wärme abstrahlende Platte in
Kontakt kommt, ein isolierendes Gehäuse, das einen Boden und
eine Seite aufweist und das die Halbleiteranordnung zusammen
mit der ersten Seite des isolierenden Substrates einschließt,
und mindestens einen Elektrodenleitungsbereich, der mit der
Halbleiteranordnung über das Schaltungsmuster verbunden ist
und das Gehäuse durchsetzt, wobei der mindestens eine Elek
trodenleitungsbereich jeweils eine erste Elektrode, die elek
trisch mit dem Schaltungsmuster verbunden und an diesem befe
stigt ist, eine zweite Elektrode, die an dem Gehäuse befe
stigt ist, und einen Leiter aufweist, der flexibel ist und
die erste und die zweite Elektrode elektrisch miteinander
verbindet.
Gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung ist der zwischen der
ersten und der zweiten Elektrode vorgesehene Leiter flexibel.
Dies hat zur Folge, daß der obere Grenzwert der Absorption
für mechanische Spannungen, die durch eine Deformation her
vorgerufen werden, welche auf einer Differenz der Ausdeh
nungskoeffizienten zwischen dem isolierenden Substrat und der
Wärme abstrahlenden Platte beruht, erhöht werden kann.
Ein zweiter Aspekt der Erfindung ist auf eine Halbleitervor
richtung gemäß dem ersten Aspekt der Erfindung gerichtet, wo
bei die zweite Elektrode an dem Boden des Gehäuses vorgesehen
ist, die ersten und die zweiten Elektroden horizontal verlau
fende Bereiche in der Nähe des Leiters aufweisen, wobei die
horizontalen Bereiche sich nahezu auf einem Niveau miteinan
der im Abstand von dem isolierenden Substrat befinden, und
wobei eine Öffnung in einem Teil des Bodens des Gehäuses vor
gesehen ist.
Gemäß diesem Aspekt der Erfindung ist es leicht, die horizon
talen Bereiche der ersten und der zweiten Elektroden mit dem
Leiter durch die Öffnung hindurch zu verbinden. Außerdem kann
eine mit der Zeit auftretende Verbindungsfehlfunktion leicht
durch die Öffnung hindurch von der Außenseite festgestellt
werden.
Ein dritter Aspekt der Erfindung ist auf eine Halbleitervor
richtung gerichtet, wobei die horizontalen Bereiche der er
sten und der zweiten Elektroden mit einem Verstärkungsteil
abgestützt sind, das auf der der Öffnung gegenüberliegenden
Seite angebracht ist.
Gemäß diesem dritten Aspekt der Erfindung ist die Halbleiter
vorrichtung widerstandsfähig gegenüber Stößen oder einem
Aufprall beim Drahtbonden, das durchgeführt wird, wenn die
ersten und zweiten Elektroden mit dem Leiter miteinander ver
bunden werden. Das Verstärkungsteil bildet eine Abstützung,
so daß horizontale Bereiche erhalten werden, die sich mit ei
ner guten Produktivität herstellen lassen und die wider
standsfähig gegenüber Stößen sind.
Gemäß einem vierten Aspekt der Erfindung ist eine Halbleiter
vorrichtung vorgesehen, bei der der mindestens eine Elektro
denleitungsbereich eine Vielzahl von Elektrodenleitungsberei
chen besitzt, und wobei das Gehäuse ferner einen isolierenden
Vorsprung besitzt, der sich von dem Boden zu der Wärme ab
strahlenden Platte zwischen der Vielzahl von Elektrodenlei
tungsbereichen erstreckt, die einander benachbart vorgesehen
sind.
Gemäß diesem Aspekt der Erfindung kann der Abstand hinsicht
lich der Isolierung der Elektrodenleitungsbereiche voneinan
der wesentlich vergrößert werden. Infolgedessen ist eine
kleine Menge des Gels für die Isolierung ausreichend. Der
Ausdehnungskoeffizient des Gels ist größer als die Ausdeh
nungskoeffizienten der anderen Bauteile. Dementsprechend kann
die kleine Menge des Gels die Deformation des jeweiligen Be
reiches sowie die Herstellungskosten verringern.
Ein fünfter Aspekt der Erfindung ist auf eine Halbleitervor
richtung gerichtet, wobei der zumindest eine Elektrodenlei
tungsbereich aus einer Vielzahl von Elektrodenleitungsberei
chen besteht, wobei die ersten Elektroden, die einander be
nachbart vorgesehen sind, Rücken an Rücken zueinander gebogen
sind, und wobei ein Zwischenraum zwischen den zweiten Elek
troden, die den ersten Elektroden entsprechen, jeweils größer
ist als ein Zwischenraum zwischen den ersten Elektroden.
Gemäß diesem fünften Aspekt der Erfindung ist der Zwischen
raum zwischen den zweiten Elektroden vergrößert, um die Iso
lierung zwischen ihnen zu erhöhen. Aus diesem Grunde ist das
Gel zur Überdeckung dieses Bereiches nicht erforderlich. Der
Ausdehnungskoeffizient des Gels ist größer als die Ausdeh
nungskoeffizienten der anderen Komponenten. Dementsprechend
kann die kleine Menge des Gels die Deformation des jeweiligen
Bereiches verringern. Außerdem kann der Zwischenraum zwi
schen den ersten Elektroden reduziert werden. Infolgedessen
kann auch die Größe des isolierenden Substrates verringert
werden. Dementsprechend können mechanische Spannungen, her
vorgerufen durch eine Deformation, die auf der Differenz der
Ausdehnungskoeffizienten zwischen dem isolierenden Substrat
und der Wärme abstrahlenden Platte beruht, hinsichtlich ihrer
Entstehung unterbunden werden.
Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer
Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in
Fig. 1 eine Schnittansicht der Struktur einer Halbleitervor
richtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Er
findung;
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung zur Erläuterung der
Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 eine Vorderansicht zur Erläuterung der Struktur der
Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungs
form der Erfindung;
Fig. 4 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur der
Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungs
form der Erfindung;
Fig. 5 eine Schnittansicht zur Erläuterung eines Teils der
Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausfüh
rungsform der Erfindung;
Fig. 6 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur ei
ner Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausfüh
rungsform der Erfindung; und in
Fig. 7 eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur ei
nes Leistungsmoduls gemäß dem Stand der Technik.
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur
eines Leistungsmoduls 101, wobei es sich um eine Halbleiter
vorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung
handelt. Das Leistungsmodul 101 hat die Funktion, die Lei
stung mit einer Halbleiteranordnung 1 zu steuern. Fig. 2
zeigt eine perspektivische Darstellung zur Erläuterung der
Struktur des Leistungsmoduls 101, teilweise mit Wegbrechungen
und wobei die Grundplatte 3 weggelassen ist.
Kupferplatten 9a und 9b sind auf einer Oberfläche 2a eines
isolierenden Substrates 2 ausgebildet. Beispielsweise wird
Kupfer durch Ätzen oder dergleichen in ein Muster oder eine
Konfiguration gebracht, so daß die Kupferplatten 9a und 9b
gebildet werden. Eine Kupferplatte 9c ist an einer Rückseite
2b des isolierenden Substrates 2 vorgesehen.
Die Halbleiteranordnung 1 hat eine Rückseite, die mittels ei
nes Lotes 8 an der Kupferplatte 9a befestigt ist, und eine
Oberfläche, die mit der Kupferplatte 9b elektrisch verbunden
ist.
Erste Elektroden 51a und 51b sind mit Lot 8 an den Kupfer
platten 9a bzw. 9b befestigt und elektrisch mit ihnen verbun
den.
Die Grundplatte 3 ist an der Rückseite 2b des isolierenden
Substrates 2 über die Kupferplatte 9c mit Lot 8 befestigt.
Die elektrische Isolierung kann für die Halbleiteranordnung 1
mit dem isolierenden Substrat 2 gewährleistet werden, während
Wärme von der Halbleiteranordnung 1 über die Grundplatte 3
abgestrahlt werden kann.
Fig. 3 zeigt eine Vorderansicht zur Erläuterung der Struktur
eines wassergekühlten Kühlkörpers 31, der als Grundplatte 3
verwendet werden kann. Fig. 4 zeigt eine Schnittansicht zur
Erläuterung eines Schnittes längs der Linie IV-IV in Fig. 3.
Ein Wasserkanal 32 ist in dem wassergekühlten Kühlkörper 31
vorgesehen. Die bevorzugten Ausführungsformen, die nachste
hend beschrieben sind, haben eine derartige Struktur, die
auch in einem Falle Verwendung finden kann, in welchem eine
Verwindung oder Deformation schwer zu verarbeiten ist.
Ein Gehäuse 6 weist einen Boden 6a, welcher der Grundplatte 3
gegenüberliegt, und eine Seitenwand 6b auf und besitzt Iso
liereigenschaften. Außerdem umschließt das Gehäuse 6 zusammen
mit der Grundplatte 3 die Halbleiteranordnung 1, das isolie
rende Substrat 2 und die ersten Elektroden 51a und 51b.
Zweite Elektroden 52a und 52b sind an dem Boden 6a des Gehäu
ses 6 mit Muttern 41a und 41b sowie Schrauben 42a und 42b be
festigt. Die Schrauben 42a und 42b haben die Funktion von
Ausgangsklemmen. Die Muttern 41a und 41b sind an einem kon
vexen Bereich 63 befestigt, der an dem Boden 6a vorgesehen
ist. Beispielsweise sind Löcher in dem konvexen Bereich 63
vorgesehen, in welche die Muttern 41a und 41b eingesetzt wer
den, so daß die oben beschriebene Befestigung durchgeführt
werden kann.
Gemäß der Erfindung ist jeder der Elektrodenleitungsbereiche
zur Verbindung der Kupferplatten 9a und 9b mit den Schrauben
42a und 42b als Ausgangsklemmen nicht als einteilige Struktur
ausgebildet, sondern hat jeweils drei Teile. Beispielsweise
ist die Schraube 42a mit der Kupferplatte 9a über die erste
Elektrode 51a, die zweite Elektrode 52a und einen Draht 10a
verbunden, um die erste Elektrode 51a und zweite Elektrode
52a miteinander zu verbinden. In gleicher Weise ist die
Schraube 42b mit der Kupferplatte 9b über die erste Elektrode
51b, die zweite Elektrode 52b und einen Draht 10b verbunden,
um die erste Elektrode 51b und zweite Elektrode 52b miteinan
der zu verbinden. Die Drähte 10a und 10b sind flexibel und
bestehen beispielsweise aus Aluminium. Die Drähte 10a und 10b
üben die oben beschriebene Verbindung beispielsweise über
Drahtbondinganschlüsse oder dergleichen aus.
Somit weist der Elektrodenleitungsbereich eine Vielzahl von
Elementen auf. Insbesondere werden flexible Drähte verwendet.
Infolgedessen kann die elektrische Verbindung gewährleistet
werden, und der obere Grenzwert der Absorption von mechani
schen Beanspruchungen, die zwischen den Schrauben 42a, 42b
und den Kupferplatten 9a, 9b wirken, kann erhöht werden. Ge
nauer gesagt, auch wenn eine Verwerfung oder Deformation der
Grundplatte 3 hervorgerufen wird durch eine Differenz der
Ausdehnungskoeffizienten zwischen der Grundplatte 3 und dem
isolierenden Substrat 2, so treten, verglichen mit dem Stand
der Technik, selten Risse oder Brüche im Lot 8 oder dem iso
lierenden Substrat 2 auf.
Es ist erwünscht, daß die Bereiche der ersten Elektroden 51a,
51b und der zweiten Elektroden 52a, 52b, die über die Drähte
10a und 10b miteinander verbunden sind, horizontal, d. h. par
allel zu der Grundplatte 3 verlaufen. Es ist weiterhin er
wünscht, daß der Bereich des Bodens 6a des Gehäuses 6, der
oberhalb der horizontalen Bereiche vorgesehen ist, eine Öff
nung 61 besitzt. Der Grund ist der, daß es möglich ist, die
zweiten Elektroden 52a und 52b am Boden 6a des Gehäuses 6
vorher zu befestigen und das Gehäuse 6 auf die Grundplatte 3
zu setzen, an der die ersten Elektroden 51a und 51b bereits
befestigt worden sind, um durch die Öffnung 61 hindurch die
Drahtbonding-Verbindung herzustellen, so daß die Montagear
beiten in effizienter Weise durchgeführt werden können.
Außerdem macht die Installation der Öffnung 61 es möglich,
die Verbindungszustände zwischen den ersten Elektroden 51a,
51b, den zweiten Elektroden 52a, 52b und den Drähten 10a, 10b
von außen zu erkennen, so daß eine mit der Zeit auftretende
Fehlfunktion, wie zum Beispiel ein Ablösen von Drähten, ein
Durchschmelzen oder dergleichen leicht festgestellt werden
kann.
Es ist wünschenswert, daß die ersten Elektroden 51a und 51b
Rücken an Rücken zueinander gebogen sind, wie es in Fig. 1
dargestellt ist. Es ist nicht erforderlich, eine U-Gestalt zu
verwenden, um wie beim Stand der Technik eine Entlastung von
mechanischen Spannungen zu erzielen. Infolgedessen ist eine
gefaltete Formgebung oder Konfiguration nicht erforderlich,
so daß ein Abstand L1 zwischen den zweiten Elektroden 52a und
52b größer gewählt werden kann als ein Abstand zwischen den
ersten Elektroden 51a und 51b an dem isolierenden Substrat 2.
Mit anderen Worten, die ersten Elektroden 51a und 51b können
besser gegeneinander isoliert werden, während zugleich die
Fläche reduziert wird, die für das isolierende Substrat 2 er
forderlich ist.
Dementsprechend können Verwerfungen und Deformationen der
Grundplatte 3 reduziert werden, und auch die Menge des erfor
derlichen Gels 7 kann verringert werden. Eine Menge an Gel 7
ist erforderlich, um die horizontalen Bereiche der zweiten
Elektroden 52a und 52b darin einzubetten oder einzutauchen.
Die Verwendung einer kleinen Menge von Gel 7 ist ausreichend,
so daß verhindert werden kann, daß mechanische Beanspruchun
gen und Spannungen auftreten, wobei zugleich die Herstel
lungskosten reduziert werden können.
Fig. 5 ist eine Schnittansicht zur Erläuterung der Umgebung
eines verbesserten Leistungsmoduls 101 als Halbleitervorrich
tung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Die
horizontalen Bereiche der ersten Elektrode 51a und der zwei
ten Elektrode 52a, die mit einem Draht 10a miteinander ver
bunden sind, sind mit Abstützungsbereichen 53a bzw. 54a ver
stärkt. Infolgedessen kann die Widerstandsfähigkeit gegenüber
stoßartigen Belastungen vergrößert werden, welche bei dem
Bonden des Drahtes 10a auftreten. Somit kann eine automati
sche Verbindung mit einem Drahtbonder hergestellt werden.
Es ist erwünscht, daß der Abstützungsbereich 54a mit einem
Gehäuse 6 integriert ist, wie es in Fig. 5 dargestellt ist.
Der Grund ist der, daß die Produktivität gesteigert werden
kann, wenn man es mit einem Fall vergleicht, in welchem ein
Abstützungsmaterial separat angebracht wird. Aus dem gleichen
Grunde ist es erwünscht, daß der Abstützungsbereich 53a aus
einem Formharz gebildet ist, das mit der ersten Elektrode 51a
integriert ist.
Es versteht sich von selbst, daß es erwünscht ist, daß derar
tige Abstützungsbereiche auch an der ersten Elektrode 51b und
der zweiten Elektrode 52b vorgesehen sind.
Fig. 6 zeigt eine Schnittansicht zur Erläuterung der Struktur
eines Leistungsmoduls 102, die eine Halbleitervorrichtung ge
mäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung ist. Vergli
chen mit dem Leistungsmodul 101 ist das Leistungsmodul 102
dahingehend verbessert, daß ein Vorsprung 62 an dem Boden 6a
des Gehäuses 6 vorgesehen ist.
Der Vorsprung 62 ist zwischen den ersten Elektroden 51a und
51b eingesetzt, die einander benachbart vorgesehen sind. Aus
diesem Grunde können die Abstände zwischen den ersten und
zweiten Elektroden 51a, 52a sowie den ersten und zweiten
Elektroden 51b, 52b unter dem Aspekt der elektrischen Isolie
rung bis zu der Spitze des Vorsprunges 62 effektiv größer ge
macht werden.
Dementsprechend ist eine gewisse Menge des Gels 7 erforder
lich, um die Spitze des Vorsprunges 62 einzutauchen. Hin
sichtlich der Menge des Gels 7 können bessere Wirkungen er
zielt werden als im Zusammenhang mit der ersten Ausführungs
form.
