JP2005294846A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を供給する液体供給システムによって基板に印加される力と大きさが同じで逆方向の力を基板に印加するべく補償コントローラによってアクチュエータが制御される液浸リソグラフィのための装置である。
【選択図】図6
Description
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供するための液体供給システムと、
−前記基板に力を印加するための少なくとも1つのアクチュエータと、
−前記少なくとも1つのアクチュエータによって前記基板に印加すべき補償力を計算するための補償コントローラであって、前記補償力が前記液体供給システムによって前記基板に印加される力に対して実質的に同じ大きさで、且つ、逆方向の力になるように計算する補償コントローラとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
−基板を提供する段階と、
−照明システムを使用して投影放射ビームを提供する段階と、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用する段階と、
−パターン化された放射ビームを投影システムを使用して基板の目標部分に投射する段階と、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供する段階と、
−前記液体供給システムによって前記基板に印加される力と実質的に大きさが同じで逆方向の補償力を計算し、且つ、前記基板に印加する段階とを含むデバイス製造方法が提供される。
−投影放射(例えばUV放射)ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化手段(例えばマスク)MAを支持するための、パターン化手段をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
−基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなる)に画像化するための投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLとを備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、又、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.その他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
5 空間
10 障壁部材
15 ガス・シール
30 補償コントローラ
40、60 主要部品
45 アクチュエータ
65 位置決め手段(アクチュエータ手段)
70 力センサ(アクチュエータ)
80 圧力センサ
100 モーメント
AM 角強度分布調整手段
BD ビーム引渡しシステム
BF ベース・フレーム
C 目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN 入口
IN インテグレータ
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化手段(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
OUT 出口
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影放射ビーム(投影ビーム)
PL 投影システム(レンズ)
PM 第1の位置決め手段
PW 第2の位置決め手段
RF 度量衡学基準フレーム
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (23)
- 投影放射ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供するための液体供給システムと、
前記基板に力を印加するための少なくとも1つのアクチュエータと、
前記少なくとも1つのアクチュエータによって前記基板に印加すべき補償力を計算するための補償コントローラであって、前記補償力が前記液体供給システムによって前記基板に印加される力に対して実質的に同じ大きさで、且つ、逆方向の力になるように計算する補償コントローラとを備えたリソグラフィ装置。 - 前記補償コントローラがフィード−フォワード方式で前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラがフィードバック方式で前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムの動特性をフィルタリングし、且つ、修正する補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記基板の実際の位置若しくは所望の位置に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムによって前記基板テーブルに印加される力と実質的に同じ大きさで逆方向の補償力を前記基板テーブルに印加するべく前記少なくとも1つのアクチュエータを制御する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムによって前記基板に印加される重力による力に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記液体供給システムが、前記投影システムの前記最終エレメントを少なくとも部分的に取り囲む障壁部材を備え、それにより少なくとも部分的に液浸液が充填される空間が前記投影システムの前記最終エレメントと前記基板の間に画定される、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁部材が前記基板及び/又は基板テーブルによって少なくとも部分的に支持される、請求項6に記載の装置。
- 前記障壁部材が、障壁アクチュエータを使用して前記投影システムの光軸に平行の方向に配置される、請求項6に記載の装置。
- 前記障壁アクチュエータが空気軸受、動圧軸受若しくは静圧軸受である、請求項8に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記障壁部材を安定した状態に維持するために前記障壁アクチュエータに必要な力に基づいて前記補償力を計算する、請求項8に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液浸液の圧力変動若しくは前記液体供給システムの気体軸受内の液体及び/又はガスの圧力変動に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記液浸液の前記圧力を測定するための圧力センサ及び/又は前記液体供給システムと前記投影システムの間の力を測定するための力センサをさらに備えた、請求項11に記載の装置。
- 前記アクチュエータによって、前記基板を支持している前記基板テーブルの少なくとも一部に力が印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記基板を前記投影システムに対して支持している前記基板テーブルの前記部分の所望の重心位置若しくは実際の重心位置に基づいて前記補償力を計算する、請求項13に記載の装置。
- 前記補償コントローラによって、前記投影システムの光軸の方向の、前記投影システムの前記光軸に直角の軸の周りに回転する補償力が前記基板に印加される、請求項1に記載の装置。
- 基板を提供する段階と、
照明システムを使用して投影放射ビームを提供する段階と、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用する段階と、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して前記基板の目標部分に投射する段階と、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供する段階と、
液体供給システムによって前記基板に印加される力と実質的に大きさが同じで逆方向の補償力を計算し、且つ、前記基板に印加する段階とを含むデバイス製造方法。 - 前記補償力がフィード−フォワード方式で計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力がフィードバック方式で計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が前記基板の実際の位置若しくは所望の位置に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が、前記液体供給システムによって前記基板に印加される重力による力に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が前記液浸液の圧力変動に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/816,189 US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2004-04-02 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005294846A true JP2005294846A (ja) | 2005-10-20 |
| JP4108087B2 JP4108087B2 (ja) | 2008-06-25 |
Family
ID=34887757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005106031A Expired - Fee Related JP4108087B2 (ja) | 2004-04-02 | 2005-04-01 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7295283B2 (ja) |
| EP (1) | EP1582929B1 (ja) |
| JP (1) | JP4108087B2 (ja) |
| KR (1) | KR100660505B1 (ja) |
| CN (1) | CN100451836C (ja) |
| DE (1) | DE602005021180D1 (ja) |
| SG (1) | SG115816A1 (ja) |
| TW (1) | TWI267707B (ja) |
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- 2005-03-21 EP EP05251708A patent/EP1582929B1/en not_active Ceased
- 2005-03-30 SG SG200501976A patent/SG115816A1/en unknown
- 2005-03-30 TW TW094110025A patent/TWI267707B/zh not_active IP Right Cessation
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| CN1677243A (zh) | 2005-10-05 |
| SG115816A1 (en) | 2005-10-28 |
| JP4108087B2 (ja) | 2008-06-25 |
| US7295283B2 (en) | 2007-11-13 |
| KR20060045431A (ko) | 2006-05-17 |
| TW200538859A (en) | 2005-12-01 |
| CN100451836C (zh) | 2009-01-14 |
| TWI267707B (en) | 2006-12-01 |
| EP1582929A1 (en) | 2005-10-05 |
| DE602005021180D1 (de) | 2010-06-24 |
| EP1582929B1 (en) | 2010-05-12 |
| US20050219481A1 (en) | 2005-10-06 |
| KR100660505B1 (ko) | 2006-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070614 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080314 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080321 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080401 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4108087 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120411 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |