JP2005294846A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】投影システムの最終エレメントと基板の間に液体を供給する液体供給システムによって基板に印加される力と大きさが同じで逆方向の力を基板に印加するべく補償コントローラによってアクチュエータが制御される液浸リソグラフィのための装置である。
【選択図】図6
Description
−投影放射ビームを提供するための照明システムと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供するための液体供給システムと、
−前記基板に力を印加するための少なくとも1つのアクチュエータと、
−前記少なくとも1つのアクチュエータによって前記基板に印加すべき補償力を計算するための補償コントローラであって、前記補償力が前記液体供給システムによって前記基板に印加される力に対して実質的に同じ大きさで、且つ、逆方向の力になるように計算する補償コントローラとを備えたリソグラフィ装置が提供される。
−基板を提供する段階と、
−照明システムを使用して投影放射ビームを提供する段階と、
−投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用する段階と、
−パターン化された放射ビームを投影システムを使用して基板の目標部分に投射する段階と、
−前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供する段階と、
−前記液体供給システムによって前記基板に印加される力と実質的に大きさが同じで逆方向の補償力を計算し、且つ、前記基板に印加する段階とを含むデバイス製造方法が提供される。
−投影放射(例えばUV放射)ビームPBを提供するための照明システム(イルミネータ)ILと、
−パターン化手段(例えばマスク)MAを支持するための、パターン化手段をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された第1の支持構造(例えばマスク・テーブル)MTと、
−基板(例えばレジスト被覆ウェハ)Wを保持するための、基板をアイテムPLに対して正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された基板テーブル(例えばウェハ・テーブル)WTと、
−パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの目標部分C(例えば1つ又は複数のダイからなる)に画像化するための投影システム(例えば屈折投影レンズ)PLとを備えている。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(すなわち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モードでは、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(すなわち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の)が制限され、又、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の)が左右される。
3.その他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
5 空間
10 障壁部材
15 ガス・シール
30 補償コントローラ
40、60 主要部品
45 アクチュエータ
65 位置決め手段(アクチュエータ手段)
70 力センサ(アクチュエータ)
80 圧力センサ
100 モーメント
AM 角強度分布調整手段
BD ビーム引渡しシステム
BF ベース・フレーム
C 目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN 入口
IN インテグレータ
M1、M2 マスク位置合せマーク
MA パターン化手段(マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
OUT 出口
P1、P2 基板位置合せマーク
PB 投影放射ビーム(投影ビーム)
PL 投影システム(レンズ)
PM 第1の位置決め手段
PW 第2の位置決め手段
RF 度量衡学基準フレーム
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (23)
- 投影放射ビームを提供するための照明システムと、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供するための液体供給システムと、
前記基板に力を印加するための少なくとも1つのアクチュエータと、
前記少なくとも1つのアクチュエータによって前記基板に印加すべき補償力を計算するための補償コントローラであって、前記補償力が前記液体供給システムによって前記基板に印加される力に対して実質的に同じ大きさで、且つ、逆方向の力になるように計算する補償コントローラとを備えたリソグラフィ装置。 - 前記補償コントローラがフィード−フォワード方式で前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラがフィードバック方式で前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムの動特性をフィルタリングし、且つ、修正する補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記基板の実際の位置若しくは所望の位置に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムによって前記基板テーブルに印加される力と実質的に同じ大きさで逆方向の補償力を前記基板テーブルに印加するべく前記少なくとも1つのアクチュエータを制御する、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液体供給システムによって前記基板に印加される重力による力に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記液体供給システムが、前記投影システムの前記最終エレメントを少なくとも部分的に取り囲む障壁部材を備え、それにより少なくとも部分的に液浸液が充填される空間が前記投影システムの前記最終エレメントと前記基板の間に画定される、請求項1に記載の装置。
- 前記障壁部材が前記基板及び/又は基板テーブルによって少なくとも部分的に支持される、請求項6に記載の装置。
- 前記障壁部材が、障壁アクチュエータを使用して前記投影システムの光軸に平行の方向に配置される、請求項6に記載の装置。
- 前記障壁アクチュエータが空気軸受、動圧軸受若しくは静圧軸受である、請求項8に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記障壁部材を安定した状態に維持するために前記障壁アクチュエータに必要な力に基づいて前記補償力を計算する、請求項8に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記液浸液の圧力変動若しくは前記液体供給システムの気体軸受内の液体及び/又はガスの圧力変動に基づいて前記補償力を計算する、請求項1に記載の装置。
- 前記液浸液の前記圧力を測定するための圧力センサ及び/又は前記液体供給システムと前記投影システムの間の力を測定するための力センサをさらに備えた、請求項11に記載の装置。
- 前記アクチュエータによって、前記基板を支持している前記基板テーブルの少なくとも一部に力が印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記補償コントローラが、前記基板を前記投影システムに対して支持している前記基板テーブルの前記部分の所望の重心位置若しくは実際の重心位置に基づいて前記補償力を計算する、請求項13に記載の装置。
- 前記補償コントローラによって、前記投影システムの光軸の方向の、前記投影システムの前記光軸に直角の軸の周りに回転する補償力が前記基板に印加される、請求項1に記載の装置。
- 基板を提供する段階と、
照明システムを使用して投影放射ビームを提供する段階と、
前記投影ビームの断面にパターンを付与するべくパターン化手段を使用する段階と、
パターン化された放射ビームを投影システムを使用して前記基板の目標部分に投射する段階と、
前記投影システムの最終エレメントと前記基板の間に液浸液を提供する段階と、
液体供給システムによって前記基板に印加される力と実質的に大きさが同じで逆方向の補償力を計算し、且つ、前記基板に印加する段階とを含むデバイス製造方法。 - 前記補償力がフィード−フォワード方式で計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力がフィードバック方式で計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が前記基板の実際の位置若しくは所望の位置に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が、前記液体供給システムによって前記基板に印加される重力による力に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
- 前記補償力が前記液浸液の圧力変動に基づいて計算される、請求項18に記載の方法。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008505485A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-21 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
| KR100851644B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2008-08-13 | 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. | 침지 리소그래피에서 표면장력 및 접촉각도를 증가시키기위한 시스템 및 방법 |
| JP2009065223A (ja) * | 2004-10-18 | 2009-03-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
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| US7692760B2 (en) | 2004-08-05 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method |
| JP2010267961A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2012527743A (ja) * | 2009-05-21 | 2012-11-08 | 株式会社ニコン | 洗浄方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
| DE10261775A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems |
| SG183572A1 (en) | 2003-02-26 | 2012-09-27 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| JP4902201B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| KR101409565B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
| KR20180089562A (ko) | 2003-04-10 | 2018-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
| JP4656057B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
| SG10201803122UA (en) * | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
| SG139733A1 (en) | 2003-04-11 | 2008-02-29 | Nikon Corp | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
| TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN100437358C (zh) * | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
| TWI424470B (zh) | 2003-05-23 | 2014-01-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
| TWI463533B (zh) * | 2003-05-23 | 2014-12-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
| CN100541717C (zh) | 2003-05-28 | 2009-09-16 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法 |
| US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1486827B1 (en) | 2003-06-11 | 2011-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4415939B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| KR101148810B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| JP2007527615A (ja) * | 2003-07-01 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 同位体特定流体の光学素子としての使用方法 |
| WO2005010611A2 (en) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| EP1643543B1 (en) | 2003-07-09 | 2010-11-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing device |
| ATE513309T1 (de) * | 2003-07-09 | 2011-07-15 | Nikon Corp | Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung |
| KR101296501B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| EP3346485A1 (en) * | 2003-07-25 | 2018-07-11 | Nikon Corporation | Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method |
| KR101343720B1 (ko) | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
| EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| WO2005022616A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101308826B1 (ko) * | 2003-09-03 | 2013-09-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
| WO2005029559A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| TWI574302B (zh) | 2003-09-29 | 2017-03-11 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
| EP1672682A4 (en) | 2003-10-08 | 2008-10-15 | Zao Nikon Co Ltd | SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
| JP2005136364A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Zao Nikon Co Ltd | 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
| KR101203028B1 (ko) | 2003-10-08 | 2012-11-21 | 가부시키가이샤 자오 니콘 | 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법 |
| TWI598934B (zh) | 2003-10-09 | 2017-09-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| TWI440981B (zh) | 2003-12-03 | 2014-06-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
| CN100487860C (zh) | 2003-12-15 | 2009-05-13 | 株式会社尼康 | 台装置、曝光装置和曝光方法 |
| US20070081133A1 (en) * | 2004-12-14 | 2007-04-12 | Niikon Corporation | Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method |
| WO2005057635A1 (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-23 | Nikon Corporation | 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法 |
| KR101561727B1 (ko) | 2004-01-05 | 2015-10-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2005093791A1 (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
| US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7796274B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-14 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
| KR101162128B1 (ko) | 2004-06-09 | 2012-07-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101556454B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2015-10-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
| JP4623095B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィレンズの流体圧力補正 |
| US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US8384874B2 (en) | 2004-07-12 | 2013-02-26 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and device manufacturing method to detect if liquid on base member |
| US8305553B2 (en) * | 2004-08-18 | 2012-11-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7355674B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
| US7397533B2 (en) | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101942138B1 (ko) | 2005-01-31 | 2019-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US8692973B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
| US7282701B2 (en) | 2005-02-28 | 2007-10-16 | Asml Netherlands B.V. | Sensor for use in a lithographic apparatus |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR100802008B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2008-02-12 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 이머션 리소그래피 장치 및 방법 |
| US7357768B2 (en) * | 2005-09-22 | 2008-04-15 | William Marshall | Recliner exerciser |
| US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7443483B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-10-28 | Entegris, Inc. | Systems and methods for fluid flow control in an immersion lithography system |
| US8654305B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
| US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
| US20080198348A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-21 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for minimizing force variation from immersion liquid in lithography systems |
| KR101448152B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2014-10-07 | 삼성전자주식회사 | 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서 |
| US9176393B2 (en) | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
| NL2008695A (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising substrate table. |
| US11879683B2 (en) * | 2020-04-07 | 2024-01-23 | Kla Corporation | Self-aligning vacuum feed-through for liquid nitrogen |
Family Cites Families (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE224448C (ja) | ||||
| DE221563C (ja) | ||||
| DE242880C (ja) | ||||
| DE206607C (ja) | ||||
| GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
| US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
| DE2963537D1 (en) | 1979-07-27 | 1982-10-07 | Tabarelli Werner W | Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer |
| FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
| JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
| US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
| US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
| US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
| JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
| JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
| JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
| JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
| US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
| JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
| US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
| JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
| JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
| JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
| JP2520833B2 (ja) | 1992-12-21 | 1996-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 浸漬式の液処理装置 |
| JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
| JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
| WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
| US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
| JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
| JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
| JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
| JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
| US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
| JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
| AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
| JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
| TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
| JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
| JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
| TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
| KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
| US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
| US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
| US6897941B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
| DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
| DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
| EP1357429A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
| US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
| DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
| DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
| KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| SG165169A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-10-28 | Nikon Corp | Liquid immersion exposure apparatus |
| SG158745A1 (en) | 2002-12-10 | 2010-02-26 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
| WO2004053951A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
| JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
| JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| KR20050085235A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101037057B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
| WO2004053957A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
| EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
| DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
| USRE46433E1 (en) | 2002-12-19 | 2017-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| EP1584089B1 (en) | 2002-12-19 | 2006-08-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
| US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
-
2004
- 2004-04-02 US US10/816,189 patent/US7295283B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-21 EP EP05251708A patent/EP1582929B1/en not_active Ceased
- 2005-03-21 DE DE602005021180T patent/DE602005021180D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-30 SG SG200501976A patent/SG115816A1/en unknown
- 2005-03-30 TW TW094110025A patent/TWI267707B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-04-01 CN CNB2005100626266A patent/CN100451836C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2005-04-01 KR KR1020050027602A patent/KR100660505B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-01 JP JP2005106031A patent/JP4108087B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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