JP4911725B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
最初に本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。図2は、図1の概略的な部分上面図である。なお図2のI−I線に沿う断面が図1の断面に対応する。図3は、図2の半導体装置に用いられる筐体の概略的な部分上面図である。図4は、本発明の実施の形態1における半導体装置に封止材が充填される前の状態を、図1と同じ範囲について概略的に示す部分断面図である。図5は、図4のV−V線に沿う概略的な部分断面図である。
図7は、本発明の実施の形態2における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。図7を参照して、本実施の形態の半導体装置100bは、実施の形態1の絶縁部51aの代わりに、絶縁部51bを有している。筐体52と絶縁部51bとは一体成形されている。絶縁部51bは、第1の電極11と第2の電極12とが対向する空間の液面FLより上の領域において、第1の電極11と第2の電極12との間を遮っている。
図8は、本発明の実施の形態3における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。図8を参照して、本実施の形態の半導体装置100cは、実施の形態1の構成に加えてさらに、樹脂部71を有している。樹脂部71は、液面FLより上方において、第1の電極11および第2の電極12の各々と絶縁部51aとの隙間を封止している。樹脂部71の材質はシリコーンゴムにより形成されている。
図10は、本発明の実施の形態4における半導体装置の構成を概略的に示す部分断面図である。図10を参照して、本実施の形態の半導体装置100dは、実施の形態1の構成に加えてさらに、Oリング80(樹脂部)を有している。Oリング80は絶縁部51aの周りを囲むように取り付けられており、液面FLより上方において第1の電極11および第2の電極12の各々と絶縁部51aとの隙間を封止している。Oリング80は、弾性体からなり、かつ環状の形状を有している。
Claims (9)
- 半導体素子と、
前記半導体素子を支持するベース板と、
前記ベース板の前記半導体素子を支持する側を囲う筐体と、
前記筐体内において前記半導体素子に電気的に接続され、前記筐体を貫通する第1の電極と、
前記筐体内において前記半導体素子に電気的に接続され、前記筐体を貫通し、前記筐体内において空間を空けて前記第1の電極と対向する部分を有する第2の電極と、
前記空間内に液面が位置するように前記筐体内に注がれた液体材料が硬化されることで形成され、かつ前記半導体素子を封止する封止材と、
前記空間の前記液面より上の領域において前記第1の電極と前記第2の電極との間を遮り、前記液面より上の領域であって前記第1の電極と前記第2の電極との間において前記第1の電極と前記第2の電極とが対向する方向に沿った寸法が前記液面に向かって小さくなる端部を有する絶縁部とを備えた、半導体装置。 - 前記絶縁部は、前記第1の電極および前記第2の電極の各々に接する部分を有する、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記筐体および前記絶縁部は一体成形されている、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記絶縁部は、前記第1の電極および前記第2の電極の各々よりも前記封止材に浅く埋め込まれている、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記空間は、前記絶縁部により前記筐体の外部から封止されている、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記絶縁部の前記端部のうち前記液面より下方における部分は、前記方向に沿った寸法が前記液面から離れるにつれて小さくなるような形状、および前記方向に沿った寸法が一定となるような形状のいずれかの形状を有する、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記液面より上方において、前記第1の電極および前記第2の電極の少なくとも一方と前記絶縁部との隙間を封止する樹脂部をさらに備えた、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記樹脂部は、流動性材料が前記隙間に沿った形状に硬化されることで形成されている、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記樹脂部は、弾性体からなり、かつ環状の形状を有する、請求項7に記載の半導体装置。
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