Claims (6)
1. Halbleitervorrichtung, die folgendes aufweist:
- - eine Wärme abstrahlende Platte (3);
- - eine Halbleiteranordnung (1), deren Wärme von der Wärme abstrahlenden Platte (3) aus abgestrahlt wird;
- - ein isolierendes Substrat (2), das eine erste Seite (2a) mit einem Schaltungsmuster, auf dem die Halblei teranordnung (1) angeordnet ist, und eine zweite Seite (2b) aufweist, mit der die Wärme abstrahlende Platte (3) in Kontakt kommt;
- - ein isolierendes Gehäuse (6), das einen Boden (6a) und eine Seitenwand (6b) aufweist und das die Halbleiteran ordnung (1) zusammen mit der ersten Seite (2a) des iso lierenden Substrates (2) umschließt; und
- - mindestens einen Elektrodenleitungsbereich, der mit der Halbleiter (1) über das Schaltungsmuster verbunden ist und das Gehäuse (6) durchsetzt,
dadurch gekennzeichnet,
daß der mindestens eine Elektrodenleitungsbereich jeweils
folgendes aufweist:
- - eine erste Elektrode (51a, 51b), die an dem Schaltungs muster befestigt und elektrisch mit diesem verbunden ist;
- - eine zweite Elektrode (52a, 52b), die an dem Gehäuse (6) befestigt ist; und
- - einen Leiter (10a, 10b), der flexibel ist und die je weilige erste Elektrode (51a, 51b) mit der jeweiligen zweiten Elektrode (52a, 52b) elektrisch verbindet.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Elektrode (52a, 52b) an dem Boden (6a) des Gehäuses (6) angebracht ist,
daß die ersten Elektroden (51a, 51b) und die zweiten Elektroden (52a, 52b) horizontale Bereiche in der Nähe des Leiters (10a, 10b) aufweisen, wobei die horizontalen Bereiche nahezu auf einem Niveau miteinander im Abstand von dem isolierenden Substrat (2) angeordnet sind,
und daß eine Öffnung (61) in einem Teil des Bodens (6a) des Gehäuses (6) ausgebildet ist.
daß die zweite Elektrode (52a, 52b) an dem Boden (6a) des Gehäuses (6) angebracht ist,
daß die ersten Elektroden (51a, 51b) und die zweiten Elektroden (52a, 52b) horizontale Bereiche in der Nähe des Leiters (10a, 10b) aufweisen, wobei die horizontalen Bereiche nahezu auf einem Niveau miteinander im Abstand von dem isolierenden Substrat (2) angeordnet sind,
und daß eine Öffnung (61) in einem Teil des Bodens (6a) des Gehäuses (6) ausgebildet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die horizontalen Bereiche der ersten und zweiten
Elektroden (51a, 51b, 52a, 52b) mit einem Verstärkungs
teil (53a, 54a) an der der Öffnung (61) gegenüberliegen
den Seite abgestützt sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß der mindestens eine Elektrodenleitungsbereich eine
Vielzahl von Elektrodenleitungsbereichen aufweist
und daß das Gehäuse (6) einen isolierenden Vorsprung (62)
aufweist, der sich von dem Boden (6a) des Gehäuses (6) zu
der Wärme abstrahlenden Platte (3) hin zwischen der Viel
zahl von Elektrodenleitungsbereichen erstreckt, die ein
ander benachbart vorgesehen sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß der mindestens eine Elektrodenleitungsbereich eine
Vielzahl von Elektrodenleitungsbereichen aufweist,
daß die ersten Elektroden (51a, 51b), die einander be
nachbart vorgesehen sind, Rücken an Rücken zueinander ge
bogen sind
und daß ein Zwischenraum zwischen den zweiten Elektroden
(52a, 52b), welche den jeweiligen ersten Elektroden (51a,
51b) entsprechen, größer ist als ein Zwischenraum zwi
schen den ersten Elektroden (51a, 51b).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7333100A JPH09172116A (ja) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 半導体装置 |
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DE19634202A1 true DE19634202A1 (de) | 1997-06-26 |
DE19634202C2 DE19634202C2 (de) | 2003-03-20 |
Family
ID=18262286
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DE19634202A Expired - Fee Related DE19634202C2 (de) | 1995-12-21 | 1996-08-23 | Halbleitervorrichtung |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5698898A (de) |
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Legal Events
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---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8304 | Grant after examination procedure | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |